「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, the square sum of the two output signals of the resolver 11 is calculated as the diagnostic index, the diagnostic index is compared with the abnormality determination threshold, and the presence or absence of disconnection (for instance, disconnection of an excitation signal line, disconnection of a SIN signal line and disconnection of a COS signal line) in the rotation angle detection system is determined.例文帳に追加

この後、レゾルバ１１の２つの出力信号の２乗和を診断指標として算出し、その診断指標を異常判定閾値と比較して、回転角検出システムの断線（例えば、励磁信号線の断線、ＳＩＮ信号線の断線、ＣＯＳ信号線の断線等）の有無を判定する。 - 特許庁

To solve a problem of a conventional synchronous detection method for an amplitude modulation signal and a conventional rotation signal processor that synchronous detection cannot be accurately performed due to a phase difference α present as a considerable value because the synchronous detection of an amplitude modulation signal f(θ) sin(ωt-α) is performed by using an excitation signal sinωt.例文帳に追加

従来の振幅変調信号の同期検波方法及び回転信号処理器は、励磁信号ｓｉｎωｔを用いて振幅変調信号ｆ（θ）・ｓｉｎ（ωｔ−α）の同期検波を行うので、位相差αが無視できない値として存在し、正確な同期検波を行う際の支障となっている。 - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

The system for reducing block noise comprises a means 11 for detecting the degree of deterioration of a video image based on a received video signal Sin, and a means 12 for correcting the filter coefficient of a block noise reducing filter 4 depending on the degree of deterioration of a video image detected by the detecting meas 11.例文帳に追加

受信映像信号Ｓｉｎをもとに映像劣化の度合いを検出する映像劣化度合い検出手段１１と、映像劣化度合い検出手段１１により検出された映像劣化度合いの程度に応じて、ブロックノイズ低減用フィルタ４のフィルタ係数を補正するフィルタ係数補正手段１２と、から構成する。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

A phase comparator circuit consisting of a multiplication circuit 11 and a loop filter 12 outputs a signal S12a of a level corresponding to the phase difference between an FM signal Sin and a signal S13, and a VCO 13 generates the signal S13 of a frequency corresponding to the level of the signal S12a and the absolute value dispersion and temperature characteristic of the circuit element.例文帳に追加

乗算回路１１およびループフィルタ１２からなる位相比較回路においてＦＭ信号Ｓinと信号Ｓ13の位相差に応じたレベルの信号Ｓ12a を出力し、この信号Ｓ12a のレベルならびに回路素子の絶対値ばらつきおよび温度特性に応じた周波数の信号Ｓ13をＶＣＯ１３で生成する。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device where a capacitor comprising a ferroelectric film is integrated on a semiconductor substrate where an active element is formed, at least an insulating film principally comprising SiN is formed between the active element, e.g. a transistor, formed on the semiconductor substrate and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体膜からなるキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記半導体基板上に形成されたトランジスタなどの能動素子と、前記強誘電体からなるキャパシタとの間に主成分がＳｉＮからなる絶縁膜がすくなくとも形成されている。 - 特許庁

The laser beam scanner comprises a wavelength variable light source and a partial transmission type etalon, makes a laser beam from the wavelength variable light source incident to the partial transmission type etalon, wherein the partial transmission type etalon is configured such that the wavelength dependency of outgoing angle exhibits nonlinearity and the wavelength variable light source provides a sin-wave driven wavelength.例文帳に追加

波長可変光源と、部分透過型エタロンを備え、該波長可変光源からのレーザビームを該部分透過型エタロンに入射させ、レーザビーム走査をするレーザビーム走査装置であって、 前記部分透過型エタロンは、出射角の波長依存性が非線形性を示し、前記波長可変光源の波長を正弦波駆動する構成とする。 - 特許庁

Since most electrons that move from the gate 160 to LDD regions 112 and 122 are accumulated in the SiN films 132, 142, 172, and 182 at electron accumulation operation, a current value reading when the charging region is charged can be reduced close to 0 ampere, resulting in improving a reading margin.例文帳に追加

