「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor equipment has a main body that processes materials to form the semiconductor; recording means that record operation data of the main body as predetermined data; and display means that are located at a remote point from the main body, and displays simulated results of arithmetic means that compute and simulate the operation of the main body using the data.例文帳に追加

原材料を処理して半導体を形成する本体と、この本体が行う動作の情報を所定のデータとして記録する記録手段と、前記本体と遠隔した箇所に設けられ、前記データを利用して前記本体の動作を演算してシミュレートする演算手段のシミュレートした結果を表示する表示手段とを備えた半導体製造装置。 - 特許庁

This method of manufacturing the semiconductor device includes processes of: forming a P-type region on a surface of a semiconductor substrate; forming an Al electrode on the P-type region; forming an interlayer film contacting with the Al film and formed of a substance hardly reacting with Si relative to Al; and forming a semi-insulating film containing Si on the interlayer film.例文帳に追加

半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14.例文帳に追加

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。 - 特許庁

Then an n-type silicon substrate 30 where the MOS device is formed is cut by dicing together with the heat sink substrate 34 to form a semiconductor chip 106 united with the heat sink 107, and the semiconductor chip 106 can be handled together with the heat sink 107, so the handling in the thin-film state is not necessary even in subsequent processes.例文帳に追加

そして、ヒートシンク基板３４と共にＭＯＳデバイスが形成されたｎ型シリコン基板３０をダイシングカットすることで、ヒートシンク１０７と一体化された半導体チップ１０６を形成でき、ヒートシンク１０７と共に半導体チップ１０６を取り扱うことができるため、この後の工程でも薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済むようにできる。 - 特許庁

To reduce fluctuation in characteristics of an element formed in a processing circuit part in spite of installation of the processing circuit part, which processes a value detected by a detection part, in a semiconductor chip in a mechanical quantities detector, in which the semiconductor chip having the detection part detecting impression of a dynamic quantity is connected to a base via a connection layer.例文帳に追加

力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor memory device in which writing and erasing speed can be kept constant by setting the internal voltage for writing and erasing to the optimum value, even when writing and erasing characteristics of the memory cell are varied due to the change of processes, in a semiconductor memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体記憶装置において、プロセスばらつきにより、メモリセルの書込み及び消去特性が変動した場合であっても、書込み及び消去のための内部電圧を最適値に設定することにより、書込み及び消去スピードを一定に保つことができる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element which can reduce the number of manufacturing processes for manufacturing a basic electronic element (electrode, wiring electrode, and contact hole) under high integration of a semiconductor arithmetic element, display element, etc., and also to provide an electronic element, display element, display device, semiconductor arithmetic element, and computer, which can be reduced in cost and improved in reliability.例文帳に追加

半導体演算素子や表示素子等の高集積化の下で、基本的な電子素子（電極や配線電極およびコンタクトホール）を作製する製造工程の低減を図れる電子素子の製造方法、コストの低減や信頼性の向上を図れる電子素子、表示素子、表示装置、半導体演算素子、コンピュータを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device equipped with the gate insulating film formed of high-dielectric material comprises processes of forming the insulating film used for nucleation on the semiconductor substrate, forming the high-dielectric film on the insulating film, and processing the insulating film and/or the high-dielectric film in supercritical carbon dioxide.例文帳に追加

高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に核形成のための絶縁膜を形成を形成し、この絶縁膜上に高誘電体膜を形成し、絶縁膜又は／及び高誘電体膜を超臨界二酸化炭素中で処理する工程を有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 100 comprises processes of forming a first interlayer insulating film 108 on a semiconductor wafer, providing a second etching stop film 110 on the first interlayer insulating film 108, and selectively forming two or more concaves on the first interlayer insulating film 108, making them penetrate through the second etching stop film 110.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜１０８を形成し、第１の層間絶縁膜１０８上に第２のエッチング阻止膜１１０を形成し、第２のエッチング阻止膜１１０を貫通して複数の凹部を第１の層間絶縁膜１０８に選択的に形成する工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for forming the capacitor of the semiconductor element includes processes of forming a storage node electrode on a semiconductor substrate, forming a dielectric film having a high dielectric constant on the storage node electrode, evaporating a plate electrode on the dielectric film, and supplying a gas containing hydrogen atoms (H) on the semiconductor substrate while evaporating a capping film on the plate electrode to discharge a reacted impurity remained in the electrode.例文帳に追加

