「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a surface treatment agent which can be hydrophobized to a high degree even in the case of the material of a substrate surface being TiN or SiN, and surface treatment method using such a surface treatment agent.例文帳に追加

基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合であっても高度に疎水化することのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, an angle calculation means uses the rotary radius R and the spacing distance Y to calculate an angle θe of the left eye E with respect to the virtual line L1, namely the direction of the face F, as θe = sin^-1(Y1/R).例文帳に追加

そして、角度算出手段が、回転半径Ｒと離間距離Ｙとを用いて、仮想直線Ｌ１に対する左眼Ｅの角度θｅすなわち顔Ｆの向きを、θｅ＝ｓｉｎ^-1（Ｙ１／Ｒ）として算出する。 - 特許庁

A signal S1 of an audible frequency region is extracted by a linear phase low pass filter 1 from an audio signal Sin, and forwarded to a signal processing section 3 after thinning processing is performed on the signal S1 by a thinning section 2.例文帳に追加

直線位相ローパスフィルタ１によってオーディオ信号Ｓinから可聴周波数域の信号Ｓ１を取り出し、間引き部２が信号Ｓ１に対して間引き処理を施してから信号処理部３に供給する。 - 特許庁

The SIM card is mounted in the second card mounting space 72, and a stopper 80 is slid along a rail 77 and is moved onto the SIM card to hold a connection condition of the SIN card and the connector 75.例文帳に追加

この第２カード装着空間７２にＳＩＭカードを装着し、ストッパ８０をレール７７に沿って摺動させてＳＩＭカード上に移動させることにより、ＳＩＭカードとコネクタ７５との接続状態を保持できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage element that can accumulate and erase electric charge with higher efficiency than a conventional charge storage film using SiN, and holds the accumulated electric charge for a long time, and to provide a method of manufacturing the semiconductor storage element.例文帳に追加

従来のＳｉＮを用いた電荷蓄積膜に比べ、高効率に電荷を蓄積および消去でき、かつ、蓄積した電荷を長時間保持する半導体記憶素子、半導体記憶素子の製造方法を得る。 - 特許庁

Especially, in case of forming the semiconductor device, the SiN layer can be etched by the steps of: forming a groove sidewall with a high aspect ratio in a narrow space; and forming an embedding-type bit line.例文帳に追加

特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 - 特許庁

Or the BTBAS-SiN film 11 and back seal oxide film 10 are removed before the stage wherein the semiconductor substrate 1 is fixed or conveyed, to expose the reverse surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

もしくは、静電チャック、真空チャックなどで半導体基板１を固定もしくは搬送する工程の前にＢＴＢＡＳ−ＳｉＮ膜１１およびバックシール酸化膜１０を除去し、半導体基板１の裏面を露出させる。 - 特許庁

A first functional arithmetic means 14 calculates the rotational angle θ_1 of an object to be measured prior to correction which contains an error signal (waveform distortion), from a SIN signal and a COS signal outputted from the side of a sensor part 1.例文帳に追加

第１の関数演算手段１４は、センサ部１側から出力されたＳＩＮ信号とＣＯＳ信号とから誤差信号（波形歪み）を含む被測定物の補正前の回転角度θ_1を算出する。 - 特許庁

In the process of forming the STI layer 10, trenches are formed on the Si substrate 1, a SiO_2 film is embedded in the trenches, and a CMP treatment is applied to the SiO_2 film by using the SiN film 9 for a stopper.例文帳に追加

また、上記のＳＴＩ層１０を形成する工程では、Ｓｉ基板１にトレンチを形成し、トレンチ内にＳｉＯ_2膜を埋め込み、その後、ＳｉＮ膜９をストッパーに用いてＳｉＯ_2膜にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film-forming composition which excels in coating uniformity of a solution and surface hardness of a coating film and adhesion to SiN and, at the same time, exhibits a low relative permittivity, and to obtain an insulating film-forming material.例文帳に追加

溶液の塗布均一性や塗膜の表面硬度やＳｉＮとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物の製造方法、および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

The structure enables to widen a gate control voltage to the range of 0.3 to 0.8 V as a result of widened band offset in comparison with a structure constituting the second gate region 7 of Sin.例文帳に追加

このような構成とすれば、第２ゲート領域７をＳｉＣで構成した場合と比べると、バンドオフセットが大きくなる分、すなわち０．３〜０．８Ｖの範囲でゲート制御電圧を大きくすることが可能となる。 - 特許庁

The second reception circuit 380 checks whether or not the control output signal Sout matches the control input signal Sin, and outputs its result to a comparison signal output terminal 390.例文帳に追加

第２受信回路３８０では制御出力信号Ｓｏｕｔが制御入力信号Ｓｉｎに一致しているか、または不一致であるかを比較し、比較した結果を比較信号出力端子３９０に出力する。 - 特許庁