これにより、電子蓄積動作時に、ゲート部１６０からＬＤＤ領域１１２，１２２方向に移動する電子の多くをＳｉＮ膜１３２，１４２，１７２，１８２に蓄積することができるので、帯電領域が帯電しているときの読み出し電流値を、０アンペアに非常に近い値まで低下させることができ、読み出しマージンを向上させることができる。 - 特許庁

A scan separation circuit 30 provided in midstream of respective signal paths comprises a selector 31 that, by switching a signal SA from a circuit block 10A and a holding signal S33, outputs it to a circuit block 10B as a signal S31, and a selector 32 that selects the signal S31, and either a signal Sin from the outside or a signal S33 at a previous stage.例文帳に追加

各信号経路の途中に設けられたスキャン分離回路３０は、回路ブロック１０Ａからの信号ＳＡと保持信号Ｓ３３を切り替えて信号Ｓ３１として回路ブロック１０Ｂに出力するセレクタ３１と、この信号Ｓ３１と外部からの信号Ｓinまたは前段の信号Ｓ３３の内のいずれか一方を選択するセレクタ３２を有している。 - 特許庁

A current control unit 4, a dq/αβ coordinate converter 5, an αβ/UVW coordinate converter 6, a PWM forming unit 7, a current detecting unit 8, an A/D converter 9, a UVW/αβ coordinate converter 10, an αβ/dq coordinate converter 11, and SIN/COS calculating unit 13 make up hardware H, which maintain high-speed processing.例文帳に追加

電流制御部４、ｄｑ／αβ座標変換器５、αβ／ＵＶＷ座標変換器６、ＰＷＭ形成部７、電流検出部８、Ａ／Ｄ変換部９、ＵＶＷ／αβ座標変換器１０、αβ／ｄｑ座標変換器１１、ＳＩＮ／ＣＯＳ演算部１３がハードウェアＨにより構成されており、処理の高速化を保持できる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a fluorine added carbon film 20 formed on a substrate 1; the hard mask layer formed on the fluorine added carbon film 20 and containing an SiCO film 23 and an SiO_2 film 24; and a barrier layer formed by laminating an SiN film 21 and an SiCN film 22, in this order, starting from beneath between the fluorine added carbon film 20 and the hard mask layer.例文帳に追加

基板１上に形成されたフッ素添加カーボン膜２０と、このフッ素添加カーボン膜２０の上に形成され、ＳｉＣＯ膜２３とＳｉＯ_２膜２４とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜２０とハードマスク層との間に、ＳｉＮ膜２１とＳｉＣＮ膜２２とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。 - 特許庁

The information recorded on the information recording/ reproducing medium is optically read out by a pickup, and an RF signal SRF' generated by an RF signal producing circuit CQ1 based on this reading signal Sin is supplied to a frequency property compensating circuit 10 to produce an RF signal SRF with which the frequency property of the RF signal SRF' is compensated.例文帳に追加

ピックアップによって情報記録再生媒体に記録されている情報を光学的に読み取り、その読取り信号Ｓinに基づいてＲＦ信号生成回路ＣＱ１が生成したＲＦ信号ＳRF’を周波数特性補償回路１０に供給し、ＲＦ信号ＳRF’の周波数特性を補償したＲＦ信号ＳRFを生成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for growing a silicon containing film of Si, SiGe or the like, not only immediately above a region where a semiconductor material of Si, SiGe or the like is exposed but also above a region where SiO_2, SiN or the like is exposed while extruding Si laterally.例文帳に追加

ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A ReRAM according to the present embodiment includes: a memory part formed of a three-dimensional structure in which a plurality of memory structures are laminated; and a wiring region, for example, formed in a structure in which the coating type SiO_2 film, which fills in a wide space around an element, is segmented into small ones by a SiN film.例文帳に追加

