「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Since cos(x) and sin(x) are signals showing the displacement x, a scale relative to a head part, namely, relative displacement information in the X-axis direction of a moving body can be acquired from the values.例文帳に追加

このｃｏｓ（ｘ）、ｓｉｎ（ｘ）は、変位ｘを表す信号であるので、これらの値から、ヘッド部に対するスケール、すなわち移動体のＸ軸方向の相対変位情報を取得することができる。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed as a structure of a polysilicon layer 24 and WSi layer 26 laminated thereon having a sidewall 28 made of an insulating film such as SiN, etc.例文帳に追加

ゲート電極は、ポリシリコン層２４とポリシリコン層２４上に積層されたＷＳｉ層２６の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール２８を備えている。 - 特許庁

A contact hole is formed in a gate insulating film 12 formed of SiO_2 and a laminated inter-layer insulating film 13 formed on SiN thereupon by etching using buffer hydrofluoric acid.例文帳に追加

ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加

さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Thereafter, the photo resist is removed and oxidizing treatment is carried out under a state that the SiN layer 15 formed on the transfer electrode remains as it is to form an oxide layer in a region corresponding to a light-receiving section.例文帳に追加

その後、フォトレジストを除去し、転送電極上に形成したＳｉＮ層１５を残した状態のままで酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する。 - 特許庁

Then, etching is conducted up to the etching stopper film, SiN film so that an SiON film with an desirable even thickness is formed on the fuse.例文帳に追加

ヒューズを覆ってＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_2膜をこの順序で形成した後、エッチングストッパ膜であるＳｉＮ膜までエッチングすることにより、ヒューズ上に均一で所望の膜厚のＳｉＯＮ膜を形成する。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the side face of the copper interconnection 5 and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

A modulation circuit PCM within an integrated circuit IC1 to which a standard power VD1 (e.g., 5V) is supplied, performs PWM modulation on an input signal SIN and outputs a pulse signal SP1.例文帳に追加

標準電源ＶＤ１（例えば５Ｖ）が供給された集積回路ＩＣ１内の変調回路ＰＣＭは、入力信号ＳＩＮをＰＷＭ変調してパルス信号ＳＰ１を出力する。 - 特許庁

A precursor film 304 with an a-Si layer or a fine crystal p-Si layer is formed on a glass substrate 301 having a foundation layer with stacked SiN 302 and SiO_2 film 303, and then implantation is performed there.例文帳に追加

ＳｉN３０２とＳｉＯ_2膜３０３を積層した下地層を有するガラス基板３０１にａ−Ｓｉ層または微粒結晶ｐ−Ｓｉ層のプリカーサ膜３０４を成膜し、これにインプラを行う。 - 特許庁

By this operation, a microwave plasma treatment device 100 is capable of generating a good quality SiN film stably by obtaining the plasma of treatment gas by the power of the microwave introduced into the treatment vessel 10.例文帳に追加

これにより，マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理容器１０内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて良質なＳｉＮ膜を安定的に発生させることができる。 - 特許庁

The maintenance is performed by depositing the conductive film, for example, amorphous silicon (a-Si) film or SiN film having a refractive index of at least 2.3 while there is no substrate on a substrate holder (the counter electrode) 5B.例文帳に追加

これは、基板ホルダ（対向電極）５Ｂ上に基板が無い状態で導電膜、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜または屈折率２．３以上のＳｉＮ膜を成膜することにより行う。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device includes: an HDP oxide film 22 formed on the upper surface of the plasma SiON film 21; and a plasma SiN film 25 formed covering the HDP oxide film 22.例文帳に追加

さらに、複数の配線を覆うように、プラズマＳｉＯＮ膜２１の上面に形成されたＨＤＰ酸化膜２２と、ＨＤＰ酸化膜２２を覆うように形成されたプラズマＳｉＮ膜２５とを備えている。 - 特許庁

The region of the N-side electrode 16 on the side of a P-side electrode 15 and the top and side of the resonator forming part excluding the P-side electrode 15 are covered with an insulating film 17 of SiN respectively.例文帳に追加

ｎ側電極１６のｐ側電極１５側の領域、並びにｐ側電極１５を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれＳｉＮからなる絶縁膜１７に覆われている。 - 特許庁

By discretely forming the SiN buffer body, crystal growth of a low-temperature buffer layer depending on board is prevented, promoting single crystallization of a seed crystal at growing of the GaN buffer layer 16.例文帳に追加

ＳｉＮバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。 - 特許庁

The multiplier 123A multiplies one of the first-stage phase adjusted signals by the cosine value cos (θ), and the multiplier 123B multiplies another first-stage phase adjusted signal by the sine value sin (θ).例文帳に追加

乗算器１２３Ａは、一方の第１位相調整済信号と余弦値ｃｏｓ（θ）とを乗算し、乗算器１２３Ｂは、他方の第１位相調整済信号と正弦値ｓｉｎ（θ）とを乗算する。 - 特許庁

Direct nitriding of a silicon oxide film which uses RLSA type plasma treating equipment is applied to side walls of the connection hole 21 and the second trench 23, and a barrier layer 25 composed of an SiN film is formed.例文帳に追加

さらに、接続孔２１および第２の溝２３の側壁に、ＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、ＳｉＮ膜からなるバリヤ層２５を形成する。 - 特許庁

An inorganic insulation layer 3 comprising ceramics of AlN, SiN, TiN, AL2O3, and SiO3, etc., is formed between the hole injection electrodes 2 on a substrate 1, and between the element domains on the element domains of the injection electrodes 2.例文帳に追加

基板１上のホール注入電極２間およびホール注入電極２上の素子領域間にＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＳｉＯ_2 等のセラミックスからなる無機絶縁層３が形成される。 - 特許庁

In the nitriding system 21, NH_3 gas is dissociated with the exciting energy of the UV-rays and caused to react on the silicon wafer 22 thus forming an SiN film usable as an insulation film on the surface of the silicon wafer 22.例文帳に追加

窒化装置２１では、紫外線の励起エネルギによってＮＨ_3ガスを解離してシリコンウェハ２２と反応させ、シリコンウェハ２２の表面に絶縁膜として使用可能なＳｉＮ膜を生成することができる。 - 特許庁

A single differential converting circuit 10 converts an oscillation signal Sin to a pair of differential signals S01 and S02, limits the level through a limiter amplifier 20 and outputs differential signals SLO and SLOB having a fixed amplitude.例文帳に追加

シングル差動変換回路１０は発振信号Ｓ_inを一対の差動信号Ｓ_O1，Ｓ_O2に変換し、リミッタアンプ２０によりレベルを制限し、一定の振幅を持つ差動信号Ｓ_LO，Ｓ_LOB を出力する。 - 特許庁

In the driving force control at the time of braking, a motor controller 8 computes the additional drive force of a sine waveform to output the additional drive force Sin of the computed sine waveform to a motor control unit 6 as a command value.例文帳に追加

制動時駆動力制御では、モータコントローラ８が、正弦波形の付加駆動力を算出して、算出した正弦波形の付加駆動力Ｓinを指令値としてモータ制御器６へ出力する。 - 特許庁

A calculation amplifier 21 inputs an input signal Sin inputted to an amplifier 15, amplifies the signal with a voltage amplifying rate G equal to a voltage amplifying rate of the amplifier 15, and generates a detection signal Sdet.例文帳に追加

演算増幅器２１が、増幅器１５に入力される入力信号Ｓinを入力し、増幅器１５の電圧増幅率と等しい電圧増幅率Ｇで増幅して検出信号Ｓdetを生成する。 - 特許庁

An attitude quaternion converter 20 of an attitude signal computing unit finds a quaternion notation of an input attitude signal Sin representing an attitude of a moving body, and outputs it as an input attitude quaternion.例文帳に追加

姿勢信号演算装置において、姿勢４元数変換器２０は、運動体の姿勢を表す入力姿勢信号Ｓｉｎの４元数表記を求め、入力姿勢４元数として出力する。 - 特許庁

The surface of a center portion of the substrate electrode 6 opposed to the sample 20 is flat, and the electric field distribution over the substrate electrode 6 becomes uniform, and thus the etching depth of the SiN film has high uniformity in the surface.例文帳に追加

試料２０に対向する基板電極６の中央部の表面は平坦であり、その基板電極６上の電界分布が均一化して、ＳｉＮ膜のエッチング深さの面内均一性は高い。 - 特許庁

Each opening portion comprises a first opening portion 24a piercing the SiN layer 22 whose width is large and a second opening portion 24b piercing the Si layer 20 whose width is small and reduces continuously from the first opening portion 24a.例文帳に追加

開口部は、ＳｉＮ層２２する広幅の第１開口部２４ａと、Ｓｉ層２０を貫通し、開口幅が第１開口部２２ｂより連続して縮小する縮幅の第２開口部２４ｂとからなる。 - 特許庁

