「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode G2 of a peripheral second nMIS (Q2) is formed not to be higher than the selective gate electrode CG of the selection nMIS, so that the width of a sidewall SW3 formed on a side face of the gate electrode G2 is made small so as not to fill the inside of a shared contact hole C2.例文帳に追加

また、周辺用第２ｎＭＩＳ（Ｑ２）のゲート電極Ｇ２の高さを選択用ｎＭＩＳの選択ゲート電極ＣＧの高さ以下とすることにより、ゲート電極Ｇ２の側面に形成されるサイドウォールＳＷ３の幅を小さくして、シェアードコンタクトホールＣ２の内部がサイドウォールＳＷ３により埋め込まれるのを防ぐ。 - 特許庁

For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth.例文帳に追加

例えば、Ｖapc に対する制御端子に供給されるゲート電圧Ｖg の変化を、ゲート電圧Ｖg が各ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖthより低い領域では大きく、Ｖth近傍では小さく、更にＶth近傍からＶapc 電圧の高い領域では、所望の特性が得られるゲート電圧になるように設定するゲートバイアス回路が設けられている。 - 特許庁

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment.例文帳に追加

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This frequency conversion circuit 143 for receiving a signal and a local oscillation signal and generating an intermediate frequency signal subjected to frequency conversion is provided with the dual gate FET 143a as a frequency mixing element, wherein the first gate G1 for a small signal input receives the local oscillation signal and the second gate G2 for a large signal input receives the received signal.例文帳に追加

受信信号と局部発振信号とを受けて、周波数変換された中間周波数信号を生成する周波数変換回路１４３であって、小信号入力用の第１ゲートＧ１に局部発振信号が入力され、大信号入力用の第２ゲートＧ２に受信信号が入力されるデュアルゲートＦＥＴ１４３ａを周波数混合素子として備える、ことを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, even when the resistance of the substrate main body for improving characteristics of the high-frequency silicon power MIS is made small, an influence of a defect etc., generated owing to stress generated at the end 8a of the p^+-type buried layer 8 on a leakage current of the gate protective diode GD1 becomes small.例文帳に追加

これにより、高周波シリコンパワーＭＩＳの特性向上のために基板本体の抵抗を低くしても、ｐ^＋型埋め込み層８の端部８ａにおいて発生した応力により誘発される欠陥等のゲート保護ダイオードＧＤ１のリーク電流に与える影響が小さくなる。 - 特許庁

A small square dummy pattern in a lower layer and a small square dummy pattern Ds2 in the higher layer are disposed over a wide region of space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

The split mold 10 has a small recess 2 having a gate opening 20 facing a molding cavity 12, a large recess 3 which has an entrance opening 32 and communicates with the small recess 2, and a seating surface 4 formed in the centrifugal direction to the shaft core P1 of the large recess 3.例文帳に追加

分割型１０は、成形キャビティ１２に対面するゲート開口２０をもつ小凹部２と、進入開口３２をもち且つ小凹部２に連通する大凹部３と、大凹部３の軸芯Ｐ１に対して遠心方向に沿って延設された着座面４と有する。 - 特許庁

A special game determination part 501 performs a winning determination where the winning ratio of a small win is increased as compared with the winning ratio of a direct-hit large win without going through a small win to a game ball (start ball) entering a start pocket in a short-time gate state.例文帳に追加

特別遊技判定部５０１は、時短遊技状態において始動口へ進入した遊技球（以下「始動球」という）に対して、小当たりを経由しない直撃大当たりの当選割合よりも小当たりの当選割合を高くした当たり判定をおこなう。 - 特許庁

To provide an integrated small-size and high-performance drive circuit by enhancing a current drive capability of an element at an output stage of the drive circuit of a semiconductor insulated gate type switching element for power conversion to reduce the circuit size, and a small-size and high-performance power converter using the drive circuit.例文帳に追加

電力変換用の半導体絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路の出力段の素子の電流駆動能力を高め小型化することで、駆動回路を集積化したより小型で高性能な駆動回路と、さらにこれを用いることでより小型で高性能な電力変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flap gate wherein a door body is rocked even if water pressure difference between inside and outside is small and the door body is forcibly opened or closed at a small turning angle of a torque arm and excellent water tightness is obtained when closing an opening end by the door body.例文帳に追加