上記課題を解決するために、例えば、本実施形態のＲｅＲＡＭは、メモリ部において、メモリ構造を複数積層してなる三次元構造が形成され、例えば、配線領域において、素子の周辺部の広い空間を充填している塗布型ＳｉＯ_２膜がＳｉＮ膜によって細かく分断されてなる構造に形成されている。 - 特許庁

A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加

共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁

The current control circuit 13 is provided with a charging/discharging circuit 24 similar to the charging/discharging circuit 12. and the output voltage V1 increases according to a primary function during a period from a time point when a level of an input signal Sin changes, to a time point when a voltage Vo reaches a reference voltage Va (=1/2Vcc), and decreases later according to the primary function.例文帳に追加

電流制御回路１３は、充放電回路１２と同様の充放電回路２４を備えており、出力電圧Ｖ１は、入力信号Ｓｉｎのレベルが変化した時点から電圧Ｖｏが基準電圧Ｖａ（＝１／２Ｖｃｃ）に達するまでの期間１次関数に従って増加し、その後１次関数に従って減少する。 - 特許庁

A substrate for an electronic circuit is provided with a wafer (1) of silicon Si with the upper surface covered with an electrically insulating layer (3) of silicon nitride SiN and supports more than one of conductive tracks (4) obtainable by metallizing the upper surface of the layer (3) are supported by the layer 3 for enabling the connection of more than one of electronic components (5) with each other.例文帳に追加

窒化シリコンＳｉＮの電気絶縁層（３）で上面が被覆されたシリコンＳｉのウェーハ（１）を具備し、１つ以上の電子部品（５）を接続可能にするために、窒化シリコンの前記電気絶縁層（３）が、電気絶縁層（３）の上面をメタライジングすることにより得られる１つ以上の導電トラック（４）を支持する、電子回路基板。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

The adhesive sheet includes a resin composition without foaming at 200°C or lower by heating at 140°C for one minute, and exhibits improved adhesive force by heating at 140°C for one minute and then heating at 200°C for one minute on a Si base material coated with SiN and shows an adhesive force of 1.0 MPa or over determined at 180°C.例文帳に追加

樹脂組成物から構成され、１４０℃で１分間加熱することで２００℃以下では発泡しなくなる接着シートであって、１４０℃で１分間、続いて２００℃で１分間加熱することによりＳｉＮをコートしたＳｉ基材への接着力が向上し、１８０℃で測定した接着力が１．０ＭＰａ以上となる接着シートとする。 - 特許庁

A rotation angle device calculates tan θ from a cos θ signal and a sin θ signal, obtained by filtering the double frequency modulated components of the signal output by the resolver, in response to the rotation angle θ of the output shaft of the motor by the low-pass filters 55, 57, and retrieves the rotation angle θ by applying the value of the tan θ to a tan θ to θ conversion map 59.例文帳に追加

回転角検出装置は、モータの出力軸の回転角θに応じてレゾルバが出力する信号の倍調成分をローパスフィルタ５５，５７で濾波したｃｏｓθ信号およびｓｉｎθ信号からｔａｎθを算出し、ｔａｎθの値をｔａｎθ→θ変換マップ５９に適用して回転角θを検索する。 - 特許庁

The controlling unit 30 carries out the step of changing a characteristic of dialysate Cd upstream and downstream of the membrane exchanger 1 for measuring each change, the step of integrating each change relative to time and obtaining each area Sin and Sout corresponding to a total of each change, and an estimating step of estimating effectiveness of the membrane exchanger 1 for dialysis.例文帳に追加

制御ユニット３０は、透析液の特性Ｃｄを膜交換器１の上流と下流で変化させてそれぞれの変化を測定する段階と、前記各変化を時間に関して積分して各変化の合計に相当する各面積Ｓｉｎ，Ｓｏｕｔを得る段階と、膜交換器１の透析の有効性を評価する評価段階とを実施させる。 - 特許庁

An image reconfiguration section 4 extracts a noise image signal NSin by adding signals each resulting from subtracting a processed band limit image signal fBk whose noise is suppressed from a band limit image signal Bk, for each frequency band, and reconfigures processed image signals Sproc whose noise is suppressed, by subtracting the noise image signal NSin from the input image signal Sin.例文帳に追加

