「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

For each testing item on the semiconductor device, setting processes for respectively setting a voltage, an input/output level, and a plurality of measurement patterns are combined mutually for setting a testing condition, power is turned on, testing and result determination is carried out for a plurality of measurement patterns, and then, the power is turned off.例文帳に追加

半導体デバイスのテスト項目ごとに、電圧，入出力レベル，複数の測定パターンをそれぞれ設定する処理を組み合わせてテスト条件を設定し、パワーオンを行い、複数の測定パターンに対してテスト実行，結果判定を行い、パワーオフを行う。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma generator for a plasma processing device and an ion beam processing device which perform various processes using plasma in the field of semiconductor processing, enabled to stably generate a uniform plasma having big area for long period at low gas pressure.例文帳に追加

半導体プロセッシングの分野において、プラズマを用いて各種の加工を行なうプラズマ加工装置およびイオンビーム加工装置において、低ガス圧で、均一、大面積のプラズマを長時間安定に発生さすことを可能とするマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent intrusion of the water in the outside air without increasing the number of manufacturing processes and has superior characteristics even when the device uses an interlayer insulating film made of a material having a low dielectric constant.例文帳に追加

製造工程を増加することなく外気中の水の侵入を防止することができ、低誘電率膜からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置においても良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is judged that the mounting component 17 is non-defective in the case that the maximum value P_max of the optical output exceeds a prescribed threshold P_s, at processes which sorts out the mounting component 17 and a semiconductor laser module 10 is produced using the non-defective mounting component 17.例文帳に追加

実装部品１７を選別する工程では、光出力の最大値Ｐ_ｍａｘが所定の閾値Ｐ_ｓを超える場合に実装部品１７が良品であると判断して、良品の実装部品１７を用いて半導体レーザモジュール１０を作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which processes data from a recording medium having a file structure that includes a group of extents arranged so as to reduce buffer capacity in a reproduction device and enables the reproduction device to achieve quick access to each extent easily.例文帳に追加

再生装置内のバッファ容量を削減可能に配置されたエクステント群を含み、かつ再生装置に各エクステントへの迅速なアクセスを容易に実現させることができるファイル構造を持つ記録媒体からのデータを処理する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which has superior resolution and excellent line edge roughness, the positive photoresist composition being a photosensitive composition used for a process of manufacturing a semiconductor such as an IC, manufacture of liquid crystal, the circuit board of a thermal head, etc., other photofabrication processes, etc.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物であり、解像力に優れ、且つ、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In a plurality of inspection processes for semiconductor devices, positions at which the contactors make contact with the bump electrodes in each inspection process are kept from overlapping with those in another inspection process as far as possible, thereby making it possible to lower and stabilize contact resistance with the bump electrodes in inspection.例文帳に追加

半導体装置の複数ある検査工程において、各検査工程でバンプ電極に接触する位置を他の検査工程とできる限り重ならないようにすることにより、検査時のバンプ電極との接触抵抗を低くし、安定化させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: (a) forming a resin layer 20 above a semiconductor substrate 10 having an electrode pad 16 and a passivation film 18; (b) forming a resin projection 40 by curing the resin layer 20; (c) forming the conductive layer 50 which is electrically connected to the electrode pad 16 and passes over the resin projection 40.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に樹脂層２０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層２０をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a light reflection ceramic material for optical semiconductor element package, which eliminates the need for a plurality of processes requiring a high-level technology for disposing a metallized layer and has sufficient strength in a state of achieving sintering in an optimum sintering condition as a ceramic material, and to provide an optical semiconductor element package using the same.例文帳に追加

メタライズ層を設けるための複数の高度な技術を要する工程を必要とせず、またセラミック材料としての最適焼結条件内での焼結を実現した状態で、十分な強度を有する光半導体素子用パッケージ向け光反射セラミック材およびそれを用いたとそれを用いた光半導体素子用パッケージを提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, while reducing the photomask verification time by reducing the number of times of executing the optical intensity simulation, those having no effect on the manufacture of a semiconductor or on the operation or the characteristics of a semiconductor element are excluded from the photomask verification result so that only the fatal defect is detected, thereby reducing the time and the number of processes related to the correction of layout pattern CAD data.例文帳に追加

