「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve circuit simulation accuracy by extracting parasitic capacitance (overlapping capacitance value) of overlapped portions of a gate electrode and source/drain regions of a MOS transistor by using a small-area test pattern and precision is improved.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極とソース／ドレイン領域の重なり部分の寄生容量（オーバーラップ容量値）を小面積のテストパターンにより高精度に抽出して回路シミュレーション精度を向上する。 - 特許庁

When the parasitic capacitor Cgd generated between the gate and drain of the driving transistor 32 increases, a feedthrough voltage drop is made small.例文帳に追加

駆動用トランジスタ３２のゲート‐ドレイン間に発生する寄生容量Ｃｇｄが大となると、フィールドスルー電圧降下量を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor device in which a parasitic resistance of a gate electrode is sufficiently small and high-frequency characteristics are excellent.例文帳に追加

ゲート電極の寄生抵抗の十分に小さく、高周波特性の良好な化合物半導体装置の製造方法を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The MOS transistor, with the threshold voltage whose absolute value is small between the MOS transistors with two types of thresholds further, has a characteristic that a subthreshold current is made to flow, when voltage between the gate and the source is set to 0 V.例文帳に追加

更に、前記２種類のしきい値のＭＯＳトランジスタのうち絶対値の小さなしきい値電圧のＭＯＳトランジスタはゲート・ソース間電圧を０Ｖとしたときにサブスレショルド電流の流れる特性を持つものとする。 - 特許庁

Resistance between a first electrode 2 and a second electrode 14 when applying an on-state voltage to a gate electrode 8 is made large at a central portion A1 and small at its periphery A2, respectively, when a semiconductor device 10 is viewed from its top.例文帳に追加

ゲート電極８にオン電圧を印加したときの第１電極２と第２電極１４の間の抵抗を、半導体装置１０を平面視したときの中心部分Ａ１で大きく、周囲部分Ａ２で小さくする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that is provided with a gate insulation film using an SiON base insulation film with small EOT and superior boundary characteristic.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく且つ良好な界面特性を持つＳｉＯＮベース絶縁膜を用いたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly the width in the shifting direction of the gate plate 11 and its selecting direction can be made smaller than conventional, and as a result, it is possible to construct small the whole shift lever device.例文帳に追加

従って、従来に比べてゲートプレート１１のシフト方向の幅およびセレクト方向の幅を狭くすることができ、結果として、シフトレバー装置全体の小型化を図ることができる。 - 特許庁

Since the voltage setting is once applied to a word line having a large time constant and the level-varying read voltage is applied to the gate of the transistor N1 having a small time constant, the read can be speeded up.例文帳に追加

時定数の大きいワード線に一回のみ電圧の設定を行い、時定数の小さいトランジスタＮ１のゲートにレベルが変化する読み出し電圧を印加するので、読み出しの高速化が図れる。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device producing a small amount of particles and to secure high yield in producing a gate insulating film of a polysilicon thin film transistor.例文帳に追加

パーティクル発生の少ないプラズマＣＶＤ装置を提供し、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いても歩留まりの高い生産性を確保することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having small contact resistance between a source electrode and a source region regarding a method of manufacturing a trench gate type semiconductor device having a trench contact structure.例文帳に追加

トレンチコンタクト構造を有するトレンチゲート型半導体装置の製造方法において、ソース電極とソース領域とのコンタクト抵抗が小さい半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Side walls 32a of, for example, 38 nm in width are disposed on both sides of a gate electrode 29a of a transistor A having a small source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域が小さいトランジスタＡのゲート電極２９ａの両側には例えば幅が３８ｎｍのサイドウォール３２ａを配置する。 - 特許庁

To provide a normally-off type nitride semiconductor device with a small gate leakage current that is promising as a high-output high-frequency device semiconductor and is for practical use of a high electron mobility transistor (HEMT).例文帳に追加

