「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An intermediate part 4E connecting the one-side mounting part 4A with the other-side mounting part 4B is inserted through a gap 6 between the tail gate 2 and a vehicle body 1 to eliminate drilling into the tail gate 2, and achieving mechanical fixing in a limited small space, integration between the vehicle body 1 and the spoiler 3, and good appearance.例文帳に追加

一側取付部４Ａと他側取付部４Ｂを連結する中間部４Ｅを、テールゲート２と車両本体１との間隙部６を挿通することにより、テールゲート２への穿孔加工が不要となり、限られた省スペースでの機械固定が可能となり、車両本体１とスポイラー３との一体感を増すことができ、外観性も向上させることができる。 - 特許庁

A class D amplifier constituting a transmitter has a small-power transistor Q14 which performs ON/OFF control over an amplifier output with a voice signal on a gate sides of high-power transistors Q10 and Q12 switching in mutually opposite-phase timings and small-power transistors Q15 and Q16 which turn ON/OFF with the voice signal to pull electric charges fast on an GND side of a transformer.例文帳に追加

送信機を構成するＤ級電力増幅器は、互いに逆相のタイミングでスイッチングを行うハイパワートランジスタＱ１０とＱ１２のゲート側に、音声信号によって増幅器出力のオン／オフを制御する小電力用のトランジスタＱ１４を備え、トランスのＧＮＤ側に音声信号によってオン／オフし、電荷を高速に抜く小電力用のトランジスタＱ１５、Ｑ１６を備える。 - 特許庁

At the end of the 8th century, there were To-ji (east temple) to the east and Sai-ji (west temple) to the west of Rajomon gate in front of Heiankyo; Sai-ji declined in its ealy days, and in its place there now stands Sai-ji Ato no Hi monument in Karahashi Sai-ji Park near Karahashi in Kyoto's Minami Ward; there is a small temple in the area that has inherited only the name of Sai-ji. 例文帳に追加

8世紀末、平安京の正門にあたる羅城門の東西に「東寺」と「西寺」（さいじ）西寺は早い時期に衰退し、現在は京都市南区唐橋の近隣公園・唐橋西寺公園内に史跡西寺跡の碑があり、付近に西寺の寺名のみを継いだ小寺院が残るのみである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On October 17, 1185 when Yoshitsune and Yoritomo confronted and Yoritomo dispatched Shoshin TOSANOBO, an assassin, to Yoshitsune's mansion in Kyoto, Yoshitsune, who chose Tadanobu from his small number of retainers remained in his mansion for a companion, jumped out of the gate and fought back himself. 例文帳に追加

文治元年（1185年）10月17日義経と頼朝が対立し、京都の義経の屋敷に頼朝からの刺客である土佐坊昌俊が差し向けられ、義経は屋敷に残った僅かな郎党の中で忠信を伴い、自ら門を飛び出して来て応戦している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Without using wire bonding, electrical contact with the emitter electrode Qe and the gate electrode Qg of an upper arm element QU can be secured by a small space due to the integrally formed plate-like extraction electrode 100 and the conductive film 90.例文帳に追加

ワイヤボンディングを用いることなく、一体的に設けられた板状取出し電極１００および導電膜９０によって、上側アーム素子ＱＵのエミッタ電極Ｑｅおよびゲート電極Ｑｇに対する電気的コンタクトを小さいスペースで確保できる。 - 特許庁

To form a contact hole which prevents a gate electrode and a source area or drain area from being short-circuited even if the misalignment of the contact hole occurs when a semiconductor device having a small interval between a semiconductor element and a contact hole is manufactured.例文帳に追加

半導体素子とコンタクト孔間の間隔が小さい半導体装置を製造する場合に、コンタクト孔の位置合わせずれが発生しても、ゲート電極とソース領域またはドレイン領域のショートを防止するコンタクト孔の形成を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing semiconductor device such as a trench gate type MOS transistor that is not easily affected by a defect resulting from variation in manufacturing processes and assures small variation in the threshold voltages among semiconductor devices.例文帳に追加

トレンチゲート型のＭＯＳトランジスタなどの半導体装置において、製造プロセス上のばらつきに起因する欠陥の影響を受けづらく、半導体装置間のしきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置を安定して製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve high-speed processing without requiring extra memory capacity in a small gate scale by performing high-speed value reduction decoding regardless of a delay memory, performing value reduction decoding in square units, and performing rotation for each pixel in blocks after the decoding.例文帳に追加

