「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method for manufacturing a semiconductor device in which a high-k film 21 and electrode 24 are formed on a silicon substrate 11, annealing 23 is performed in a fluorine atmosphere after the high-k film is formed, and the subsequent processes are performed at a temperature of 600°C or lower.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To manufacture each element by processes simplified while improving each element characteristic in a semiconductor device including a MISFET requiring a relatively large current driving force at a low voltage for a high-speed operation and a MISFET requiring a high breakdown voltage.例文帳に追加

高速動作のために低電圧で相対的に大きな電流駆動力を必要とするＭＩＳＦＥＴと高耐圧を必要とするＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、各素子を、それぞれの素子特性の向上を図りつつ簡素化した工程で製造する。 - 特許庁

To inexpensively provide techniques for manufacturing and providing a package, having an electromagnetic wave noise countermeasure shield preventing an adverse effect of noises from other semiconductor devices and not emitting noise thereof to the outside, using existent assembly processes when electronic components need to be mounted with high density.例文帳に追加

高密度実装が必要な電子部品の実装形態において、他の半導体装置からのノイズに悪影響を受けることなく、かつ自身のノイズを外部に出さない電磁波ノイズ対策シールド付きパッケージを既存の組み立てプロセスを用いて製造し、安価に提供できる技術を提供する。 - 特許庁

To form an electroless plating film having scheduled thickness, high uniformity within the surface and high uniformity among surfaces in electroless plating treatment, for instance, for the surface of a wired material buried in an interlayer insulation film, which is one of processes for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。 - 特許庁

The removing agent composition to be used for manufacturing processes of a semiconductor device including wiring comprises water, ammonium fluoride, and at least one selected from a group consisting of gluconic acid and non-metal salts of gluconic acid, and shows 4.5 to 5.8 pH at 25°C.例文帳に追加

配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、水と、フッ化アンモニウムと、グルコン酸およびグルコン酸非金属塩からなる群から選択される少なくとも１つとを含み、２５℃におけるｐＨが４．５〜５．８である剥離剤組成物である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and its test method for preventing the deterioration of reliability due to any pad crack, by changing a test method for testing a wafer and the layers of pads to be connected at the time of test and the layers of pads to be used at the time of completing all processes in the middle of a metal diffusion process.例文帳に追加

メタル拡散工程の途中段階で、ウェハを試験するテスト手法及びテスト時に接続するパッドと全ての工程完了時に使用するパッドの層を変更し、パッドクラックによる信頼性劣化を防ぐ半導体集積回路およびそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

To improve the operation characteristics and reliability of a semiconductor device, at the same time, to reduce power consumption, the number of processes, and manufacturing costs, and to improve a yield by making appropriate the structure of a TFT being arranged in various circuits according to the function of the circuits.例文帳に追加

各種回路に配置されるＴＦＴの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。 - 特許庁

Since the first layer 11 and the second layer 12, which have independent contents of aluminum and p-type impurity concentrations and are different from each other, are formed in separate processes, respectively, a proper p-type group III nitride compound semiconductor having the properties as p-type AlGaN mixed crystal, as whole, is obtained.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成でき、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, its driving method, and a manufacturing method by which manufacturing processes can be easily performed, high integration can be achieved, characteristics can be stabilized even when writing, reading and erasing are repeated, and an occupied area can be reduced so as to allow the device to suit high performance.例文帳に追加

製造プロセスが容易であるとともに、高集積化でき、書き込み読み出し消去を繰り返しても特性が安定しており、高性能化に適するように占有面積を縮小できる不揮発性半導体記憶装置とその駆動方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the processes of: forming a first terminal 12a in a semiconductor chip 40; forming a second terminal 12b of smaller size at its tip; arranging the second terminal 12b and an external terminal so that they may contact with each other; and electrically connecting both through a conductive material (solder) 5.例文帳に追加

半導体チップ４０に第一端子１２ａを形成するとともに、その先端に小さな形状の第二端子１２ｂを形成して、第二端子１２ｂと外部端子とを接触するように配置し、両者を導電材料（半田）５を介して電気的に接続する。 - 特許庁

To speedily change processing conditions, even in the case of changing the processing conditions of all the lots or changing the processing conditions for each or by each several lots in a production system for producing a semiconductor device to manage the advancement of processes for the unit of a lot.例文帳に追加

ロット単位で工程の進捗が管理される半導体装置の製造用生産システムにおいて、全ロットの処理条件を変更する場合又は１又は数ロット毎に処理条件を変更する場合のいずれにおいても処理条件を迅速に変更できるようにする。 - 特許庁

