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semiconductor processesの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1127件
To manufacture a high-pressure MOSFET capable of restraining a short channel effect, without increasing process flows and the number of processes, in a semiconductor device including the high-pressure MOSFET.例文帳に追加
高耐圧MOSFETを含む半導体装置において、プロセスフロー及び工程数を増やさずに、短チャネル効果を抑制した高耐圧MOSFETを製造する。 - 特許庁
To provide an on-vehicle semiconductor device having a structure that contributes to facilitation of assembling processes and avoids damage to a high-electric-power substrate.例文帳に追加
組立工程の容易化に寄与し且つ高電力基板の損傷を回避する構造とされた車載用半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of removing foreign matters on a copper surface without the need of executing complicated processes.例文帳に追加
煩雑な工程を実施する必要が無く、銅表面の異物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To manufacture a silicon carbide semiconductor device that has a terminal structure, comprising a plurality of regions where impurity concentration is different, using simple processes.例文帳に追加
不純物濃度が異なる複数の領域からなる終端構造を有する炭化けい素半導体素子を簡素なプロセスで作製すること。 - 特許庁
To provide a low-resistance data line and a shading element without increasing the number of manufacturing processes, in a thin-film semiconductor X-ray imaging array.例文帳に追加
薄膜半導体X線撮像アレイにおいて、製造工程数を増大させずに低抵抗データ線及びTFT遮光素子を設ける。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor element that can increase surface concentration of polisilicon for improving contact resistance without adding any processes.例文帳に追加
追加工程無しにポリシリコンの表面濃度を高濃度化してコンタクト抵抗を改善させうる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, which is thinned using a stiffener in a novel structure for providing a thinned semiconductor device, and the production thereof having simplified processes.例文帳に追加
薄型化された半導体装置を得るために新規な構造のスティフナを用いて薄型化された半導体装置を得ると共に簡略化された工程を有する半導体装置の製造工程を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device having an excellent characteristic in spite of shortening its gate-insulating-film peeling processes, in the semiconductor device having gate insulating films constitutionally whose thicknesses are different from each other.例文帳に追加
膜厚の異なるゲート絶縁膜を備えた構成の半導体装置で、ゲート絶縁膜剥離の工程の短縮を図りながら優れた特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with high quality which does not cause large steps in a cutting line after processing, and suppressing damages to the device at processings and at subsequent processes, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
加工後の切断ラインに大きな段差が生じること無く、加工時及び以後の工程で損傷するのが抑制された高品位な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which changes a threshold voltage of a MOS transistor without increasing the number of processes and the variations of characteristics, and to provide a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加
プロセス工程数の増加や特性バラツキを増大させず、MOSトランジスタの閾値電圧を変化させる半導体装置の製造方法とそれにより製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of facilitating obtaining the semiconductor device with a smaller number of processes, wherein a plurality of bipolar transistors having different DC current amplification factors (hfe) is mixedly mounted.例文帳に追加
異なる直流電流増幅率(hfe)を有する複数のバイポーラトランジスタを混載した半導体装置を、簡易且つ工程数が少なく得られる半導体装置の製造方法を提供すこと。 - 特許庁
The semiconductor element that is divided into pieces along with the adhesive layer 22 for manufacturing in the cutting processes is picked up from the dicing tape base material 23 and is adhered onto other semiconductor elements and circuit base materials.例文帳に追加
これら切断工程で接着剤層22と共に個片化して作製した半導体素子を、ダイシングテープ基材23からピックアップして他の半導体素子や回路基材上に接着する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of processes without deteriorating overlapping precision when a gate electrode is formed, and to provide the semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加
ゲート電極形成の際の重ね合わせ精度を低下させることなしに工程数を削減することのできる半導体装置の製造方法およびこれにより製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of manufacturing a semiconductor device of high performance and reliability on a substrate stably with a high yield and simplifying manufacturing processes.例文帳に追加
高性能でかつ信頼性の高い半導体装置を基板上に安定して歩留まりよく製造できると共に、製造工程の簡略化ができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein a semiconductor element and an external electrode are connected by lead wiring, and which can prevent the occurrence of areas not filled by a sealing resin and can ease testing processes.例文帳に追加
半導体素子と外部電極とがリード配線で接続された半導体装置において、封止樹脂の未充填領域の発生を防ぎ、かつ試験工程が容易な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To decrease manufacturing processes and masks in a method of manufacturing a semiconductor device formed a plurality of MOS transistors having different breakdown voltage characteristics on the same semiconductor substrate.例文帳に追加
同一の半導体基板上に耐圧特性の異なる複数のMOSトランジスタが形成された半導体装置の製造方法において、製造工程の削減とマスクの削減を実現するものである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device by which an applying mask can be confirmed efficiently and the production yield of the semiconductor device can be improved, and which has overlapping inspection processes.例文帳に追加