ディレイメモリによらず高速な少値復号を実現し、かつ方形単位に少値符号化し、復号後にブロック内の画素毎の回転を行うことにより、小さいゲート規模で、余分なメモリ容量を必要てせずに高速処理を実現すること。 - 特許庁

This widens a distance between the gate electrode 2a and the source electrode 3b to suppress a parasitic capacitance Cgs small to reduce the difference of the parasitic capacitance Cgs among pixels even when displacements occurr at the time of exposure, which decreases the degree of shot irregularity.例文帳に追加

これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。 - 特許庁

To provide a charge coupled device capable of improving the transfer efficiency of electric charge by shortening an interval between adjacent gate electrodes and capable of reducing power consumption by reducing parasitic capacity while obtaining a signal of small noise.例文帳に追加

隣接するゲート電極間の間隔を小さくすることにより電荷の転送効率を向上させるとともに、ノイズの小さい信号を得ながら、寄生容量を低減することにより消費電力を低減することが可能な電荷結合素子を提供する。 - 特許庁

As reverse mesa parts of the electrodes can be made smaller thereby, the maximum oscillation frequency f_max can be increased by making the interval between the source electrode and the gate electrode smaller, while the lowering of the voltage can be suppressed in a small range by increasing the thicknesses of the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

これにより電極の逆メサ部を小さくすることができるため、ソース電極とゲート電極との間隔を小さくして最大発振周波数ｆ_ｍａｘを上げ、かつソース電極およびドレイン電極の厚みを厚くして電圧降下を小さく抑えることができる。 - 特許庁

In an amplitude conversion circuit that converts an input signal INS having a small amplitude into an output signal /OUTS having a large amplitude, the input signal INS is supplied to a gate of a transistor Q5 that discharges an output terminal OUT through a capacitance element C1.例文帳に追加

振幅の小さい入力信号ＩＮＳを、振幅の大きな出力信号／ＯＵＴＳに変換する振幅変換回路において、出力端子ＯＵＴを放電するトランジスタＱ５のゲートには、容量素子Ｃ１を介して入力信号ＩＮＳが供給される。 - 特許庁

Then, a motor lock detection section 100 for detecting whether the three-phase AC motor M is in a locked state detects the locked state of the three-phase AC motor M, thus suppressing a system voltage of the inverter equipment, and changing a resistance value of the gate resistor to a small value.例文帳に追加

そして、この三相交流モータＭがロック状態にあるか否かを検知するモータロック検知部１００により三相交流モータＭのロック状態が検知されることに基づきインバータ装置のシステム電圧を抑制するとともにゲート抵抗の抵抗値を小さい値に変更する。 - 特許庁

To provide a material for an organic thin film transistor insulating layer, capable of forming a crosslinked structure without requiring a high-temperature treatment, and of enabling an organic thin-film transistor to have a threshold voltage (Vth) of a small absolute value, when used for the formation of a gate insulating layer.例文帳に追加

高温での処理を行わないで架橋構造を形成することが可能であり、ゲート絶縁層を形成するのに用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が小さくなる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。 - 特許庁

Thus, the part from the p+ layer 350 of the PD 119 to the p-type channel layer right below the transfer gate is directly connected, the n-type layer 360 of the PD 119 is surrounded by a p-type region and the dark current is suppressed to be extremely small.例文帳に追加

これにより、ＰＤ１１９のｐ＋層３５０から転送ゲート部の直下のｐ型チャネル層にわたる部分が直接接続され、ＰＤ１１９のｎ型層３６０をｐ型の領域で包囲でき、暗電流を極小に抑制できる。 - 特許庁

When succeeding in authentication based on the ID of the tag, a gate controller unlocks the electric lock of the door 6, and switches the receivable region of the question signal to be transmitted from the tag reader, from the large area 106 to a small area 108.例文帳に追加

ゲートコントローラは、タグのＩＤに基づいて認証成功すれば、扉６の電気錠を解錠し、それと共に、タグリーダーから送信する質問信号の受信可能領域を、大エリア１０６から小エリア１０８へと切り替える。 - 特許庁

To provide a semiconductor element dramatically scaling back the channel length, and a manufacturing method thereof, by manufacturing a high-performance transistor and a memory cell which exhibit highly intense program/deletion efficiency and reading speed, permit low operation voltages and have ultra-small gate feature and an entire size.例文帳に追加

