「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type GaN layer 12 is grown on a sapphire substrate 11, and a grown mask 14 is formed on the layer 12 by an SiN film or the like.例文帳に追加

サファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２を成長させ、その上にＳｉＮ膜などにより成長マスク１４を形成する。 - 特許庁

The SiO2 film 7 is removed from the part except the opening of the SiN film 3 and the inside of the trench 5, and a trench element isolation region is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３の開口およびトレンチ５の内部以外の部分をＳｉＯ_2 膜７を除去し、溝素子分離領域を形成する。 - 特許庁

An amplitude calculating part 150a calculates the amplitude Ax of the sine wave signal Ax.sin(2πft+ψ) by executing computing of (Csin12+ Ccos12)1/2.例文帳に追加

振幅演算部１５０ａは、(Ｃ_sin1^2＋Ｃ_cos1^2)^1/2の演算の実行によって正弦波信号Ａx・sin(２πｆｔ＋ψ)の振幅Ａxを計算する。 - 特許庁

A sound collection device 32 generates a sound collection signal SIN, by collecting sound (clicking sound of tongue) via the mouth 70 of the user.例文帳に追加

収音機器３２は、利用者の口腔７０を経由した音響（舌打音）を収音することで収音信号ＳINを生成する。 - 特許庁

The smooth layer 54 is preferably composed of SiN or SiO_2 (if possible), and the binder layer 56 is for example composed of TiN or TaN.例文帳に追加

平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、例えば、ＴｉＮ又はＴａＮからなる。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-2, 6-1 curve toward the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower Al film and an upper SiN film.例文帳に追加

個別変位部４−２，６−１は、基板１側に湾曲し、下側のＡｌ膜と上側のＳｉＮ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

Next, an SiN film 103, an SiO_2 film 104, and an FSG film 105 are formed, and a through hole 106 and a wiring groove 107 are formed.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_２膜１０４、ＦＳＧ膜１０５を形成し、スルーホール１０６、配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

A signal adjustment section 12 adjusts the signal level of an acoustic signal SIN according to an adjustment value G to generate an acoustic signal SOUT.例文帳に追加

信号調整部１２は、音響信号ＳINの信号レベルを調整値Ｇに応じて調整して音響信号ＳOUTを生成する。 - 特許庁

The voltage level of a logic signal Sin is converted by a level shifter 30 and given to inverters 43, 45 from connecting nodes N1 and N2.例文帳に追加

ロジック信号Ｓ_inの電圧レベルが、レベルシフタ３０によって変換され、接続ノードＮ１及びＮ２からインバータ４３，４５に与えられる。 - 特許庁

Then, the navy headed by Yoshiakira KATO and Yoshitaka KUKI, that debouched to back up, retreated as they could not stand up against attacks on their mooring places by Yi Sun-sin. 例文帳に追加

続いて援護のために進出した加藤嘉明と九鬼嘉隆の水軍が李舜臣の泊地攻撃に耐えかねて後退する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of manufacturing semiconductor devices which constitutes a method of etching that replaces selective etching of SiN film that uses phosphoric acid.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の燐酸を用いた選択的エッチングに代替するエッチング方法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A SiN thin film 15 is formed on a Cu wiring 14 and heat-treated in an atmosphere, including an oxidation species and an reduction species.例文帳に追加

Ｃｕ配線１４上にＳｉＮ薄膜１５を形成した後、酸化種および還元種を含む雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

On the lower surface of the shading film 29, a hydrogen supply layer 28 composed of a plasma SiN film or an amorphous silicon film is provided.例文帳に追加

この遮光膜２９の下面には、プラズマＳｉＮ膜やアモルファスシリコン膜などからなる水素供給層２８が設けられている。 - 特許庁

A digital remodulation system includes a digital/analog (D/A) converter having an undesirable inherent frequency response sin (x)/x.例文帳に追加

ディジタル再変調システムは、望ましくない固有の周波数応答ｓｉｎ（ｘ）／ｘを有するディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器を含んでいる。 - 特許庁

