「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a translucent liquid crystal display device wherein adhesiveness between an organic interlayer film or an insulating layer made of SiN and an ITO layer is improved and electrochemical corrosion is eliminated and which has a transparent conductive layer made of the ITO layer whose end surface has a normal taper shape.例文帳に追加

有機層間膜ないしはＳｉＮからなる絶縁層とＩＴＯ層との間の密着性を改善するとともに電蝕が生じないようにした、端面が順テーパ状のＩＴＯ層からなる透明導電層を有する半透過型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device where an anticorrosion coating film composed of BTA is easily eliminated, after a Cu buried wiring has been formed by using a CMP method and before an oxidation protective film composed of SiN or the like is formed, so that peeling of the oxidation protective film is prevented after film formation.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ埋込み配線を形成した後、ＢＴＡからなる防食被膜をＳｉＮのような酸化防止膜を成膜する前に容易に除去して、前記酸化防止膜の成膜後の剥離を防止した電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure.例文帳に追加

保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laser element 10 is disposed on an SiN film 105, which is formed on a p-type layer 100, via Ti layers 110a and 110b, Au layers 111a and 111b, a heatsink layer 113, and a solder layer 114 (e.g. about 4 μm in thickness).例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｐ型層１００上に形成されたＳｉＮ膜１０５との間に、Ｔｉ層１１０ａ、１１０ｂおよびＡｕ層１１１ａ、１１１ｂに加えてヒートシンク層１１３およびはんだ層１１４（例えば、層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

In this resolver signal AC offset reproduction method, as for the first resolver 2 for AC offset generation and the second resolver 3 to be measured, each output of a phase to which the AC offset is added is added together by being connected in series, and the AC offset is added to the COS-phase side or the SIN-phase side.例文帳に追加

本発明によるレゾルバ信号ＡＣオフセット再現方法は、ＡＣオフセット発生用の第１レゾルバ(2)と被測定用第２レゾルバ(3)とを、ＡＣオフセットを加える側の相の出力を直列接続して加算し、ＣＯＳ相又はＳＩＮ相側にＡＣオフセットを加える方法である。 - 特許庁

In short, coordinate values X, Y posterior to a coordinate transformation can be calculated with simple equations such as X=βx-αy, Y=αx+βy by using a correction factor for coordinate transformation α corresponding to the sin value of the rotational angle θ of the map and a correction factor for coordinate transformation β corresponding to the cos value of the rotational angle θ of the map.例文帳に追加

つまり、地図の回転角θのｓｉｎ値に対応する座標変換用補正係数α、ｃｏｓ値に対応する座標変換用補正係数βを用いて、変換後の座標値Ｘ，ＹがＸ＝βｘ−αｙ，Ｙ＝αｘ＋βｙという簡素な式にて算出できる。 - 特許庁

The encoder signal processing method uses (B^2/(A^2+B^2))COS-1 A+(A^2/A^2+B^2)SIN-1 as absolute data for A=COSθ and B=SINθ when an A-phase signal (1) and a B-phase signal (2) of an encoder are represented as COSθ and SINθ.例文帳に追加

本発明によるエンコーダ信号処理方法は、エンコーダのＡ相信号(1)及びＢ相信号(2)をＣＯＳθ及びＳＩＮθと表した場合に、Ａ＝ＣＯＳθ、Ｂ＝ＳＩＮθなるＡ、Ｂに対し、（Ｂ^2／（Ａ^2＋Ｂ^2））ＣＯＳ^-1Ａ＋（Ａ^2／（Ａ^^2＋Ｂ^2））ＳＩＮ^-1Ｂをアブソリュートデータとして用いる構成である。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

When the air suspension 34 pushes up the vehicle body frame 30, and the angle α of inclination in the longitudinal direction is detected, the vehicle height at the longitudinal vehicle height detection position B is calculated as H + L × sin α.例文帳に追加

高さＨの基準車高位置Ａから前後方向車高検出位置Ｂまでの長さをＬとすると、エアサスペンション３４が車体フレーム３０を押し上げ、前後方向の傾斜角αが検出された場合、前後方向車高検出位置Ｂの車高は、Ｈ＋Ｌ・ｓｉｎαと算出される。 - 特許庁