A distortion correction factor Hs in latitude of a detected present address is decided (S140) and the table of correction factors for coordinate transformation Ht in which the distortion correction factor Hs is multipied by sin values of rotational angles is prepared (S150).例文帳に追加

検出した現在地の緯度における歪み補正係数Ｈｓを決定し（S140）、その歪み補正係数Ｈｓと回転角のｓｉｎ値を乗算した座標変換用補正係数Ｈｔのテーブルを作成する（S150）。 - 特許庁

A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁

In addition, the electrical angle θe_n is uniquely determined only from an amplitude of the sin phase when there is not a possibility that the electrical angle of the resolver on an abnormal side passes through an angle of 90° or 270° during one operation period.例文帳に追加

また、異常側レゾルバの電気角が一演算周期のあいだに９０°あるいは２７０°を通過する可能性が無い状況であれば、ｓｉｎ相の振幅のみから電気角θｅ_ｎが一義的に決まる。 - 特許庁

A calculation part 14 calculates the rotation angle ϕ, before the compensation of an object to be measured, including total error signal Δϕ from SIN signal and COS signal output from a sensor means 1 and a signal converter 12.例文帳に追加

演算部１４は、センサ手段１及び信号変換部１２から出力されるＳＩＮ信号とＣＯＳ信号とから総誤差信号Δφを含む被測定物の補正前の回転角度φを算出する。 - 特許庁

A sampling value is individually approximated by a least square with a first reference signal sinωt in an SIN phase amplitude arithmetic part 36 and then with a second reference signal cosωt in a COS phase amplitude arithmetic part 38.例文帳に追加

サンプリング値はＳＩＮ相振幅演算部３６によって第１基準信号sinωｔで、またＣＯＳ相振幅演算部３８により第２基準信号cosωｔでそれぞれで最小二乗近似される。 - 特許庁

The region of the n-side electrode 16 on a side of p-side electrode 15 and the upper surface and the side surface of the resonator forming part other than the p-side electrode 15 are covered with an insulating film 17 made of SiN, respectively.例文帳に追加

ｎ側電極１６のｐ側電極１５側の領域、並びにｐ側電極１５を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれＳｉＮからなる絶縁膜１７に覆われている。 - 特許庁

An Si layer of an SOI substrate forms a trench on a region separating an element, and forms an element separation region by burying SiN larger than a thermal expansion coefficient of Si as an insulation material in the trench.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳｉ層において、素子分離する領域にトレンチを形成し、このトレンチ内に絶縁材料としてＳｉより熱膨張係数の大きいＳｉＮを埋め込んで素子分離領域を形成する。 - 特許庁

An abnormality detection function 31 compares a resolver signal 1a (sin phase signal and cos phase signal) with an excitation signal 20a, and detects a resolver quadrant information representing the quadrant of an input shaft angle from that comparison result.例文帳に追加

異常検出機能３１は、レゾルバ信号１ａ（ｓｉｎ相信号及びｃｏｓ相信号）を励磁信号２０ａと比較し、該比較結果から入力軸角度の象限を示すレゾルバ象限情報を検出する。 - 特許庁

A first test circuit section TCi1 receives an address signal a'', a scan-in signal SIN, a scan select signal SS, and a shift clock signal SCLK and outputs an address signal a''' and a scan-out signal SiOUT1.例文帳に追加

第１テスト回路部ＴＣｉ１は，アドレス信号ａ’’，スキャンイン信号ＳＩＮ，スキャンセレクト信号ＳＳ，およびシフトクロック信号ＳＣＬＫを受け，アドレス信号ａ’’’およびスキャンアウト信号ＳｉＯＵＴ１を出力する。 - 特許庁

The passivation structure is for a semiconductor device having a high UV transmission silicon (UV-SiN) layer that gives an enhanced passivation effect using a minimum number of layers.例文帳に追加

本発明によるパッシベーション構造は、最小限の層の数を用いて強化されたパッシベーション効果を供する高紫外線透過性珪素（ＵＶ−ＳｉＮ）層を有する半導体装置のためのパッシベーション構造である。 - 特許庁

This Buddhist terminology was mainly used to criticize novels, poems, and so on (for example, Bai Letian said, "Having been absorbed in worldly literature, I have made mistakes to lure people by using 'Kyogen Kigo.' Recognizing such a sin, I would like to admire Buddhism and devote myself to enlighten people by delivering sermons in the next life.") 例文帳に追加

この語は主に小説や詩などを批評する際に用いられた(例願以今生世俗文字業狂言綺語之誤翻為当来世々讃仏乗之因転法輪之縁白楽天)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A controller circuit 14 having detected supply of power sets an input signal Sin into a state of muting using a volume control circuit 15, and gradually releases the state of muting after a prescribed period passes.例文帳に追加

