「sin」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

According to Section 860 in Chuseiron, even if such people die in right mindfulness chanting the name of the Buddha, there is no doubt that they will go to the Avici hell because of their great sin of slandering the Hokke sect. 例文帳に追加

「中正論八六十に云く、縦ひ正念称名にして死すとも法華謗法の大罪在る故に阿鼻獄に入る事疑ひ無しと云云。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Hosshi hon No.10 (the preacher, the tenth chapter of the Lotus Sutra) 'If an evil man always defames and swears Buddha in front of Buddha with a bad mind actually, for a long time, his sin would be lighter. 例文帳に追加

法師品第10「若し悪人有りて、不善の心を以って一劫の中に於いて、現に仏前に於いて常に仏を毀罵（きめ）せん、其の罪尚軽し。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It unilaterally concluded that the western culture is 'sin culture' which has ethical standards inward, while the Japanese culture is 'shame culture' that has the standards (appearances or decency) outward. 例文帳に追加

西欧文化は倫理基準を内面に持つ「罪の文化」であるのに対し、日本文化は外部（世間体・外聞）に持つ「恥の文化」と一方的に決め付けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An interpolator 100 receives a sin signal and a cos signal from a center 22, and outputs velocity V and a position P to a control part 31.例文帳に追加

インターポレータ１００は、センサ２２からのｓｉｎ信号及びｃｏｓ信号を入力されて、速度Ｖ及び位置Ｐを制御部３１に出力する。 - 特許庁

An SiN films 6 is formed between the silicon oxide films 4 and side surfaces of the low-resistance layers 5b above the P^-type impurity region 2b.例文帳に追加

また、Ｐ^-型不純物領域２ｂの上方におけるシリコン酸化膜４と低抵抗層５ｂの側面との間には、ＳｉＮ膜６が形成されている。 - 特許庁

Even shouldest thou see thy neighbor sin openly or grievously, yet thou oughtest not to reckon thyself better than he, 例文帳に追加

もしもあなたが他の人の罪を目の当たりにしたり、他の人が重大な罪をおかすのを見たとしても、自分はその人よりも良い人間だと考えてはいけません。 - Thomas a Kempis『キリストにならいて』

For the bodies of those animals, whose blood is brought into the holy place by the high priest as an offering for sin, are burned outside of the camp. 例文帳に追加

なぜなら，動物の血は罪のためのささげ物として大祭司によって聖なる場所に持って行かれますが，その体は宿営の外で焼かれるからです。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 13:11』

but exhort one another day by day, so long as it is called “today”; lest any one of you be hardened by the deceitfulness of sin. 例文帳に追加

むしろ，「今日」と呼ばれている間じゅう，あなた方のうちのだれも罪の欺きによってかたくなになることのないよう，日ごとに互いに勧め合いなさい。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 3:13』

But when they continued asking him, he looked up and said to them, “He who is without sin among you, let him throw the first stone at her.” 例文帳に追加

それでも彼らがしつこく尋ねると，目を上げて彼らに言った，「あなた方の間で罪のない者が，この女に向かって最初に石を投げなさい」。 - 電網聖書『ヨハネによる福音書 8:7』

Then Peter came and said to him, “Lord, how often shall my brother sin against me, and I forgive him? Until seven times?” 例文帳に追加

その時，ペトロが近寄って来てイエスに言った，「主よ，兄弟がわたしに対して罪を犯した場合，彼を何度まで許すべきでしょうか。七回までですか」。 - 電網聖書『マタイによる福音書 18:21』

When comparators 13 and 14 perform level discrimination of a composite synchronizing signal Pin obtained by selectively amplifying the composite video signal Sin while performing phase inversion of the composite video signal Sin and pulsing the composite synchronizing signal Pin, threshold value levels Vth1 and Vth2 used in the pulsing are separately set in a non- equivalence pulse period and in an equivalence pulse period.例文帳に追加