Since the diffraction pattern of the diffraction element 2 has the shape of a sin curve, the spot of the sub beam is larger than that of the main beam.例文帳に追加

回折素子２の回折パターンはｓｉｎ曲線の形状をなしているため、副ビームのスポットは主ビームのスポットよりも大きくなる。 - 特許庁

A second level shifter 20 level-shifts the input signal Sin, and has a quicker response to a negative edge than a response to a positive edge.例文帳に追加

第２レベルシフタ２０は、入力信号Ｓｉｎをレベルシフトし、ネガティブエッジに対する応答がポジティブエッジに対する応答よりも高速である。 - 特許庁

A SiN film 20 as a capacitance insulating film of the MIM capacitor is formed on the fluorine polymer layer 18 and the lower electrode 17.例文帳に追加

フッ素系ポリマー層１８及び下部電極１７上にＭＩＭキャパシタの容量絶縁膜であるＳｉＮ膜２０を形成する。 - 特許庁

But there is another world I do not wish to live in, a world in which independent thinking is despised and the finest things we can experience denounced as sin.例文帳に追加

私には 住みたくない 世界があります 身体と思考を 悪者に仕立て 体験しうる最良のものに 罪の 烙印を押す世界 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Genji tells lady Murasaki about the women he had relations with, and on that night he has a dream in which Fujitsubo appears, blaming him over her sin being revealed. 例文帳に追加

源氏は紫の上に女君たちのことを語ったが、その夜夢に藤壺が現れ、罪が知れたと言って源氏を恨んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ri So (Lizong) (Song) enjoyed Do school as the name 'Ri' (law) given to a dead emperor for the ceremony of putting the soul in a mausoleum indicates, and Gi Ryo O, Sin Toku Shu, etc. from the school of Chu His flourished. 例文帳に追加

理宗(宋)はその廟号「理」字が示すとおり道学を好み、朱熹の門流、魏了翁・真徳秀らが活躍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A magnetic body 13 is formed over the lower-layer conductive films 7 across the PSG film 9 and SiN film 11.例文帳に追加

ＰＳＧ膜９及びＳｉＮ膜１１を介して、複数の下層導電性膜７上にわたって磁性体１３が形成されている。 - 特許庁

On both side surfaces of the gate 160, a charge retainer consisting of SiO films 171 and 181 and SiN films 172 and 182 is provided.例文帳に追加

さらに、ゲート部１６０の両側面には、ＳｉＯ膜１７１，１８１、ＳｉＮ膜１７２，１８２からなる電荷保持部が設けられる。 - 特許庁

The etching resistance protection film 103 on the SiN film 102 is removed and the PSG film 101 is removed, thereby completing a liquid jet head.例文帳に追加

そして、ＳｉＮ膜102上の耐エッチング保護膜103を除去し、さらにＰＳＧ膜101を除去することにより液体吐出ヘッドが完成する。 - 特許庁

So long as we carry about with us this frail body, we cannot be without sin, we cannot live without weariness and trouble. 例文帳に追加

この壊れやすいからだのなかにある限り、われわれは罪から自由になることも、憂い悔いることなく生き続けることもできない。 - Thomas a Kempis『キリストにならいて』

In the high frequency amplifier circuit, a signal separator 12 generates a pair of phase modulation signals Sb1(t), Sb2(t) accompanying phase modulation corresponding to amplitude modulation and phase modulation of an input modulation signal Sin(t) and having a phase difference corresponding to an amplitude of the input modulation signal Sin(t).例文帳に追加

信号分離器１２は、入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅変調及び位相変調に応じた位相変調を伴い且つ入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅に応じた位相差を有する位相変調信号対Ｓｂ１(ｔ)，Ｓｂ２(ｔ)を生成する。 - 特許庁

A reflecting layer 2 consisting of an Al alloy or the like, a dielectric layer 3 consisting of SiN, sialon or the like, a recording layer 4 consisting of TbFeCo, a dielectric layer 5 consisting of SiN, sialon or the like, a first protective layer 6, a second protective layer 7 and a lubricating layer 8 are successively formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にＡｌ合金などから成る反射層２、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層３、ＴｂＦｅＣoから成る記録層４、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層５および第一保護層６、第二保護層７、潤滑層８を順次形成する。 - 特許庁

