「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of heating a silicon carbide semiconductor substrate etc. which can suppress sublimation of silicon atoms or carbon atoms without executing processes having complexity or difficulty and without damaging a device forming surface of the silicon carbide semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、複雑や困難性を有する工程を踏まえずに、また炭化シリコン半導体基板のデバイス形成面に損傷を与えること無く、シリコン原子や炭素原子の昇華を抑制することができる炭化シリコン半導体基板の加熱方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.例文帳に追加

半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁

With use of the substrate accommodating apparatus having adequately fed back gas flow rate and the impurity controlling method provided within the same substrate accommodating apparatus, adverse effect, for example, corrosion of wires and formation of naturally oxidized film or the like of impurity to semiconductor substrate can be prevented during the semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

ガス流量を適切にフィードバックした基板収納装置及び基板収納装置内の不純物制御方法を用いることにより、半導体製造工程間における不純物による半導体基板への悪影響、例えば配線の腐食、自然酸化膜の形成等を防止する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which has an excellent holding property and can ensure a sufficient number of effective rewritings and can be manufactured, without a increasing the number of processes and a contamination of the surface of a semiconductor substrate, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

良好な保持特性を有し、有効書き換え回数を充分に確保することができると共に、工程数の増加や半導体基板表面等の汚染を生じることなく製造を行うことができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then photoluminescence light intensity and film quality are similarly measured with respect to an amorphous or polycrystalline reference oxide semiconductor formed in the same processes with the oxide semiconductor layer to be inspected and having the same element composition and film thickness with the oxide semiconductor layer to be inspected to obtain a relationship between the photoluminescence light intensity and film quality, and the film quality of the oxide semiconductor layer is estimated based upon the relationship.例文帳に追加

そして、被検査酸化物半導体層と同じ工程で作製され、被検査酸化物半導体層と同じ元素組成と膜厚とを有する、非晶質又は多結晶性の参照用酸化物半導体層に対し、同じフォトルミネッセンス光強度の測定と、膜質の測定とを行い、フォトルミネッセンス光強度と膜質との関係を得て、この関係に基づいて酸化物半導体層の膜質を推定する。 - 特許庁

A method of forming a film, containing carbon on a semiconductor substrate in the CVD reaction chamber, comprises processes of: bringing the CVD reaction chamber into contact with the active oxygen species, transferring the semiconductor substrate into the CVD reaction chamber, evaporating the film containing carbon on the semiconductor substrate, transferring the semiconductor substrate out of the CVD reaction chamber, and bringing the CVD reaction chamber into contact with active fluorine species.例文帳に追加

CVD反応チャンバ内で半導体基板上に炭素含有膜を形成する方法は、CVD反応チャンバを活性酸素種と接触させる工程と、半導体基板をCVD反応チャンバ内に移送する工程と、炭素含有膜を半導体基板上に蒸着する工程と、半導体基板をCVD反応チャンバ外へ移送する工程と、CVD反応チャンバを活性フッ素種と接触させる工程と、から成る。 - 特許庁

Since an identifier 16 is made at a flank 14 of a semiconductor wafer, a trouble in which an identifier 16 disappearing or becoming unclear will not occur, even if various treatment processes for forming a semiconductor circuit are repeatedly performed or even by lapping the rear of the semiconductor wafer 12, so that the identifier 16 can be clearly recognized until the time of process of cutting the semiconductor wafer 12 into chips.例文帳に追加

識別表示１６を半導体ウエハの側面１４に形成したので、半導体回路を形成するための種々の処理工程が繰り返し行われても、あるいは半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても識別表示１６は消失したりあるいは不明瞭になることがなくなるので、半導体ウエハ１２をチップに切断する工程時まで、識別表示１６を明瞭に認識することができる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein conventional methods of manufacturing a semiconductor element invite high manufacturing cost related to a mask or reticles and failures in adjustment between photolithographic processes of a capacitor, an active region, a transistor and a bit line contact.例文帳に追加

