「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive tape is provided on an active surface of the semiconductor in order to seal the upper side of the wire bonding adjacent to the active surface and to enhance a stability of the wire bonding in subsequent processes.例文帳に追加

接着テープは、活性面と隣接したワイヤボンディングの上部を封止するために、半導体の活性面に提供し、後続工程においてワイヤボンディングの安定性を向上させる。 - 特許庁

A handling unit 20 takes a substrate to be processed next out of a load port and delivers it to a pre-alignement unit 30 while a substrate processing device processes a plurality of semiconductor wafers 1.例文帳に追加

ハンドリングユニット２０は、基板処理装置が複数の半導体ウェーハ１を処理している間に、次に処理される基板をロードポートから取り出してプリアライメントユニット３０へ供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a production method of the same which allow the process time to be shortened and the manufacturing cost to be reduced by decreasing lithography processes by optimizing the structure.例文帳に追加

構造を最適化してリソグラフィー工程を削減することで、工程時間の短縮および製造コストの削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which can reduce the off-state leakage current on standby, and which can also reduce the leakage current paths, resulting in preventing an increase in manufacturing processes.例文帳に追加

待機動作時のオフリーク電流の削減を実現でき、しかもリーク電流の経路の削減を図って製造工程の増加を防止し得る半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To reduce resistance or capacitance errors due to the variations in production processes and improve accuracy of the output, in a D/A converter formed in an integrated circuit on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に集積回路として形成するＤＡ変換器において、製造プロセスのバラツキによる抵抗または容量の誤差を低減し出力精度を向上させる。 - 特許庁

To make it hard to generate a resist residue when peeling off a plating resist film for forming a column-shaped electrode and to reduce the number of processes in a semiconductor apparatus called CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにし、且つ、工程数を少なくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which a threshold voltage Vth can be easily achieved without increasing the number of manufacturing processes by a large amount, while maintaining the same temperature characteristic for MISFET.例文帳に追加

製造工程を大幅には増加させることなく、かつＭＩＳＦＥＴについて同じ温度特性をもたせつつ、しきい値電圧Ｖthを容易することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a complementary logic gate and a manufacturing method for which power consumption is small, the threshold voltage is easily controlled and the number of manufacturing processes is small.例文帳に追加

低消費電力でしきい値電圧の制御が容易であり、製造工程数の少ない相補型論理ゲートを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since the impure substances adhered inside the sample chamber or the like can be removed, generation of defects at the semiconductor manufacturing processes, after the measurement and inspection, can be restrained.例文帳に追加

これによって、試料室内等で付着する不純物を除去することができるため、測定，検査後の半導体製造工程における不良発生を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide the forming method of a contact in a semiconductor device capable of minimizing dishing phenomenon generated in subsequent CMP processes if a contact substance is formed as an epitaxial silicon using SPE system and subsequent thermal treatments.例文帳に追加

ＳＰＥ方式及び後続熱処理を用いてコンタクト物質をエピタキシャルシリコンとして形成する場合に発生する後続ＣＭＰ工程でのディッシング現象を最小化させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the number of processes of flattening processing by CMP is reduced to reduce variance in thickness of a stopper film used for the flattening processing.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化処理の工程数を減らし、平坦化処理の際に用いられるストッパー膜の膜厚バラツキを低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent short-circuiting etc., from being caused in subsequent processes as a main surface of a semiconductor substrate becomes uneven when a low dielectric constant film wiring lamination part is cut with a laser beam.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層部をレーザビームで切断する際に半導体基板の主面に凹凸が生じ、以降の工程において短絡などが発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which can detect heat generation rapidly and can be manufactured with a relatively small number of manufacturing processes without increasing size.例文帳に追加

大形化することなく、発熱を迅速に検出することができ、かつ比較的少ない製造工程数で製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the metal circuit plate 12 of this metal-ceramics bonding substrate, a semiconductor chip (Si chip) 18 is soldered (solder layer 20), and a power module is manufactured through the predetermined processes.例文帳に追加

この金属−セラミックス接合基板の金属回路板１２上には、半導体チップ（Ｓｉチップ）１８が半田付けされ（半田層２０）、所定の工程を経てパワーモジュールが作製される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device in which addition to manufacturing processes is suppressed and timing optimization is achievable without increasing cost/TAT.例文帳に追加

製造プロセスへの付加を抑えコスト・ＴＡＴを増大させることなくタイミング最適化が可能となる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device containing a base layer and an emitter layer, in which the number of times of photolithography and etching processes is small at the time of creating the base layer.例文帳に追加

