「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The delay characteristics of the delay gate can thus be easily recontrolled by changing the layout pattern of a wiring layer which is made at the last in semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいて最後に作製される配線層のレイアウトパターンを変更することで、遅延ゲートの遅延特性を容易に再調整することができる。 - 特許庁

To provide an optically-coupled semiconductor device, a manufacturing method for it, and a lead frame wherein the size is further reduced with no increase in assembly/production processes.例文帳に追加

組立生産工程を増やすことなく、さらなる小型化を図ることができる光結合半導体装置及びその製造方法並びにリードフレームを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit which can easily and efficiently reduce a defective pattern caused by microfabrication with the comparatively small number of processes.例文帳に追加

微細化によるパターン欠陥を、比較的少ない工程数で簡単且つ効果的に低減することができる半導体集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

Particularly, these processes are effective in manufacturing a semiconductor light emitting element which has a selectively grown clad layer, guide layer, and active layer, where the active layer is a multi-quantum well.例文帳に追加

特に、選択成長されたクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、活性層が多重量子井戸とされた半導体発光素子の製造において有効である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability and a method of manufacturing the same such that uniform and sufficient full-silicide processing on respective gates is carried out without increasing processes.例文帳に追加

工程増を招くことなく、各ゲートについて均一で十分なフル・シリサイド化を実現する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To ensure etching selectivity for a dielectric thin film used for a semiconductor device and to prevent the disused part of the deposited film from contaminating the production line of the following processes.例文帳に追加

半導体装置に用いる誘電体薄膜のエッチング選択性を確保すると共に、成膜後の不要部分が後工程の製造ラインを汚染しないにようする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加

キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method with which the manufacturing cost of a semiconductor device, in which the occurrence of leakage currents is reduced by forming contacts self-alignedly by using SAC injection can be reduced by reducing the number of manufacturing processes at manufacturing of the device.例文帳に追加

ＳＡＣ注入を用いて自己整合的にコンタクトを形成し電流リークを低減した半導体装置を製造する場合に、製造工程を削減して、製造コストを低減した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device to be acquired by highly accurately controlling so that an alignment error of an alignment mark generated in an exposure treatment in semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

本発明は、半導体装置製造工程の露光処理工程において発生する位置合わせマークの合わせ誤差を、少なくするように高精度に制御し、得られる半導体装置の性能を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The device comprises processes of mounting at least one semiconductor element 2 on the surface and reverse face of the circuit board 1, filling a gap between the circuit board 1 and the semiconductor element 2 with the sealing resin 15, and subjecting the sealing resin 15 to heatsetting.例文帳に追加

回路基板１の表面と裏面に少なくとも１個の半導体素子２が実装され、回路基板と半導体素子との隙間に封止樹脂１５が充填された後に、封止樹脂を加熱硬化する処理を行う装置。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving the semiconductor devices in yield as the whole surface of a wafer, by optimizing manufacturing processes taking the in-plane tendency of the wafer into consideration.例文帳に追加

本発明の目的は、ウェハの面内傾向を考慮して製造プロセスを最適化することによって、ウェハ面全体としての歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device includes the processes of: (a) preparing a nitride semiconductor layer 1 having a ridge 2 formed on a surface; and (b) forming an SiO_2 film 3 on a side surface of the ridge 2.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体装置の製造方法によれば、（ａ）表面にリッジ２が形成された窒化物半導体層１を準備する工程と、（ｂ）リッジ２側面上にＳｉＯ_2膜３を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sensor of semiconductor structure at a low cost capable of preventing trouble such as insufficient etching or over etching in etching of a sacrificial layer and dispensing with complicated processes in a semiconductor sensor manufacturing process.例文帳に追加

半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor chip surface mounting method which requires no packaging material for intermediate stage movement of the semiconductor chips, and simplifies the processes without additional underfill process required, to reduce the separation between components.例文帳に追加

半導体チップの中間段階移動のための包装材が必要なく、追加的なアンダーフィル工程がないので工程を単純化して部品間の隔離距離を減らすことができる半導体チップ表面実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet capable of capturing cations mixed in from outside during processes of manufacturing a semiconductor device to prevent deterioration in electrical characteristics of the semiconductor device to be manufactured and to improve product reliability.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおいて外部から混入する陽イオンを捕捉することにより、製造される半導体装置の電気特性の低下を防止して製品信頼性を向上させることができる接着シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a diode element having high dimensional accuracy and a TFT are mounted on a substrate together without increasing manufacturing processes, a method for manufacturing an electro-optical device, the semiconductor device, and the electro-optical device.例文帳に追加