複合映像信号Ｓｉｎを位相反転させながら選択的に増幅させた複合同期信号Ｐｉｎをコンパレータ１３，１４でレベル弁別してパルス化するに際し、そのパルス化に用いられるしきい値レベルＶｔｈ１，Ｖｔｈ２を非等価パルス期間と等価パルス期間とで別々に設定するようにした。 - 特許庁

When the reply is registered, the controller 20 controls a speech path system unit 20 to connect to the incoming call when the user is in a speech enable state at present according to contents of the TUPN relating information table 50 and starts a reply incoming call system service depending on a value of SIN registered in the TUPN relating information table 50 in the incoming disabled state.例文帳に追加

登録されていると、TUPN関連情報テーブル５０の内容により当該利用者が現在通話可能状態の場合には、着信呼を接続するよう通話路系装置２０を制御し、不可状態のときには、TUPN関連情報テーブル５０に登録されているSINの値によって応答の着信系サービスを起動する。 - 特許庁

A laminated body 7 is provided that includes: electrodes 2 formed on a piezoelectric substrate 1; a first SiO_2 layer 3 formed on the piezoelectric substrate 1 so as to cover the electrodes 2; a SiN layer 4 formed on the first SiO_2 layer 3; and a second SiO_2 layer 5 formed on the SiN layer 4.例文帳に追加

圧電性基板１上に形成された電極２と、電極２を覆うように圧電性基板１上に形成された第１ＳｉＯ_２層３と、第１ＳｉＯ_２層３上に形成されたＳｉＮ層４と、ＳｉＮ層４上に形成された第２ＳｉＯ_２層５とから成る積層体７を含んでいる。 - 特許庁

As a result, higher the RF power representing plasma generation energy set to the device side is raised, from 700 W to 900 W or higher, when forming the plasma SiN film 22, the larger the amount of hydrogen leaving from the plasma SiN film 22 will be, at a low temperature processing during later sintering treatment, thereby making the sintering treatment sure.例文帳に追加

これによって、プラズマＳｉＮ膜２２の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗから９００Ｗさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマＳｉＮ膜２２から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。 - 特許庁

The gate electrode 44 is constituted of a multilayer film having a phosphorus doped polysilicon gate electrode main body 44a buried from the lower ends of both SiN sidewalls to a groove base, a phosphorus doped polysilicon layer 44b formed between the SiN sidewalls on the gate electrode main body and silicide 44c obtained by making the polysilicon layer into silicide in terms of self-matching.例文帳に追加

ゲート電極４４が、両ＳｉＮサイドウォールの下端から溝底まで埋めるリンドープトポリシリコン・ゲート電極本体４４ａと、ゲート電極本体上のＳｉＮサイドウォール間に形成されたリンドープトポリシリコン層４４ｂと、ポリシリコン層を自己整合的にシリサイド化してなるシリサイド４４ｃとを有する多層膜で構成されている。 - 特許庁

The optical waveguide manufacturing method is characterized in that a film of an SiN layer is formed on a lower clad and that ultraviolet rays are emitted onto the SiN layer, through an exposure mask having an ultraviolet non-transmitting region in the same shape as the planar shape of a target optical waveguide core and having an ultraviolet transmitting region in other regions.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に、作製すべき光導波路コアの平面形状と同じ形状の紫外線不透過領域を持ち、それ以外の領域は紫外線透過領域となっている露光マスクを通して、紫外線を照射する、ことを特徴とする光導波路作製方法。 - 特許庁

The circuit for delaying a logical signal SIN having low and high logical levels has such delay characteristics as the delay time is different when the logical level of the logical signal SIN is low and high and a logical level having a shorter delay time is selected as an object to be delayed.例文帳に追加