To provide an operation circuit which can satisfy a strict temperature characteristic and an offset voltage characteristic, is insusceptible to a change in reference voltage and is not influenced by the characteristic of an electronic component such as a power source IC to be used for generation of the reference voltage and variation of semiconductor processes.例文帳に追加

厳密な温度特性、オフセット電圧特性をともに満足することが可能で、基準電圧変動に強く、基準電圧発生のために使用される電源ＩＣ等の電子部品の特性や半導体プロセスのばらつきに対して影響を受けない演算回路を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a fin-type FET and either an electric fuse having a path where a dielectric breakdown easily occurs or a nonvolatile memory can be formed on a bulk silicon substrate without largely increasing the number of processes compared with the case where only a fin-type FET is formed.例文帳に追加

フィン型ＦＥＴのみを製造する工程に比べて大幅に工程数を増やすことなく、フィン型ＦＥＴと絶縁破壊の容易な経路を持つ電気ヒューズあるいは不揮発性メモリとをバルクシリコン基板上に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having simple manufacturing processes and wide selectivity of materials capable of preventing cracks and peeling in the periphery of bumps and eventually capable of preventing disconnections and short circuit of circuits, improving connection reliability when mounted on a mounting board.例文帳に追加

バンプにかかる応力を分散することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性を向上させることができるとともに、製造プロセスが簡単で、材料の選択性が広い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To dissolve the problem that raising performance precision is not expected with respect to a production schedule in a production line concerning a production scheduling system PP (Plant Planner), since the production scheduling of a product having multiple processes such as semiconductor wafer manufacturing is not a maintenance schedule corresponding to production change.例文帳に追加

半導体ウェハ製造のように多数の工程を持つ製品の生産スケジューリングにおいて、生産の変動に対応したメンテナンススケジュールになっていないため、生産計画スケジューリングシステムＰＰ（Plant Planner）における、生産ラインでの生産計画に対する実行精度の向上が見込まれない。 - 特許庁

To use highly reliable highly adhesive resin without hindering conveyance or the like on later processes by permitting a runner being a resin passage, to contact a lead frame when a semiconductor device is sealed and molded using sealing resin and also by permitting the lead frame to deform upon its removal.例文帳に追加

封止樹脂を用いて半導体装置を封止成型する際に、リードフレームに樹脂経路であるランナーが密着し、それを除去する際にリードフレームが変形して、後工程での搬送等に支障をきたすことがなく、信頼性の高い強密着性樹脂を用いることを可能とする。 - 特許庁

To avoid a so-called process antenna problem that an insulating film under a gate electrode of a transistor formed over a semiconductor substrate is damaged by accumulated charge when wiring connected to the relevant gate electrode is formed while the requirement for the signal transmission characteristic of a wiring region is satisfied and the number of manufacturing processes requiring mask correction is controlled.例文帳に追加

半導体基板上に形成されるトランジスタのゲート電極下の絶縁膜が、当該ゲート電極に接続される配線の形成時の蓄積電荷によりダメージを受けるプロセスアンテナ問題を回避しつつ配線レイアウトの変更を行うことが容易でない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a rewiring structure capable of suppressing to the utmost an increase of the number of processes without using a support plate in a state of reduced risk of damage by handling; and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

再配線構造を有する半導体装置において、支持板を使用することなく、また、ハンドリングによる破損のリスクも少ない状態で、工程数の増加を極力抑えることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The detoxifier is used to detoxifying the harmful carbon monoxide in exhaust gases discharged from, e.g. semiconductor manufacturing processes and consists of a manganese oxide, the main ingredient, loaded with one or more selected from among simple metals and their compounds of gold, platinum, silver and rhodium.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される排ガス中の有害な一酸化端を除害する除害剤であって、主成分となるマンガン酸化物に、金、白金、銀、ロジウムのうち少なくとも一種の金属単体又はこれらの金属化合物を添加した一酸化炭素の除害剤。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein first and second control electrodes having different silicide phases are formed and metal such as Ni in different silicide phases of respective gates is not diffused between gate electrodes by thermal processes after gate formation in the case that a CMOS includes FUSI gates.例文帳に追加

ＣＭＯＳがＦＵＳＩゲートを含む場合、異なるシリサイド相を有する第１および第２の制御電極が形成され、ゲート形成後の熱工程等により各ゲートの異なったシリサイド相中のＮｉ等の金属はゲート電極間を拡散しない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an LED package using a gallium-nitride-based compound semiconductor light emitting element and using a phosphor wherein both its power-light converting efficiency and its light wavelength converting efficiency are excellent, and the light emitted from it can be taken out to the external efficiently, and further, its manufacturing processes are simple.例文帳に追加