半導体基板上にストレージノード電極を形成する工程と、ストレージノード電極上に、高誘電定数を持つ誘電体膜を形成する工程と、誘電体膜上にプレート電極を蒸着する工程と、プレート電極上にキャッピング膜を蒸着しながら当該半導体基板上に水素原子（Ｈ）を含有するガスを供給して、当該電極内に残留する反応不純物を排出させる工程と、を含む構成とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing technique which dispenses with the data conversion matched with the respective processes required heretofore, capable of easily selecting the effective data utilizable in the respective processes from possessed data by collectively controlling the possessed data, performs correction of photographic recipe on the basis of time series data, even when there are temporal fluctuations in the shape of a forming pattern and can form a stably measurable photographic recipe.例文帳に追加

従来必要であった各工程に合わせたデータ変換を不要とし、また保有データを一括管理して、各工程に利用することが有効なデータを保有データから容易に選択することができ、また、形成パターンの形状に時間変動があった場合にも、時系列データをもとに撮像レシピの修正を行い、安定な計測が可能な撮像レシピを生成することができる半導体製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which suppresses an increase of manufacturing processes, and also suppresses the deterioration of the performance of the whole device even if characteristic improving treatment are carried out for a P-type transistor and an N-type transistor.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタの特性向上処理とＮ型トランジスタの特性向上処理とを施したとしても、製造工程の増加を抑制することができ、かつデバイス全体の性能の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method can improve the temporary fixing force and bonding force of the junction portion compared to a case where a tacking force of a flux 26 is utilized, and the positional deviation of the semiconductor chip 21 can be prevented in transportation between processes, and thus, the reliability of the junction portion can be improved.例文帳に追加

これにより、フラックス２６のタック力を利用する場合に比べて接合部の仮固定力と密着力の向上を図ることができ、工程間の搬送時における半導体チップ２１の位置ずれを防止でき、接合部の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method and a system in which the influence of particle is reduced by suppressing generation of particles sticking to a semiconductor substrate or suppressing the number of those particles when particles are generation a plurality of processes of a plurality of consecutive steps using the plasma.例文帳に追加

プラズマを利用して複数のプロセス処理を連続した複数のステップで行う場合、半導体基板に付着するパーティクルの発生を抑制し、また発生しても半導体基板に付着するパーティクル数を抑制してパーティクルの影響を低減するようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having long period reliability in addition to the capability of low threshold current and high output operation, further, abundant in the degree of freedom of optical characteristic designing and capable of coping with both of stabilized optical characteristics and cost reduction by simplification of manufacturing processes.例文帳に追加

低閾値電流・高出力動作が可能な上、長期の信頼性を有しており、さらに光学特性設計の自由度に富み、かつ安定した光学特性と製造工程の簡略化によるコスト低減とを両立した半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its correcting method capable of achieving a desired conversion characteristic and a improvement of yields for an A/D converter whose characteristic is out of a desired value due to variations of production processes by an automatic correction to an offset of the converter.例文帳に追加

製造工程のバラツキによって特性が所望値より外れたＡ／Ｄコンバータに対して、そのオフセットを自動的に補正することにより、所望の変換特性を実現でき、歩留りの向上を実現できる半導体装置及びその補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is suitable for preventing the increase in resistance due to reduction in the thickness of a titanium silicide film and also for preventing decline in thermal stability due to coagulation or cracking of the titanium silicide film in the succeeding thermal processes.例文帳に追加

チタニウムシリサイド膜の厚さ減少による抵抗増加を防止し、後続の熱工程によりチタニウムシリサイド膜が凝集したり亀裂して素子の熱的安定性が低下することを防止することに好適な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method to reduce pickup failures or die bonding process failures by rapidly reducing the thickness of a chip at a chip pickup process after dicing or a die bonding process in an assembling process from among manufacturing processes of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程またはダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良またはダイ・ボンディング工程不良の低減方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same ensuring etching resistance for both hydrofluoric acid and phosphoric acid, and preventing withdrawal of an element isolating and insulating film due to the processes by hydrofluoric acid and phosphoric acid, and to provide a method for forming an oxynitrided silicon film used for the same device and method.例文帳に追加