The inner peripheral surfaces of a wiring groove 12 and a connection hole 13, which are formed in interlayer insulating films 8 and 11 are covered with oxidation preventing films, such as SiN films 14 and 19, and thereafter, a Cu film is buried in the groove 12 and the hole 13 to form a Cu dual-damascene wiring.例文帳に追加

層間絶縁膜８、１１に形成される配線溝１２および接続孔１３の内周面を酸化防止膜、例えばＳｉＮ膜１４、９により覆った後、配線溝１２および接続孔１３にＣｕを埋め込んでＣｕデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁

A process is provided for selectively etching a SiN film or a CVD-deposited SiON film with respect to a SiO_2 film, a Si substrate, or a Si film at the azeotropic temperature of an etching solution, which is a mixed solution of H_2SO_4 and H_2O having an azeotropic point of 150°C or higher.例文帳に追加

共沸点が１５０℃以上のＨ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、ＳｉＮ膜またはＣＶＤ法で作製されたＳｉＯＮ膜を、ＳｉＯ_2膜、Ｓｉ基板またＳｉ膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

The switch circuit 2 outputs selectively either of an output value of the most significant bit by any counter other than an destination of output or a common counter control signal Sin used commonly for all counters as counter control signals S1-Sn for each counter 1-1 to 1-n.例文帳に追加

スイッチ回路２は、出力先以外のいずれかのカウンタによる最上位ビットの出力値、または、すべてのカウンタに対して共通に使用される共通カウンタ制御信号Ｓｉｎのいずれかを、カウンタ制御信号Ｓ１〜Ｓｎとしてカウンタ１−１〜１−ｎごとに選択的に出力する。 - 特許庁

The anti-fuse film between a lower electrode 13, made of TiN and an upper electrode 17, is set to three-layer structure, a second layer anti-fuse film 15 is formed by amorphous Si, and a TiWn or an SiN film having high adhesion with the lower electrode 13 is used in a first layer anti-fuse film 14.例文帳に追加

ＴｉＮからなる下部電極１３と上部電極１７間のアンチヒューズ膜を３層構造とし、第２層アンチヒューズ膜１５をアモルファスＳｉで形成し、第１層アンチヒューズ膜１４に下部電極１３との密着性の高いＴｉＷＮ膜あるいはＳｉＮ膜を用いる。 - 特許庁

Where an AC basic current i1 is expressed as B×cosθ+C×sinθ, a higher-order current ip expressed as e×cos(pθ)+f×sin(pθ) is added as p=6m±1 (m: natural number) relative to the basic current i1 to generate a drive current id.例文帳に追加

交流の基本電流ｉ１がＢ×ｃｏｓθ＋Ｃ×ｓｉｎθとして表される場合に、この基本電流ｉ１に対し、ｐ＝６ｍ±１（ｍを自然数とする。）として、ｅ×ｃｏｓ（ｐθ）＋ｆ×ｓｉｎ（ｐθ）として表される高次電流ｉｐを加算して駆動電流ｉｄを形成する。 - 特許庁

By the way, this battle are called in the Republic of Korea 'three major victories in Imjin Waeran' together with the Naval Battle of Hansan Island (July 1592, the Japanese army commanded by Yasuharu WAKISAKA versus the Korean army commanded by Yi Sun-sin) and the Battle of Henju-Sanson (the Battle of Haengju) (the Japanese army commanded by Hideie UKITA versus the Korean army commanded by Gwon Yul). 例文帳に追加

ちなみに、この戦闘は閑山島海戦（1592年7月、脇坂安治指揮の日本軍対李舜臣指揮の朝鮮軍）・幸州山城攻防戦（1593年2月、宇喜多秀家指揮の日本軍対権慄指揮の朝鮮軍）とあわせて韓国では「壬辰倭乱の三大捷」と呼ばれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Leprosy was mainly considered to be a sickness caused as a punishment for sin in the Medieval Age; as history shifted from the Medieval to Early-Modern Ages, the disease was considered to be hereditary or "in the family."; it is also pointed out in the existing research of history that this disease has been thought of as an infectious disease since the Modern Age.例文帳に追加