強力なプログラム／消去効率及び読み出し速度を示し低い動作電圧を許容する非常に小さいゲート形状及び全体サイズを有した高性能のトランジスタ及びメモリセルを製造して、チャネル長さを劇的にスケーリングできる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high frequency switch device and communication apparatus in which a gate leak current of a field effect transistor is suppressed small and further, characteristics of the field effect transistor integrated into an MMIC as an element unit can be inspected from the outside.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲートリーク電流を小さく抑え、しかもＭＭＩＣに組み込まれた電界効果型トランジスタの素子単体としての特性を外部から検査することができる高周波スイッチ装置及び通信機を提供する。 - 特許庁

Then, in the case of the small winning, a first big winning port 31 is opened for prescribed time, a pachinko ball which enters the first big winning port 31 is held in the notched recessed part 36B of a rotation member 36 by the probability of 1/10, and a gate 25 becomes effective for the prescribed time in the case that it enters a winning port 47.例文帳に追加

そして、小当たりの場合には、第１大入賞口３１を所定時間開放し、該第１大入賞口３１に入ったパチンコ球が回転部材３６の切欠凹部３６Ｂに１／１０の確率で保留され、当たり入賞口４７に入賞した場合には、ゲート２５が所定時間有効になる。 - 特許庁

To control the on/off of a depletion type transistor arranged as the shutdown transistor of an output transistor between the gate of an output transistor with a source follower configuration and an output terminal to which a load is connected by using the depletion type transistor having a comparatively low withstand voltage (that is, a small element area).例文帳に追加

ソースフォロア構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に、出力トランジスタのシャットダウンとして設けられたデプレーション型トランジスタに、比較的低耐圧（すなわち、小素子面積）のものを用いて、そのオン、オフを制御できるようにする。 - 特許庁

A detailed search part 170 updates a parameter so that the likelihood becomes large with the parameter candidate extracted by the overview search part 160 as an initial value, updates it so that a correlation gate becomes small, and search for a parameter where the likelihood becomes maximum.例文帳に追加

詳細探索部１７０は、概探索部１６０が抽出したパラメータ候補を初期値として、尤度が大きくなる方向にパラメータを更新し、相関ゲートが小さくなるように更新して、尤度が最大となるパラメータを探索する。 - 特許庁

A small-sized module is provided with only functions necessary for a gate-side filter 17 and for a drain-side preamplifier 13, these affecting the measurement on the 1/f noise of a MOS device 11, and is directly connected to a manipulator equipped with a probe, thereby reducing the affect of the extraneous noises.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス１１の１／ｆノイズ測定に影響するゲート側のフィルタ１７とドレイン側のプリアンプ１３の必要な機能のみを小型のモジュールとし、プローブ針を備えたマニピュレータに直接接続することにより、外来ノイズの影響を低減する。 - 特許庁

To form a common electrode, a gate wire/electrode and a common electrode wire with high precision in a liquid crystal display panel with a system which has the common electrode for each pixel solidly formed on a principal surface of an insulating substrate, and has a comb-shaped pixel electrode arranged on the common electrode via an insulating film, with a small number of photolithography steps.例文帳に追加

絶縁基板の主面に、画素毎にべた形成した共通電極を有し、その上に絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極を設ける形式の液晶表示パネルにおける当該共通電極、ゲート配線/電極、共通電極配線を少ないホトリソ工程数で高精度に形成する。 - 特許庁

However, a small amount of current from current sources 111, 112 is always supplied to the transmission gate circuits 104, 106 in a way that post-stage latch circuits 108, 110 are not operable even for a period when the TRs Q3, Q6 are turned off.例文帳に追加

しかし電流源Ｉ１１、Ｉ１２による弱い電流が伝送ゲート回路１０４、１０６に常時供給されているため、トランジスターＱ３、Ｑ６がオフの期間でも後段のラッチ回路１０８、１１０を駆動しない程度に動作する。 - 特許庁

The film to be processed is etched by using the first and second patterns as a mask, the third pattern is removed, and the film to be processed, which is exposed by the removal of the third pattern, is etched to form gate electrode patterns 7a, 7d small in an interval.例文帳に追加

第１および第２のパターンをエッチングマスクとして被加工膜をエッチングするとともに、第３のパターンを除去し、第３のパターンの除去により露出した被加工膜をエッチングし、間隔の小さいゲート電極パターン７ａ、７ｄ。 - 特許庁