To solve the problem, the board is inserted by controlling maximum calorific value of the heater that controls the temperature in the reactive furnace to 0.75 kJ/sec to 1.5 kJ/sec, during a process for forming the SiN film.例文帳に追加

これを解決するために、ＳｉＮ膜を成膜する工程にて、反応炉内温度を制御するヒーターの最大熱量を０．７５ｋＪ／ｓｅｃ以上、１．５ｋＪ／ｓｅｃ以下に制御してボートを装入する。 - 特許庁

The smoothing layer 54 is preferably formed of SiN or SiO_2, on the other hand, the binder layer 56 is formed of an N-rich TaN compound which has an N/Ta ratio of 1 or above or an amorphous TaN compound.例文帳に追加

平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、Ｎ／Ｔａが１を超えるＮリッチなＴａＮ化合物、又は、アモルファスＴａＮ化合物からなる。 - 特許庁

When an input signal Sin changes from a high level to a low level, the impedance of an n-type MOS transistor MN11 is decreased attended with increase in a current I3, and a voltage at an output node Nout is decreased.例文帳に追加

入力信号Ｓｉｎがハイレベルからローレベルへ変化する場合、電流Ｉ３の増加に伴ってｎ型ＭＯＳトランジスタＭＮ１１のインピーダンスが減少し、出力ノードＮｏｕｔの電圧は低下する。 - 特許庁

The membrane has an Si layer 20 having a (100) plane as its principal surface which is provided as a membrane main-body layer, an SiN layer 22 provided on the Si layer which is provided as a membrane supporting layer, and opening portions 24.例文帳に追加

メンブレンは、メンブレン本体層として設けられた（１００）面を主面とするＳｉ層２０と、メンブレン支持層としてＳｉ層上に設けられたＳｉＮ層２２と、開口部２４とを備える。 - 特許庁

When a radius of the inner fixed electrode 5 is made to R1, a radius of the inner rotation electrode 4 is made to R2 and the number of the inner rotation electrode is made to n, it satisfies a relationship of (R1+R2)×sin(π/n)<R2.例文帳に追加

内部固定電極５の半径をＲ１，内側回転電極４の半径をＲ２，内側回転電極の数をｎとした時、（Ｒ１＋Ｒ２）×ｓｉｎ（π／ｎ）＜Ｒ２の関係を満たすようにする。 - 特許庁

The switching control part 36 generates the control signal DB for selecting a pair of third and fourth differential amplifiers 34 and 35 in the case of the input signal Sin of a second frequency f2.例文帳に追加

また、切替制御部３６は、第２の周波数ｆ２の入力信号Ｓｉｎのときには、第３及び第４差動増幅器３４，３５の対を選択するための制御信号ＤＢを生成する。 - 特許庁

To secure the coherency between heat generating electronic components and a heat sink, and at the same time to separate a soldering process from a heat sink assembly one in a heat sin device used for various electronic equipment.例文帳に追加

各種電気機器に使用される放熱板装置において、発熱電子部品と放熱板の密着性を確保しつつ、半田付け工程と放熱板組み立て工程を分離すること目的とする。 - 特許庁

A clocking start signal SIN is inputted to a path switching means 2, controlled by an external/refresh operation-operation start request signal REQ (O)/(I), and connected to first or second clocking section 3, 4.例文帳に追加

計時開始信号ＳＩＮが経路切り換え手段２に入力され、外部アクセス／リフレッシュ動作開始要求信号ＲＥＱ（Ｏ）／（Ｉ）により制御されて第１又は第２計時部３、４に接続される。 - 特許庁

A counter part 12 counts the phase difference signal by clock signal and supplies the data corresponding to the phase difference to the next step through a numerical arithmetic part 13 as the address signal of a sin-cos table 14.例文帳に追加

計数部１２は、この位相差信号をクロック信号でカウント、この位相差に対応するデータを数値演算部１３を介して、次にｓｉｎ−ｃｏｓテーブル１４のアドレス信号として供給する。 - 特許庁

The detected frequency error is given to a SIN/COS generator 62, from which correction data for correcting fixed phase errors of a symbol due to carrier frequency error and a guard interval period are generated.例文帳に追加

検出された周波数誤差はＳＩＮ／ＣＯＳ発生器６２に入力され、キャリアの周波数誤差とガードインタバル期間とに起因するシンボルの固定位相誤差を補正する補正データが発生される。 - 特許庁

In the delay interference device 6, an interference pulse light S6a is formed from the output pulse light S3 and interference pulse light S6b of the logic opposite to that of an input pulse light SIN from the clock pulse light S10 is formed.例文帳に追加

