「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gate device formed in a simple low-cost support structure with a small number of parts by dispensing with a hinge member of a door (gate) body (a hingeless gate).例文帳に追加

扉体（ゲート）のヒンジ部材を不要にして（ヒンジレスゲート）、部品点数が少なく、簡単でコスト安な支持構造としたゲート装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device, capable of obtaining a gate oxide film with small leak current and high reliability, while holding an effective gate oxide film thickness to 40 Angstroms or less.例文帳に追加

本発明は、４０Å以下の有効ゲート酸化膜厚を確保しながら、低リーク電流及び高信頼性のゲート酸化膜が得られる半導体素子のゲート酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulation film wherein its reaction on the gate electrode of the device is suppressed, and any impurity diffusion performed from the gate electrode to it can be suppressed, and further, its film thickness calculated in terms of a silicon oxide film is made small.例文帳に追加

ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that a resistance of wiring in a gate electrode is small and a resistance of contact between the gate electrode and a shared contact plug is small.例文帳に追加

ゲート電極における配線抵抗が小さく且つゲート電極とシェアードコンタクトプラグとのコンタクト抵抗が小さい半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Since the gate of the series MOS transistor 34 is small, only a very small variation in gate charge is sufficient to control the conductance of the series transistor 34 during the standby mode.例文帳に追加

この直列接続ＭＯＳトランジスタ３４のゲートは小さいので、待機モードにおける直列接続トランジスタ３４のコンダクタンスの制御のためのゲート電荷変動はごく小さくて十分である。 - 特許庁

The first to fourth control gate drivers CGDRV0-3 set potentials of the first and the second control gate in corresponding one small block 215 independently of the other small blocks 215.例文帳に追加

第１〜第４のコントロールゲートドライバＣＧＤＲＶ０〜３は、対応する一つのスモールブロック215内の第１，第２のコントロールゲートの電位を、他のスモールブロック215とは独立して設定する。 - 特許庁

To provide a double-stage semaphore type crossing gate for railway which has a small area of projection installation, has crossing rod hardly wobbling, and suppresses the burden of construction with the small number of components without requiring transfer in changing from an existing single-stage crossing gate.例文帳に追加

２段腕木式の踏切しゃ断機において投影設置面積が小さく、しゃ断かんがふらつき難く、既設の１段式から変更する場合にも交換部品が少なくて移設も伴わずに工事負担を小さく抑える。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor which outputs a signal having a small distortion relative to an input signal of large amplitude, and has a small gate leakage current at the time of application of a control signal with a large absolute value to a gate electrode.例文帳に追加

大きな振幅の入力信号に対して歪みの小さい出力信号が得られ、大きな絶対値の制御信号をゲート電極に印加した場合のゲートリーク電流の小さい、高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, the thickness of the clear gate insulation layer CGO is small, so that a low voltage applied to the clear gate electrode CG can control the movement of a carrier, and independently control the movement of the carrier even if the modulation gate electrode MG and the clear gate electrode CG are integrated.例文帳に追加

クリアゲート絶縁層ＣＧＯの層厚が薄いため、小さなクリアゲート電極ＣＧへの印加電圧でキャリアの移動が制御可能となり、変調ゲート電極ＭＧとクリアゲート電極ＣＧとを一体化しても独立にキャリアの移動を制御することが可能となる。 - 特許庁

To reduce the gate leakage current in three kinds of MOS transistors having their respective gate oxide films of a small, medium and large thicknesses formed on the same semiconductor substrate, by preventing the deterioration of the gate oxide films with holding high the accelerated oxidation effect of the medium-thickness gate oxide film.例文帳に追加

それぞれ小膜厚、中膜厚及び大膜厚のゲート酸化膜を有する３種類のＭＯＳ型トランジスタを同一半導体基板に形成する場合、中膜厚のゲート酸化膜の増速酸化効果を高く保ちつつゲート酸化膜の劣化を防止して、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device which has small electrostatic capacity and small feedback capacity of a gate electrode, a relatively fast switching speed, and relatively small ON resistance.例文帳に追加

ゲート電極の静電容量および帰還容量が小さくスイッチング速度が比較的速くかつON抵抗が比較的低いパワー半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sluice gate in which a door body can be opened and closed easily by a small-sized manual open-closed mechanism or a small-sized automatic open-close mechanism with a prime mover having small capacity.例文帳に追加