ロウレベル及びハイレベルの論理レベルを有する論理信号ＳＩＮを遅延させる遅延回路において、論理信号ＳＩＮの論理レベルがロウレベルの場合とハイレベルの場合とで遅延時間が異なる遅延特性を有し、ロウレベル及びハイレベルの論理レベルのうち、遅延時間が短い方の論理レベルを遅延対象とする。 - 特許庁

A mask ROM (memory) 30 includes a first memory cell 10 constructed of a first capacitor 11 having an SiN film 5 with a permittivity of ε_1, and a second memory cell 20 constructed of a second capacitor 21 having a SBT film 4 with a permittivity of ε_2 higher than the permittivity of ε_1 of the SiN film 5.例文帳に追加

マスクＲＯＭ（メモリ）３０は、誘電率ε_１を有するＳｉＮ膜５を含む第１キャパシタ１１により構成された第１メモリセル１０と、ＳｉＮ膜５の誘電率ε_１よりも大きい誘電率ε_２を有するＳＢＴ膜４を含む第２キャパシタ２１により構成された第２メモリセル２０とを備えている。 - 特許庁

Orthogonal modulators 27-1 and 27-2 use a high frequency signal SLp(t) from the VCO 26 to upconvert the second phase modulation signal Sin(t), generate high frequency signal pair S1(t) and S2(t) having a phase difference corresponding to an amplitude of the input demodulation signal Sin(t), and output them to a pair of amplifiers 14.例文帳に追加

直交変調器２７−１，２７−２は、ＶＣＯ２６からの高周波信号ＳＬｐ(ｔ)を用いて第２位相変調信号Ｓａ(ｔ)をアップコンバートして、入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅に応じた位相差を有する高周波信号対Ｓ１(ｔ)，Ｓ２(ｔ)を生成して増幅器対１４へ出力する。 - 特許庁

A dielectric film having light transmissivity and heat radiation effect can be made by using dielectric in which SiN and Al are mixed appropriately, and especially when the AlSiN is used as the dielectric film of the light incident side, heat generated by irradiation of a laser beam can be discharged also to the dielectric side, then, rewriting durability is improved.例文帳に追加

SiNと、Alを適度に混ぜ合わせた誘電体を用いることによって、光透過性と、放熱効果をもった誘電体膜となり、特に、このAlSiNを光入射側の誘電体膜として用いると、レーザー光の照射によって発生した熱は誘電体側にも逃げることができ、書き換え耐久性が向上する。 - 特許庁

The solid state imaging apparatus comprises the optical lens 4; the solid state imaging device 3 including an SiN film 11 and 12 as macro-lenses; and a resin layer 5 formed between the optical lens 4 and the SiN film 12 as the macro-lens of the solid state imaging device 3 and adhering the optical lens 4 and the solid state imaging device 3.例文帳に追加

この固体撮像装置は、光学レンズ４と、マイクロレンズとしてのＳｉＮ膜１１および１２を含む固体撮像素子３と、光学レンズ４と固体撮像素子３のマイクロレンズとしてのＳｉＮ膜１２との間に形成され、光学レンズ４と固体撮像素子３とを接着するための樹脂層５とを備えている。 - 特許庁

Each optical pulse LDs is emitted at a fixed interval from a light source, and a reflected optical pulse Sin is received, after a response time T required for the distance to the measuring object.例文帳に追加

光源から一定間隔で光パルスＬＤｓを射出し、測定対象物までの距離に要する応答時間Ｔ後に反射光パルスＳｉｎを受光する。 - 特許庁

According to the workpiece machining and holding device, a holding surface 160 of a holding stand 150 is inclined so as to form a relative angle θ=sin^-1(1/3^1/2) degrees with respect to a rotation axis 120 of a rotary stand 110.例文帳に追加

保持台１５０の保持面１６０と回転基台１１０の回転軸１２０に対する相対角度θ＝ｓｉｎ^-1（１／３^1/2 ）度となるように傾ける。 - 特許庁

In the signal processing circuit section 200, various kinds of transistors, wiring 8 and 10, etc., are arranged and an SiN film 11 is formed on the whole surface of the section 200 as a protective film.例文帳に追加

