「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An aluminum-based low-resistance material having a relatively small resistance value can be used for the gate wiring 26.例文帳に追加

ゲート配線26にアルミニウム系の比較的抵抗値が小さな低抵抗材料を用いることができる。 - 特許庁

To realize a flux gate type electric current sensor with high current detection sensitiveness, a small offset and a large dynamic range.例文帳に追加

電流検出感度が高く小さなオフセットでダイナミックレンジの大きいフラックスゲート型電流センサーを実現する。 - 特許庁

In an output operation, the two transistors operate as a multi-gate transistor, therefore, a current value in the output operation can be small.例文帳に追加

そして、出力動作の時には、２つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。 - 特許庁

To provide a water-tight section structure of a cylinder gate having hardly need to execute replacement work of sealant and having a small amount of water leakage.例文帳に追加

シール材の取替作業を殆ど行う必要がなくかつ漏水量が少ないシリンダゲートの水密部構造を提供する。 - 特許庁

To manufacture an insulating gate field effect transistor of an extension drain structure or an LDD structure in a small number of processes with good yield.例文帳に追加

エクステンションドレイン構造又はＬＤＤ構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを少ない工程数で歩留り良く製作する。 - 特許庁

To provide a low-cost, a small-loss, and a high-speed optical amplifying gate circuit, and an optical gated switch and wavelength selection filter which use it.例文帳に追加

低コスト、低損失で高速の光増幅型ゲート回路及びそれを用いた光ゲート型スイッチ並びに波長選択フィルタを提供する。 - 特許庁

The gate oxide film of a MOS field effect transistor allocated in the region A is formed in a comparatively small thickness.例文帳に追加

領域Ａに位置するＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート酸化膜を、比較的小さな膜厚としている。 - 特許庁

To realize an optical gate device which is small in size, excellent in stability against long term environmental changes, and of a low cost suitable for mass production.例文帳に追加

寸法が小さく、長期的な環境変化に対する安定性に優れ、且つ、大量生産に適した低コストの光ゲート装置を実現する。 - 特許庁

To provide a trench gate type power MOSFET having a small element characteristic index Ron/Qgd and high avalanche resistance.例文帳に追加

素子特性指標Ｒｏｎ・Ｑｇｄの値が小さく、且つ、アバランシェ耐量が大きいトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

The capacitance C1 is added and the gate resistor R1 is set to a small value, so that the switching loss is reduced while suppressing the surge voltage.例文帳に追加

容量Ｃ１を付加してゲート抵抗Ｒ１を小さく設定することでサージ電圧を抑制しつつスイッチング損失を低下できる。 - 特許庁

It is not necessary to install a gate starting power supply part and a control by a CPU, thereby, the light control unit case can be made small in size.例文帳に追加

ゲート起動用電源部の設置やＣＰＵによる制御が不要であり、調光ユニットケースの小型化が可能となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that has a small select gate threshold shift, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セレクトゲートのしきい値変動が少ない不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate of a mold is provided at an intermediate position of adjacent pillars 30 on the inner peripheral face 10A of a small diameter annular ring 10 per pocket 40.例文帳に追加

金型のゲートを、ポケット４０毎に、小径円環部１０の内周面１０Ａの隣り合う柱部３０の中間位置に設ける。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which has a very small parasitic capacity Cgs between the gate and the source, and which has a uniform characteristics.例文帳に追加

ゲートとソースとの間の寄生容量Ｃgsが極めて小さく、且つ特性が均一な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor whose gate has a small transition current or a leakage current and which has a stable pinch-off voltage.例文帳に追加

ゲートの遷移電流や漏れ電流が小さく、ピンチオフ電圧が安定な電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

During an output operation, the two transistors operate as multi-gate transistors, so that the current value at the output operation can be made small.例文帳に追加

そして、出力動作の時には、２つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。 - 特許庁

To provide an HEMT type transistor which is a normally off type and has small variance in gate threshold voltage.例文帳に追加

ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a free cell generating circuit by using a gate circuit or the like being a small device resource.例文帳に追加

小さなデバイス資源であるゲート回路等を使用して空きセル生成回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since a low conduction loss is small, the gate-controlled rectifier is applied to a rectifying circuit to increase rectifying efficiency.例文帳に追加

導電損失が低いので、ゲート制御整流器は整流回路に応用されて、整流効率を増加させることができる。 - 特許庁

By this constitution, the valve pin 67 goes toward the gate 50 while pushes in the resin but the push-in amount of the resin by the valve pin 67 is small because the valve pin 67 is fine.例文帳に追加

これにより、バルブピン67は、樹脂を押し込みながらゲート50に向かうが、バルブピン67は細く、バルブピン67による樹脂の押し込み量は少ない。 - 特許庁

Also, the overlap of its gate with its drain can be so made smaller than conventional devices as to make Qgd small.例文帳に追加