効率良く適用マスクの確認を行なうことが可能であり、また、半導体装置の製造歩留の向上を可能とする、重ね合わせ検査工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, in particular a nitride semiconductor device which is used in the manufacture of laser diodes, wherein peeling-off of the electrode is suppressed while suppressing the complexity of processes and a reduction in yield.例文帳に追加
半導体装置、特にレーザダイオードの作成に使用される窒化物半導体装置において、プロセスの煩雑化や歩留まりの低下を抑えつつ、電極剥がれを抑制することを目的としている。 - 特許庁
With this manufacturing method, the number of manufacturing processes can be decreased compared to a case where two semiconductor components called a CSP are separately manufactured and then these two semiconductor components are laminated.例文帳に追加
これにより、CSPと呼ばれる2つの半導体構成体を個々に製造してから、この2つの半導体構成体を積層する場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。 - 特許庁
A screening inspection can be performed after all of the manufacturing processes of the semiconductor device are completed, and therefore, characteristics and reliability with respect to a final structure of the semiconductor device can be inspected.例文帳に追加
また、スクリーニング検査を半導体装置のすべての製造工程を完了してから行うことができるため、半導体装置の最終構造に対して特性、信頼性を検査することが可能となる。 - 特許庁
To provide a test device and a test method for a semiconductor device, for realizing reduction of test cost and the number of test processes, in a functional test in the semiconductor having a large number of signal terminals.例文帳に追加
多数の信号端子を有する半導体装置の機能試験において、その試験工程数及び試験コストの削減を実現するための半導体装置の試験装置及び試験方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of processes until a through-hole formation process after gate electrode formation and can reduce a manufacturing cost of a semiconductor device.例文帳に追加
ゲート電極形成後のスルーホール形成工程までの工程数を削減することができ、半導体装置作製のコストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device that is of a semiconductor storage device and can particularly realize a highly integrated DRAM with micro cell areas in a small number of processes and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
半導体記憶装置に係り、特に、高集積化されたDRAMを、少ない工程数で、且つ微細なセル面積で実現できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which constitutes a semiconductor layer by using an organic material having high freedom of molecular design and high adaptability to various processes, while exhibiting high carrier mobility.例文帳に追加
高いキャリア移動度を示しながらも、分子設計の自由度が高くプロセスに対する適応性が高い有機材料を用いて半導体層を構成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that is thinner than a conventional one and at the same time has improved reliability in the electric connection between a semiconductor device and a wiring board, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device by less number of processes than a conventional one.例文帳に追加
従来よりも厚みが薄く、且つ半導体素子と配線基板との電気的な接続信頼性が向上された半導体装置、及び、それを従来よりも少ない工程数で製造することができる製造方法を提供すること - 特許庁
To provide a semiconductor module that has a good heat radiation effect, can be thinned, and can reduce the number of manufacturing processes and material cost, and to provide a failure analysis method for the semiconductor module, and a method of manufacturing the semiconductor module.例文帳に追加
良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method of manufacturing semiconductor device comprises the processes to form a first and a second semiconductor layers (1x, 1y) which are mutually separated on a substrate (10), a gate insulation film 82) on the semiconductor layer, and a gate electrode on the gate insulation film.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、基板(10)上に相互に分離された第1及び第2の半導体層(1x、1y)、該半導体層上にゲート絶縁膜(2)、該ゲート絶縁膜上にゲート電極(3)を形成する工程を含む。 - 特許庁
In the step S8, inter-event times needed during the manufacture of the semiconductor device with respect to inter-event times to be managed are recorded among various inter-event times included in manufacturing processes from feeding of a semiconductor wafer to completion of the semiconductor device.例文帳に追加
ステップS8では、半導体ウェハの投入から半導体デバイスの完成に至る製造工程に含まれる各種のイベント間時間のうち、管理対象のイベント間時間について半導体デバイスの製造時に要したイベント間時間を記録する。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate having a structure that facilitates manufacturing processes of a laminated chip package and shortens a manufacturing time, to provide the laminated chip package, and to provide a semiconductor plate using the semiconductor substrate, and to provide methods of manufacturing them.例文帳に追加
積層チップパッケージの製造工程を簡略化できて、製造時間を短縮化し得る構造を備えた半導体基板、その半導体基板を用いた積層チップパッケージおよび半導体プレート並びにこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a managing method of semiconductor manufacturing equipment and a management system of the semiconductor manufacturing equipment by which a variation factor of a QC value which is not caused by APC control and maintenance is extracted, and causes for abnormalities in semiconductor manufacturing processes are specified.例文帳に追加
APC制御やメンテナンスに起因しないQC値の変動要因を抽出し、半導体製造工程における異常原因の特定が可能な半導体製造装置の管理方法、および半導体製造装置の管理システムを提供すること。 - 特許庁
To provide a mechanism for mounting a semiconductor chip on a chip mount board in a state in which curving of the semiconductor chip is corrected without mounting and pressing the semiconductor chip on and against the chip mount board in different processes and by different devices.例文帳に追加