高出力の高周波デバイス半導体として有望であり、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の実用化のため、ゲートリーク電流の少ないノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: upon performing a low grayscale display with a minute current supplied to a light-emitting element, variations in threshold voltages become notable since a gate-source voltage of a driving transistor is small.例文帳に追加

発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a method of manufacturing the same, capable of forming a small-diameter via hole, even when a side spacer is formed to a ring gate.例文帳に追加

リングゲートにサイドスペーサが形成されている場合においても小径のビアホールを形成可能とする半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: an insulated gate bipolar transistor having a simple lifetime control structure, small in tail loss, and capable of fast switching; and a method for designing the same.例文帳に追加

簡単なライフタイム制御構造を有してなり、テイル損失が小さく高速のスイッチングが可能な絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその設計方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a highly reliable compound semiconductor device having a stable threshold with a small variation and achieving a sufficient high breakdown voltage even when a gate recess structure is introduced to enable a normally-off operation.例文帳に追加

ゲートリセス構造を採用してノーマリーオフ動作を可能とするも、バラツキの小さい安定した閾値を有し、十分な高耐圧を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a bit conversion circuit, transfer unit, communication system, bit conversion method and program which implement a conversion table of bit conversion in a small gate scale.例文帳に追加

ビット変換の変換テーブルを小さいゲート規模で実装したビット変換回路、転送ユニット、通信システム、ビット変換方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

Thereby, a drain contact part is distant from a heating part A of a region REgd2 between the gate and the drain that is low in withstand voltage and is formed into a structure having a small area (or without expanding).例文帳に追加

このため、耐圧が低いゲート・ドレイン間領域ＲＥｇｄ２の加熱部分Ａからドレインコンタクト部が遠いが、面積は小さく（または拡大しない）構造となっている。 - 特許庁

To provide a vehicle wheel manufactured with use of a casting method of a side gate system, having a small dispersion in rim strength in the circumferential direction and an excellent strength balance of the whole in the circumferential direction.例文帳に追加

サイドゲート方式の鋳造法を用いて製造された車両用ホイールであって、リム部の周方向における強度のバラツキが少なく、周方向全体の強度バランスに優れたものを提供する。 - 特許庁

To provide a tail gate capable of conventional delivery at low cost, capable of small-lot delivery, and capable of delivery to a wheel barrow, in cargo backward delivery of a dump truck.例文帳に追加

ダンプカーの積荷後方排出において、低コストで従来通りの排出もできて小分け排出や一輪車にも排出できるようなテールゲート提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device wherein a gate insulating film for which EOT is small and the increase of interface level density is suppressed is provided and a leakage current is suppressed even when miniaturized, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paper sheet separating and discharging device capable of smoothly discharging the paper sheet by preventing the sheets from being bent between gate rollers and a pressing plate in discharging the sheet from a small number of remaining sheets on an accommodating part.例文帳に追加

収納部の残り枚数が少なくなった紙葉類の排出時に紙葉類がゲートローラと押え板との間で折曲する現象が発生するのを防ぎ、円滑な排出を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating nanodots at low temperature through a small number of processes, to provide a floating gate transistor having the nanodots, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。 - 特許庁

At the time, when the number of the start winning storage and the number of the gate passing storage are small, the long special pattern variation time is selected and the short normal pattern variation time is selected.例文帳に追加

このとき、始動入賞記憶数とゲート通過記憶数が少ないときは、長い特別図柄の変動時間が選択されるとともに、短い普通図柄の変動時間が選択される。 - 特許庁

Also, LDD 717 to 720, which do not overlap on the gate wiring, are arranged on an n-channel type TFT 804 where an image part is formed, and a TFT structure, having a small OFF current value is realized.例文帳に追加

また、画素部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ８０４にはゲート配線に重ならないＬＤＤ領域７１７〜７２０が配置され、オフ電流値の小さいＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