フッ酸とリン酸両方に対してエッチング耐性があり、フッ酸やリン酸の処理による素子分離絶縁膜の後退を防止することができる半導体装置及びその製造方法と、それに用いる酸窒化シリコン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can reduce shape defects of a contact hole by more securely performing the formation of the contact hole in such a shape that a conductive layer is easily formed, especially, dry etching after wet etching without greatly increasing processes.例文帳に追加

工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices to form IPO capacitors, bipolar transistors and CMOSFETs on a substrate, in which a thermal oxide film of the polycrystal silicon film as a lower side electrode is formed as an insulating layer of the IPO capacitor to reduce the number of manufacturing processes.例文帳に追加

ＩＰＯキャパシタとバイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、下側電極をなす多結晶シリコン膜の熱酸化膜をＩＰＯキャパシタの絶縁層とし、製造工程数を少なくする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device that allows a high supply voltage circuit section to have sufficient latch-up resistance, without having to increase the number of processes, and uses the same trench separation as that of the high supply voltage circuit section, even in a low supply voltage circuit section to achieve a high degree of element integration at the same time.例文帳に追加

工程の増加なく高電源電圧回路部に十分なラッチアップ耐性を持たせつつ、低電源電圧回路部においても高電源電圧回路部と同じトレンチ分離を使用しながら高い素子集積度を持った半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide an organic solar battery and an organic solar battery module which can sharply improve a light absorption coefficient through an organic semiconductor layer, and can achieve high power generation efficiency, and to provide a manufacturing method with high productivity based on continuous manufacturing processes.例文帳に追加

有機半導体層による光吸収効率を大幅に向上させて高い発電効率を実現する有機太陽電池及び有機太陽電池モジュールを提供するとともに、連続製造プロセスによる生産性の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-channel drive circuit capable of driving loads of all the channels constituting a load array under uniform conditions, even when variations occurs in circuit characteristics of each channel, including current source due to semiconductor manufacturing processes, and the like.例文帳に追加

半導体製造プロセス等に起因して、電流源を含む各チャネルの回路特性がチャネル間でバラツキを生ずる場合にも、負荷アレイを構成する各チャネルの負荷を全チャネルに亘り均一な条件で駆動可能としたマルチチャネル駆動回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitor formed by laminating capacitor cylinders in multiple stages where the formation of a multistage capacitor and the removal of a support insulating film for supporting the capacitor cylinders in the peripheral circuit region can be attained without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

多段キャパシタの形成およびキャパシタシリンダを支えるサポート絶縁膜の周辺回路領域における除去を工程数を増大させることなく達成する、キャパシタシリンダが多段に積層されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a precursor composition capable of reducing the number of multilayering processes in the case of manufacturing a porous interlayer dielectric, and to provide a porous film obtained by using the precursor composition, a method for manufacturing the porous film, and a semiconductor device using the porous film.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing a MOSFET 1 as the method for manufacturing the semiconductor device includes processes of: preparing an n^-SiC layer 12 consisting of silicon carbide; and forming a source-contact electrode 16 on the main surface of the n^-SiC layer 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなるｎ^−ＳｉＣ層１２を準備する工程と、ｎ^−ＳｉＣ層１２の主表面上にソースコンタクト電極１６を形成する工程とを備えるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法である。 - 特許庁

To provide an electronic device and a method of manufacturing the same, wherein bridging between solder bumps is prevented in processes of manufacturing the electronic device, and a BGA type semiconductor device is easily mounted on a circuit board.例文帳に追加

電子装置の製造工程において、はんだバンプ同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、ＢＧＡ型の半導体装置を回路基板上に容易に実装を行うことができる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

To supply power to a driving means necessary for driving it while using low voltage as a power source to a control means for making it meet low current consumption and lowering of the breakdown voltage accompanying micro fabrication of semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

制御手段を低消費電流および半導体製造プロセスの微細化に伴う耐圧の低下に対応させるために該制御手段に対しては電源として低い電圧を用いながらも、駆動手段に対してはその駆動に必要な電源を供給する。 - 特許庁

By using a semiconductor manufacturing apparatus having a purifying apparatus, a plurality of reaction chambers, a heating chamber, a laser apparatus, and an etching apparatus, processes from the formation of a ground film to the gettering of the catalyst element and the removal of a gettering layer are continuously carried out.例文帳に追加

洗浄装置、複数の反応室、加熱室、レーザー装置およびエッチング装置を有する半導体製造装置を用いることにより、下地膜形成から、当該触媒元素のゲッタリングおよびゲッタリング層の除去までを連続的に処理するものである。 - 特許庁

