「single substrate processing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing system and a method for improving throughput in a multichamber type substrate processing system in which one or more of single-stage or two-stage substrate processing chambers can be mixed.例文帳に追加

１段式又は２段式の１以上の基板処理チャンバが混在し得るマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，スループットを向上させる基板処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Single wafer processing type substrate processing equipment comprises a liquid supply means, a gas supply means, and a drying means.例文帳に追加

枚葉式の基板処理装置は、液体供給手段と、気体供給手段と、乾燥手段とを備える。 - 特許庁

To provide single wafer substrate processing equipment and a method for achieving high efficiency drying when a substrate is processed by single wafer processing while preventing condensation of organic solvent used in dry processing.例文帳に追加

枚葉式で基板を乾燥させる際、乾燥処理に用いる有機溶剤の蒸気の結露を防止しながら高効率な乾燥を実現する枚葉式の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 - 特許庁

To provide a substrate support unit for supporting semiconductor substrates in a single wafer processing system, and to provide a substrate polishing apparatus using the substrate support unit to polish and clean substrates.例文帳に追加

半導体基板を枚葉処理方式に支持する基板支持ユニットと、これを利用して基板を研磨、及び洗浄する基板研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting processing method capable of subjecting a single crystal sapphire substrate to cutting processing of high precision in the direction parallel to a (11-20) plane (a-plane) in the cutting processing of the single crystal sapphire substrate due to a super-abrasive particle wire saw, and a cutting device therefor.例文帳に追加

単結晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工において、（１１−２０）面（ａ面）と平行な方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single-crystal substrate without causing breakage such as a crack in processing.例文帳に追加

加工時に割れ等の破損が生じることがない単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal substrate which has been subjected to a work-affecting layer removal processing under practical conditions, and to provide a method of efficiently manufacturing the silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

実用的な条件によって加工変質層が除去された炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶基板を効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

On the basis of the single batch schedule, the external computer C generates an overall schedule including all the single batch schedules of the first substrate processing apparatus A arranged therein.例文帳に追加

外部コンピュータＣは、単バッチスケジュールとに基づき、第１の基板処理装置Ａの全ての単バッチスケジュールを配置する全体スケジュールを作成する。 - 特許庁

To provide a resist film drying system which can substantially reduce the processing time that is required for a single glass substrate.例文帳に追加

一枚のガラス基板に要する処理時間の短縮が大幅に可能なレジスト膜乾燥システムを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of completing substrate processing in a single processing chamber by absolutely preventing accidental mixing of chemical liquids, even if a combination of a plurality of kinds of chemical liquids to be used for substrate processing may involve danger of accidental mixing.例文帳に追加

基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a relay station which can build up a substrate processing system, which responds to a single-wafer transfer without making a major modification to a substrate processing system which has been conventionally used, and to provide the substrate processing system that uses the relay station.例文帳に追加

従来から使用されている基板処理装置に大幅な改造を施すことなく、枚葉搬送に対応した基板処理システムを構築することのできる中継ステーション及び中継ステーションを用いた基板処理システムを提供する。 - 特許庁

A first photo diode 15, a second photo diode 17, and a signal processing circuit 30 are integrated on a single substrate.例文帳に追加

単一の基板に、第１フォトダイオード１５、第２フォトダイオード１７及び信号処理回路３０が集積されている。 - 特許庁

A control part 35 of a first substrate processing apparatus A generates a single batch schedule for each lot, and transmits all the single batch schedules and resource information to an external computer C.例文帳に追加

第１の基板処理装置Ａの制御部３５が単バッチスケジュールをロットごとに作成し、全ての単バッチスケジュールとリソース情報とを外部コンピュータＣに送信する。 - 特許庁

Hence, by bonding a single crystal to a substrate such as metal, and then deforming and processing it, a lattice constant is changed to control the dimension of the band gap, as a single crystal.例文帳に追加

そこで、単結晶を金属などの基板に接着させて、変形、加工させることで格子定数に変化させ、単結晶をまま、バンドギャップの大きさを制御する。 - 特許庁

To make compact a substrate processing system while reducing the cost by delivering a substrate using a single carrying arm even when a plurality of types of containing section or processing section having different type of substrate holding structure exist.例文帳に追加

基板の保持構造のタイプが異なる複数種類の収納部や処理部が存在する場合であっても、単一の搬送アームで基板の受け渡しを行うことにより、装置構成のコンパクト化と低コスト化を図ることを目的とする。 - 特許庁

As a result, a processing layer produced on the surface at the time of cutting and polishing a single-crystal quartz substrate can be removed.例文帳に追加