This circuit is provided with a numerical operation oscillator circuit 12 generating the sine wave signal sin (ω) and the cosine wave signal cos (ω) of the same frequency as the carrier frequency ω of a chrome signal Cin, and the signal Cin is multiplied by the signals sin (ω) or cos (ω).例文帳に追加

クロマ信号Ｃｉｎの搬送波周波数ωと同一周波数の正弦波信号ｓｉｎ（ω）及び余弦波信号ｃｏｓ（ω）を生成する数値演算オシレータ回路１２を設け、その正弦波信号ｓｉｎ（ω）と余弦波信号ｃｏｓ（ω）をそれぞれクロマ信号Ｃｉｎに乗算する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The downwardly convex inner lenses 37b and 37c are formed by performing isotropic etching on a BPSG film, which is a source of a first flattening layer 33, to thereby form concave portions, which are hemispherically concave, in the BPSG film and forming an SiN film on the BPSG film to thereby fill in each concave portion with SiN.例文帳に追加

第１平坦化層３３の基となるＢＰＳＧ膜に対して等方性のエッチングを行うことにより、半球状に凹んだ凹部をＢＰＳＧ膜に形成し、この上にＳｉＮ膜を製膜してＳｉＮで各凹部を埋めることにより、下凸型インナーレンズ３７ｂ、３７ｃを形成する。 - 特許庁

The magnetic-optical recording medium 10 is provided with a substrate 1 consisting of polycarbonate, glass, etc., a ground layer 2 consisting of SiN, a recording layer 3 consisting of TbFeCo, a reproducing layer 4 consisting of GdFeCo, a protective layer 5 consisting of SiN and a metallic layer 6 consisting of alloy of Ni and Fe.例文帳に追加

光磁気記録媒体１０は、ポリカーボネート、ガラス等から成る基板１と、ＳｉＮから成る下地層２と、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層３と、ＧｄＦｅＣｏから成る再生層４と、ＳｉＮから成る保護層５と、ＮｉとＦｅとの合金から成る金属層６とを備える。 - 特許庁

Each of weighting coefficients excluding other weighting coefficients which include at least one maximum weighting coefficient or more among the plurality of weighting coefficients is set to a 2nd power of value which approximates a value of weighting coefficient obtained by a spline transformation for approximating a function of sin(x)/x.例文帳に追加

複数の重み係数の内で最大の重み係数を少なくとも含む１以上の重み係数を除く他の重み係数それぞれの値は、sin(x)／xの関数を近似する区分多項式によって得られる重み係数の値をそれぞれ近似する２のべき乗の値に設定されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an ELK film 12 formed on a semiconductor substrate 11; an SiN film 13 formed on the ELK film 12; and the plurality of interconnection 16 formed in the ELK film 12 and the SiN film 13 and disposed at the practically same height.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたＥＬＫ膜１２と、該ＥＬＫ膜１２の上に形成されたＳｉＮ膜１３と、ＥＬＫ膜１２及びＳｉＮ膜１３に形成され、実質的に同一の高さに配置された複数の配線１６とを有している。 - 特許庁

A first wiring layer 102, an SiN film 103, an SiO_2 film 104 and an FSG film 105 are formed on the surface of an insulating film 101, and a through-hole 106 and a wiring groove 107 are formed inside the SiN film 103, the SiO_2 film 104 and the FSG film 105.例文帳に追加

絶縁膜１０１の表面に第１配線層１０２、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５を形成し、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５の内部にスルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

On the entire surface of the TMR element 5 as well as on the upper surface of the TMR lower electrode 28, an interlayer insulating film 30 formed of LT-SiN is formed, with an interlayer insulating film 32 of LT-SiN formed to cover the entire surface including the side surface of the TMR lower electrode 28.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５の全面及びＴＭＲ下部電極２８の上面上にＬＴ−ＳｉＮより形成される層間絶縁膜３０が形成され、ＴＭＲ下部電極２８の側面を含む全面を覆ってＬＴ−ＳｉＮよりなる層間絶縁膜３２が形成される。 - 特許庁