The plurality of mask patterns 1 to 4 formed in one photomask are continuously used in the photolithographic processes of two or more different layers in the semiconductor device and are arranged substantially in one direction with aligned setting direction of the patterns for use.例文帳に追加

しかも、１枚のフォトマスク内に形成される複数のマスクパターン１〜４は、半導体装置の２層以上の異なる層のフォトリソグラフィ工程において連続して使用されるとともに、使用される時の向きも揃えて実質的に同一方向に配置されている。 - 特許庁

The method of dicing has processes of: cutting the dicing line of a semiconductor wafer to which the die bond film is pasted by upper cut using a blade; and cutting the dicing line cut by the upper cut, by down cut using the blade.例文帳に追加

ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削する工程と、を有することを特徴とするダイシング方法。 - 特許庁

The photomask has a plurality of layout pattern regions 12-1, 12-2 to be used in different exposure processes for one kind of semiconductor product and a light shielding zone region 13 separating the above plurality of layout pattern regions on a single substrate 11.例文帳に追加

フォトマスクは、１つの半導体製品の異なる露光工程で用いられる複数のレイアウトパターン領域１２−１，１２−２と、前記複数のレイアウトパターン領域を分離する遮光帯領域１３とを単一の基板１１に備えることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which forms a fine interconnection using buried interconnection forming techniques without causing the separation or deformation of an interlayer insulation film during processes, and which uses a film of low permittivity having low film strength as the interlayer insulation film.例文帳に追加

埋め込み配線形成技術を適用して微細な配線を形成しつつも、プロセス中において層間絶縁膜の膜剥がれや変形などを発生させることなく、膜強度の低い低誘電率膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置を得る。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR DESIGNING LAYOUT OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM FOR ALLOWING COMPUTER TO EXECUTE RESPECTIVE MEANS IN THE SYSTEM OR RESPECTIVE PROCESSES IN THE METHOD例文帳に追加

半導体集積回路装置のレイアウト設計システム、半導体集積回路装置のレイアウト設計方法、およびそのシステムにおける各手段をもしくはその方法における各工程をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of Bi-CMOS semiconductor device in which ion implantation conditions can be set independently for the emitter region of a vertical PNP bipolar transistor and the source-drain region of a PMOS transistor without requiring additional photoresist processes.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトレジスト工程を追加することなく、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とのイオン注入条件をそれぞれ独立に設定することができるようにする。 - 特許庁

A computer program for realizing the processes in the preferred embodiment can be provided to a computer by means of medium which holds a program in a fixed manner, such as a hard disk or semiconductor memory, or by means of a medium which holds a program in a fluid manner, such as a communication network. 例文帳に追加

本実施例を実現させるためのコンピュータ・プログラムはハードディスクや半導体メモリのように固定的にプログラムを担持する媒体からでも、通信ネットワークのように流動的にプログラムを担持する媒体からでも、コンピュータに供給することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can generate a response signal corresponding to writing request without assuming large delay and which can surely perform writing operation of data even if any delay generating among signals due to the variance of manufacturing processes or the like is changed.例文帳に追加

書き込み要求に対応する応答信号を大きな遅延を仮定することなく生成でき、製造プロセスのばらつき等に起因して各信号の間に生じる遅延が変動しても、データの読み書き動作を確実に実効できる半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a new resistless ion implantation method, capable of reducing the number of processes, particularly, in and around ion implantation process, for the purpose of reducing the manufacturing cost by the compression of the process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a device for realizing this method.例文帳に追加

半導体デバイス製造のプロセス工程の圧縮により製造コストの低減を目指し、特に、イオン注入工程周辺の工程を削減することが可能な新たなレジストレスイオン注入方法およびそれを実現する装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a transistor having sufficient withstand pressure, including a gate insulating film which can be formed by easy processes, and not requiring a high-temperature crystallizing process, and to provide a method of manufacturing the transistor, and an electro-optical device, a semiconductor device and an electronic apparatus.例文帳に追加

十分な耐圧を有し、しかも容易なプロセスで形成することのできるゲート絶縁膜を備え、さらに高温での結晶化処理を不要にしたトランジスタとその製造方法、及びこのトランジスタを備えた電気光学装置、半導体装置、電子機器を提供する。 - 特許庁