信号処理回路部２００には、各種トランジスタや配線８、１０などが配置されて、その上に保護膜としてＳｉＮ膜１１が全面に形成されている。 - 特許庁

In addition, the layer 14 is caused to emit light by forming SiN in the interface between GaN and AlGaN and increasing the resistance value of the layer 14, and then, injecting holes into the layer 14.例文帳に追加

さらに、ＧａＮとＡｌＧａＮとの界面にＳｉＮを形成し、Ｎ型ＧａＮ系層１４の抵抗値を高め、ホールを注入してこの層で発光を生じさせる。 - 特許庁

Then, a switch circuit 46 connected to the second MOS transistor Q12 is on/off controlled based on an input signal Sin so that the output currents Iout can be on/off controlled.例文帳に追加

そして、入力信号Ｓinに基づいて第２のＭＯＳトランジスタＱ１２に接続したスイッチ回路４６をオン・オフ制御して出力電流Ｉout をオン・オフ制御する。 - 特許庁

An I phase signal and a Q phase signal are obtained by multiplying a cosine wave and a sine wave which are orthogonal to each other with a received signal that is QPSK-modulated.例文帳に追加

ＱＰＳＫ変調された受信信号に互いに直交するcos 波およびsin波を乗積することによりＩフェーズ信号およびＱフェース信号が得られる。 - 特許庁

In a power feeder TM, an electric power signal Sp for electric power transmission is modulated as a carrier wave, by using a data signal Sin, and supplied to a power receiver RV.例文帳に追加

給電装置ＴＭにおいて、電力伝送用の電力信号Ｓpを搬送波とし、これをデータ信号Ｓinを用いて変調して受電装置ＲＶに供給する。 - 特許庁

A voltage division circuit 9 is configured of resistors R1 and R2 connected in series between an input terminal 2 of the input signal Sin and an input terminal 3 of a reference potential.例文帳に追加

入力信号Ｓinの入力端子２と基準電位の入力端子３との間に直列に接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２により分圧回路９を構成する。 - 特許庁

Then, a film stack, composed of an SiN film 15 and an SiO_2 film 16, is formed so as to cover the surface of the semiconductor wafer including the thinned region and the groove section 12.例文帳に追加

次に、薄片部および溝部１２を含む半導体ウエハ表面を覆うようにＳｉＮ膜１５およびＳｉＯ_２ 膜１６からなる積層膜を形成する。 - 特許庁

A plasma treatment process is carried out in which treatment gas f_G containing a halogen-content compound such as fluorocarbon is passed through a plasma space 22 to have it in contact with the surface of the SiN layer 12.例文帳に追加

フッ化炭素等のハロゲン含有化合物を含む処理ガスｆ_Ｇをプラズマ空間２２に通し、ＳｉＮ層１２の表面に接触させるプラズマ処理工程を行なう。 - 特許庁

A SiN film attached to the heat resistance nonmetal member in a film forming process is removed in a two-stage cleaning process which uses a mixed gas of F_2 and HF as cleaning gas.例文帳に追加

成膜工程で耐熱性非金属部材に付着したＳｉＮ膜を、クリーニングガスとしてＦ_2とＨＦとの混合ガスを用いた２段階のクリーニング工程で除去する。 - 特許庁

In a vibration part 11 for performing resonance vibration by longitudinal wave vibration according to the frequency of an input AC signal Sin, not less than three insulation films 112 are provided.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinの周波数に応じて縦波振動による共振振動を行う振動部１１内において、絶縁膜１１２を３つ以上設ける。 - 特許庁

The SiN film 52 is buried in the recess 50 having a low aspect ratio before the formation of the light shield film to form the downward convex in-layer lens 29, so that a void is prevented from being formed.例文帳に追加