内外水圧差が小さくても扉体が揺動し、トルクアームの少ない回転角で扉体の強制的開閉可能な状態に移行し得るとともに扉体による開口端閉鎖時の水密性が良好なフラップゲートを提供する。 - 特許庁

Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

Especially, when the OPB level difference is comparatively small in a case wherein the same condition is set independent of the regions, an adjustment sensitivity is required to be made small, so that it is better that an effective pixel and an OPB pixel are set different from each other in edge position under a transfer gate 34G.例文帳に追加

特に、領域の区別なく同一条件とした場合のＯＰＢ段差が比較的小さい場合には調整感度を小さくする必要があるので、転送ゲート３４Ｇ下でのエッジ位置を有効画素とＯＰＢ画素とで異なるものとするのがよい。 - 特許庁

The gate voltage of the transistor Q1 is increased or the bias of the transistor Q1 is deepened by continuation of charging; and although the current starts to run to the transistor Q1, the current carried to the transistor Q1 at this time is small, and the current to the load 2 is thus also small.例文帳に追加

そして、充電継続により、トランジスタＱ１のゲート電圧が大きくつまりトランジスタＱ１のバイアスは深くなり、トランジスタＱ１に電流が流れ始めるが、そのときにトランジスタＱ１に流せられる電流は小さく、よって、負荷２への電流も小さい。 - 特許庁

Because the road that passed by this eastern demaru (small castle or tower built onto and projecting from a larger castle) was the main road, it is though that an otemon (main gate) once stood in the vicinity of this compound. 例文帳に追加

この東の出丸の側面に通っている道が表通であったため、この曲輪の周辺に大手門があったのではないかと思われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Castles were called 'Negoya' (small-scale castle town), 'mansion (yakata/tachi/tate),' or 'house' in some regions, and were surrounded with walls and had turrets at the gate, practically functioning as castles. 例文帳に追加

地域によって「根小屋」「館（やかた／たち／たて）」「屋形（やかた）」などと呼ばれ、周囲に堀を巡らし、門に櫓を配置するなど、実質的に城としての機能を備えていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To accurately transmit gate signals without shifting a waveform by using a small number of cables from a control circuit part to a main circuit part and to prevent degradation of control performance as a power converter.例文帳に追加

制御回路部から主回路部へ少ない数のケーブルを用いて、波形をずらすことなくゲート信号を正確に伝送し、電力変換器としての制御性能を劣化を防ぐ。 - 特許庁

Since a parasitic capacitance value C_gs generated while the drain electrode is overlapped with the gate electrode becomes small, flicker does not occur.例文帳に追加

このようにすれば、上記ドレーン電極とゲート電極が重なりながら発生する寄生キャパシタンス値Ｃ_gsが小さくなるのでフリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒ）が発生しない。 - 特許庁

The auxiliary cathode electrode 42 and a cathode region are electrically connected with each other, not via the cathode electrode 42, and the inductance of the wiring connecting the cathode region to a gate drive circuit is made small.例文帳に追加

補助カソ−ド電極４２とカソード領域との間はカソ−ド電極４３を介することなく電気的に接続しカソード領域をゲート駆動回路に接続する配線のインダクタンスを小さくする。 - 特許庁

Since the coin 60 is sorted in two directions by the single gate 31, the part 30 becomes compact and it becomes possible to form a small-size cash processor.例文帳に追加

一つのゲート３１で硬貨６０の２方向への振り分けを行うため、ゲート部３０がコンパクトになり、小型の金銭処理装置を構成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a small-size and thinner railway crossing gate which does not require a clutch comprising a brushless motor given a torque limit character istic through the current control.例文帳に追加

クラッチを必要としない、小型でかつ薄形で電流制御によってトルクリミット特性を付与したブラシレスモータを内蔵した踏切遮断機を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method with which a semiconductor device can be manufactured which has a thin gate insulating film of extremely thin effective oxide film thickness in high yield and which has small power consumption.例文帳に追加