「癩」はかつて中世社会では、主として仏罰による病と考えられていたが、やがて近世に至って「家筋」とみなされるようになり、さらに近代以降は伝染病認識も加わっていったことが従来の歴史研究の中で指摘されている。 - 厚生労働省

OE no Hiromoto asked Yasutoki HOJO's opinion about it, and he replied, 'it is a sin against Bushi's duty for a follower to kill those who are eligible to enter the In and other palaces, to say nothing of the fact that it happened on the street in a broad daylight. He should be punished at once.' 例文帳に追加

それに対して大江広元から意見を求められた北条泰時は、「郎従の身として諸院宮昇殿の者を殺害するなど、武士の本分にもとる行為だ。それも白昼路上で行うなどもってのほか。直ちに厳罰に処すべきである」と言ったと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A resin hose 8 includes: a cylindrical inner layer 80 comprised of a polyamide resin; a cylindrical outer layer 82 which is laminated outside of the inner layer 80 in a radial direction and comprised of a polyamide resin; and an intermediate layer 81 which is laminated between the inner layer 80 and the outer layer 82 and comprised of SiN.例文帳に追加

樹脂ホース８は、ポリアミド樹脂からなる円筒状の内層８０と、内層８０の径方向外側に積層されポリアミド樹脂からなる円筒状の外層８２と、内層８０と外層８２との間に積層されＳｉＮからなる中間層８１と、を有する。 - 特許庁

Meanwhile, when the defect of the track is formed, the SW1 is turned OFF and the SW2 is turned ON, and then such a PWM signal that has a DC level coinciding with the DC level of the servo signal directly before the defect formation is supplied to the driver 20 from a SIN wave generating circuit 18c to drive an objective lens.例文帳に追加

一方、トラック欠陥が生じた場合、ＳＷ１をＯＦＦし、ＳＷ２をＯＮしてそのＤＣレベルが欠陥発生直前のサーボ信号のＤＣレベルに一致するＰＷＭ信号をＳＩＮ波発生回路１８ｃからドライバ２０に供給して対物レンズを駆動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a fluorine added oxide film in an inter-wiring space and particularly reducing an inter-wiring capacitance at a narrow space, without deteriorating the adhesion with a metal film and/or an SiN film although using Cu and/or Cu alloy as a wiring material.例文帳に追加

ＣｕやＣｕ合金を配線材料に用いながらも、金属膜やＳｉＮ膜との密着性を悪化させることなく、配線間スペースにフッ素添加酸化膜を形成し、特に狭スペース部での配線間容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a white screen separated by 1(m) from the end of the LED in the direction of the structural axis and standing perpendicularly thereto, color difference is within 0.01 between the chromaticity coordinates within a distance (radius) of sin (one half of the angle of beam spread of the LED θ_1/2/2)(m) from the structural axis and the chromaticity coordinates on the structural axis.例文帳に追加

該ＬＥＤの先端部から構造軸方向で１（ｍ）離した該軸に垂直に立てた白色スクリーンにおいて、構造軸から距離（半径）ｓｉｎ（ＬＥＤの１／２指向角θ_１／２／２）（ｍ）以内の円内における色度座標と構造軸上の色度座標との色差が０．０１以内。 - 特許庁

The heat sin 130 has the air blower 140 arranged in a position (an eccentric position) shifted from the center of the heat sink 130, and an air intake port 131 for taking in air to the air-blower 140 and an exhaust port 132 for exhausting air hitting the heat sink 130 are arranged coplanar.例文帳に追加

ヒートシンク１３０は、ヒートシンク１３０の中心からずらした位置（偏心位置）に送風装置１４０を配置し、送風装置１４０へ空気を吸入する吸気口１３１と、ヒートシンク１３０に当たった風を排出する排気口１３２とを同一平面上に備える。 - 特許庁