遮光膜形成前の低アスペクト比の凹部５０にＳｉＮ膜５２を埋め込んで下凸層内レンズ２９を形成するので、ボイドの発生が防止される。 - 特許庁

A first insulation layer 108 formed of SiN is formed on a side surface of the emitter mesa part and a surface of a ledge structure 105a to cover them.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部１０５ａの表面には、これらを被覆するように、ＳｉＮからなる第１絶縁層１０８が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 108 comprising silicon nitride (SiN) is formed on a side of part of an emitter mesa and a surface of a ledge structure 105a so that those parts are covered.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部１０５ａの表面には、これらを被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１絶縁層１０８が形成されている。 - 特許庁

The Ir_x nanostructure can be partially covered by an electrical insulator (e.g. SiO_2, SiN, TiO_2, or spin-on glass (SOG)).例文帳に追加

ＩｒＯ_Ｘナノ構造体は、末梢端部を露出したままの状態で、電気絶縁体（例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、またはスピンオングラス（ＳＯＧ））によって部分的に覆われ得る。 - 特許庁

A complex multiplier 19 performs complex multiplication of the output I/Q of the quadrature demodulator 15 by a sin/cos wave to correct the phase deviation and inputs it to a symbol judgement part 20.例文帳に追加

複素乗算器１９は、直交復調器１５の出力Ｉ／Ｑをｓｉｎ／ｃｏｓ波で複素乗算し、周波数ずれを補正してシンボル判定部２０に入力する。 - 特許庁

The adjustment signal generation portion 121 generates a cosine value cos (θ) and a sine value sin (θ) of the phase adjustment value θ, and gives them to multipliers 123A and 123B respectively.例文帳に追加

調整信号発生部１２１は、位相調整値θの余弦値ｃｏｓ（θ）と正弦値ｓｉｎ（θ）とを生成し、乗算器１２３Ａ，１２３Ｂへそれぞれ与える。 - 特許庁

Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.例文帳に追加

このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁

After an gate insulation film 3 and a gate electrode 4 are formed on a semiconductor substrate 1, a lamination film formed of an SiO_2 film 7 and an SiN film 8 is formed on the entire surface thereof.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜３及びゲート電極４を形成した後、全面にＳｉＯ_２膜７及びＳｉＮ膜８の積層膜を形成する。 - 特許庁

Accompanying this, as a measure of the mechanical strength and the humidity resistance of a wiring layer 4 consisting of Al alloy, this wiring layer 4 is covered with a passivation film 5 such as SiN or the like.例文帳に追加

これに伴って、Ａｌ合金から成る配線層４の機械的強度および耐湿性対策として、この配線層４をＳｉＮなどのパッシベーション膜５で被覆する。 - 特許庁

A sin Θ and a cos Θ are betted on the coordinates (X, Y) of two-dimensional planes S, C, and a cumulative value of a value betted on in each the coordinates is calculated.例文帳に追加

さらに、２次元の投票平面Ｓ，Ｃの座標（Ｘ，Ｙ）に、それぞれｓｉｎΘ，ｃｏｓΘを投票するとともに、座標毎に投票された値の累計値を算出する。 - 特許庁

Points that differ from a conventional transistor are as follows: (1) A side wall 42 constituted of SiN thicker than the gate insulating film 16 is disposed at the upper part of the groove wall of a groove 14.例文帳に追加

従来のトランジスタ部と異なる点は、（１）溝１４の溝壁上部には、ゲート絶縁膜１６の膜厚より厚いＳｉＮからなるサイドウォール４２が設けられている。 - 特許庁

A concentric circular FZP pattern portion 101 is provided on a Ta film on an SiN film by an electron beam drawing technique or the like to form a Fresnel zone plate (FZP) 100.例文帳に追加

ＳｉＮ膜上のＴａ膜上に電子線描写などの手法により同心円状のＦＺＰパターン部分１０１を設けてフレネルゾーンプレート（ＦＺＰ）１００とする。 - 特許庁