従来の半導体素子の形成方法では、マスクまたはレチクルに関連する高製造コストを招き、コンデンサ、活動領域、トランジスタおよびビット線コンタクトのフォトリソグラフィープロセスの間で調整不良が生じる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a semiconductor integrated circuit device which can prevent the resistance from dropping, even if the section to serve as a resistance element is made minute, and besides can enhance protective capacity, without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を増加することなく、抵抗素子となる部分が微細化しても低抵抗化することを防止することができ、且つ、保護能力が向上した半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wiring for a semiconductor device, which can improve the reliability of processes and electrical characteristics of the device by improving the EM characteristics of a Cu thin film in a narrow and deep via hole.例文帳に追加

狭くて深いビアホールにおいてもＣｕ薄膜のＥＭ特性を向上させて工程の信頼性及び素子の電気的特性を向上させることが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To speed up memory access, reduce an area in a memory chip, and reduce the number of a defective repair processes by a laser repair system in a semiconductor device having a chip-on-chip structure constituted of a logic chip and a memory chip.例文帳に追加

ロジックチップとメモリチップとで構成されたチップオンチップ構造を持つ半導体装置において、メモリアクセスを高速化し、メモリチップの面積を削減し、かつレーザリペア装置による欠陥リペア工程数を削減する。 - 特許庁

To directly repair defective failures due to pores or missings of fine wirings, without having effects on the other parts in a subsequent processes for improving the manufacturing yield of a very large integrated semiconductor device.例文帳に追加

超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを向上させる上で、微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を、後工程で他の部分に影響を及ぼすことなく直接補修することを可能にする。 - 特許庁

To simplify manufacturing processes, reduce the amount of recesses, even when several tens of wafers are processed in batch and moreover realize a manufacturing method for semiconductor devices that can form large curvature of radius at the upper end part of a groove.例文帳に追加

製造工程を簡略化し、かつ、ウエハ数十枚を一括で処理するような場合でもリセス量を低減でき、さらに溝上端部に大きな曲率を形成できる半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor bonding substrate capable of bonding substrates to each other through a resin layer without causing a bonding failure nor increasing the number of processes in a bonding process.例文帳に追加

接合不良を生じさせることなく、かつ接合工程での工程数を増加させることなく、樹脂層を介して基板どうしを接合することが可能な半導体接合基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, at least either before or after the formation of the CVD film on the plurality of the semiconductor substrates, in the processes #100 and #150 in this case, the inside of the reaction chamber is high-pressure cleaned by using a rough discharge line not provided with the turbo pump.例文帳に追加

また、前記複数枚の半導体基板へのＣＶＤ膜の形成の前後の少なくとも一方で、ここでは工程＃100と＃151とで、ターボポンプを持たないラフ排気ラインを用いて反応室の内部を高圧クリーニングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device in which adhesiveness between an insulating film and a P-type electrode is improved without making manufacturing processes complicated while device characteristics are maintained.例文帳に追加

作製プロセスを煩雑にすることなく、かつ、デバイス特性を維持したまま、絶縁膜とＰ型電極との密着性を向上可能な窒化物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To manufacture, through simple processes, a semiconductor device such that an electrode is sealed in a sealed space between an element-side substrate and a sealing-side substrate and wiring is led out from an upper surface of the sealing-side substrate.例文帳に追加

素子側基板と封止側基板の間の封止空間に電極が封止されているとともに、封止側基板の表面から配線を引き出すタイプの半導体装置を、簡単な工程で製造できる。 - 特許庁

To realize reduction in radiation noise and prevention of malfunction by suppressing noise propagation between an input/output circuit and an inner circuit while preventing or keeping the number of processes of a semiconductor device design from increasing or to a minimum.例文帳に追加

半導体素子設計の工数増加を発生させない、もしくは最低限に抑えつつ、入出力回路と内部回路間のノイズ伝播を抑制することで、放射ノイズの低減、及び誤動作の防止を実現する。 - 特許庁