In this ball screw device, when center circle diameter of the ball 5 is dm and diameter of the ball 5 is Dw, the ball 5 raking direction and the ball 5 returning direction of a circulation tube 8 are tilted outside in the radial direction by θ=sin^-1(Dw/dm) in relation to a tangent direction of a screw groove 4 of the nut 6.例文帳に追加

ｄｍをボール５の中心円径、Ｄｗをボール５の直径とした場合に、循環チューブ８のボール５のすくい上げ方向及び戻し方向をナット６のねじ溝４の接線方向に対してθ＝ｓｉｎ^−１（Ｄｗ／ｄｍ）だけ径方向外側へ傾ける。 - 特許庁

A trapezoidal wave voltage generating circuit 10 outputs the trapezoidal wave voltage based on the ground by charging/discharging operation to a capacitor C1 based on an input signal Sin and a voltage-current converting circuit 20 converts the trapezoidal wave voltage outputted from the circuit 10 to a trapezoidal wave current.例文帳に追加

台形波電圧発生回路１０は、入力信号Ｓｉｎに基づきコンデンサＣ１への充放電作用により、グランドを基準として台形波電圧を出力し、電圧−電流変換回路２０は、台形波電圧発生回路１０から出力された台形波電圧を台形波電流に変換する。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

This vibration suppression method for a working arm drives a base with a speed pattern in which the speed is continuously changed using a sin function when driving the base of the working arm to move a distal end and when suppressing the vibration during the movement of and after the stop of the distal end.例文帳に追加

作業腕の基部を駆動して先端部を移動させるとともに、その先端部の移動中および停止後の振動を抑制するに際し、前記基部の駆動を、ｓｉｎ関数を用いて速度を連続的に変化させる速度パターンで行うことを特徴とする作業腕の振動抑制方法である。 - 特許庁

There plurality of dielectric films include a nitride film SIN and an oxide film SIO on the nitride film, and a charge trap distribution in the film thickness direction of a laminated layer consisting of the nitride film and the oxide film localizes in the region around a structure transition layer formed between the nitride film and the oxide film.例文帳に追加

この複数の誘電体膜が、窒化膜ＳＩＮと、当該窒化膜上の酸化膜ＳＩＯとを含み、窒化膜と酸化膜とからなる積層膜内の膜厚方向における電荷トラップ分布が、当該窒化膜と酸化膜との間に形成された構造遷移層を中心とした領域に局在している。 - 特許庁

The hard coating has residual stress in the range of about -0.4 to about -3 GPa when measured by an XRD Sin^2ψ method and a crystal orientation characterized by a ratio of (200) peak intensity to (111) peak intensity by X-ray diffraction being in the range of about 1 to about 14.例文帳に追加

ハードコーティングはまた、ＸＲＤ Ｓｉｎ^２ψ法によって測定される場合約−０．４〜約−３ＧＰａの範囲の残留応力と、Ｘ線回折による（１１１）ピーク強度に対する（２００）ピーク強度の比が約１〜約１４の範囲であることによって特徴付けられる結晶方位とを有する。 - 特許庁

Subsequently, on the poly-silicon films 4, 4' of a first layer prescribing a gate width of a MOSFET and on a sidewall SiN film 6, the poly-silicon films of a second layer wider than the poly-silicon films 4, 4' are formed through a SiO2 film 8, and the poly-silicon films of the second layer are silicified to form a titanium silicide layer 12.例文帳に追加

次いで、ＭＯＳＦＥＴのゲート幅を規定する１層目のポリシリコン膜４，４'の上、及び、側壁ＳｉＮ膜６の上にＳｉＯ2膜８を介して、ポリシリコン膜４，４'よりも幅広の２層目のポリシリコン膜を形成し、その２層目のポリシリコン膜をシリサイド化して、チタンシリサイド層１２を形成する。 - 特許庁

This dielectric element is provided with the lower electrode, provided with an IrSiN film 14 with a function for suppressing diffusion of oxygen, an SBT film 19 as the oxide-based dielectric film formed on the lower electrode and an SiN film 17 with the function of suppressing the diffusion of oxygen, arranged in regions other than the lower electrode.例文帳に追加