処理済画像生成部４は、周波数帯域ごとに、帯域制限画像信号Ｂk からノイズが抑制された処理済帯域制限画像信号ｆＢk を差し引いて得られる信号を足し合わせて、ノイズ画像信号ＮＳinを抽出し、入力画像信号Ｓinからノイズ画像信号ＮＳinを差し引いて、ノイズが抑制された処理済画像Ｓprocを得る。 - 特許庁

Although Yi Dynasty Korea had been beaten by the Japanese army, the Korean navy headed by Yi Sun-sin attacked, twice in May and June, actively fleet of ships that had been moving along the coast among troops at the rear of the Japanese army that had been expanding the area under its control based at Busan, and the Japanese fleet of ships that had not prepared for the damages suffered. 例文帳に追加

日本軍に大きく後れを取った李氏朝鮮であったが、釜山を基点として支配領域を広げていた日本軍後方部隊のうち、海岸移動を行っていた船団に対して李舜臣率いる朝鮮水軍が4月と5月の二回の出撃で積極的に攻撃を加え、備えのない日本船団は被害を受けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

The correspondence between the first and second display modes correspond to the same display modes about a display mode [SIN GLE(+), SINGLE(-), TOTAL(+), TOTAL(-), and REMAIN] common to both display modes, and correspond to a prescribed mode [SINGLE(+)] among the other display modes about a display mode (TITLE) which is present only in one side.例文帳に追加

第１及び第２表示モードの対応関係は、両表示モードに共通の表示モード〔ＳＩＮＧＬＥ（＋）、ＳＩＮＧＬＥ（−）、ＴＯＴＡＬ（＋）、ＴＯＴＡＬ（−）及びＲＥＭＡＩＮ〕については同一の表示モード同士が対応し、一方にのみ存在する表示モード（ＴＩＴＬＥ）についてはそれらに他方の表示モードのうちの所定のもの〔（ＳＩＮＧＬＥ（＋））が対応するように定める。 - 特許庁

Gotairo (Council of Five Elders) highly regarded the fine deeds of the Shimazu family, who defeated the Ming army and permitted the systematic retreat of its allies and assisted an escape of the Konishi army in the Battle of Noryang (they killed Korean Marine General Yi Sun-sin in the process) which occurred soon after, and the Shimazu family was the only one that was awarded with the estate among various daimyo that participated in the Bunroku-Keicho War. 例文帳に追加

島津家がこの泗川の戦いで明軍を撃退して味方の組織的な撤退を可能にしたこと、また直後の露梁海戦で小西軍の脱出を可能にした(その際に、朝鮮水軍大将李舜臣を討取った)という功績は五大老達から高く評価されており、島津家は文禄・慶長の役に参加した諸大名で唯一の加増に預かった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Behind the above, there was a fact that a sense of sin for consumption declined because the repair/collection of used articles became vigorous thanks to the bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun)'s policy of encouraging bote-furi (bote-uri) (vending while calling to customers), which was introduced for the promotion of economy and the relief of the socially vulnerable, as well as the use and sale of various foodstuffs such as whale meat and night soil. 例文帳に追加

棒手振り（棒手売）が幕府による経済振興や弱者救済として奨励され、古物の修理・回収が盛んになり、物の消費に一定の罪悪感が無くなったことや、鯨などの食料や資源の徹底した活用や、それによって生ずる人糞までも肥料化による利用と売買など、消費が振興となったことが大きいといえる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light guide 10 for reflecting linear light made incident from an incident surface Sin by prisms 11a and allowing the reflected light to exit from an outgoing surface Sout is constituted so that the prism sheet 11 on which a prism array consisting of a plurality of prisms 11a is laminated with the light propagation layer 13 having the outgoing surface Sout of the body 10 through an adhesive layer 12.例文帳に追加