加えて、光強度シミュレーションの実施回数を削減することにより、フォトマスク検証時間の削減を図りつつ、さらに半導体製造上、あるいは半導体素子の動作、特性に影響を与えないものをフォトマスク検証結果から除外し致命的な欠陥のみを検出し、レイアウトパターンＣＡＤデータの修正に関わる時間、工数を削減する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a resist film 2 on a semiconductor substrate, forming a resist pattern 2a by performing the exposure and developing processes to the resist film 2, selectively exposing the region for the resist pattern 2a and selectively changing size of the resist pattern 2a by generating thermal fluidity in the resist film in the outside of the exposure region through the heat treatment of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にレジスト膜２を形成する工程と、レジスト膜２を露光現像処理することでレジストパターン２ａを形成する工程と、レジストパターン２ａに対して領域を選択して露光する工程と、半導体基板を加熱処理して、露光領域外のレジスト膜に熱流動を起こさせることにより、選択的にレジストパターン２ａの寸法を変化させる工程とを含む。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method of a semiconductor memory element capable of minimizing the depth of a moat formed on an element isolation film by shortening a cleaning process time using a DHF solution in which processes from trench formation to element isolation film formation take place during the process of forming the element isolation film of the semiconductor memory element.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ素子の素子分離膜形成工程時にトレンチ形成工程から素子分離膜形成工程まで行われる、ＤＨＦ溶液を用いた洗浄工程時間を短縮させて、素子分離膜に形成されるモウトの深さを最小化することが可能な半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a silicon layer containing an amorphous silicon on a substrate 10, doping a dopant to form a source/drain region, performing heat treatment under H_2O atmosphere and a constant temperature to crystallize the amorphous silicon, simultaneously activating the dopant to form a semiconductor layer 24, and preventing the substrate 10 from damaging by heat, by reducing the heat treatment processes.例文帳に追加

基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 - 特許庁

This method has processes of: forming a through-hole on a semiconductor substrate; detecting an alignment mark on the semiconductor substrate; correcting alignment accuracy on the basis of the detection data of the detected alignment mark; depositing wiring layers; and working the substrate on the basis of the detected alignment accuracy, so that the wiring layer can remain on a predetermined region.例文帳に追加

本発明は、半導体基板上にスルーホールを形成する工程と、半導体基板上のアライメントマークを検出する工程と、検出されたアライメントマークの検出データに基づいて、合わせ精度を補正する工程と、配線層を堆積する工程と、補正された合わせ精度に基づいて、所定の領域に配線層が残存するように加工する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A laser section 25 has a semiconductor laser device and processes the medium by irradiating it with the laser light collected by correcting a wave face of the radiated light from the semiconductor laser device.例文帳に追加

媒体に画像の印刷を行う印刷ヘッド２７と、媒体にレーザー光を照射するレーザーカッター２８と、印刷ヘッド２７及びレーザーカッター２８を搭載して、媒体の搬送方向に交差する方向に往復移動するキャリッジと、を備え、レーザー部２５は、半導体レーザー素子を有し、当該半導体レーザー素子からの出射光の波面を補正して集光したレーザー光を照射することにより、媒体を加工する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for resin sealing used in manufacturing of a resin sealed semiconductor device wherein a heat-resistant adhesive tape prevents leakage of resin suitably in a sealing process, a sticking tape is less susceptible to trouble in a series of processes, and excellent peeling is ensured after resin sealing, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.例文帳に追加

耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れが好適に防止され、しかも貼着したテープが一連の工程で支障をきたしにくく、かつ樹脂封止後の剥離性に優れる樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用の粘着テープを提供するとともに、この粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultra-high density data storage medium using a semiconductor compound which is suitable for a medium and a data storage cell, wherein the semiconductor compound is easily converted from crystal to amorphism and vice versa, is chemically stable even under conversion processes over a lot of cycles, and has electric characteristics easily distinguishable from an electric signal generated from an amorphous semiconductor compound.例文帳に追加

結晶状態からアモルファス状態へ、アモルファス状態から結晶状態への両方向に容易に変換され、何サイクルにもわたる変換を行っても化学的に安定しており、結晶状態の半導体化合物から生成される電気信号が、アモルファス状態の半導体化合物によって生成される電気信号と容易に区別できるような電気的特性を示す、媒体及びデータ記憶素子に適した半導体化合物を使用する超高密度データ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of forming a transistor electrode on a semiconductor wafer, measuring the processed shape of the transistor electrode, estimating an impurity implantation region based on the measured processed shape of the transistor electrode, calculating the conditions for impurity implantation for the estimated impurity introduction region to obtain desired standard properties, and introducing impurities into the semiconductor wafer under the calculated impurity introduction conditions.例文帳に追加