ベース層を作成するときのフォトリソグラフィおよびエッチング工程の回数が少ない、ベース層とエミッタ層とを含む半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a MOS-type semiconductor device, which can be manufactured with simpler processes and includes parallel flat capacitors that do not interfere with miniaturization of a transistor, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

工程を簡略化すると共に、トランジスタの微細化を妨げない平行平板型コンデンサを含むＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method adapted to the manufacturing of an SoC device after the 45 nm generation in which the processability of a metal gate structure is improved without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を増加させずにメタルゲート構造の加工性を向上した、４５ｎｍ世代以降のＳｏＣデバイスの製造に対応可能な半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Each semiconductor manufacturing apparatus MC is used under various conditions (recipe ID) during day, and the operation state is evaluated for each condition in real time, based on the recipe P/H and the number of actual processes.例文帳に追加

１日に様々な条件（レシピＩＤ）で各々の半導体製造装置ＭＣが使用され、その都度、レシピＰ／Ｈと実績処理数から、稼動状態をリアルタイムで評価する。 - 特許庁

To simplify manufacturing processes of a semiconductor module or solid-state imaging device and to improve the yield while increasing the image processing speed, actualizing simultaneity, and improving the picture quality.例文帳に追加

半導体モジュールあるいは固体撮像装置において、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which processes can be simplified, when integrating the cell capacity of a DRAM and a capacitive element of an analog element region on the same chip.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセル容量と、アナログ素子領域の容量素子と、を同一チップに混載するときに、工程の簡略化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high withstand voltage and a high step coverage property of a gate insulating layer by a manufacturing method with a small number of processes and high usability of materials.例文帳に追加

少ない工程数で、且つ材料の利用効率を高めた手法で、耐圧が高く、且つゲート絶縁層の段差被覆性が高い半導体装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas-sensing semiconductor device which can be monolithically integrated with drive, control and transducing circuits at a low cost, without requiring extra masks nor processes.例文帳に追加

低コストで、処理回路と制御回路と変換回路とを一体的に集積することができ、余計なマスクや工程を必要としないガス検知半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a management method for manufacturing processes, which can exclude artificial elements from determination whether or not lots can be disposed in manufacturing process management for semiconductor apparatuses as much as possible.例文帳に追加

半導体装置などの製造工程管理におけるロット廃棄の可否の判断から人為的要素を極力排除できる製造工程の管理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce occurrence of defective bonding between a base substrate and a semiconductor substrate even when a silicon nitride film or the like is used as a bonding layer, and to provide a method for manufacturing an SOI substrate by which an increase in the number of processes can be suppressed.例文帳に追加

窒化シリコン膜等を接合層として用いる場合であっても、ベース基板と半導体基板との接合不良の発生を低減することを目的の一とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which processes can be simplified, when integrating a cell capacity of a DRAM and a capacitive element of an analog element region on one and the same chip.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセル容量と、アナログ素子領域の容量素子と、を同一チップに混載するときに、工程の簡略化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solar battery using a silicon semiconductor, having high quantum-conversion efficiency, requiring few production processes during manufacturing, and capable of being recycled in view of an environmental load and material recycling.例文帳に追加

高い量子変換効率を有し、製造時の生産工程数が少なく、環境負荷や材料再生の面からリサイクル可能な、シリコン半導体を用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a display device that facilitates positioning and sticking of a semiconductor circuit to a counter substrate, increases the yield by reducing the number of processes, and has high aperture ratio.例文帳に追加

半導体回路と対向基板との位置合わせ及び貼り合せが容易であり、かつ工程数を削減することで歩留りが高く、かつ開口率の高い表示装置を提供することである。 - 特許庁

The composition for the formation of an antireflection film contains a polymer having a polycyclic alicyclic structure and a crosslinking agent, and is used for lithographic processes for the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

多環式脂環式構造を有するポリマー及び架橋剤を含むことを特徴とする半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いられる反射防止膜形成組成物。 - 特許庁

To provide a bias current generating circuit capable of reducing variations in delay time and power consumption caused by semiconductor processes, and to provide a differential circuit that uses the bias current generating circuit.例文帳に追加

半導体プロセスに起因する遅延時間および消費電力のばらつきを小さくすることができるバイアス電流発生回路およびそれを用いた差動回路を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which increases the film thickness of an epitaxial layer in a part contributing to improvement of characteristics of a bipolar transistor without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数の増加を伴わず、バイポーラトランジスタの特性向上に寄与する部分のエピタキシャル層の膜厚を厚くする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology of early and easily finding out a cause to abnormality exposure of a semiconductor wafer so as to avoid the exposure abnormality in succeeding exposure processes independently of the normality/abnormality of stimulating operations of an excimer laser apparatus.例文帳に追加