To provide a pump gate capable of carrying out a low water level discharge, having a small head loss, simplifying its structure, planning its lightweight and compact design and easily easing impact when a flap valve is closed.例文帳に追加

低水位排水が可能で、損失水頭が小さく、構造も簡単で小型・軽量化が図れ、フラップ弁閉鎖時の衝撃を容易に低減できるポンプゲートを提供すること。 - 特許庁

Subsequently, the gate controller acquires the ID of the tag of the user A making an entry into the small area 108, collates it with the determined ID list, and transmits unlocking instructions to the door 6 when the ID and the determined ID list agree with each other.例文帳に追加

続いてゲートコントローラは、小エリア１０８内に進入したユーザーＡのタグのＩＤを取得し、判定済ＩＤリストと照合し、一致すれば解錠指示を扉６へと送る。 - 特許庁

The voltage gain of the source follower circuit which receives the input signal is ≤1, so that gain of the gate voltage of the 2nd transistor to the input signal can be made small.例文帳に追加

入力信号を受けるソースフォロワー回路の電圧利得は、１以下になるため、入力信号に対する第２トランジスタのゲート電圧の利得を小さくできる。 - 特許庁

To enable a transistor equipped with a groove-embedded gate electrode to be reduced in size, to decrease the curvature of the bottom corner of a groove, and to make a sub-threshold coefficient small.例文帳に追加

溝埋め込み型のゲート電極を有するトランジスタを小型化し、溝の底部のコーナー部分の曲率を小さくしつつ、サブスレッショルド係数を小さく抑える。 - 特許庁

By using a single layer (22) as the charge trapping gate dielectric, a simple and inexpensive solution is presented that permits device scaling to very small dimensions, together with the ease of device fabrication processes.例文帳に追加

電荷トラッピングゲート電極として単層（２２）を用いることにより、本発明は、装置の容易な製造プロセスを提供するとともに、装置が極小寸法にスケーリングすることを可能にする単純で安価な解決策を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor wherein operational efficiency and speed can be increased by applying a gate voltage efficiently to make the capacitance component small.例文帳に追加

ゲート電圧を効率的に印加し、キャパシタンス成分を小さくすることにより、高効率化、高速化を図ることが可能な電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

When a failure occurs on each substrate 10, 20, 30, a control circuit (a CPU 11, an FPGA (Field Programmable Gate Array) 13, a BMC (Baseboard Management Controller) 21, an SFP (Small Form-Factor Pluggable) 31, a PXH 32) on each substrate detects the failure, and stores it in an NVRAM 22.例文帳に追加

各基板１０，２０，３０で障害が発生すると、各基板上の制御回路（ＣＰＵ１１，ＦＰＧＡ１３，ＢＭＣ２１，ＳＦＰ３１，ＰＸＨ３２）が、その障害を検出し、ＮＶＲＡＭ２２に記憶する。 - 特許庁

To provide a one dimensional discrete-time dynamical system circuit using a nonlinear resistance circuit comprising a floating gate MOSFETS, which has a simple circuit configuration and is small-sized and has a high speed and has variable characteristics.例文帳に追加

簡単な回路構成で、小型かつ高速、さらに特性の可変な、フローティングゲートＭＯＳＦＥＴによる非線形抵抗回路を用いた一次元離散時間力学系回路を提供する。 - 特許庁

Since the elastic modulus of the inside part 30B is small, the inside part 30B is easily elastically deformed by back pressure, and prevents a deficit of the gate rotor 3 by improving yield strength to the back pressure.例文帳に追加

上記内側部分３０Ｂの弾性係数は、小さいので、この内側部分３０Ｂは、逆圧により、弾性変形し易く、逆圧への耐力向上によりゲートロータ３の欠損を防止する。 - 特許庁

Consequently, the second gate insulating film is left nearby the device isolation insulating film in the first active region and in the entire second active region, so a divot is not formed or formed in a small size even when formed.例文帳に追加