半導体ウェハ上にトランジスタ電極を形成する工程と、前記トランジスタ電極の加工形状を測定する工程と、測定された前記加工形状に基づき、不純物導入領域を予測する工程と、前記予測された不純物導入領域に対して、設計基準特性を得るための不純物導入条件を算出する工程と、前記算出された不純物導入条件で、前記半導体ウェハに不純物を導入する工程を備える。 - 特許庁

The process of cleaning the semiconductor substrate by ejecting cleaning liquid from a ultrasonic nozzle to the rotated circular semiconductor substrate comprises a small power output cleaning process 102A for lowering the ultrasonic vibration output in the inner peripheral part of the semiconductor substrate, a large power output cleaning process 101A for increasing the ultrasonic vibration output in the outer peripheral part, and a transition region cleaning process 103A between both processes 102A and 101A.例文帳に追加

回転される円形状半導体基板に超音波ノズルから洗浄液を噴射させて当該半導体基板を洗浄する工程を、半導体基板の内周部分においては超音波の発振出力を低くする低出力洗浄工程１０２Ａと、外周部分においては超音波の発振出力を高くする高出力洗浄工程１０１Ａと、これら両工程１０２Ａ，１０１Ａ間における遷移領域洗浄工程１０３Ａとから構成したものである。 - 特許庁

The method for burying the recess having a high aspect ratio such as a separated trench of a semiconductor substrate includes processes for depositing a fluid layer in the recess to decrease a high aspect ratio while preventing a fluid material from existing on a flat portion around a recess opening, and burying the recess with the other material.例文帳に追加

半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比の凹部埋設方法において、流動性の層を凹部に堆積させて凹部のアスペクト比を低下させ、かつ凹部口の平坦部に前記流動性材料を存在させないようにし、続いて当該凹部に他の材料を埋設する。 - 特許庁

To provide an apparatus for polishing and finally cleaning a semiconductor wafer capable of rapidly transferring the wafer after finish polishing to a final cleaning step without bringing about a large contamination of a cleaning load from the polishing step, and advancing both the steps as efficient series of processes.例文帳に追加

仕上げ研磨後の半導体ウエハを、研磨工程からの洗浄負荷の大きい汚染を持ち込むことなく速やかに最終洗浄工程へ移行でき、両工程を効率的な一連のプロセスとして進行させられる半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置の提供。 - 特許庁

To provide a wobble signal processing device for solving the problem that usual processing of analog system is easily influenced by uneven processes in a semiconductor process, reduces the scale of a circuit, saves electric power and improves the quality of the processing signals.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセスのにおいて、プロセスのばらつきによる影響を受けやすい従来のアナログ方式処理に鑑みてなされたものであり、回路規模の縮小、低電力化を図るとともに、信号処理品質を向上することができるウォブル信号処理装置を提供する。 - 特許庁

At the time of forming an insulating protective film 7 on the side face of a specular finished prismatic semiconductor crystal, the film 7 is formed immediately after specular finishing the crystal so that the specular finished surface may not be touched directly in the succeeding treatment processes and at the time of mounting a detecting element.例文帳に追加

鏡面研磨処理した多角柱体の半導体結晶を用い、この結晶側面に絶縁保護膜7を形成するのに、鏡面研磨直後に実施し、その後の処理工程および検出素子装着時に鏡面研磨面を直接触ることがないようにした。 - 特許庁

To provide a simple retrieval method and a device with high retrieval efficiency which can retrieve highly-pure Xe by functionally removing water, CO_2, FC and the like from waste gases from semiconductor production processes, such as the plasma etching, that contain low-concentration Xe.例文帳に追加

低濃度のＸｅが含まれるプラズマエッチング等の半導体製造プロセス排ガス中より、水分、ＣＯ_２およびＦＣ等を機能的に除去して高純度なＸｅを回収することが可能な、簡便で捕集効率の高い回収方法および回収装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an extremely industrially advantageous method for separating carbon nanotubes (CNTs) which can efficiently separate and purify metallic CNTs and semiconductor CNTs from CNTs containing both in a short period of time and in large quantities by means of low cost equipment and simple processes, and is capable of low-cost separation.例文帳に追加