電源が投入されたことを検出したコントローラ回路１４は、ボリュームコントロール回路１５を用いて入力信号Ｓｉｎをミュート状態に設定し、所定期間が経過した後に、ミュート状態を徐々に解除する。 - 特許庁

When it is discriminated that the position of the optical block 3 is not moved to the position corresponding to the most inner peripheral part of the MO media 1, the controller 8 makes the DSP 10 output the slide servo signal being a sine wave to the slide driver 13.例文帳に追加

光学ブロック３の位置が、MOメディア１の最内周部に対応する位置に移動していないと判定された場合、コントローラ８は、DSP１０からsin波となるスライドサーボ信号をスライドドライバ１３に出力させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic memory device has a process for forming the magnetoresistive element 12 used as a memory cell, and a process for forming an SiN protection insulating film 39 for covering the magnetoresistive element 12.例文帳に追加

本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

Each adjustment value setting section 30[n] sets a variable adjustment value C[n] such that the signal level of the acoustic signal SOUT is suppressed relative to the acoustic signal SIN with increasing a signal level L[n] of the band component B[n].例文帳に追加

各調整値設定部３０[n]は、帯域成分Ｂ[n]の信号レベルＬ[n]が増加するほど音響信号ＳINに対する音響信号ＳOUTの信号レベルが抑制されるように調整値Ｃ[n]を可変に設定する。 - 特許庁

or else he must have suffered often since the foundation of the world. But now once at the end of the ages, he has been revealed to put away sin by the sacrifice of himself. 例文帳に追加

そうだとしたなら，世の基礎が据えられて以来，何度も苦しみを受けなければならなかったでしょう。しかし今や，時代の終わりにただ一度，ご自身の犠牲によって罪を取り除くために現われてくださっているのです。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 9:26』

Romeo urged Paris to leave him, and warned him by the fate of Tybalt, who lay buried there, not to provoke his anger or draw down another sin upon his head by forcing him to kill him. 例文帳に追加

ロミオはパリスに手出しをするなと言い、そこに埋められているティバルトの最後を見たまえと警告し、自分を怒らせないでくれ、あなたを殺すことで、再び我が身に罪を招くようなことはしたくないのだ、と言った。 - Charles and Mary Lamb『ロミオとジュリエット』

My little children, I write these things to you so that you may not sin. If anyone sins, we have a Counselor with the Father, Jesus Christ, the righteous. 例文帳に追加

わたしの小さな子供たちよ，わたしがこれらの事をあなた方に書き送るのは，あなた方が罪を犯さないようにするためです。だれかが罪を犯すなら，わたしたちには父のもとに助言者，公正なるイエス・キリストがおられます。 - 電網聖書『ヨハネの第一の手紙 2:1』

On a semiconductor substrate 1, this semiconductor device has a resistance portion 13, made of polysilicon where impurities are diffused, a first insulating film (SIN film) 14 formed on the resistance portion 13, a second insulating film (SIN film) 15 formed on the first insulating film 14 and an impurity-containing layer (BPSG film) 16 formed on the second insulating film 15.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された、不純物が拡散されたポリシリコンからなる抵抗部１３と、該抵抗部１３上に形成された、第１の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１４と、該第１の絶縁膜１４上に形成された、第２の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１５と、該第２の絶縁膜１５上に形成された、不純物含有層（ＢＰＳＧ膜）１６とを有する半導体装置または半導体記憶装置および半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A laminate structure of an AlGaAs layer 4A and an InGsP layer 4B is used for an electron supply layer 4, and a laminate structure of a SiN film 6A and a SiO_2 film 6B is used for an insulation film 6 to be formed on the front surface of a semiconductor.例文帳に追加

電子供給層４にＡｌＧａＡｓ層４ＡとＩｎＧａＰ層４Ｂの積層構造を用い、半導体表面に形成する絶縁膜６にＳｉＮ膜６ＡとＳｉＯ_2膜６Ｂの積層構造を用いる。 - 特許庁

The CPU 50 turns off all the switch matrixes 54 once for sequential closing while outputting the SIN wave of the frequency, thereby specifying a tightening portion corresponding to the switch matrix 54 which has permitted the resonance frequency to be detected.例文帳に追加

ＣＰＵ５０は、当該周波数のＳＩＮ波を出力しながら、一度全てのスイッチマトリックス５４をＯＦＦにして、順に閉じていき共振周波数を検出できたスイッチマトリックス５４に対応する締結部位を特定する。 - 特許庁

Semiconductor multi-layer films constituted of n-InGaAsP light absorption layers 101 or n-InGaAs light receiving layers 103 or the like are epitaxially grown on an n-InP substrate 100, and an SiN film is deposited and patterned.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１００上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０１やｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層１０３等からなる半導体多層膜を順次エピタキシャル成長した後、ＳｉＮ膜を堆積し、パターニングを行う。 - 特許庁