製造工程を増やすことなく、寸法精度の高いダイオード素子をＴＦＴとともに基板上に備えた半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a large margin in a manufacturing process, especially a contact etching process, by forming a high-quality semiconductor device without adding any mask processes.例文帳に追加

微細化のために浅く形成されたソース、ドレインはその後の工程で絶縁膜のエッチング、メタル配線の堆積、熱アニールが行われ、ソース、ドレイン領域に上部からダメージが加えられ、ソース、ドレインが機能不具合となる課題が生じる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitance element which is formed by forming an upper electrode on a lower electrode via a dielectric film, wherein the method allows manufacturing the semiconductor device with high precision and reducing manufacturing processes.例文帳に追加

下部電極上に誘電体膜を介して上部電極が形成されてなる容量素子を有する半導体装置の製造方法であって、高精度に製造することができ、且つ製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

In the semiconductor-film forming method, the semiconductor film is formed on the substrate by using catalyst CVD, high-density catalyst CVD, high-density plasma CVD, plasma CVD, reduced pressure CVD, atmospheric pressure CVD, sputtering or catalyst sputtering processes.例文帳に追加

本発明は、触媒ＣＶＤ，高密度触媒ＣＶＤ，高密度プラズマＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，減圧ＣＶＤ，常圧ＣＶＤ，スパッタリング，触媒スパッタリングを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。 - 特許庁

The number of manufacturing processes for the alignment marks for aligning the photo resist pattern for forming the active region of the high voltage semiconductor device is reduced, and failure generated when an element separating film is subsequently formed is removed in advance, so that the manufacturing processes are made easier.例文帳に追加

高電圧半導体装置の活性領域を形成するためのフォトレジストパターンをアラインするためのアラインメントマークの製造工程の数を減少させ、後続に素子分離膜を形成するときに発生する不良を事前に除去して製造工程が容易である。 - 特許庁

In this semiconductor device production method for executing the processing of a series of manufacturing processes in each lot consisting of the prescribed number of semiconductor substrates, a vacancy Le is formed in the leading lot L1 of plural lots standing by before respective manufacturing processes, and a preferential substrate Wa is successively shifted to the vacancy Le and processed.例文帳に追加

所定の複数枚の半導体基板を１ロットとして、ロット単位で一連の製造工程における処理が行なわれる半導体装置の生産方法において、各製造工程の前に待機しているロットのうちの先頭ロットＬ1 に空席Ｌｅを設け、優先基板Ｗａをこの空席Ｌｅに順次移し替えて処理を行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component wherein the simplification of manufacturing processes is made possible, by using a process for subjecting a semiconductor component to a flip-chip bonding to a mounting substrate being present in the state of a wafer, and using a process for injecting a resin material into the space between the semiconductor component and the mounting substrate, in the manufacturing processes of a quartz oscillator.例文帳に追加

水晶発振器の製造工程において、ウエハ状の実装基板の状態から、実装基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と実装基板の間に樹脂材料を注入する製造工程とすることで、製造工程の簡略化が可能な電子部品の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The forming method of the III-V compound semiconductor layer comprises processes of: growing a first III-V compound semiconductor layer 3 on a substrate 1 while heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a first value Tsub (1); and growing a second III-V compound semiconductor layer 5 on the III-V compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

このIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法は、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）になるように基板１を加熱しながら第１のIII−Ｖ族化合物半導体層３を基板１上に成長させる工程と、III−Ｖ族化合物半導体層３上に第２のIII−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of forming a mark made of a non-single-crystalline reformed layer inside a back surface of a semiconductor wafer by irradiating the semiconductor wafer with laser light from the back surface; and exposing the reformed layer by subjecting the back surface of the semiconductor wafer to polishing or grinding processing after the process of forming the mark.例文帳に追加

半導体ウェーハの背面からレーザ光を照射して、前記半導体ウェーハの背面より内部に非単結晶質の改質層からなるマークを形成する工程と、前記マークを形成する工程の後に、前記半導体ウェーハの背面を研磨或いは研削処理して前記改質層を表出させる工程を設ける。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor composite device includes processes of: sticking the semiconductor thin film 120 of a thin film to the substrate 301 by intermolecular force between a sticking surface of the semiconductor thin film 120 and a surface of a conducting layer 302 formed on the substrate 301; and dividing the semiconductor thin film 120 into individual semiconductor elements (light emitting elements) 501 collectively on the substrate 301.例文帳に追加