チップ搭載基板に対する半導体チップの載置と加圧を別々の工程及び装置で行なわなくても、半導体チップの反りを矯正した状態でチップ搭載基板に半導体チップを搭載することができる仕組みを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of manufacturing a semiconductor device which is three-dimensionally, highly integrated through simple manufacturing processes, to provide the semiconductor device, and to provide an electronic apparatus equipped with the same.例文帳に追加
簡略な製造プロセスで平面内と高さ方向とに高集積化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに当該半導体装置を備える電子機器を提供する。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the processes of selectively etching a semiconductor layer structure, produced with nitride material-based; and of making the semiconductor layer structure include an aluminum-containing cladding region or an aluminum-containing light guide region.例文帳に追加
本発明の半導体発光素子の製造方法は、窒化物材料系で製造された半導体層構造体を選択的にエッチングする工程と、アルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域を含ませる工程とを含む。 - 特許庁
To provide a phase shift mask that can be manufactured while suppressing increase in the cost or the number of processes, and to provide a method for manufacturing the phase shift mask and a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress increase in the cost and the number of processes.例文帳に追加
費用や工程数の増加を抑えつつ製造することが可能な位相シフトマスク、費用や工程数の増加を抑えることが可能な位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which stress can be imparted suitably for each of an n-type MOS-FET and a p-type MOS-FET while suppressing an increase in the number of processes and an influence on previous and following processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
工程数の増加や前後のプロセスへの影響を抑えて、n型MOS−FET、p型MOS−FETのそれぞれに適する応力を付与することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.例文帳に追加
また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁
To provide a power semiconductor device which is restrained from increasing the number of manufacturing processes, inexpensive, and high enough in mechanical strength, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
工程数の増加を抑えた安価で、十分な機械的強度を有するパワー半導体デバイスの製造方法及びパワー半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a thin semiconductor chip that has high yield and low costs, and withstands damages which occur in production processes by utilizing features in wafer collective treatment.例文帳に追加
ウエーハ一括処理の特徴を生かし、高歩留り、低コストにして生産工程上生じるダメージに強い薄型の半導体チップを提供する。 - 特許庁
To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加
2次に亘るウェットエッチング工程により、CMP工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the occurrence of cracks, during processes of plate-processing leads, bending the leads, or the like, is prevented, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
リードをめっき処理する工程やリードを曲げる工程などにおけるクラックの発生を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for reducing the number of processes in pattern formation using a mask material on a sidewall of a core material pattern.例文帳に追加
芯材パターンの側壁に形成するマスク材を利用したパターン形成において工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A CCD 24 is mounted on the rear surface of a first semiconductor module 20 with a built-in DSP 32A, etc., which processes an electric signal of the CCD 24.例文帳に追加
CCD24の電気信号を処理するDSP32A等を内蔵する第1の半導体モジュール20の裏面に、CCD24を実装する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of forming a capacitor having sufficient capacity without affecting processes and characteristics when a DRAM is mixedly mounted on an SoC.例文帳に追加
SoCにDRAMを混載する場合に、プロセス、特性に影響することなく十分な容量のキャパシタを形成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where a DRAM cell and a logic circuit are enhanced in operation speed without increasing manufacturing processes in number.例文帳に追加
製造工程数の増加を招くことなく、DRAMセル及びロジック回路の高速化を可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the number of manufacturing processes without degrading the reliability of a fluorescent character display tube of a built-in semiconductor element type even if an integral metal frame is used.例文帳に追加
一体型金属フレームを用いても半導体素子内蔵型蛍光表示管の信頼性を低下させることなく、製造工数を削減できる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device using a support wherein the reliability and the yield can be enhanced without making manufacturing processes complicated.例文帳に追加
支持体を用いた半導体装置の製造方法において、製造工程を複雑化させることなく、信頼性及び歩留まりの向上を図る。 - 特許庁
To provide such a structure that can feed electricity to a well, without increasing the number manufacturing processes of a semiconductor integrated circuit device nor deteriorating the characteristics of an element.例文帳に追加
半導体集積回路装置の製造工程の増加や素子特性の劣化を招くことなく、ウエルへの給電が可能な構造を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of dispensing with separate provision of an external terminal and of reducing the number of components and the number of assembling processes.例文帳に追加
外部端子を別に設ける必要がなく、部品点数の削減や組み立て工数の削減等を図ることができる半導体装置の提供。 - 特許庁
Before substrate processing is carried out by a semiconductor manufacturing device, the following three processes(oxide film forming process, cycle purge process, and coating process) are continuously carried out.例文帳に追加
半導体製造装置で基板処理を行なう前に、次の3つの工程(酸化膜形成工程、サイクルパージ工程、コーティング工程)を連続して行なう。 - 特許庁
To provide a semiconductor pressure sensor where inspection accuracy is improved without causing increase in inspection processes and costs, and its junction surface inspection method.例文帳に追加
検査工程の増加や検査コストの増加を招くことなく、検査精度を向上させた半導体圧力センサおよびその接合面検査方法を提供する。 - 特許庁
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