Then, the semiconductor multi-layer film is etched to the InP substrate 100 with the pattern of the SiN film as a mask, a plurality of island-shaped semiconductor multi-layer films 110 are formed, and the multi-layer films at the peripheral section of the substrate are simultaneously etched.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜のパターンをマスクとして半導体多層膜をＩｎＰ基板１００までエッチングして複数の島状の半導体多層膜１１０を形成するとともに、基板の外周部の多層膜も同時にエッチングする。 - 特許庁

In this case, nitrogen is prevented from being transmitted through the high dielectric metal oxynitride film 21-1 in the first layer to reach the surface of the silicon layer(first electrode 12), and a silicon nitride(SiN) layer will no longer be prevented from being formed on the interface of the silicon layer.例文帳に追加

このとき、窒素が１層目の高誘電体金属酸窒化膜２１−１を突き抜けてシリコン層（第１電極１２）の表面に到達することがなく、ＳｉＮ層がシリコン層の界面に形成されることがなくなる。 - 特許庁

Two Hall elements are arranged forming an angle of 90° in the direction of rotation of the detection object, and outputs output signals V1, V2 having a sin-cos relation, according to magnetic field changing by the rotation of the detection object.例文帳に追加

２つのホール素子は、検出対象の回転方向に９０°の角度を形成して配置され、検出対象の回転により変化する磁界に応じてｓｉｎとｃｏｓの関係を有する出力信号Ｖ１、Ｖ２を出力する。 - 特許庁

To provide a method for improving the water resistance of cosmetic formulations by adding an effective amount of 1,2-pentanediol for improving the water resistance into the formulations on cosmetic formulations or formulations for sin care, particularly the formulations for protecting from ultraviolet rays.例文帳に追加

化粧品配合物またはスキンケア用配合物に関し、特に紫外線保護用配合物に関し、耐水性改善有効量の１，２−ペンタンジオールを配合物に加え、配合物の耐水性を改善するための方法の提供。 - 特許庁

In a second state, the low noise amplifier 12 sets the frequency band learned in the first state and receives and amplifiers an input signal SIN selected and outputted by the selection part 31.例文帳に追加

そして第２の状態において、低雑音増幅器１２は、第１の状態において学習された周波数帯域が設定され、選択部３１によって選択出力された入力信号ＳＩＮを受けて増幅を行う。 - 特許庁

The class D amplifier 1 includes: a differential signal output section 2 for outputting a differential signal from an audio signal received from a Sin; and charge balancing class D amplifiers 3N, 3P of P and N sides for outputting differential signals.例文帳に追加

Ｄ級アンプ１は、Ｓｉｎより入力される音声信号から差動信号を出力する差動信号出力部２と、差動信号が出力されるＰ側、Ｎ側の各電荷平衡型Ｄ級アンプ３Ｎ、３Ｐとを有する。 - 特許庁

To provide a reflection increased silver film which will not peel from a silver or silver alloy film, even if SiN film is used so as to improve color tone and to provide a translucent reflective or reflective liquid crystal display, using the reflection increased film of silver.例文帳に追加

色調を改善するためにＳｉＮ膜を用いても銀あるいはその合金膜と剥離しない銀の増反射膜とこの銀の増反射膜を用いた半透過反射型または反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When the calorific value is reduced in order to eliminate the effect of radiant heat from the heater, the temperature in the furnace drops abruptly, resulting in peeling of the SiN film deposited in the furnace due to thermal stress, leading to occurrence of particles.例文帳に追加

そして、ヒーターからの輻射熱の影響を無くすために熱量を低くすると炉内の温度が急激に低下して、炉内に堆積したＳｉＮ膜が熱ストレスにより剥がれ、パーティクルが発生することが分かっている。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the upper surface of the copper interconnection 5 partially and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面及び上面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

The output signal Sout of the AND gate AND 1 of the logic circuit LC goes down after the lapse of the time top from a trailing edge of the output signal S0 of the AND gate AND 1 and the RS flip-flop FF1 is set, in response to the trailing edge of the input signal Sin.例文帳に追加

ANDゲートAND1の出力信号Ｓ_O の立ち下がりエッジから時間ｔ_opが経過したあと、論理回路ＬＣの出力信号Ｓ_out が立ち下がり、入力信号Ｓ_inの立ち下がりエッジに応じてRSフリップフロップFF１がセットされる。 - 特許庁

In order to reduce the leakage current, the step discontinuities are back-filled with an insulating material such as silicon nitride (SiN), forming a flat surface relative to the source and drain regions, to enable the gate metal to be formed flat.例文帳に追加

リーク電流を低減するために、ステップ状不連続部は窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁材料で埋め戻され、ソース及びドレイン領域に関して平坦な表面が形成され、ゲート金属を平坦に形成することを可能にする。 - 特許庁