半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which has a salicide process for surely preventing bridging, while restraining parasitic resistance without increasing the number of processes even in an element of a short bridging path, and to provide a semiconductor device obtained by it.例文帳に追加

ブリッジング経路の短い素子であっても、工程数を増加させずに寄生抵抗を抑えつつ、確実にブリッジングを防止できるサリサイドプロセスを備えた半導体装置の製造方法、およびこれによって得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positioning inversion device of a semiconductor device where processing speed is shortened and space of the device is saved with a simple structure, by inverting and correcting a position of the semiconductor device through respective assembly processes of dicing, mounting, bonding and sealing.例文帳に追加

ダイシング、マウンティング、ボンディング、シーリングの各組立工程を経た半導体装置の反転及び位置矯正を、簡単な構成により、処理速度の短縮化と装置の省スペース化を実現した半導体装置の位置決め反転装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a three-dimensional structure forming the three-dimensional structure through a small number of processes and forming three-dimensional wiring for high-reliability electric connection, to provide a method for manufacturing a semiconductor device, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

少ない工程数で立体構造物を形成でき、さらには信頼性の高い電気接続が可能な立体配線を形成できる立体構造物の形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling thinning of a semiconductor wafer for a solid-state image sensor, capable of reducing variations of thickness of the solid-state image sensor at low cost without increasing number of processes than that of a conventional method in which an SOI wafer is used for thinning the semiconductor wafer.例文帳に追加

撮像素子の厚さばらつきが、半導体ウェーハの薄膜化にＳＯＩウェーハを使用した従来法より工程数の増加を招かず低コスト化が可能な固体撮像素子用半導体ウェーハの薄膜化制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can simplify processes in comparison with the conventional methods, can reduce manufacturing cost, and can improve productivity; and to provide the manufacturing apparatus, the control program, and the program recording medium of the semiconductor device.例文帳に追加

従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes providing a spacer 50 on each of a plurality of semiconductor chips 20 arranged in plane on a substrate 10, wherein processes of forming the spacers 50 is collectively executed on the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１０上に平面的に並べられた複数の半導体チップ２０の、それぞれの半導体チップ２０にスペーサ５０を設けることを含み、複数のスペーサ５０を形成する工程を、基板１０上で一括して行う。 - 特許庁

To reduce costs by simplifying manufacturing processes and shortening processing time, and readily and surely realize improvement in transmission characteristics by preventing breakage of wiring, in a semiconductor device in which semiconductor chips are stacked.例文帳に追加

半導体チップを積層してなる半導体装置において、製造工程を簡素化し、工程時間を短縮させてコストの低減を図るとともに、配線の断線を防止し、伝送特性の向上を容易且つ確実に実現することを可能とする。 - 特許庁

In a resist application process which is one among photolithographic processes in a semiconductor manufacturing process, or the like, gas composed of the air or nitrogen is blown against a prescribed region of a semiconductor wafer 1 during the process of applying a chemical such as a photoresist.例文帳に追加

半導体製造プロセスに於けるフォトリソグラフィープロセスの１つであるレジスト塗布工程等において、フォトレジストなどの薬液塗布処理中における半導体ウェハ１の所定の領域上にエアー又は窒素からなる気体を吹き付ける。 - 特許庁

To provide an evaluation method of compound semiconductor wafer capable of realizing a reduction in processes and an improvement in precision in the quantitative evaluation of areas differed in color on the main face of a compound semiconductor wafer, and an evaluation device used therefor.例文帳に追加

化合物半導体ウェーハの主面上の色彩の異なる領域を定量評価する場合に、工程の削減及び精度の向上を実現する化合物半導体ウェーハの評価方法、及びそれに使用する評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device wherein overall performance is improved, and at the same time, manufacturing processes are simplified by using both an oxide semiconductor layer and a polycrystalline silicon semiconductor layer, and to provide a manufacturing method of the organic light-emitting display device.例文帳に追加