実効酸化膜厚の極めて薄いゲート絶縁膜を有し、且つ、消費電力の少ない半導体装置を、高い歩留まりで製造することができる半導体装置の製造方法をする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can form a channel layer having favorable film quality and made of an organic semiconductor material on a gate insulation film having small surface roughness, and can improve the performance of a semiconductor device.例文帳に追加

表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities even if the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.例文帳に追加

ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To make the resistance small in a source/drain area below the gate electrode and to suppress the dispersion of threshold voltage and short channel effect.例文帳に追加

ゲート電極の側方下に位置するソース／ドレイン領域の低抵抗化が図れ、且つ、しきい値電圧のバラツキ及びショートチャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a small antenna whose planar antenna element 10 is embedded in a resin molded body 12 that avoids deformation caused around an end of the antenna element 10 remote from a gate 20 of the resin molded body 12 so as to stabilize the characteristic.例文帳に追加

平板状のアンテナエレメント10を樹脂成形体12内に埋め込んだ小型アンテナにおいて、アンテナエレメント10の、樹脂成形体12のゲート部20から遠い方の端部付近に発生する変形を抑制し、特性を安定させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities although the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.例文帳に追加

ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent breakage of a garnish by improving rigidity of the garnish even when an opening and closing handle is provided on a rear gate of a small truck, etc. through the garnish.例文帳に追加

小型トラック等のリヤゲートにガーニッシュを介して開閉ハンドルが設けられていても、ガーニッシュの剛性を高めて、ガーニッシュの破損を防止する。 - 特許庁

To provide a gate valve device, attaining simplification and miniaturization of the device, capable of ensuring sufficient water cutoff even in an existing pipe of small diameter, manufacturable at a low cost.例文帳に追加

装置の簡素化及び小型化を図り、小径の既設管であっても充分な止水性を確保することができ、しかも、安価に製造できる仕切弁装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having elements both in a silicide region and a nonsilicide region without increasing junction leak, even if a spacing is small between adjacent gate electrodes in a silicide forming region.例文帳に追加

シリサイド形成領域の隣接するゲート電極の間隔が狭い場合でも、不純物拡散層の接合リークを増大させずに、シリサイド領域と非シリサイド領域の双方に素子を備えた半導体装置を製造する。 - 特許庁

In this structure, the first common gate 10G can electrically be connected to the p-type drain diffusion layer 21d by the bimetal layer 34 having small resistivity.例文帳に追加

この構造により、第１共有ゲート１０Ｇは、抵抗率が小さいバリアメタル層３４によって、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄとの電気的な接続を取ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a gate electrode, a source wiring and a drain wiring which have high reliability, and to provide the semiconductor device in order to manufacture a highly reliable small TFT.例文帳に追加

信頼性が高く小型なＴＦＴを作製するために、信頼性の高いゲート電極、ソース配線及びドレイン配線を形成するための半導体装置の作製方法及び半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a gate driving circuit which can surely drive a power transistor whose ON voltage is higher than a power voltage for control, in circuit constitution with small parts count.例文帳に追加

部品点数が少ない回路構成で、制御用電源電圧よりもオン電圧が高いパワートランジスタを確実に駆動することのできるゲート駆動回路を提供すること。 - 特許庁

To effectively prevent the adhesion of a molded article to a fixed mold at the time of mold opening by providing a hold-down pin to the fixed mold even in a mold for molding the small-sized molded article by a pinpoint gate system.例文帳に追加

ピンポイントゲート方式で小型の成形品を成形する金型においても、固定側金型にホールドダウンピンを設け、これにより片開き時に成形品が固定側金型に付着するのを効果的に防止する。 - 特許庁

The power consumption, especially, the power consumption on standby becomes small, and besides the power unit can be constituted only by adding a gate and a bias circuit to a conventional control circuit.例文帳に追加