また、ゲート−ドレインのオーバーラップを従来のデバイスよりも小さく形成でき、Ｑｇｄが小さくなる。 - 特許庁

To provide a small-scale forward bias means with superior area efficiency for reducing the operating power consumption of a CMOS logical gate.例文帳に追加

ＣＭＯＳ論理ゲートの動作消費電力低減の為の小規模で、面積効率の良いフォーワードバイアス手段の提供。 - 特許庁

Since the gate conditions are switched only when the forward current of a circulation diode is small, the loss does not increase in steady state.例文帳に追加

従って、還流ダイオードの順方向電流が小さい時だけ、ゲート条件を切替えるので、定常時の損失は大きくならない。 - 特許庁

The combination of a gate valve 8 as well as the slitted electrode 7 provided with a small aperture facilitates such maintenance characteristics as washing.例文帳に追加

小孔を有するスリット電極７とゲートバルブ８の組み合わせにより洗浄などのメンテナンス性を向上させる。 - 特許庁

As a result, small vibration is suppressed when closing the waste gate valve 8A to improve the close contact of the valve face 8A3 of the waste gate valve 8A with a seat face 9A of a valve seat part 9 and prevent the vibration noises of the waste gate valve 8A.例文帳に追加

その結果、ウェイストゲートバルブ８Ａの閉時における微小振動が抑制されてバルブシートバルブシート部９のシート面９Ａに対するウェイストゲートバルブ８Ａのバルブ面８Ａ３の密着度が向上すると共に、ウェイストゲートバルブ８Ａの振動騒音が防止される。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device in which a transistor having the small unevenness of performance can be manufactured by forming stably a gate electrode film made of a polycrystalline silicon film on a gate insulating film made of a high dielectric film, and suppressing the unevenness of electrical performance such as withstand voltage, etc. of the gate insulating film.例文帳に追加

高誘電体膜からなるゲート絶縁膜上に、多結晶シリコン膜からなるゲート電極膜を安定に形成し、ゲート絶縁膜の耐圧など電気的性能のばらつきを抑制し、性能のばらつきが少ないトランジスタを製造することができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

By performing the thermal nitride of the newly formed gate insulation film, a film having small deterioration due to a post thermal process can be formed, thus preventing electrons from being trapped in the gate insulation film and the amount of current from decreasing, and an electric field from concentrating at one portion of the gate insulation film for causing deterioration to accelerate.例文帳に追加

新たに形成したゲート絶縁膜を熱窒化することで後熱工程による劣化が小さい膜にでき、ゲート絶縁膜中に電子がトラップされて電流量が低下したり、ゲート絶縁膜の一部に電界が集中して劣化が加速されるのを防止できる。 - 特許庁

To provide a gate built-in type pump capable of being built-in in a gate without damaging the weight balance of the gate, effectively utilizing the width of a cannel, making the diameter of an impeller small to make light- weight, and preventing blockage.例文帳に追加

ゲートの重量バランスを損なうことなくゲートに内蔵することが可能であるともに、水路の幅を有効に利用することが可能で、羽根車の直径を小さくして、軽量化を図ることができ、しかも閉塞の生じにくいゲート内蔵式ポンプを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is superior in high-frequency characteristics, wherein the alignment deviation between a conductive layer used as a gate electrode and a source/drain is not present, irregurality in source resistance and gate capacitance can be prevented, the gate resistance is reduced, and irregularity in the source-drain current is small.例文帳に追加

ゲート電極に用いられる導電層とソース／ドレイン領域との合わせずれがないため、ソース抵抗とゲート容量のバラツキを防ぐことができ、ゲート抵抗を小さし、ソース−ドレイン電流のバラツキが小さい高周波特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for shearing a gate which enable attainment of a high speed without necessitating an installation space solely for gate cutting equipment and to obtain a preform which has a smooth sheared surface and of which the residual amount of the gate is very small and uniform.例文帳に追加

ゲートカット装置単独での設置スペースを必要とせずに高速化を図ることができるゲートの剪断方法と装置を提供し、併せてこの装置を用いることよって剪断面が滑らかで、且つゲートの残り量が極めて少なく、また残り量が均一化されているプリフォームを得る。 - 特許庁

Relating to an n-channel power MOS transistor, silica fine particles 7 of small particle size are embedded in the bottom of trench gate, a gate electrode 8 consisting of N^+ polycrystalline silicon film contacting the silica fine particles is embedded in the upper part of trench gate.例文帳に追加

Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタには、小さな粒径を有するシリカ微粒子７がトレンチゲート底部に埋め込まれ、トレンチゲート上部には、シリカ微粒子と接するＮ＋多結晶シリコン膜からなるゲート電極８が埋め込まれている。 - 特許庁

And the first positive voltage +3 V is applied to a control gate connected to the word lines WL32-WL63, potential difference between the control gate (+3 V) and the channel layer (0 V) is made small, an electric field between a floating gate and the channel layer is reduced, and a substrate disturbance is relaxed.例文帳に追加