電力−光変換効率および光の波長変換効率の両方に優れていて、かつ発光を外部に効率的に取り出すことができ、かつ、製作の工程が簡便である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び蛍光体を用いたＬＥＤパッケージを提供することである。 - 特許庁

The first layers 11 and the second layers 12 that have aluminum contents and p-type impurity concentrations different from each other are formed in separate processes to enable fabricating a satisfactory p-type group III nitride compound semiconductor that has a property of p-type AlGaN mixed crystal as a whole.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成し、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造することができる。 - 特許庁

This imaging apparatus includes: an imaging area where a plurality of pixels having a plurality of photoelectric conversion sections in a depth direction of a semiconductor are arranged; and an arithmetic means for applying different arithmetic processes to each signal from a plurality of photoelectric conversion sections in the depth direction in response to a change in the imaging conditions.例文帳に追加

深さ方向に複数の光電変換部を有する画素を複数配列した撮像領域と、撮像条件の変化に応じて、深さ方向の複数の光電変換部からの各々の信号に異なる演算処理を行う演算手段とを有する撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a inspection system inexpensively available without making any design change of piping and the like to an existing gas piping system used in semiconductor manufacturing processes and the like, and inspecting a mass flow controller in a short period of time, based on an exact reference volume.例文帳に追加

半導体製造プロセス等に用いられている既存のガス配管系に何ら配管等の設計変更を行うことなく安価に導入することができ、短時間で、正確な基準容積に基づいたマスフローコントローラの検定を行うことができる検定システムを提供する - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The spin processing device that rotates and processes a semiconductor wafer 10 includes a processing chamber 1, a cup body 2 provided in the processing chamber, the rotary table 5 that is provided in the cup body to support the semiconductor wafer and is rotation driven by a drive motor 8, and a controller 35 that controls the pressure in the processing chamber that varies with a rotational speed of the rotary table.例文帳に追加

半導体ウエハ１０を回転させて処理するスピン処理装置において、 処理チャンバ１と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体２と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ８により回転駆動される回転テーブル５と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置３５とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to the semiconductor laser drive circuit which processes an irradiated body by irradiating a laser beam, while causing a laser output to be a predetermined set value by carrying out a feedback control, wherein the set value is a laser drive current value corresponding to the laser output of the semiconductor laser, characterized by a function of a laser irradiation time duration.例文帳に追加

本発明になる半導体レーザ駆動回路は、フィードバック制御することでレーザ出力を予め定められた設定値になるようにしながらレーザ光を照射することで被照射物を加工する半導体レーザの駆動回路であって、前記設定値は、前記半導体レーザのレーザ出力に対応したレーザ駆動電流値であって、レーザ照射時間の関数であること、を特徴とするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a new QFP type lead frame for semiconductor integrated circuits that prevents wire-bonding properties and the joint properties with the terminal of an external circuit substrate from being lost and a migration phenomenon from being generated, allowing armor solder-plating processes to be abbreviated, is reliable, and can be manufactured inexpensively.例文帳に追加

ワイヤーボンディング性ならびに外部回路基板の端子との接合性を損なうことなく、またマイグレーション現象を生ずることなく、外装半田めっき工程の省略を可能にし、信頼性の高い、かつ製造コストの安い新しいＱＦＰタイプの半導体集積回路用リードフレームを提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device processes to form the gate insulating film 3a of a transistor to be inspected, the gate insulating film 3b of a switching transistor, gate electrodes 4a and 4b, two impurity regions 5b to be a source and a drain for the switching transistor, and a first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法では、被検査トランジスタのゲート絶縁膜３ａ、及びスイッチング用トランジスタのゲート絶縁膜３ｂ、ゲート電極４ａ，４ｂ、前記スイッチング用トランジスタのソース及びドレインとなる２つの不純物領域５ｂ、第１の層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a wafer alignment mark for image-processing alignment that improves deterioration in alignment accuracy caused by processes without increasing the occupation area of the alignment mark, can greatly improve overlapping accuracy, and further can increase throughput, and to provide an image-processing alignment method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

アライメントマークの占有面積を増加させることなく、プロセス起因のアライメント精度劣化を改善し、重ね合せ精度を格段に向上でき、さらにスループットを向上させることのできる画像処理アライメント用ウェハアライメントマーク及び画像処理アライメント方法並びに半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device to form a versatile high-K gate insulating film, where formation of an interface SiO2 is surely suppressed with no additional failure accompanied while no re- growth of SiO2 is caused even in post processes including formation of a gate insulating film.例文帳に追加