A gate input capacitor of the MOSFET 2 is charged at first by a small current on a power MOSFET 2 on-command, and then is charged by a large current when the forward voltage of the diode 3 drops.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２のオン指令に基づいて当初、小電流でパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート入力容量を充電し、ダイオード３での順方向電圧がなくなると、大電流でパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート入力容量を充電する。 - 特許庁

Therefore, even when the power source voltage VDDS for array decreases and the power source voltage VDD for the peripheral circuit increases, a drawn-out rate of charges from a read-out data line /DLR or DLR in the read-out column selection gate 23 is not so small.例文帳に追加

このため、アレイ用電源電圧ＶＤＤＳが低くなり、周辺回路用電源電圧ＶＤＤが高くなった場合でも、読出列選択ゲート２３において読出データ線／ＤＬＲまたはＤＬＲから電荷が引抜かれる速度はそれ程遅くはならない。 - 特許庁

To provide a semiconductor element dramatically scaling back the channel length and a manufacturing method thereof, by manufacturing a high-performance transistor and a memory cell which exhibit highly intense program/deletion efficiency and a reading speed, permit low operation voltages, and have ultra-small gate feature and an entire size.例文帳に追加

強力なプログラム／消去効率及び読み出し速度を示し低い動作電圧を許容する非常に小さいゲート形状及び全体サイズを有した高性能のトランジスタ及びメモリセルを製造して、チャネル長さを劇的にスケーリングできる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a charge pump circuit with a dead zone reduced which operates at high speed by preventing variation in the gate potential of a current source Tr (transistor) and making the rise time of output current small even when an up signal and a down signal input to the charge pump circuit have short pulses.例文帳に追加

チャージポンプ回路へ入力されるアップ信号、ダウン信号が短いパルスであった場合でも、電流源Ｔｒ（トランジスタ）のゲート電位の変動を防ぎ、出力電流の立ち上がり時間を小さくし、高速で動作する、不感帯が低減されたチャージポンプ回路を得る。 - 特許庁

A small square dummy patterns in a lower layer and a higher layer Ds2 are disposed over a wide region of a space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

The gate capacity of transistors 27, 28, that is, the load capacity that a differential amplifier 4B drives can be made small and the internal power supply voltage stabilizes even if the operation of the internal circuit 2 becomes higher in frequency, and therefore, a high-speed operation of the semiconductor device is made possible.例文帳に追加

トランジスタ２７，２８のゲート容量、すなわち差動増幅器４Ｂが駆動する負荷容量を小さくすることができ、内部回路２の動作が高くなっても内部電源電圧が安定するので、半導体装置の高速動作が可能となる。 - 特許庁

Consequently, a required space in a horizontal projection surface in a direction along a thickness direction of the sliding door 8, that is, an in/out direction of the gate 2, is reduced, an elevator can be installed in a small cross sectional space of a hoist way, a cost of installation is reduced by improving building space efficiency installing the elevator.例文帳に追加

このため、引き戸８の厚さ方向、すなわち出入口２の出入方向に沿う方向の水平投影面における所要スペースが減少し、昇降路の少ない横断面スペースにエレベーターを設置できて、エレベーターが設置される建物スペース効率を向上して設置費用を低減する。 - 特許庁

A small-size waterwheel power generation device has the waterwheel generator with the rotor of an outer rotor generator built in a waterwheel rotary shaft, a trash removing screen, an undercurrent weir and a water gate, which are attached to a case and united together, and an upper part on an intake side of the case is made for passage of surplus water and trashes.例文帳に追加

小型水車発電装置はアウターロータ発電機のロータを水車回転軸に内蔵した水車発電機と、ゴミ除けスクリーン及び底流堰と導水ゲートを筐体に取付けて一体化し、且つ筐体の取水側上部は余剰水やゴミの通過を可能とした。 - 特許庁

A gate for injection molding is formed to one of the rotors 5, 6 and the length of rotor in the shaft direction or external diameter thereof in the side of a large amount of magnetic powder is formed in small side, depending on fluctuation of the amount of magnetic powder of both rotors 5, 6.例文帳に追加

そして、両ロータ部５，６のいずれか一方に射出成形する際のゲートを形成すると共に両ロータ部５，６の磁粉量のバラツキに応じて磁粉量の多い側のロータ部の軸方向長さまたは外径を小さく形成している。 - 特許庁