安価な設備と簡便な工程により、金属型ＣＮＴと半導体型ＣＮＴを含むＣＮＴから両者を短時間で大量に効率良く分離精製することができ、かつ安価な分離が可能な工業的に極めて有利なＣＮＴの分離方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 that performs a plurality of tasks one after another includes a plurality of CPUs 1, 2 that implement predetermined computing processes according to the tasks performed, and memories MEM 1, 2, 3, 4 that together have one memory space shared between the CPUs 1, 2.例文帳に追加

複数のタスクを切換えて行う半導体装置１０であって、行われるタスクに応じて夫々に所定の演算処理を行う複数のＣＰＵ１、２と、ＣＰＵ１、２の間で共有される１つのメモリ空間を全体として有するメモリＭＥＭ１、２、３、４とを備えている。 - 特許庁

To provide a resist stripper composition with which resist residue produced during wiring in the manufacturing processes of a device circuit or the like for a semiconductor or a liquid crystal can be removed with high performance as well as corrosion of a metal thin film such as aluminum wires on a substrate can be favorably prevented.例文帳に追加

半導体又は液晶用の素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去することができるとともに、基板上のアルミニウム配線等の金属薄膜の腐食を良好に防止できるレジスト剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide the high luminance polishing method of high productivity, which reduces a process for removing printing burrs and reduces an operation, such as inversion in a high luminance plane polishing process being one of the processes in the manufacturing of an inspection wafer for evaluating the quality characteristic of semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶の品質特性を評価するための検査用ウェーハ等の作製における一プロセスである高輝度平面研削工程において、従来のような印字バリを取る工程を削減し、反転などの操作を低減した生産性の高い高輝度研削法の提供。 - 特許庁

The plurality of conductive layers 112 forming the external connection terminal 110 disposed on the element flank, are formed through general processes, and the element flank where the plurality of conductive layers 112 are exposed, is also be formed through a normal essential stage of dicing a semiconductor wafer.例文帳に追加

従って、素子側面に位置する外部接続端子１１０を形成する複数の導電層１１２は、一般的な製造プロセスで形成することができ、複数の導電層１１２が露出している素子側面も、半導体ウェハをダイシングする通常の必須の工程で形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for a dye-sensitized solar cell capable of manufacturing the substrate for the dye-sensitized solar cell having a porous layer having high bonding properties of metal oxide semiconductor fine particles and capable of manufacturing the dye-sensitized solar cell having high power generation efficiency by reduced processes.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子の結着性に優れた多孔質層を有し、発電効率に優れた色素増感型太陽電池を製造できる色素増感型太陽電池用基板を少ない工程で製造可能な、色素増感型太陽電池用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a structure which does not cause junction leak even if abnormal growth of silicide is generated in a PN junction diode element without increasing the number of processes in a semiconductor integrated circuit wherein a PN junction diode, a flash cell and a peripheral transistor are formed on the same chip.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードとフラッシュセルと周辺トランジスタとが同一のチップ上に形成された半導体集積回路において、ＰＮ接合ダイオード素子にシリサイドの異常成長が生じたとしても接合リークを起こすことがない構造を工程数を増大させることなく実現できるようにする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device in less processes with high accuracy wherein a pMOS transistor and nMOS transistor are provided on the same substrate with a first conductive type transistor's gate electrode which is a first conductive type, while a second conductive type transistor's gate electrode which is a second conductive type.例文帳に追加

同一基板上にｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタとを有し、第１導電型のトランジスタのゲート電極が第１導電型され第２の導電型のトランジスタのゲート電極が第２の導電型とされた半導体装置を、少ない工程数で且つ高精度に製造する。 - 特許庁

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method of removing the solar cell and the transparent resin from the transparent substrate includes processes (S2A, S3) of cutting a selected solar cell away and removing semiconductor waste together with a part of the transparent resin in a state that the solar cells are exposed, and a process (S5B) of rubbing an elastic body on the transparent substrate to peel off the remaining transparent resin.例文帳に追加

太陽電池セルが露出された状態で、選択された太陽電池セルを切削にて除去し半導体屑を透明樹脂の一部とともに除去する工程(S2A,S3)と、透明基板上に弾性体を擦り付けることで、残存する透明樹脂を剥し取る工程(S5B)とを有する。 - 特許庁

