「single solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

MULTILAYER FILM OF POLYIMIDE PRECURSOR SOLUTION, MULTILAYER POLYIMIDE FILM, SINGLE SIDED METAL-CLAD LAMINATED SHEET AND MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYER POLYIMIDE FILM例文帳に追加

ポリイミド前駆体溶液の多層膜、多層ポリイミドフィルム、片面金属張積層板、および多層ポリイミドフィルムの製造方法 - 特許庁

The crystal nucleus of protein formed by a dielectrophoretic effect grows while floating in the solution to form a single crystal.例文帳に追加

誘電泳動効果により形成された蛋白質の結晶核は、溶液中に浮遊しながら成長し単結晶となる。 - 特許庁

A container 31 for storing medical solution and pipes L31 to L33 communicating with the container 31 are configured as a single body.例文帳に追加

薬液を貯留する容器３１と、この容器３１に連通する配管Ｌ３１〜Ｌ３３とを一体として構成する。 - 特許庁

The carbon fiber felt is produced by spraying extra-fine carbon fibers with a binder resin solution through a single-fluid nozzle.例文帳に追加

極細炭素繊維に対して一流体ノズルを用いてバインダー樹脂溶液を噴霧して炭素繊維フェルトを製造する。 - 特許庁

To provide a single-step process for producing a fine metal nanoparticle, in particular a regular alloy nanoparticle, which is performed in a solution.例文帳に追加

微細な金属ナノ粒子、更には規則性合金ナノ粒子の溶液中での一段階製造方法を提供する。 - 特許庁

A laser irradiation part irradiates the micro irregular face with a laser beam of single wavelength light through the solution layer regularizing base plate.例文帳に追加

レーザ照射部は、溶液層定常化基板を通して単一波長光のレーザ光を微小凹凸面に照射する。 - 特許庁

To provide a method for composite bonding of a seed crystal for growing a SiC single crystal by a solution growth technique, whereby high growth speed can be achieved by preventing breaking and separation of the seed crystal when growing the SiC single crystal by the solution growth technique.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, in a single liquid pretreatment system where the above object to be plated is dipped into a pretreatment solution, and after that, electrolytic copper plating is applied thereto with a copper plating solution which does not contain a surfactant, methanol, isopropyl alcohol or the like can be incorporated into the copper plating solution and/or pretreatment solution.例文帳に追加

また、上記被メッキ物をレベラーを含有する前処理液に浸漬した後、界面活性剤を含有しない銅メッキ液で電気銅メッキを施す一液前処理方式において、メタノール、イソプロピルアルコールなどを上記銅メッキ液及び／又は前処理液に含有させても良い。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal capable of obtaining a quality sapphire single crystal restrained from generation of an inclusion caused by the reaction between crucible material or carbon vapor and melt solution of the raw material during the growth of the single crystal.例文帳に追加

単結晶の育成中に、ルツボ材料やカーボン蒸気と原料融液との反応に起因する内包物の生成が抑制され、高品質なサファイア単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

The deodorizing and sterilizing method comprises a step of scattering or mixing a single substance or mixed solution of a hydrogen peroxide, a solution with a tartaric acid or a citric acid in the filth or the drainage causing various type of malodors.例文帳に追加

各種悪臭発生源となる、汚物・排水に過酸化水素水と酒石酸あるいはクエン酸の単品又は混合液を撒布・混合することによる脱臭・滅菌処理法 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing an SiC single crystal by a solution method capable of growing the SiC single crystal without causing cracks, peeling or dropping even when a large diameter seed crystal is used.例文帳に追加

大径の種結晶でも割れや剥離・脱落を発生させずに結晶成長を可能とした溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing an SiC single crystal, by which deposition of a SiC polycrystal is restrained when the SiC single crystal is produced by a solution method.例文帳に追加

溶液法によってＳｉＣ単結晶を製造する際、ＳｉＣ多結晶の析出を抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The alloy material is composed essentially of α-Al supersaturated solid solution single phase of 100 nm-10 μm average crystal grain size.例文帳に追加

又、合金材は実質的に平均結晶粒径が１００ｎｍ〜１０μｍのα−Ａｌの過飽和固溶体単相からなる。 - 特許庁

SILICON OXIDE FILM CONTAINING SILICON NANOPARTICLE, SILICON NANOPARTICLE, SILICON NANOPARTICLE SOLUTION, METHOD FOR OBSERVING SINGLE MOLECULE AND METHOD FOR OBSERVING MOLECULE例文帳に追加

シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子、シリコンナノ粒子溶液、単一分子観察方法および分子観察方法 - 特許庁

To provide a crystal growth apparatus for producing a high-quality single crystal by preventing deposits in a furnace from falling onto a grown crystal or into a raw material solution.例文帳に追加

炉内付着物の成長結晶および原料溶液への落下を防止し、高品質の単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growing rate by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A (Ba, Sr)TiO_3 dielectric material film is formed on (110) alignment LiTaO_3 single crystal substrate with the chemical solution method.例文帳に追加