酸素拡散を抑制する機能を有するＩｒＳｉＮ膜１４を含む下部電極と、下部電極上に形成され、酸化物系誘電膜としてのＳＢＴ膜１９と、下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有するＳｉＮ膜１７とを備えている。 - 特許庁

Therefore, transmission the SIN signal is performed by only one signal line L1, and the wiper controller 100 does not require a micro computer, and can be composed of a duty oscillation circuit 110 or the like as an analog signal generation circuit, so that load on the hardware and software does not increase and installability of the auto wiper system on the vehicle can be improved.例文帳に追加

このため、ＳＩＮ信号の送信が信号線Ｌ1 の１本のみで構成され、ワイパコントローラ１００側ではマイクロコンピュータを必要とせず、アナログ信号発生回路としてのデューティ発振回路１１０等にて構成でき、ハード及びソフトの負荷が増大しないため、オートワイパシステムの車両への搭載性が向上される。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which makes a surface of a latent image carrier scanned in a reciprocating manner via a scanning optical system with arc-sin characteristics by an optical beam deflected by a vibrating deflection mirror, and which prevents such a harmful effect on an image that the density of toner formed at an end is higher than that of toner formed in a central part.例文帳に追加

振動する偏向ミラーにより偏向された光ビームをａｒｃ−ｓｉｎ特性を有する走査光学系を介して潜像担持体表面に往復走査する画像形成装置において、中央部より端部において形成されるトナー濃度が濃くなるという画像弊害を防止する。 - 特許庁

To solve a problem that a conventional MONOS has a configuration for storing charges in SiN, but the charge storage amount is not sufficient, the variational width of a threshold voltage cannot be made large, and consequently high electric charge density by means of dopant introduction cannot be realized by a technique of introducing lanthanoids into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加

従来のＭＯＮＯＳは、ＳｉＮに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２中へＬａ系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁

After La(O) film 11 as a cap film and a W film 12 of a metal electrode are formed on a silicon film 7 on an NMOS region and on a SiN film 9 on a PMOS region; and then heat treated to diffuse La elements of the La(O) film 11 into high-dielectric gate insulating film in NMOS region.例文帳に追加

そしてＮＭＯＳ領域上のシリコン膜７及びＰＭＯＳ領域上のＳｉＮ膜９上にキャップ膜としてのＬａ（Ｏ）膜１１及びメタル電極のＷ膜１２を形成した後、加熱処理して、Ｌａ（Ｏ）膜１１のＬａ元素をＮＭＯＳ領域の高誘電率ゲート絶縁膜に拡散させる。 - 特許庁

A heat treatment device is provided with temperature measuring parts (Sin, Sout) which are in non-contact with a workpiece, and a controller 100 of a heat treatment device is provided with a temperature estimation part 110 for estimating a work piece temperature from a measurement signal of a temperature measurement part and a temperature calibration part 120 for calibrating an estimated workpiece temperature.例文帳に追加

熱処理装置に被処理体とは非接触の温度測定部（Ｓｉｎ、Ｓｏｕｔ）を設け、熱処理装置のコントローラ１００に温度測定部の測定信号から被処理体温度を推定する温度推定部１１０と、推定された被処理体温度を較正する温度較正部１２０を設ける。 - 特許庁

As an insulated layer of a solder bump 5 and an organic insulating film 2, one of SiO_2, SiN and SiON is used as an inorganic based insulating film 3 to form a mask for patterning on the inorganic based insulating film 3, metal films as a composition of a solder are deposited from thereon, respectively, and this mask is removed to form a bump precursor.例文帳に追加

はんだバンプ５と有機絶縁膜２の分離層として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮの１つを無機系絶縁膜３として用い、無機系絶縁膜３に、パターニングするマスクを形成し、その上からはんだの組成となる金属膜をそれぞれ蒸着し、このマスクを除去してバンプ前駆体を形成する。 - 特許庁