In a pressure reduction CVD device, an ammonia-family gas and SiCl4 are supplied as a raw material of N and Si, respectively, onto the SiN film formed by allowing an Si substrate to be subjected to thermal nitriding, and a CVD-SiN film is deposited at temperature of 650°C or less and 550°C or more.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置において、Ｓｉ基板を熱窒化して形成したＳｉＮ膜上に、アンモニア系ガスとＳｉＣｌ_4とを、それぞれＮおよびＳｉの原料として供給し、６５０°Ｃ以下、５５０°Ｃ以上の温度においてＣＶＤ−ＳｉＮ膜を堆積する。 - 特許庁

Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加

これにより、上層の第２のＢＰＳＧ膜９のエッチング工程でＳｉＮ膜８の表面部に形成されたＳｉＣ膜類似層を除去することが可能になり、ＳｉＮ膜８およびその下層の第１のＢＰＳＧ膜７を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁

The peripheral section of the extended section 52b of the electrode 52 is separated from the SiN film 42 so that a gap G may be formed between the section and film 42.例文帳に追加

Ｔ字型ゲート電極５２の延在部５２ｂの周辺部分は、ＳｉＮ膜から離隔して、ＳｉＮ膜との間に間隙Ｇを有する。 - 特許庁

Second SiN buffers 15 are dispersedly formed on the low-temperature GaN buffer layer 14, on which a high-temperature GaN semiconductor layer 16 is grown.例文帳に追加

低温ＧａＮバッファ層１４上に離散的に第２のＳｉＮバッファ体１５を形成し、高温ＧａＮ半導体層１６を成長させる。 - 特許庁

A TFT comprises an underlying SiN film 2, an underlying SiO_2 film 3 and a Si film 14 which are sequentially placed on a substrate 1 made of glass.例文帳に追加

ＴＦＴにおいては、ガラスからなる基板１上に、下地ＳｉＮ膜２、下地ＳｉＯ_2膜３、およびＳｉ膜１４が順に配置されている。 - 特許庁

Second SiN buffers 15 are dispersedly formed on the lowtemperature GaN buffer layer 14, and a high-temperature GaN semiconductor layer 16 is grown thereon.例文帳に追加

低温ＧａＮバッファ層１４上に離散的に第２のＳｉＮバッファ体１５を形成し、高温ＧａＮ半導体層１６を成長させる。 - 特許庁

While a control signal SS1 is in an enable state, the switch 3 outputs the input signal Sin to a node N2 via a bypass path.例文帳に追加

スイッチ３は、制御信号ＳＳ１がｅｎａｂｌｅ状態のときにバイパス径路を介して入力信号ＳｉｎをノードＮ２に出力する。 - 特許庁

Using an SiN film deposited by plasma CVD is employed as a passivation film for diffusion, zinc is diffused from an opening to form a diffusion area.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を拡散用のパシベーション膜として用い、開口部より亜鉛を拡散して拡散領域を形成した。 - 特許庁

The final beat period (tempo) is determined on the basis of the degree sin which each silent section is synchronized with these beat period candidates.例文帳に追加

次に、これら拍周期候補に対して各無音区間がどの程度同期しているかに基づいて最終的な拍周期（テンポ）が決定される。 - 特許庁

The first nitride film 4 is composed of SiN and formed across the adjoining copper interconnections 5 to cover the lower surface of the copper interconnection 5 partially.例文帳に追加

第１窒化膜４は、ＳｉＮからなり、銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって形成されている。 - 特許庁

A SiN film 22 (a first insulating film) is formed on the p-type clad layer 16 at a film forming temperature of about 600°C by a thermal CVD method.例文帳に追加

成膜温度６００℃前後の熱ＣＶＤ法により、ｐ型クラッド層１６上にＳｉＮ膜２２（第１の絶縁膜）を形成する。 - 特許庁