Therefore, during said period of time, a gate voltage of the access transistor MAB becomes low and a value of current flowing to the access transistor MAB also becomes small in comparison with conventional cases, so that the increase in the potential of the memory node NB is reduced.例文帳に追加

従って、この期間においては、従来の場合に比べて、アクセストランジスタＭＡＢのゲート電圧は低くなりアクセストランジスタＭＡＢに流れる電流値も小さくなるので、記憶ノードＮＢの電位の上昇は小さくなる。 - 特許庁

For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.例文帳に追加

例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

When an input is given to terminals A1-A4 and up/down is switched, a conventionally greater switching voltage is converted into a small current change of 0-10 μA in this embodiment and a gate level change in the MP1, 2; MN1, 2 is remarkably reduced to about 500 mV resulting in decreasing noise.例文帳に追加

入力が端子Ａ１〜Ａ４にあり、ｕｐ−ｄｏｗｎの切替が行なわれる場合に、従来の大きかつた切替電圧が本形態では０〜１０μＡの小電流変化に転換され、ＭＰ１、２；ＭＮ１、２のゲートも電位変化は５００ｍＶ程度と、大巾に低減され、従ってノイズも低減される。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element allowing channel length to be dramatically scaled by manufacturing a high-performance transistor and a memory cell exhibiting strong program/erasure efficiency and reading speed, and having a very small gate shape and a total size allowing a low operation voltage; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

強力なプログラム／消去効率及び読み出し速度を示し低い動作電圧を許容する非常に小さいゲート形状及び全体サイズを有した高性能のトランジスタ及びメモリセルを製造して、チャネル長さを劇的にスケーリングできる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

If gate resistance 3 is made sufficiently low in such a state, the collector current of the switching element 9 decreases very quickly, so that a turn-off loss of the switching element 9 is made very small, and a rate of voltage rise is suppressed to be a certain value by an operation of the snubber circuit.例文帳に追加

そこでゲート抵抗３を十分小さくしておけば、スイッチング素子９のコレクタ電流は非常に急速に減少するので、スイッチング素子９のターンオフ損失は非常に小さくすることが可能になり、スナバ回路の作用によって電圧上昇率はある一定の値に抑えることができる。 - 特許庁

That is, an ion implantation of P and As is performed through an aperture 112A provided in the center of the ring-shaped end part 112 of the gate part 110, whereby the layer 120 of a small size which corresponds to the diameter of this aperture 112A can be formed.例文帳に追加

すなわち、ゲート部１１０の環状の端部１１２の中央開口部１１２Ａを通してＰやＡｓのイオン注入を行うことにより、この開口部１１２Ａの径に対応した小さいサイズのＮ＋層１２０を形成することができる。 - 特許庁

The gear 21, 163 and the pinion 25 can be prevented from damaging because the transmitted torque to a gear 21, 163 and a pinion 25 becomes small through the gear unit 37a, 37b, 37c, even if the gate 133, 145 is moved by the wind pressure etc. if by any chance.例文帳に追加

万が一、風圧等によって門扉１３３、１４５が動いても、ギア装置３７ａ、３７ｂ、３７ｃを介してギア２１、１６３、ピニオン２５へ伝達されるトルクは小さくなり、ギア２１、１６３、ピニオン２５が破損するのを防止することができる。 - 特許庁

The space between the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction has the same width as the space between the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent on the surface of the filler for isolation 31, and has the small trench width of the deep part as compared with that of the surface part of the filler for isolation 31.例文帳に追加

ゲート幅方向に隣接する浮遊電極５間において、分離用充填材３１の表面で隣接する前記浮遊電極５の端部間と同一の幅を有し、分離用充填材３１の表面部分に比べて深い部分のトレンチ幅が小さい。 - 特許庁

Thus, a distance between the gate electrode 2a and the source electrode 3b is widened, a parasitic capacitance Cgs is suppressed to be small, the difference of the parasitic capacitance Cgs among pixels is reduced even when displacements occur at the time of exposure, and the degree of shot irregularity can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。 - 特許庁

Consequently, since it is not necessary to move the article-holding mechanism vertically in order to open and close the column gate 22, the gaps of respective article columns 20 in the vertical direction can be made small, and the number of array of the article column 20 in the vertical direction can be increased.例文帳に追加

従って、コラムゲート２２を開閉するために商品把持機構を上下動させる必要がないので、各商品コラム２０の上下方向の間隔を小さくすることができ、商品コラム２０の上下方向の配列数を多くすることができる。 - 特許庁