これにより、第１の活性領域の素子分離絶縁膜近傍、並びに第２の活性領域の全体では、この第２のゲート絶縁膜が残っているため、ディボットが生じることがないか、生じたとしてもサイズが小さくなるのである。 - 特許庁

To provide a variable delay circuit that can conduct a function test of a selector even when a delay by a logic gate is small without increasing number of components of the circuit.例文帳に追加

使用素子数を増大させることなく、論理ゲートの遅延が小さい場合でもセレクタの機能試験が行えるようにした可変遅延回路を提供する。 - 特許庁

To provide a sand sedimentation removing device which efficiently removes a sand sedimentation in a sluiceway lower section or the like by a small-sized facility enabling a man-power transport without using a large-sized permanent facility used for a sluice gate or the like.例文帳に追加

本発明は樋門下部等の堆砂を、水門等に用いられる大型の常設設備を用いることなく人力運搬が可能な小型の設備によって効率良く除去できる堆砂除去装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an opening and closing device having an insertion detection mechanism for surely performing the insertion detection of an foreign matter even if there is a structure with a corner having a small radius of curvature in the outer circumferential edge of a mobile body or the inner circumferential edge of a gate.例文帳に追加

移動体の外周縁やゲートの内周縁に曲率半径が小さな角部を存在する構造であっても、確実に異物の挟み込み検出を行なえる挟み込み検出機構を有する開閉装置を得る。 - 特許庁

In particular, when a standard cell is used, a gap space is used and a basic cell which is not used in a gate array is used to control a change in the whole layout to be a small partial change.例文帳に追加

特に、スタンダードセルを使う場合では隙間のスペースを使用し、ゲートアレイでは利用されなかった基本セルを使用し、全体のレイアウトの変更を僅かな部分変更で済ませる。 - 特許庁

A small-sized hopper for feeing fertilizer having a take-up device by a screw is attached to the rear of a highset machine obtained by connecting two traveling devices by a gate-type frame and a plow for tillage is attached behind left and right traveling devices to constitute the traveling type tea garden machine.例文帳に追加

２本の走行装置を門型枠でつないだ高床式の機体の後部にスクリューによる取出装置のついた小型の肥料供給用ホッパーと、左右走行装置の後に耕起用の犂を取付ける。 - 特許庁

To provide a thin key top whose heat resistance, gate cutting performance and moldability are satisfactory by adopting on/in-mold formation, whose specific gravity is small, whose rigidity is high, and whose thickness is thin.例文帳に追加

インモールド成形するので耐熱性、ゲート切れ性、及び成形性が良く、 比重が軽く、 剛性が高く、 更に小さく薄肉である、 〜 を備えた薄肉のキートップを提供すること。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁

To provide an apparatus for preventing after-dripping without requiring a special driving unit, and having a simple configuration, economically small loads and also easy maintenance in a concrete hopper gate.例文帳に追加

コンクリートホッパゲートにおいて、特別の駆動装置を必要せずに、簡単な構成で経済的にも負担が少なく、保守も容易であるという後垂れを防止する後垂れ防止装置を提供する。 - 特許庁

Small-scaled wiring and piping work can be realized in low cost by wiring the electric system of a water gate control room 7 to be installed in the upper direction of the composite water level sensor 30 of the door body 4 and the door body 4.例文帳に追加

扉体４の複合水位センサ３０と扉体４の上方に設置される水門管理室７の電気系を配線することで、小規模な配線や配管工事を低コストで実現できる。 - 特許庁

Since the gate and the source of the transistor Nt 13 are connected together, the leak current flowing from the reference power supply VD0 to the low level power supply VSS is very small.例文帳に追加

トランジスタＮｔ１３は、ゲートとソースとが互いに接続されているため、基準電源ＶＤ０から低電位電源ＶＳＳに流れるリーク電流が極めて少なくなる。 - 特許庁