An AD converter 2 AD-converts a second source voltage Vb in response to the assertion of an AD conversion control signal Sc and, when an AD converted value reaches a set value, asserts a coincidence signal Se and AD-converts an input signal Sin in normal operation mode in response to negation of the AD conversion control signal Sc.例文帳に追加

ＡＤコンバータ２は、ＡＤ変換制御信号Ｓｃのアサートにより第２の電源電圧ＶｂのＡＤ変換を行い、ＡＤ変換値が設定値に達したときに一致信号Ｓｅをアサートする一方、ＡＤ変換制御信号Ｓｃのネゲートにより通常動作モードで入力信号ＳinのＡＤ変換を行う。 - 特許庁

To overcome the problem of a conventional synchronous detection method of an amplitude modulation signal and a rotation signal processor wherein synchronous detection of an amplitude modulation signal f(θ)×sin(ωt-α) is performed using an excitation signal sinωt, hence phase difference α exists as a non-negligible value and disturbs accurate synchronous detection.例文帳に追加

従来の振幅変調信号の同期検波方法及び回転信号処理器は、励磁信号ｓｉｎωｔを用いて振幅変調信号ｆ（θ）・ｓｉｎ（ωｔ−α）の同期検波を行うので、位相差αが無視できない値として存在し、正確な同期検波を行う際の支障となっている。 - 特許庁

To solve the following problem: a conventional MONOS having a configuration for accumulating electric charges in SiN has insufficient accumulating quantity of electric charges and cannot have a large threshold change width, and a high density of electric charges by introduction of dopant cannot be realized by a technique for introducing an La-based element into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加

従来のＭＯＮＯＳは、ＳｉＮに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２中へＬａ系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.例文帳に追加

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁

When a wafer 20 is heat-treated by irradiating with a lamp light from the side of a device forming region where a semiconductor device is formed, the SiN film 25 of a film thickness which has a reflection factor equivalent to the average reflection factor of the device forming region is formed at the peripheral end on the outside of the device forming region before the heat treatment.例文帳に追加

半導体装置が形成されるデバイス形成領域の側からランプ光を照射してウェハ２０の熱処理を行う場合、その熱処理前に、デバイス形成領域の平均的な反射率と同等の反射率となるような膜厚のＳｉＮ膜２５を、デバイス形成領域外側の周端部に形成する。 - 特許庁

The variable phase shift circuit is provided with: an input A for inputting an input signal Sin having a designated oscillation frequency; an output B for supplying an output signal Sout having the same oscillation frequency as the input signal and having a variable phase shift to the input signal; and at least one control input C.例文帳に追加

可変位相シフト回路は、指定された発振周波数を有する入力信号Ｓｉｎを入力する入力Ａと、同じ発振周波数を有し、かつ入力信号に対する可変位相シフトを有する出力信号Ｓｏｕｔを供給する出力Ｂと、少なくとも１個の制御入力Ｃとを備える。 - 特許庁

The drive circuit device 30 of a power semiconductor includes: an electronic control device 32 for generating a control input signal Sin; a signal transmission circuit device 300 having a main path 34 and a self-diagnosis function 38; and a power semiconductor 40 to be driven by a control output signal Sout from the signal transmission circuit device 300.例文帳に追加

パワー半導体の駆動回路装置３０は、制御入力信号Ｓｉｎを生成する電子制御装置３２と、主経路３４と自己診断機能３８を有する信号伝達回路装置３００と、信号伝達回路装置３００からの制御出力信号Ｓｏｕｔで駆動されるパワー半導体４０とを備える。 - 特許庁

Since the SiN film 21 can suppress cutting-through of the fluorine, starting from the fluorine added carbon film 20 to the hard mask layer and the SiCN film 22 can suppress oxidation of the fluorine added carbon film 20, when film formation process of the hard mask layer, the film exfoliation of the hard mark layer and the barrier layer, after heat treatment can be suppressed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２１によりフッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けが抑えられ、ＳｉＣＮ膜２２によりハードマスク層の成膜プロセス時のフッ素添加カーボン膜２０の酸化を抑えることができるので、熱処理後のハードマスク層やバリア層の膜剥がれを抑えることができる。 - 特許庁