消費電力、特に待機時の消費電力が少なくなり、かつ従来の制御回路にゲートとバイアス回路を追加するだけで構成することができる。 - 特許庁

By forming an insulation film having a multilayer structure wherein metal oxides having a high permittivity are laminated, the gate insulation equivalent to a silicon oxide film in terms of a silicon oxide can be formed in a very small thickness of less than 3 nm, while suppressing the leakage current.例文帳に追加

さらに、高誘電率の金属酸化物を積層した多層構造絶縁膜を形成し、酸化珪素に換算した等価的なゲート絶縁膜を、リーク電流を抑制しながら３ｎｍ未満に薄くすることが可能となった。 - 特許庁

Under an atmosphere containing an extremely small amount of phosphine gas, a substrate formed at the gate insulating film is exposed before the amorphous semiconductor layer is film-formed, thus forming an amorphous semiconductor layer containing phosphorus in an early stage of the film formation of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ホスフィンガスを微量に含む雰囲気下に、ゲート絶縁膜まで形成した基板を曝した後、非晶質半導体層を成膜することで、非晶質半導体層の成膜初期にリンを含む非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁

When a cell leak current is small, as many electrons are left in a control gate, erasure voltage applied to a cell is made low and an electric field of a tunnel insulation film is suppressed.例文帳に追加

セルリーク電流が小さい時は，フローティングゲート中に多数の電子が残っているので，セルに印加する消去電圧を低くしてトンネル絶縁膜の電界を抑える。 - 特許庁

To surely perform potential control over a channel region of each charge readout transistor of a CMOS solid-state imaging device while making a pixel size very small by employing vertical constitution for a gate electrode of the charge readout transistor.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置における電荷読み出しトランジスタのゲート電極を縦型構成として画素サイズの微細化を可能にしつつ、各トランジスタにおけるチャネル領域の電位コントロールを確実ならしめる。 - 特許庁

The gate insulating film 7 includes a thick-film portion 71 having a relatively large thickness in a depth direction of the trench 6 and a thin-film portion 72 having a relatively small thickness, on a bottom surface of the trench 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７は、トレンチ６の底面上において、トレンチ６の深さ方向における厚さが相対的に大きい厚膜部７１と、厚さが相対的に小さい薄膜部７２とを有している。 - 特許庁

To provide a gate valve capable of realizing a cost reduction and a small size by adopting a roller bearing instead of a ball spline bearing provided on a piston rod of a cylinder, i.e., a driving source.例文帳に追加

駆動源であるシリンダのピストンロッドに設けられているボールスプライン軸受の代わりに、ローラ軸受を採用することにより、コスト低減と小型化を図ることが可能なゲートバルブを提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be made very small without lowering driving force of a transistor and prevent junction leakage current increase between a gate electrode and a source electrode in a dynamic threshold performance transistor (DTMOS).例文帳に追加

動的閾値動作トランジスタ（ＤＴＭＯＳ）において、トランジスタの駆動力を低下させることなく微細化させると共に、ゲート電極とソース電極との間の接合リーク電流増大を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Gate lines 20 and data lines 70 are formed on a 1st substrate, and in the pixel areas defined by crossing these, pixel electrodes 90 and thin film transistors are formed which are divided into many small areas by excising parts.例文帳に追加

第１基板の上にゲート線２０とデータ線７０が形成されており、これらが交差して定義する画素領域には、切除部によって多数の小領域に分割されている画素電極９０と薄膜トランジスタが形成されている。 - 特許庁

A comparator 26 detects that voltage Vak of the element 20 becomes prescribed voltage during turn-off, and the control circuit 24 switches gate resistance from small resistance to large resistance, suppresses surge voltage and reduces switching loss.例文帳に追加

ターンオフ時には素子２０の電圧Ｖａｋが所定の電圧になったことを比較器２６で検出し、制御回路２４がゲート抵抗を小さな抵抗から大きな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。 - 特許庁

Due to the nondoped polisilicon film, a selective oxide film 7 formed upon selective oxidation after gate electrode patterning can be made thin with a small bird's beak.例文帳に追加

ノンドープポリシリコンとすることで、ゲート電極パターニング後の選択酸化時に形成される選択酸化膜を薄く、バーズビークを小さくすることができる。 - 特許庁