そうして、ワード線WL32〜WL63に接続された制御ゲートに第１の正電圧＋３Ｖが印加され、制御ゲート(＋３Ｖ)とチャネル層(０Ｖ)との電位差が小さくなって、フローティングゲートとチャネル層との間の電界を減少させ、基板ディスターブを緩和する。 - 特許庁

Meanwhile, "Haga Kikigaki," which described the situation of the back gate, explained that Juheiji SUGINO and Jirozaemon MINOMURA broke the gate, and it was Kanpei YOKOKAWA who broke into the property first and Saburobei CHIBA defeated the guards with his small-sized bow. 例文帳に追加

一方裏門の様子を示した『波賀聞書』では、杉野十平次と三村次郎左衛門が門を破り、一番に突入したのは横川勘平、番人を倒したのは千馬三郎兵衛の半弓であったとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As for the characteristics of the Nichiren sect, a small hokkedo is built at the beginning, and other structures such as a main hall, a goeido, a kuri, a kyakuden (guest hall), a somon gate, a sanmon gate, five-story pagoda, shukubo (monks' living quarters), etc., are gradually added. 例文帳に追加

日蓮宗の特徴は、最初に小さな法華堂を建立し、次第に結構を整えて、本堂、御影堂、庫裏、客殿、総門、三門、五重塔、宿坊など建立する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To form a thin film transistor which has small variation in gate electrode width and high driving capability when a gate electrode structure is formed by using electroless plating.例文帳に追加

無電解めっきを利用してゲート電極構造を形成する場合において、ゲート電極幅の変動が小さく、且つ、駆動能力の高い薄膜トランジスタを形成可能とする。 - 特許庁

Then, it is changed into a gate electrode 6B with a small work function by reducing selectively the gate electrode 6A of an n-channel type MIS transistor by means of hydrogen annealing treatment.例文帳に追加

その後、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタのゲート電極６Ａを水素アニールで選択的に還元することによって、仕事関数の小さいゲート電極６Ｂに変換する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which processing tolerance between gate electrodes of different polarity is small and damage on a gate insulating film or a semiconductor substrate is minimized.例文帳に追加

異なる極性のゲート電極における、ゲート電極間の加工寸法差が小さく、かつ、ゲート絶縁膜や半導体基板に与えるダメージを極力低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make substantial variations small for parasitic capacitance between a gate electrode and a source electrode and not to generate substantial variations in the parasitic capacitance between a gate wire and a pixel electrode.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極との間の実質的な寄生容量のばらつきを小さくし、またゲート線と画素電極との間の実質的な寄生容量にばらつきが生じないようにする。 - 特許庁

At intersection between the gate wiring electrode and the source electrode or the drain electrode, a nitride film having a large dielectric constant and a polyimide having a small dielectric constant or a hollow portion are disposed between the gate wiring electrode and the source electrode or the drain electrode.例文帳に追加

また、ゲート配線電極と、ソース電極またはドレイン電極の交差部において、これらの間に比誘電率の大きい窒化膜と、比誘電率の小さいポリイミド、あるいは中空部を配置する。 - 特許庁

To provide a bidirectional switch in which a difference in interconnect resistance between a first gate electrode and a second gate electrode included in one unit cell is small, and a switching loss is reduced.例文帳に追加

１つの単位セルに含まれる第１のゲート電極と第２のゲート電極との間の配線抵抗の差が小さく、スイッチングロスを低減した双方向スイッチを実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a gate insulating film forming method for forming a gate insulating film of a hafnium silicate-based material excellent in surface roughness though small in thickness.例文帳に追加

膜厚が薄いのにもかかわらず表面ラフネスが良好なハフニウムシリケート系材料からなるゲート絶縁膜を形成することができるゲート絶縁膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which can form a floating gate without using a mask process and form a floating gate of a small size.例文帳に追加

マスク工程を使用することなく、フローティングゲートを形成することができ、小さなサイズのフローティングゲートを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which a silicide film of proper film thickness can be formed between gate structures on a semiconductor substrate even if the distance between the gate structures is small.例文帳に追加

本発明は、たとえゲート構造間の距離が小さくなったとしても、ゲート構造間の半導体基板上に適正な膜厚のシリサイド膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate of the field-effect transistor P4 is connected with the output circuit branch N2 of current mirror circuit 32, and limited small current is led out of the gate to the ground.例文帳に追加

電界効果トランジスタＰ４のゲートにはカレントミラー回路３２の出力回路分岐Ｎ２が接続され、制限された小電流がゲートからグラウンドへ引出される。 - 特許庁

The gate oxide film 14 of the sense element 200 is set to be thinner than the gate oxide film 14 of the main element 100, by making the aperture size of the trench small, or by making the trench density large.例文帳に追加

センス素子２００のゲート酸化膜１４は、トレンチの開口サイズを小さく、あるいはトレンチ密度を大きくすることでメイン素子１００のゲート酸化膜１４よりも薄く設定する。 - 特許庁