付加的に生じる不具合を何等伴なうことなく界面ＳｉＯ_2形成を確実に抑止することができるとともに、ゲート絶縁膜形成以降の後工程においてもＳｉＯ_2の再成長を起こさない、汎用性の高いＨｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is diagnosed in an inspection process that an off-specification product is caused by a manufacturing device or a process, and the above diagnosis is made by the use of inspection data on each process in the manufacturing lines of various kinds of semiconductor devices and the actual values of the manufacturing conditions under which the manufacturing device operates in the processes.例文帳に追加

本発明は、多品種の半導体デバイス製造ラインにおける各工程毎の検査データおよびその際の製造装置の製造条件の実績値を用いて、半導体デバイス製造の検査工程における規格外れ要因を、製造装置起因とプロセス起因に分離する診断処理を行う。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

To improve the operating characteristic and reliability of a semiconductor device, achieve lower power consumption, reduce the number of processes and manufacturing costs, and improve a yield by making structures of TFTs disposed in various circuits appropriate in accordance with the function of the circuit.例文帳に追加

各種回路に配置されるＴＦＴの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film transistor having excellent electric characteristics without an increase in the number of processes in the case where a gate electrode is provided via a gate insulating film at the upper and lower sides of a channel forming region of the thin film transistor in order to control a threshold voltage of the thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得ることを課題の一つとする。 - 特許庁

A heater unit 1 includes a heater 2 heated by being energized and the reflecting plate arranged beneath the heater 2, wherein: it processes in heat treatment a semiconductor substrate; and the reflecting plate is constructed by a heater unit reflecting plate 4 formed by laminating a first layer 7 consisting of silicon carbide and second layer 8 consisting of stainless steel.例文帳に追加

本発明に係るヒータユニット１は、通電によって加熱されるヒータ２と、該ヒータ２の下側に配設される反射板と、を備え、半導体基板を加熱処理するヒータユニット１であって、前記反射板は、炭化ケイ素からなる第１層７とステンレスからなる第２層８とを積層したヒータユニット反射板４とから構成される。 - 特許庁

In the method for storing heavy water which is to be used for the processes of manufacturing a semiconductor device in a storage container 1, all organic carbons and metals in the heavy water are removed by a heavy-water purification unit 4 for keeping all the organic carbons in the heavy water at equal to or lower than 20 μg/L, and the metals at equal to or lower than 1 μg/L.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程に用いる重水を貯蔵容器１内で貯蔵する方法において、重水中の全有機炭素及び金属を重水精製ユニット４によって除去することにより、重水中の全有機炭素を２０μｇ／Ｌ以下、金属を１μｇ／Ｌ以下に維持する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has processes of: arranging the precursor liquid of silicon on an upper part of the substrate; and forming the silicon film by performing heat processing to the precursor liquid of silicon, wherein the precursor liquid of silicon is a solution of cyclic saturated hydrocarbon compound containing high order silane.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。 - 特許庁

Concretely, reflow or aging process X is added between a BT(bias test) process 2 and a lead molding process 3 or between the lead molding process 3 and a shipment process 4, in a semiconductor device manufacturing process including each of processes for package(PKG) cutting separation 1, selection/BT 2, lead molding 3, shipment 4 and mounting reflow 5.例文帳に追加

具体的には、パッケージ（ＰＫＧ）を切断分離１，選別／ＢＴ２，リード成形３，出荷４，実装リフロー５する各工程を含む半導体装置製造プロセスにおいて、ＢＴ工程２とリード成形工程３との間、または、リード成形工程３と出荷工程４との間に、リフローまたはエージング工程Ｘを追加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a filtration method which enables performing the filtration of washing chemical liquid of a wafer washing process for production of semiconductor integrated circuit by using a filtration device which easily enables incineration disposal treatment with high efficiency by eliminating excessive processes, without generating undesired waste liquid and without generating a toxic gas.例文帳に追加

半導体集積回路製造のウエハー洗浄工程の洗浄薬液のろ過を、余分な工程を排除して効率良く、且つ、不必要な廃液を発生することなく、なお且つ有毒ガスを発生することなく容易に焼却廃棄処理できるろ過装置を用いて行うことのできるろ過方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a voltage stabilizing circuit which can perform speedy stabilization in the case output fluctuates, has simple constitution and is affected little by dispersion due to processes, stably operates, has a short delay time and occupies only a small area, and also has a very small stationary ineffective current, and to provide a constant-voltage generating circuit, and a semiconductor device.例文帳に追加

出力変動時に速やかに安定化ならしめることが可能で、構成が簡単でプロセスによるバラツキを受けにくく、動作が安定で、遅延時間が短く、占有面積が少なく、定常的な無効電流が極めて微小である電圧安定化回路、定電圧発生回路および半導体装置を提供すること。 - 特許庁