導光体１０は、入射面Ｓinから入射した線状光をプリズム１１ａで反射して出射面Ｓoutより面状光を出射する導光体であって、複数のプリズム１１ａよりなるプリズムアレイが形成されたプリズムシート１１と、導光体１０の出射面Ｓoutを有する光伝搬層１３とが、接着層１２によって貼り合わされて構成されている。 - 特許庁

When forming, on the insulation film 6, an opening 60 for exposing the electron supply layer 4 therefrom, the SiN film 6A in contact with a semiconductor is side-etched, whereby contact between an inner peripheral surface 61 of the opening 60 on the electron supply layer 4 side and a gate electrode 7 is avoided, and only the InGsP layer 4B can be exposed around the gate electrode 7.例文帳に追加

絶縁膜６に電子供給層４を露出させる開口６０を形成する際に、半導体と接触しているＳｉＮ膜６Ａがサイドエッチングされることで、開口６０の電子供給層４側の内周面６１とゲート電極７との接触が回避され、しかもゲート電極７の周囲にＩｎＧａＰ層４Ｂのみを露出させることができる。 - 特許庁

Data is sent as tones by changing it depending upon data sending the composition of the frequency of overtone elements to distinguish it every one attenuation sound in a receiving part to check overtone frequency elements included in received tones to identify data for communication in a PCM(Pulse Code Modulation) wave shape with attenuation consisting of fundamental tone frequency and the SIN curve of the frequency of the overtone elements.例文帳に追加

基音周波数とその倍音成分の周波数のＳＩＮカーブから構成される減衰するＰＣＭ波形において、倍音成分の周波数の構成を送信するデータに応じて変化させることにより音色としてデータを送信し、受信部では１減衰音ごとにデータを判別し、受信した音色に含まれる倍音周波数成分をチェックすることによりデータを識別し、通信を行う。 - 特許庁

Based on a common switch current Iswc generated by a common switch current generating circuit 2 forming a D/A converter according to a digital data signal CODEc from a control circuit 4, switch currents Isw1 to Iswn based on digital data signals CODE1 to CODEn output from the control circuit 4 are generated by switch current generating circuits SI1 to SIn.例文帳に追加

制御回路４からのデジタルデータ信号ＣＯＤＥｃに応じてＤ／Ａコンバータをなす共通スイッチ電流生成回路２で生成された共通スイッチ電流Ｉｓｗｃを基にして、制御回路４から出力されるデジタルデータ信号ＣＯＤＥ１〜ＣＯＤＥｎに応じた各スイッチ電流Ｉｓｗ１〜ＩｓｗｎをＤ／Ａコンバータをなすスイッチ電流生成回路ＳＩ１〜ＳＩｎでそれぞれ生成するようにした。 - 特許庁

For example, according to "Kaitoshokokuki" (literally, descriptions of various countries across the sea) written by Sukchu SIN, a secretary of the envoy dispatched in 1428, the survey included 15 items including the following: identifying base-places of wako together with a request of prohibiting wako (Japanese pirates) actions, observing Japan's power, such as relationships among wako, shugo daimyo (shugo, which were Japanese provincial military governors, that became daimyo, which were Japanese feudal lords), dominant Kokujin (local samurai) and local clans, states of progress in urban areas, and monetary policies, and checking the states of progress of Buddhism in Japan. 例文帳に追加

例えば1428年（正長元年）派遣の使節に同行した書記官の申叔舟が著した『海東諸国紀』によると、倭寇禁圧要請と併せて倭寇の根拠地の特定、倭寇と守護大名、有力国人、土豪との関係、都市部の発展状況や通貨政策など国力状況の観察、日本での仏教の展開状況をはじめ15項目の調査内容があったという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is said that although Gaki in Buddhism has a burning tongue because of the sin of having told a lie in life so that he cannot drink or eat because everything in his mouth is burned away, the water through Jizo Bosatsu's mercy can reach Gaki's throat and he can interrupt suffering for a while (during which people pray for Gaki to become Buddha by reading mass and reciting sutras with great virtue as part of the Hungry Ghosts' Feeding Festival). 例文帳に追加