To accurately detect abnormal changes in source voltage with respect to fluctuation such as variation in manufacturing processes without requiring a plurality of voltage detectors with different threshold characteristics, relating to an abnormal source voltage change detection circuit mounted in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に搭載される電源電圧異常変動検出回路に関し、閾値特性の異なる複数の電圧検出器を必要とせず、製造プロセスのばらつき等の変動に対して精度の良い電源電圧異常変動検出を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a gas purification method capable of efficiently removing trace impurities contained in a waste gas from various processes using krypton or xenon and suitable for a pretreatment of a rare gas separation and recovery apparatus for continuously separating/recovering/recycleing a rare gas by being installed direct near a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

クリプトンやキセノンを使用する各種プロセスの排ガスに含まれる微量不純物を効率よく除去でき、半導体製造装置の直近に設置して希ガスを連続的に分離・回収して再利用する希ガス分離回収装置の前処理として最適なガス精製方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the resist mask need not be formed, and a semiconductor element can be manufactured only by the metal mask, thus simplifying the processes.例文帳に追加

本発明は、ソース領域及びドレイン領域を形成した後に、チャネル領域となる部分をチャネル保護膜として機能する絶縁膜で覆い、島状半導体膜を形成しているため、レジストマスクを設ける必要がなく、メタルマスクのみで半導体素子を作製することができるため、工程を簡略化することができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor wafer and its processing method whereby the yield of a device manufacturing process is increased by preventing the occurrence of pitching in processing processes after the chamfering process of a wafer wherein an orientation flat or index flat is formed into a cleaved plane.例文帳に追加

オリエンテーションフラットあるいはインデクスフラットが劈開面で形成されるウェハにおいて、面取り工程以降のウェハの加工工程でのチッピングの発生を防止し、素子製作工程での歩留を向上させることのできる、化合物半導体ウェハ及びその加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gate insulating film without deterioration caused by depositions contained in spike and metal wiring and a gate electrode having a high work function, and also to provide the manufacturing method of the semiconductor device manufacturable via reduced resist mask formation processes.例文帳に追加

スパイクや金属配線に含有される析出物による劣化のないゲート絶縁膜と、高い仕事関数を有するゲート電極とを含む半導体装置、及び、少ないレジストマスク形成行程を介して製造可能な該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminate comprises processes of preparing a substrate in a curved state, forming a thin film made of an organic semiconductor on the convex-side surface of the curved substrate, and making the substrate formed with the thin film into a planar form.例文帳に追加

本発明による積層体の製造方法は、湾曲した状態の基板を準備する工程、湾曲された基板における凸側の表面に有機半導体により構成される薄膜を形成する工程、及び、薄膜が形成された基板を平面状とする工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a production method for semiconductor device with which the number of processes is reduced by using an amphoteric, the quantity of an expensive solvent to be used can be reduced, and a liquid phase epitaxial growing layer is formed so that the light emitting element of high light emitting efficiency can be formed from a shallow dispersion layer.例文帳に追加

両性不純物を用いて工程数を削減し、高価な溶媒の使用量を削減できると共に、浅い拡散層による発光効率の高い発光素子を形成し得る液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of operations including the start and end of processes of a manufacturing device which manufactures the semiconductor device, the start and end of device transfer between processing chambers into the manufacturing device or to other manufacturing devices, and suspension during the device transfer or in and out actions of storage are regarded as events.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する製造装置の処理の開始と終了、当該製造装置内の処理室間あるいは他の製造装置へのデバイス移送の開始と終了、前記デバイス移送の途中の待機または保管のインとアウトを含む複数の動作の各動作をイベントとする。 - 特許庁

As a result, the flaws and the attached foreign matter that are yielded on a polyimide film surface in the processes from the fourth to the sixth one are excluded from an objective of the inspection, so that semiconductor chips with the flaws and attached foreign matter that are not defective in quality are prevented from being defective, thereby improving substantially a conforming article ratio.例文帳に追加

こうすることで、第４工程から第６工程でポリイミド膜上に付いたキズ・異物付着は検査から除き、品質に関係のないキズ・異物付着のある半導体チップが不良となることを防止できて、大幅に良品率を向上させることができる。 - 特許庁