小型の手動開閉機構あるいは小容量の原動機（モータ）を備えた小型の自動開閉機構によって容易に扉体を開閉することができる制水扉を提供する。 - 特許庁

To provide a tilting type gate valve which can provide a sufficient pressing pressure (thrust force) and an excellent sealing property in closing a gate opening part by tilting a valve plate, of which a drive mechanism for tilting the valve plate is simple and small, which requires a small installation space of the driving mechanism, and is small as an entire gate valve.例文帳に追加

弁板を傾動させて、ゲート開口部を閉止する際に、押し付け圧力（推力）が十分で、優れたシール性を有するとともに、弁板を傾動するための駆動機構が簡単な機構でコンパクトであって、駆動機構の設置スペースが小さく、ゲート弁全体としてもコンパクトな傾動型ゲート弁を提供する。 - 特許庁

In 1895 the Heian-Jingu Shrine was built, restoration was done on the facilities like; Daigoku-den building, Oten-mon Gate and Daidairi Chodoin (a large main hall of Daidairi) in small scale than original ones inside the Palace. 例文帳に追加

1895年（明治28年）には平安神宮が建立され、内部に大極殿、応天門など大内裏朝堂院の施設が縮尺復元された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The fierce fighting resumed, and Tametomo, whose force was very small, briefly pulled his soldiers back inside the gate, but Yoshitomo's forces only continued to press their attack. 例文帳に追加

再び乱戦になり、無勢の為朝はいったん門内に兵を引くが、義朝勢は追撃にかかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

However, it is likely that only a small part of Rajo attached to Rajo-mon Gate was actually constructed. 例文帳に追加

ただし、実際には羅城は羅城門に接続するごく一部しか築かれなかったのではないかとする説が有力である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Three members of Counselor rank, Kuranosuke OISHI (spear), Mototoki HARA (spear) and Masaaki MASE (small-sized bow) took up positions at the front gate and commanded the party. 例文帳に追加

そして表門には大石内蔵助（槍）、原元辰（槍）、間瀬正明（半弓）という参謀格の3士が陣取り、表門隊の指揮をとった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In Dazai-fu, koaza (small administrative unit [of a village]) representing geographical names such as `Shishinden' (hall for state ceremonies), `dairi' (Imperial Palace), `Suzaku-mon Gate' still remained, showing that `the place for the emperor' was in Dazai-fu. 例文帳に追加

太宰府には「紫宸殿」「内裏」「朱雀門」といった地名小字（あざ）が遺存し、太宰府に「天子の居処」のあったことをうかがわせる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Most gates have a double structure and a small semispherical enclosure in front of the gate to drive away the enemy. 例文帳に追加

城門はその多くが二重構造となっており、城門の手前に敵を食い止める目的で半円形の小郭が設けられていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To improve breakdown voltage of an insulating film while suppressing electrostatic capacity between a cathode electrode and a gate electrode as small as possible.例文帳に追加

カソード電極とゲート電極間の静電容量を極力小さく抑えつつ、絶縁膜の絶縁耐圧を向上させる。 - 特許庁

Thus, even if the number of the level of the respective voltages is small, various voltages VM are generated at the floating gate FG.例文帳に追加

したがって、個々の電圧のレベル数が少なくてもフローティングゲートＦＧに多様な電圧Ｖ_Mを生じさせることができる。 - 特許庁

To provide a jet flow gate of an underwater discharge type constituted into a small size at low cost.例文帳に追加

水中放流式であっても小型且つ低コストに構成することのできるジェットフローゲートを提供する。 - 特許庁

The projection range of impurities in ion implantation of the mask material 1 is small when compared to that of the gate electrode 4 and the layer insulation film 7.例文帳に追加

注入マスク材１は、ゲート電極４および層間絶縁膜７と比較してイオン注入における不純物の投影飛程が小さい。 - 特許庁

Then, an AC voltage is applied to the injection gate electrode 16, and a small number of carriers are intermittently injected to an n-drift layer 2.例文帳に追加

その注入ゲート電極１６に交流電圧を印加し、ｎ^− ドリフト層２に断続的に少数キャリアを注入する。 - 特許庁

In this design, the channel 14 is made narrower on the drain side by using but small energy, and this enhances the blocking effect of the gate.例文帳に追加