To provide a wafer with a tapered edge of an improved manufacturing yield for film forming in a semiconductor manufacturing process, by chemical vapor deposition (CVD), impurity diffusion, annealing, epitaxial growth, or other processes.例文帳に追加

半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline semiconductor element of an optimized device structure by determining a device parameter on the basis of a device simulation which accurately processes scattering effects of carriers in a grain boundary.例文帳に追加

結晶粒界におけるキャリアの散乱効果を正確に取り扱うデバイスシミュレーションに基づいてデバイスパラメータを決定することにより、最適化されたデバイス構造の多結晶半導体素子の提供を可能とする。 - 特許庁

To provide a wafer inspection technology that can respond by a simple operation even when various inspection items are required and they are frequently changed with time as in the starting period of semiconductor processes, for example.例文帳に追加

半導体プロセスの立ち上げ時期のように、検査すべき項目が多種多様であり、かつそれらが時間と共に頻繁に変化する場合であっても、簡易な操作で対応可能なウェハ検査技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which a hole shape is made vertical and fine, and the number of processes is reduced as compared with a conventional method and productivity is improved.例文帳に追加

ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for stably forming a high-definition fine pattern for use in the production process of a semiconductor, in the production of a circuit substrate of liquid crystal, thermal head and the like or in other photofabrication processes.例文帳に追加

半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。 - 特許庁

By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加

これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁

To provide methods for manufacturing a semiconductor thin film, an electron device, and a liquid crystal display device that can reduce the number of manufacturing processes while easily controlling the positions of crystal grains and their diameters in the substrate surface.例文帳に追加

基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御しつつ、製造工程数を削減することができる半導体薄膜、電子デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for signal processing which performs signal processes by converting a frequency, after combining a received signal and a local oscillation signal, capable of reducing deterioration in CN ratio due to spurious noise.例文帳に追加

受信信号と局部発振信号とを合成して周波数を変換して信号処理を行なう信号処理用半導体集積回路において、スプリアスノイズによるＣＮ比の劣化を低減することができる。 - 特許庁

In the manufacturing processes of an active matrix type thin film transistor element substrate, a gate insulating film, a semiconductor layer and an electrode layer for forming video signal wiring and a drain electrode are formed in film forms after a gate electrode is patterned.例文帳に追加

アクティブマトリックス型薄膜トランジスタ素子基板の製造工程において、ゲート電極をパターンニング後、ゲート絶縁膜と、半導体層と、映像信号配線とドレイン電極を形成するための電極層を成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a contact hole can be easily formed by a few processes even if an inorganic insulation film such as a silicon oxide film is used as an insulation film.例文帳に追加

本発明は、絶縁膜として酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を用いる場合にも、少ない工程で簡易にコンタクトホールを形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pulse generating circuit capable of easily generating a pulse of a high frequency band in simple circuit configuration with low power consumption and further being provided without using expensive semiconductor processes.例文帳に追加

簡単な回路で低消費電力にて高周波数帯域のパルスを容易に発生することができ、しかも高価な半導体プロセスを使うことなく実現することができるパルス発生回路を提供すること。 - 特許庁

To enable anyone to quickly extract failure factors causing the product yield to drop in machining processes such as diffusion steps to meet the actual situation in a semiconductor manufacturing factory.例文帳に追加

半導体製造工場の拡散工程等の加工プロセス工程において製品の歩留り低下を引き起こす異常要因を抽出するに際して、実態に即して迅速にかつ誰でもが抽出できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

An exchange requesting means 8 of a tester 106A outputs a semiconductor device exchange signal 14 to a handler 104A after a test performing means 128 acquires a signal from a CCD 108A and before it processes the signal.例文帳に追加

テスター１０６Ａの交換要求手段８は、試験実行手段１２８がＣＣＤ１０８Ａから信号を取得した後、信号処理を行う前に半導体装置交換信号１４をハンドラー１０４Ａに出力する。 - 特許庁

To provide a method in which power consumption in high cleanliness is reduced and the running cost is further decreased, in processes of transferring and manufacturing a semiconductor wafer by use of a locally clean environment (mini-environment) system.例文帳に追加