これによって、単結晶石英基板を切断・研磨する際に表面に生じた加工層を除去することができる。 - 特許庁

A single-crystal Si substrate 10 subjected to plasma processing for surface activation is bonded to a quartz substrate 20 at low temperature, external impact is given to it, and a silicon film is mechanically peeled from the bulk of a single-crystal silicon, thus obtaining a semiconductor substrate (SOI substrate) with a silicon film (SOI film) 12.例文帳に追加

プラズマ処理して表面活性化させた単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０を低温で貼り合わせ、これに外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルクからシリコン膜を機械的に剥離してシリコン膜（ＳＯＩ膜）１２を備えた半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。 - 特許庁

According to the combined cutting device 1, the single substrate 2 is irradiated with a laser beam by the laser processing means 5 and cut by the dicing means 7, so that the single substrate 2 can be divided into a plurality of pieces.例文帳に追加

複合切断装置１によれば、１つの基板２に対して、レーザ加工手段５によるレーザ光の照射、及びダイシング手段７による切断を実行することにより、１つの基板２を複数片に分割できる。 - 特許庁

A processing block 2 for antireflection film, a processing block 3 for resist film and a developing block 4, each comprising a processing section and a single main carrying mechanism, are juxtaposed in the substrate processing equipment.例文帳に追加

この基板処理装置は、処理部と単一の主搬送機構とを含んでそれぞれが構成されている反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４とを並設してある。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the single-plate piezoelectric substrate of ferroelectrics having a bismuth layer structure as a main crystal structure, the polarization processing of the piezoelectric substrate is implemented in the forward or reverse direction.例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体を主結晶構造とする単板の圧電体基板において、圧電体基板の分極処理を正方向、逆方向に施す。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate, a hydrogen ion implantation layer is formed on the front surface of a first substrate as a single crystal silicon substrate, and surface activation processing is applied to at least any one of the surface of a second substrate as a transparent insulative substrate and the surface of the first substrate and both the substrates are laminated.例文帳に追加

単結晶シリコン基板である第１の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第２の基板の表面及び第１の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing apparatus which achieve an efficient working regulation without the occurrence of any deadlock in a single wafer processor for processing substrates in parallel.例文帳に追加

並列的に基板の処理を行う枚葉装置において、デッドロックを発生させることなく、効率的な運用規制を実現する半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that can fast and evenly process a single crystal AlN substrate without causing damage to its surface.例文帳に追加

単結晶ＡｌＮ基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.例文帳に追加

枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁

The film forming method comprises feeding Co_4(CO)_12 gas as a single material to a processing vessel 1 and thermally cracking Co_4(CO)_12 on a substrate W, thereby depositing the Co film on the substrate W.例文帳に追加

処理容器１内に単一原料として気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_４（ＣＯ）_１２を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a method of forming a particulate pattern by which a particulate pattern can be formed in a single layer with positional selectivity, and to provide a method of processing a substrate.例文帳に追加

微粒子パターンを単層で、かつ位置選択的に形成可能な微粒子パターンの形成方法および基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing system in which a process using copper and a process not using copper can be carried out in parallel using a single system while suppressing the diffusion of copper.例文帳に追加

１台の装置で銅の拡散を抑制して銅使用プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate conveying apparatus and substrate processing apparatus including the same in which the time required for switching collective conveyance of a plurality of substrates and single conveyance of one substrate can be shortened and a configuration can also be simplified.例文帳に追加

複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切換えに要する時間を短縮することができ、構成も簡略化できる基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, when the production performance flag is OFF (108), the standby mode is released (120) for performing repeated trial processing (114), only a new single substrate located at a start position is transported, and a mounting state on the new single substrate is determined again.例文帳に追加

一方、生産実績フラグがオフの場合（１０８）、繰返し試し処理を行わせる（１１４）ため待機モードを解除し（１２０）、始発位置にある新たな単一の基板のみを搬送させこの新たな単一の基板への実装状態を再び判断する。 - 特許庁

A single core bidirectional optical transmission/reception device 4A and a circuit substrate 12A on which a driving circuit of the single core bidirectional optical transmission/reception device 4A and a signal processing circuit are formed are housed in a body case 2.例文帳に追加

一芯双方向光送受信デバイス４Ａと、一芯双方向光送受信デバイス４Ａの駆動回路と信号処理回路とが形成された回路基板１２Ａとが、本体筐体２に収容される。 - 特許庁

The GaN substrate 1 manufacturing method includes a step of processing the surface of a substrate 1 composed of a GaN single crystal into a concaved spherical shape, based on variations in orientations a_0, a_1 of the crystallographic axes x_0, x_1 across the substrate 1 surface.例文帳に追加

ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC single crystal substrate capable of obtaining a (000-1) carbon plane having more excellent surface roughness by reducing processing scratches in polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate and reducing adhering substances on the surface after finish polishing.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面の研磨加工において加工傷を減少させ、かつ仕上げ研磨後の表面付着物を減少させて、より良好な表面粗さをもつ（０００−１）カーボン面を得られるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The production method of a seed crystal to be used for growing a silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method comprises preparing a silicon carbide single crystal substrate as a seed crystal from a silicon carbide single crystal ingot by mechanical processing, and annealing the seed crystal in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。 - 特許庁

This is conducted in all the substrate processing apparatuses 2a, 2b, ..., through network 5 in a plant to display together the clogged filters 81, 82 on a single display 95.例文帳に追加

工場内ネットワーク５を通じて全ての基板処理装置２ａ，２ｂ…について実施し、目詰まりしているフィルター８１，８２を単一のディスプレイ装置９５に一括して表示する。 - 特許庁

A support 40 is directly formed on the rear surface 13 of the piezoelectric single crystal substrate and the sacrificial layer 30 by not using a junction processing but using sputter etc.例文帳に追加

圧電単結晶基板の裏面１３上及び犠牲層３０上に接合処理を用いることなく、スパッタ等を用いて直接的に支持体４０を形成する。 - 特許庁

An array of DPC's of the present invention can be formed on a single substrate and used in an optical network, for example, a WDM system whereby plural light signals travelling through a single optical fiber are demultiplexed for processing.例文帳に追加

本発明によるＤＰＣのアレイはシングルの基板に形成可能であり、ＷＤＭシステムのような光ネットワークで使用可能であり、それにより１つの光ファイバを伝搬する複数の光信号が処理用に分離される。 - 特許庁

To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-reflectance processing method of a silicon substrate for solar cells and a silicon substrate for solar cells capable of reducing the reflective index by stably forming fine unevenness on the surface of the silicon substrate of a single crystal or polycrystal used for solar cells.例文帳に追加

太陽電池に使用する単結晶又は多結晶のシリコン基板の表面に微細な凹凸を安定して形成して反射率を低減することが可能な太陽電池用シリコン基板の低反射率加工方法及び太陽電池用シリコン基板を提供する。 - 特許庁

In the manufacture of the piezoelectric thin-film filter 1, although removal processing is performed to a piezoelectric substrate capable of carrying own weight by itself for obtaining a piezoelectric thin film 111, the substrate of the same kind of single-crystal material is adopted as a base substrate 13 and the piezoelectric substrate for allowing the thermal coefficient of expansion of the piezoelectric thin film 111 to coincide with that of the base substrate 13.例文帳に追加

圧電薄膜フィルタ１の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１１１を得ているが、ベース基板１３及び圧電体基板として同種の単結晶材料の基板を採用し、圧電体薄膜１１１及びベース基板１３で熱膨張率を一致させている。 - 特許庁

To replace a stamper more easily and rapidly, to provide a substrate having a processing mark improved in thickness, flatness, inner and outer diameters and eccentiricity and a final data memory article and to facilitate the production of a single substrate double-side disk.例文帳に追加

より容易でより速いスタンパ交換を提供し、厚さ、平坦さ、内外径および同心性等の改良された処理印を有する基板および最終データ格納物品を提供し、単一基板両面ディスクの製造を容易にする。 - 特許庁

In this manufacturing method, after washing a piezoelectric single crystal wafer for the surface acoustic wave substrate with weak acid liquid whose pH is in the range of 4.0-6.5, it is cleaned with pure water whose pH is in the range of 6.0-8.0 (pre-processing process).例文帳に追加

弾性表面波基板用圧電単結晶ウェーハをｐＨが 4.0〜 6.5の範囲の微弱酸液で洗浄した後、ｐＨが 6.0〜 8.0の範囲の純水で洗浄する（前処理工程）。 - 特許庁

To equalize heating temperature in the peripheral direction of a substrate to be processed, and effect uniform processing for the substrate to be processed by a method wherein, in a single wafer heater, a container housing to be processed is made to have the same degree of insertion port of the substrate as the inner peripheral face, excluding it in the degree of heat absorption.例文帳に追加

枚葉式の加熱装置において、被処理基板を収納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周面との熱吸収度を同程度にすることによって、被処理基板の周方向での加熱温度を等しくし、被処理基板に対して均一な処理を行うこと。 - 特許庁