これにより、低いエネルギーでもドレイン側のチャネル１４の幅を狭くでき、ゲートのブロッキング効果を高めることができる。 - 特許庁

To realize the more micronizing of a semiconductor device having a field effect transistor by improving film quality of gate insulation of small film thickness.例文帳に追加

膜厚の小さなゲート絶縁の膜質を改善することによって、電界効果型トランジスタを有する半導体装置のさらなる微細化を実現する。 - 特許庁

To provide an electron beam apparatus of which the electron emission efficiency is high and in which the capacitance between a gate and a cathode is small.例文帳に追加

電子放出効率が高く、同時にゲートとカソード間の静電容量の小さな電子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming a gate electrode with a small number of processes.例文帳に追加

ゲート電極を少ない工程数で形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the side wall spacer 106 is formed so as to be small in a region pinched by the gate electrode 104.例文帳に追加

このとき、サイドウォールスペーサ１０６は、ゲート電極１０４に挟まれた領域において小さく形成されている。 - 特許庁

The valve casing 12 is formed on an ultrahard material and composed of a small diameter part 13 having the gate 14 and a valve casing body 31.例文帳に追加

バルブケーシング12は、超硬材により形成されゲート14を有する小径部13と、バルブケーシング本体31とからなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus having small variation in gate electrode shape between a p-MOS transistor and an n-MIS transistor.例文帳に追加

ｐ−ＭＩＳトランジスタとｎ−ＭＩＳトランジスタとのゲート電極形状のばらつきが少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, power consumption is small, even when an MOS field-effect transistor is used under conditions with a gate voltage being relatively high.例文帳に追加

この結果、ゲート電圧が比較的高い条件下でＭＯＳ電界効果トランジスタを使用しても、消費電力を低くすることができる。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device having normally-off characteristics having a small on-state resistance and a gate leakage current and reduced dispersion of characteristics.例文帳に追加

オン抵抗及びゲートリーク電流の小さいノーマリオフ特性を有し、且つ特性のばらつきが少ない電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gate capable of performing a certain water level operation having a small fluctuation in water level by obtaining a sufficiently large buoyancy without increasing the size of a float.例文帳に追加

フロートを大きくせずに十分に大きな浮力を得ることができ、水位変動の小さい水位の一定操作が可能とする。 - 特許庁

To propose a manufacturing method and a polishing method of a semiconductor device having small variations in the height of a gate electrode in a substrate surface.例文帳に追加

基板面内でゲート電極高さのばらつきが小さい半導体装置の製造方法および研磨方法を提案する。 - 特許庁

To provide a normally off type nitride semiconductor field effect transistor small in a gate leakage current.例文帳に追加

ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect semiconductor device with normally-OFF characteristics, which has a small gate leakage current and is easy to form.例文帳に追加

ゲートリーク電流が小さく、形成が容易なノーマリオフ特性を有するヘテロ接合型電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent straying intrusion of a creature living in water without supplementing small dust passing through a pump without damaging it in a pump gate.例文帳に追加

ポンプゲートにおいて、ポンプを損傷せずに通過し得る程度の小さな塵芥を補足することなく、水棲生物の迷入を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes not only a gate electrode whose depletion effect is suppressed but also sufficient driving capability with small variation in characteristics.例文帳に追加

空乏化が抑制されたゲート電極を備え、特性のばらつきが小さく十分な駆動能力を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a normally-off type heterostructure field effect transistor of small contact resistance and less gate leakage current.例文帳に追加

コンタクト抵抗が小さくかつゲートリーク電流の少ないノーマリオフ型のヘテロ構造電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can make a gate resistance and an on-state resistance small and can reduce a chip size.例文帳に追加

ゲート抵抗及びオン抵抗が小さく、チップサイズも小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor wherein a breakdown voltage is high, a threshold voltage is stable and a transition current for a gate electrode is small.例文帳に追加

ブレイクダウン電圧が高く、閾値電圧が安定で、かつゲート電極についての遷移電流が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

Thus, an insulation gate field effect transistor functioning as a switching element with extremely small off current can be provided.例文帳に追加

さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

Such a structure is obtained whereby the normally off type nitride semiconductor field effect transistor, whose gate leakage current is small, can be manufactured.例文帳に追加

このような構造にすることにより、ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを作製できる。 - 特許庁

A gate insulating film in which a small amount of stationary charge resides is formed of material whose permittivity is higher than that of a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料で、固定電荷が少ないゲート絶縁膜を備える。 - 特許庁