遅延干渉器６で、出力パルス光Ｓ_3から干渉パルス光Ｓ_6aを生成すると共に、クロックパルス光Ｓ_10から入力パルス光Ｓ_INとは逆論理の干渉パルス光Ｓ_6bを生成する。 - 特許庁

The more formal name for the 'kokubunji' was 'konkomyo-shitenno-gokoku no tera' (meaning 'temples for the protection of the country by the four guardian deities of the golden light') and the more formal name for the 'kokubunniji' was 'hokke-metsuzai no tera' (meaning 'nunneries for eliminating sin by means of the Lotus Sutra'). 例文帳に追加

正式名称は、国分寺が金光明四天王護国之寺（こんこうみょうしてんのうごこくのてら）、国分尼寺が法華滅罪之寺（ほっけめつざいのてら）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In his letter to Kimitada SANJO in 1384, Emperor Goenyu wrote '執奏之下,無沙汰者,可為公家御咎也' and lamented the situation that not to obey the bukeshisso led to court nobles' sin. 例文帳に追加

永徳元年（1384年）に後円融天皇が三条公忠に充てた書簡の中で「執奏之下、無沙汰者、可為公家御咎也」と記し、武家執奏に従わないことは公家の咎になる現状を嘆いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

During the invasion by the Japanese navy (Jinshin waran, or Bunroku and Keicho War in Korea on Japan's side) that started in 1592, the left naval commander in Jeolla Province Yi Sun-sin organized and led the fleet consisting of Turtle ships that were reportedly invented by Yi himself. 例文帳に追加

1592年に始まる日本軍の侵攻（壬辰倭乱、日本でいう文禄・慶長の役）では全羅左水使李舜臣が自ら考案したと言われる亀甲船の艦隊を率いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

However, the Korean navy lost naval supremacy after the west coast of Jeolla Province was conquered and Yi Sun-sin also retreated to the northern border of Jeolla Province and the Japanese navy advanced to the west coast of Jeolla Province. 例文帳に追加

しかし、日本軍により全羅道西岸が制圧されると朝鮮水軍は制海権を失い、李舜臣も全羅道北端まで後退し、日本水軍は全羅道西岸まで進出した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shimazu clan's navy had a hard time in the Naval Battle of Noryang, but on the side of Ming and Korea, multiple top officials including the adjutant general of the navy of Ming and Yi Sun-sin, who was the Naval Commander of Three Provinces of the navy of Korea died in this war. 例文帳に追加

この露梁海戦で島津水軍は苦戦したが、明・朝鮮も明水軍の副将、や朝鮮水軍の三道水軍統制使の李舜臣を含む複数の幹部が戦死した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor laser element is installed between SiN layers formed on a p-type layer via a heat sink layer and a solder layer (approximately 4 μm in layer thickness), in addition to a Ti layer and Au layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、ｐ型層上に形成されたＳｉＮ膜との間に、Ｔｉ層およびＡｕ層に加えてヒートシンク層およびはんだ層（層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, the brittle BGTBAS-SiN film 11 is removed before a stage wherein the semiconductor substrate 1 is fixed or conveyed by the electrostatic chuck, vacuum chuck, etc.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は静電チャック、真空チャックなどで半導体基板１を固定もしくは搬送する工程の前に脆弱なＢＴＢＡＳ−ＳｉＮ膜１１を除去する。 - 特許庁

A first thin film 25 composed of Al, an intermediate film 26 composed of SiN and a second thin film 27 composed of Al are formed on an output surface of a solid immersion lens 15 composed of material having high refractive index.例文帳に追加

高屈折率物質からなる固浸レンズ１５の出射平面に、Ａｌからなる第１の薄膜２５と、ＳｉＮからなる中間膜２６と、Ａｌからなる第２の薄膜２７とを設けた。 - 特許庁

so Christ also, having been offered once to bear the sins of many, will appear a second time, without sin, to those who are eagerly waiting for him for salvation. 例文帳に追加

そのようにキリストも，多くの人たちの罪を担うためにただ一度だけささげられたのち，二度目には，罪とは関係なく，彼をひたすら待っている人たちに救いをもたらすために現われることになっています。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 9:28』

the priest had drawn out every ridiculous detail of the affair and in the end had so magnified his sin that he was almost thankful at being afforded a loophole of reparation. 例文帳に追加

司祭が情事のばかばかしい仔細までいちいち聞き出し、しまいには彼の罪をあまり大げさに言うものだから、彼は償いという逃げ道を与えられてほとんど感謝しないばかりだった。 - James Joyce『下宿屋』