仏教上における餓鬼は、生前嘘を他言した罪で燃える舌を持っており、口に入れた飲食物は炎を上げて燃え尽き飲み食いすることは出来ないが、地蔵菩薩の慈悲を通した水は餓鬼の喉にも届き、暫くの間苦しみがとぎれると言われている（その間に供養を捧げたり得の高い経文を聞かせたりして成仏を願うのが施餓鬼の法要の一端でもある）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A microphone (sensor) 30 comprises a diaphragm 4a provided in a vibrative manner, an electrode plate 7a opposed to the diaphragm 4a at a prescribed distance having a sound hole 9 vertically penetrating it and a lower support layer 5, and an upper support layer 8 made of SiN having an elastic modulus higher than the elastic modulus of polysilicon constituting the electrode plate 7a for supporting the electrode plate 7a.例文帳に追加

マイクロホン（センサ装置）３０は、振動可能に設けられたダイアフラム部４ａと、ダイアフラム部４ａと所定の距離を隔てて対向するように設けられ、上下方向に貫通された音響孔９を有する電極板部７ａと、電極板部７ａを構成するポリシリコンの弾性率よりも高い弾性率を有するＳｉＮからなり、電極板部７ａを支持する下部支持体層５および上部支持体層８とを備えている。 - 特許庁

The echo canceler 10 includes an ERL measuring instrument 30 for measuring echo return loss ERL, a frequency analyzer 32 for analyzing the frequency components of reception output signals Rout, a frequency analyzer 34 for analyzing the frequency components of transmission input signals Sin, a distortion measuring instrument 36 for measuring whether the distortion occurs in the echo path EP, and a gain adjuster 38 for adjusting the gain of reception input signals Rin.例文帳に追加

エコーキャンセラ１０は、エコーリターンロスＥＲＬを測定するＥＲＬ測定器３０、受信出力信号Ｒｏｕｔの周波数成分を分析する周波数分析器３２、送信入力信号Ｓｉｎの周波数成分を分析する周波数分析器３４、エコーパスＥＰで歪みが起きているか否かを測定する歪み測定器３６、及び受信入力信号Ｒｉｎのゲインを調整するゲイン調整器３８を備えている。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁

As in the Shitaihon (the Four Axioms) of "Nehan-gyo Sutra" (The Sutra of The Great Nirvana) there are descriptions that 'To break the truth and wisdom of the True Dharma and fall into more akudo (literally, 'bad way') lead to many affliction through several transmigrations of souls.' or 'The appearance of bad things (悪彰) are caused in order to relieve living things,' Butsubachi is generally regarded as a payment by their own sin which makes them notice it, and is not given by Buddha to a person who does not obey its teaching. 例文帳に追加

これは『涅槃経』四諦品にも、「正法たる真智を断滅して、益々悪道に陥り、生死に輪廻しては多くの苦悩を招く」、あるいは「悪彰（あくしょう）の示現は衆生を救わんがための故なり」など説かれているように、あくまでも衆生自らが犯した業による報いであり、自らがそれによって気付くもので、仏がその教えに従わない者に罰を与えるという類のものではない、とするのが一般的である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

With regard to the portable non-contact communication device, a contact and non-contact SIN is mounted in a communication device including a portable telephone function or an SIM reader/writer function so as to settle a traffic fare or a transaction with an external apparatus via an antenna coil that is included in the device.例文帳に追加

本発明の携帯可能な非接触通信デバイスは、携帯電話機能を有するか、ＳＩＭリーダライタ機能を有する通信デバイス内に、接触、非接触両用ＳＩＭを装着し、デバイス内に有するアンテナコイルを介して外部機器との間で交通運賃や取引の決済処理を可能にした非接触通信デバイスであって、ＳＩＭ内の取引データを表示する表示機能面を当該デバイスの一面に有し、当該表示機能面とは反対側のデバイス面の一部もしくは全面に、クッション性素材５ａ，５ｂ，５ｃを付与して外部機器受信部と接触した際の衝撃を緩和したことを特徴とする。 - 特許庁