本発明は、酸化物半導体層及び多結晶シリコン半導体層を共に使用して、全体的な性能を向上させると同時に、製造工程を単純化した、有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming a bonding pad in multilayer structure with a simple method without increasing the number of processes in the manufacturing method of a semiconductor device where a wiring layer is formed by the damascene method, and the semiconductor device.例文帳に追加

ダマシン法によって配線層が形成される半導体装置の製造方法において、工程数の増加を伴うことなく、簡易な方法によって多層構造のボンディングパッド部を形成できる製造方法、および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To develop a waste gas treatment tower of a waste gas treatment apparatus capable of not only thermally decomposing CF_4 but also reliably thermally decomposing any semiconductor waste gas generated in semiconductor fabrication processes and a waste gas treatment apparatus comprising the waste gas treatment tower.例文帳に追加

ＣＦ_4の熱分解は勿論、半導体プロセスで発生するあらゆる半導体排ガスを確実に熱分解することができる排ガス処理装置の排ガス処理塔および該排ガス処理塔を装備した排ガス処理装置を開発するにある。 - 特許庁

To provide the group of elements for plasma damage evaluation that can evaluate plasma damage in both the manufacture and assembly processes of a semiconductor, and plasma damage to various kinds of semiconductor devices having different structures.例文帳に追加

半導体の製造工程及び組立工程の両方におけるプラズマダメージを評価することができ、また、構造が異なる複数種の半導体素子に対するプラズマダメージを評価することができるプラズマダメージ評価用素子群を提供する。 - 特許庁

As a result, the number of clock buffer stages from a clock generating circuit to a sequence circuit in the semiconductor IC is reduced, and thereby there is less effects due to errors caused by the variations in processes, etc., and clock skewing of the semiconductor IC can be suppressed.例文帳に追加

したがって、半導体集積回路内においてクロック発生回路から順序回路までのクロックバッファ段数が少なくなり、プロセスばらつき等による誤差の影響が小さくなり、半導体集積回路のクロックスキューを抑制できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having good crystallinity, capable of preventing a distortion of a substrate caused by a high heat treatment temperature by reducing heat treatment processes, and the semiconductor device manufactured by using this method.例文帳に追加

本発明は、結晶性がよく、熱処理工程を減らすことによって高温の熱処理温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is manufactured with a small number of processes, while having a high protection capability, in the semiconductor device in which an MOSFET as an element to be protected and an MOSFET for electrostatic protection are mounted on the same substrate.例文帳に追加

被保護素子であるＭＯＳＦＥＴと、静電保護用のＭＯＳＦＥＴを同一基板上に搭載する半導体装置において、高い保護能力を備えながらも少ない工程数で製造することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device, without having to increase manufacturing processes in number, where the semiconductor device comprises a high-breakdown voltage device and a low-breakdown voltage device which are sealed up together in resin, and the low breakdown voltage device varies little in characteristics, when a high voltage is applied to the high-breakdown voltage device.例文帳に追加

低耐圧デバイスと一緒に樹脂中に封入された高耐圧デバイスに高電圧を印加したときの低耐圧デバイスの特性変動が少ない半導体装置を、工程数を増やさずに製造することが可能な構成とすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which utilizes plasma and is adaptable to plasma etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist stripping and the like to be used for semiconductor wafers, flat-panel displays, printed circuit boards, and a variety of thin-film work processes.例文帳に追加

半導体ウェーハ、平板画面、印刷回路基板及び多様な薄膜加工工程で使用されるプラズマエッチングと物理的または化学的蒸気蒸着法、フォトレジストストリッピング等に適用されるプラズマを利用した半導体製造装置を提供する 。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer capable of effectively preventing through dislocation from occurring in a GaN growth layer and obtaining a high-quality GaN crystal without increasing the number of processes, and to provide a method for growing the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ＧａＮ成長層に貫通転位が生じることを効果的に防ぐことができ、工程数を大にすることなく高品質のＧａＮ結晶を得ることのできるIII族窒化物半導体層およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving productivity by reducing costs as to an electron beam irradiation method which is one of methods for forming carrier traps on a monocrystal semiconductor layer in manufacturing processes of semiconductor wafers for high-speed recovery diodes.例文帳に追加

高速リカバリーダイオード用半導体ウェハの製造工程において，単結晶半導体層へキャリアトラップを形成する方法の一つである電子線照射工法についてコスト削減を目的として生産性が向上する工法を提供する。 - 特許庁