（１１０）面ＬｉＴａＯ_3単結晶基板上に（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_3誘電体膜を化学溶液法により作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SiC single crystal by a solution method while preventing crack generation at the end of a grown crystal.例文帳に追加

成長結晶端部のクラック発生を防止して、溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the process, the organic optical single crystal is formed from a solution of an organic optical material while changing the concentration of the organic optical material in the solution to control the thickness and/or the aspect ratio of the single crystal.例文帳に追加

有機光学材料物質の溶液から有機光学単結晶を形成する方法において、溶液中の有機光学材料物質の濃度を変化させることによって単結晶の厚さ及び／またはアスペクト比を制御しながら単結晶を形成させる。 - 特許庁

This method for detecting mercury ion includes: acquisition of a solution containing the test sample, a first single-stranded nucleic acid and a second single-stranded nucleic acid; and detection of excimer emission generated by irradiation, by irradiating the acquired solution with excitation light.例文帳に追加

被験試料、第一の一本鎖核酸、及び第二の一本鎖核酸を含む溶液を得ること；及び、得られた溶液に励起光を照射し、該照射により発生するエキシマー発光を検出することを含む、水銀イオンを検出する方法により解決される。 - 特許庁

The oil solution at a constant temperature is imparted to the fiber yarn within a distance of ≤2.0 m under a spinning nozzle while heating the oil solution by a temperature-regulating device for keeping the temperature of the oil solution constant when the thermoplastic undrawn fiber having the ≤1 dtex single fiber fineness is spun and wound.例文帳に追加

単糸繊度が1dtex以下の熱可塑性未延伸糸を紡糸して巻き取るに際し、油剤の温度を一定に保つための温度制御装置で油剤を加温しながら、一定温度の油剤を紡糸口金下2.0m以内の距離で糸条に付与する。 - 特許庁

Another aspect involves an extrusion system with the reciprocating screw for forming a single phase solution of non-nucleated blowing agent and polymeric material.例文帳に追加

他の面では、無核の発泡剤及びポリマー材料の単一層溶液を形成するための往復スクリューを有する押出しシステムを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal, by which SiC having stable quality can be produced for a long time by a solution method.例文帳に追加

溶液法によって安定した品質のＳｉＣを長時間製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal having high growth speed and a desired crystal structure by a solution method.例文帳に追加

溶液法による、成長速度の速い、所望の結晶構造を持つ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferably formed of an α-Al supersaturated solid solution single phase substantially of 100 nm to 10 μm average crystal grain size.例文帳に追加

また、実質的に平均結晶粒径が１００ｎｍ〜１０μｍのα−Ａｌの過飽和固溶体単相からなることが好ましい。 - 特許庁

Height of the solid-liquid interface 8 on the boundary of the single crystal rod 5 in the middle of pulling up and the fused solution of raw material 3 is to be controlled.例文帳に追加

引上げ途中の単結晶棒５と原料融液３との境界に発生する固液界面８の高さを制御する。 - 特許庁

Moreover, preferably, it is substantially composed of an α-Al supersaturated solid solution single phase of 100 nm to 10 μm average crystal grain size.例文帳に追加

また、実質的に平均結晶粒径が１００ｎｍ〜１０μｍのα−Ａｌの過飽和固溶体単相からなることが好ましい。 - 特許庁

thinking that brings together information focussed on solving a problem (especially solving problems that have a single correct solution) 例文帳に追加

情報を集める考えは、問題を解くのに焦点を合わせました（ただ一つの正しい解答を持っている問題を特に解決して） - 日本語WordNet

Conversely, by using a solution containing a doping element, a desired amount of an impurity element can be contained in a single crystal.例文帳に追加

逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 - 特許庁

Through various optimizing methods for the optimizing calculation are known, an appropriate optimization solution can be adopted based on a property of emergency at that time in points of convergence speed and a single solution.例文帳に追加

最適化計算の最適化法としては、多様に知られているが、収束速度、単一解性等の点でその時の緊急事態の性質に基づいて、適正な最適解法が採択され得る。 - 特許庁

It is found that gold hardly reacts with a single solution of hydrochloric acid or chloric acid but a hydrochloric acid solution containing chloric acid exhibits very strong oxidation action on gold and efficiently dissolves gold.例文帳に追加

金は塩酸又は塩素酸の単独溶液とはほとんど反応しないが、これに反し塩素酸を含む塩酸溶液は極めて強い酸化作用を示し、金が効率よく溶解されることを見出した。 - 特許庁

The method of manufacturing a polymer single crystal comprises a step of removing the solvent from the solution containing the helical polyacetylene having a columnar-content of ≥25% and the solvent to obtain a polymer single crystal-containing film containing the helical polyacetylene single crystal, and a step of treating the polymer single crystal-containing film with a solvent to obtain the polymer single crystal composed of the helical polyacetylene single crystal.例文帳に追加