エキシマレーザ装置の発振動作正常・異常に関わらず、半導体ウェーハの露光異常の原因を早期に且つ容易に発見し、以後の露光処理での露光異常を回避する。 - 特許庁

PROCESSES FOR PRODUCTION OF GLASS SUBSTRATE FOR MASK BLANK, MASK BLANK, TRANSFER MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, GLASS SUBSTRATE FOR MASK BLANK, MASK BLANK AND TRANSFER MASK例文帳に追加

マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法、並びにマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクス、転写マスク - 特許庁

To eliminate Fermi level pinning by adopting a process familiar to existing manufacturing processes without deteriorating device characteristics in an insulated gate semiconductor device and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、デバイス特性を劣化させることなく、且つ、既存の製造工程になじみやすい工程によりフェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To prevent contamination of copper metal produced when cleaning a semiconductor substrate before forming a barrier film to form an upper wiring layer and to reduce the number of manufacturing processes.例文帳に追加

上層の配線層のためにバリア層成膜する前の半導体基板のクリーニング処理により発生する銅金属の汚染を防止し、かつ製造工程の工程数を削減する。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor device is so fastened to a mounting board 22 having formed conductive patterns 23 as to make reducible the assembling processes of the hybrid integrated circuit apparatus.例文帳に追加

その後、この半導体装置を導電パターン２３が形成されている実装基板２２に固着することで、混成集積回路装置の組み立て工程を減らすことができるものである。 - 特許庁

To form a silicide layer only at a logic part with no additional photolithography processes which uses a new photomask, when forming a memory cell part and a logic part on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上にメモリセル部とロジック部とを形成する場合、新たなフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程を追加することなく、ロジック部のみにシリサイド層を形成する。 - 特許庁

To stably maintain high cleanliness within a cabinet in a substrate treatment apparatus for manufacturing a semiconductor device by conducting processes such as film forming and impurity diffusion or the like to the substrate.例文帳に追加

基板に製膜処理、不純物の拡散等の処理をして、半導体装置を製造する基板処理装置に於いて、筐体内の高清浄度を安定して維持できる様にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device on which a fin type MOSFET and a planar type MOSFET having respectively suitable thresholds are mixedly mounted and which can be manufactured through a small number of processes.例文帳に追加

それぞれが適した閾値を有するフィン型ＭＯＳＦＥＴとプレーナ型ＭＯＳＦＥＴが混載され、且つ少ない工程で製造することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Whenever the hot plate unit 28 processes the prescribed number of semiconductor wafers 38, the light source unit 36 is allowed to emit light and compound adhered to the top plate 34 is irradiated with the ultraviolet ray.例文帳に追加

ホットプレートユニット２８により所定枚数の半導体ウェハ３８が処理される毎に光源ユニット３６を発光させて天板３４に付着している化合物に紫外線を照射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus capable of selectively turning a prescribed region on a resistance layer to silicide by a simple process without adding any special processes.例文帳に追加

特別な工程を追加することなく、簡易なプロセスで、抵抗層上の所定領域を選択的にサリサイド化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming a gate electrode comprising a metal silicide and a stressor film covering this gate electrode without complicating manufacturing processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく、金属シリサイドよりなるゲート電極及びこのゲート電極を覆うストレッサ膜を形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which the collector layer is made thin, without complicating the processes, and the frequency characteristics are enhanced by decreasing the base take-out resistance.例文帳に追加

工程を複雑化させずにコレクタ層を薄くし、かつベース取り出し抵抗を低減して周波数特性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, four mask patterns 1 to 4 corresponding to the photolithographic processes of two or more different layers in a semiconductor device are formed separately in one photomask.例文帳に追加

フォトマスクには、半導体装置の２層以上の異なる層のフォトリソグラフィ工程に対応した例えば４つのマスクパターン１〜４が１枚のフォトマスク内に領域を分けて形成されている。 - 特許庁

To provide a gate electrode of nMOSFET which can control flat band voltage and does not show much deterioration of characteristics even when exposed to high temperature during semiconductor-device manufacturing processes.例文帳に追加

フラットバンド電圧を制御できるとともに、半導体デバイス製造プロセスで使用される高温に曝されても特性の劣化が少ない、ｎＭＯＳＦＥＴのゲート電極を与える。 - 特許庁