局所的クリーン環境（ミニエンバイロメント）方式を用いる半導体ウエハの移送、製造工程において、高清浄度における消費電力を小さくし、さらなるランニングコストを低減した方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which residues of a composite film formed of different kinds of materials on the side of an electrode can be easily removed while an increase in the number of manufacturing processes is suppressed.例文帳に追加

製造工程数が増加するのを抑制しながら、電極の側方に形成された異種の材料からなる複合膜の残渣の除去を容易に行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To integrate a multitude of circuits in one chip without complicating a manufacturing process, in a semiconductor integrated circuit comprising a plurality of circuit blocks having different manufacturing processes such as an analog circuit, a logic circuit, a memory circuit or the like.例文帳に追加

アナログ回路、ロジック回路、メモリ回路等のように製造プロセスが異なる複数の回路ブロックを含む半導体集積回路において、製造プロセスを複雑にすることなく、１つのチップに多くの回路を集積する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which performance degradation in a ferroelectric capacitor due to ingress of moisture or hydrogen is prevented without fail, and increase of the number of manufacturing processes can be avoided; and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

水分又は水素の侵入による強誘電体キャパシタの性能劣化をより確実に防止できるとともに、製造工程数の増加を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a first insulation film on the principal plane of a semiconductor substrate, a first conductive film is formed on the first insulation film and then the front face of the first conductive film is flattened by CMP method (processes S10-S40).例文帳に追加

半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成した後、第１絶縁膜上に第１導電膜を形成し、ＣＭＰ法によって第１導電膜の表面を平坦化する（工程Ｓ１０〜Ｓ４０）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, which comprises a multilayer wiring, wherein a connection hole and a groove are formed in a simple process, improved in yield and reduced in processes and costs.例文帳に追加

簡易なプロセスで接続孔と溝とを形成することができ、歩留まりを向上させるとともに工程数やコストを低減できる多層配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.例文帳に追加

食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a HFET with high surge resistance by protecting the gate of the HFET using a nitride semiconductor from a surge voltage without forming a protection circuit outside and a complicated manufacturing processes.例文帳に追加

外部に保護回路を形成することなく、また製造工程を複雑にすることなく窒化物半導体を用いたＨＦＥＴのゲートをサージ電圧から保護し、サージ耐性が高いＨＦＥＴを実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor device which achieves stable operation without varying a frequency during a self-running period during a synchronization period or after the end of the synchronization period caused by variations in manufacturing processes.例文帳に追加

製造プロセスにおけるばらつきが原因による同期期間や同期期間終了後の自走期間において、周波数が変動することがなく、安定した動作を実現し、また安価な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a standard cell layout capable of suppressing the leak current without changing the existing processes, a standard cell library thereof, a semiconductor integrated circuit using the standard cell layout and its design method.例文帳に追加

既存のプロセス工程を変更することなくリーク電流を押さえることができるスタンダードセルレイアウト、スタンダードセルライブラリ並びにそのスタンダードセルレイアウトを用いた半導体集積回路及びその設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor device by suppressing increase of manufacturing processes when a predetermined element is introduced into a gate electrode by ion implantation to form a MOS transistor with a gate electrode having a different work function.例文帳に追加

イオン注入で所定の元素をゲート電極に導入して、異なる仕事関数を有するゲート電極のＭＯＳトランジスタを形成する際に、製造工程の増加を抑制して低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which ions can be injected into a deep region without performing ion injection with high energy, the number of processes can be reduced and a breakdown voltage close to an ideal withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

高エネルギーでイオン注入することなく深い領域までイオン注入することができ、工程数を抑えるとともに、理想耐圧に近い降伏電圧を得ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for effectively preventing fluorine from being diffused from an interlayer insulating film containing fluorine to a wiring layer or the like without adding any complicated manufacturing processes.例文帳に追加

複雑な製造工程を追加することなく、フッ素を含む層間絶縁膜からの配線層等へのフッ素の拡散を有効に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