カラムナー含有率が２５％以上である螺旋型ポリアセチレンと、溶媒を含有する溶液から、前記溶媒を除去して前記螺旋型ポリアセチレンの単結晶を含有する高分子単結晶含有膜を得る工程、前記高分子単結晶含有膜を溶媒で処理して前記螺旋型ポリアセチレンの単結晶からなる高分子単結晶を得る工程を有する高分子単結晶の製造方法。 - 特許庁

To fulfill both suppressing occurrence of polycrystal SiC and promoting growth of SiC single crystal having high quality onto the seed crystal in a method of growing SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の成長方法において、多結晶ＳｉＣの生成抑制と種結晶上への高品質のＳｉＣ単結晶の成長促進とを両立させる。 - 特許庁

The substrate for forming the film is constituted of a solid solution single crystal in which at least one kind selected from Ga, Ti and Nb is added to a (Cr_xAl_1-x)_2O_3 (wherein, 0≤x≤1) single crystal.例文帳に追加

本発明の膜形成用基板は、（Ｃｒ_xＡｌ_1-x）_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）単結晶にＧａ、ＴｉおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種が添加された固溶体単結晶から構成されている。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

The high-strength composite fiber is obtained by using a polyvinyl alcohol solution in which single-layer carbon nanotubes having a graphene sheet having considerably reduced structure defects are dispersed in a nanometer level as a spinning solution, extruding the spinning solution through a nozzle to a cooling phase to give a gel fiber, after desolvation and highly orienting the PVA and SWNT (single wall carbon nanotube) by drawing.例文帳に追加

グラフェンシート構造の欠陥の極めて少ない単層カーボンナノチューブをナノメートルレベルで分散させたポリビニルアルコール溶液を紡糸液とし、ノズルを通して冷却相へ押し出すことによってゲル繊維を得、脱溶媒後、延伸により、ＰＶＡおよびＳＷＮＴを高度に配向させることで、高強度コンポジット繊維を得ることができる。 - 特許庁

To provide an etching solution which is improved in etching characteristics and used for single crystal silicon, and to provide a method of manufacturing a silicon deposition mask which is capable of stably mass-producing silicon deposition masks of high accuracy by using the above etching solution for single crystal silicon.例文帳に追加

エッチング特性を改善する単結晶シリコン用エッチング液を提供するとともに、この単結晶シリコン用エッチング液を用いることにより、高精細な蒸着マスクを安定して大量に製造することができるようにした、シリコン蒸着マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

As the application solution for oxide thin film formation, a solution is used which contains at least two or more kinds of β-diketone complex of single metal constituted of β-diketone complex of single metal of In, Ga, Al or Zn and having ≥10 carbon atoms in one ligand and represented by formula (I).例文帳に追加

式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。 - 特許庁

The aimed temperature Tc of fused solution is set necessary to make the deforming rate coincide with the vicinity of the ceiling value, from the relation between the deformation rate of the single crystal 10 and the temperature of the fused solution of a specific point of a vicinity apart by fixed distance away from outermost peripheral part of the single crystal 10.例文帳に追加

単結晶１０の変形率と、単結晶１０の最外周から所定距離離れた結晶近傍の特定点における融液温度との関係から、変形率をその上限値近傍に一致させるのに必要な融液温度の目標値Ｔｃを設定する。 - 特許庁

The manufacturing method of the huge single crystal represented by general formula [I] comprises forming two layers consisting of an upper layer of a solution of a metal salt of the organic carboxylic acid having a conjugated system and a lower layer of a solvent immiscible with the solution, and introducing vapor of a substituted pyrazine to form the single crystal at the interface.例文帳に追加

一般式[I]で示される巨大単結晶の製造方法であって、共役系を有する有機カルボン酸金属塩の溶液を上層とし、該溶液と混じり合わない溶媒を下層として２層を形成し、置換ピラジン蒸気を導入して界面に単結晶を生成させる。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

This method for forming the organic single crystal is characterized by making a vessel containing a solution move, thereby stirring the solution and carrying out the crystal growth of a seed crystal when the seed crystal is grown from a natural nucleus of an organic substance in the solution.例文帳に追加

溶液中で有機物の自然核から種結晶を成長させる際に、前記溶液の入った容器を運動させることによって、前記溶液を攪拌し、前記種結晶を結晶成長させることを特徴とする有機単結晶の形成方法。 - 特許庁

Therefore, when removing a Si single crystal substrate 14 from a multilayered substrate 61, if an etching solution is penetrated between a polyimide 72 and the laminate 60, the etching solution detours around the electrode film 46A before the etching solution reaches the piezoelectric body film 52A.例文帳に追加

そのため、積層基板６１からＳｉ単結晶基板１４を除去する際、エッチング液がポリイミド７２と積層体６０との間に浸入した場合には、そのエッチング液は、圧電体膜５２Ａに到達するまでに電極膜４６Ａを迂回することとなる。 - 特許庁

To obtain a synergistic effect by carrying out an artificial cultivation of a single species of an aquatic plant and a cultivation of aquatic animals in the same nutrient solution.例文帳に追加

水性植物の単一種を人工的に栽培する、及び水性生物の養殖を同じ養液で行なうことで相乗考課を生む。 - 特許庁