1016万例文収録!

「small gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > small gateに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

small gateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 429



例文

Possibility of causing even a small error in the dimension of the gate electrode due to an effect of double exposure an thereby be prevented and high accuracy can be sustained in the mask pattern with regard to the gate electrode.例文帳に追加

2重露光の影響を受けてゲート電極の寸法に僅かであっても誤差を生ずる虞を未然に防止することができ、ゲート電極に関するマスクパターンには高精度を維持させることができる。 - 特許庁

Accordingly, a switching time for turning on can be shortened by increasing the gate current by setting the resistance value of a gate resistor 33 to a small value.例文帳に追加

したがって、ゲート抵抗33の抵抗値を小さく設定することによって、ゲート電流を大きくし、ターンオンするスイッチング時間を短くすることができる。 - 特許庁

To provide a non-power type gate capable of quickly and widely opening the gate even when a river or the like has the small flow and quickly closing when a backflow occurs.例文帳に追加

河川等が微小流量のときでも速やかにゲートを広く開放することができる一方、逆流が生じた場合には速やかにゲートを閉じることができるようにする。 - 特許庁

The gate electrodes are buried in a silicon oxide film 11 up to a top-surface position of the floating gate electrode film 7, and a silicon oxide film (SiBN) 12 which contains boron and has small specific inductive capacity is formed thereupon.例文帳に追加

浮遊ゲート電極膜7の上面位置までシリコン酸化膜11を埋め込み、その上にホウ素を含有した比誘電率が小さいシリコン窒化膜(SiBN)12を成膜する。 - 特許庁

例文

Consequently, the semiconductor device is provided which has extremely less breaking of the gate electrode, has improved resist patterning precision in a gate electrode forming process, and has small characteristic variance in a wafer surface.例文帳に追加

ゲート電極の断線が極めて少なく、ゲート電極形成工程におけるレジストパターニング精度が改善された、ウェハ面内の特性ばらつきの少ない半導体装置を実現している。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor device having a highly reliable insulated gate transistor with small dispersion, excellent in transistor characteristic even in a short-gate PMOS transistor.例文帳に追加

ゲート長の短いPMOSトランジスタにおいてもトランジスタ特性の優れたバラツキの少ない、信頼性に優れた絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a full depleted SOI semiconductor device provided with a back gate electrode, where a semiconductor layer (SOI layer) just under a gate electrode is small in thickness, and other semiconductor layers other than the SOI layer are large in thickness and low in resistance.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層(SOI層)の厚さが薄く、それ以外の半導体層の部分の厚さが厚く、抵抗が低く、しかも、裏面ゲート電極を有する完全空乏型のSOI型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which suppresses a leakage current from a gate electrode, has large current driving power, and also has a movable gate electrode small in source-drain leakage current.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極からの漏れ電流を抑制するとともに、電流駆動力が大きく、かつソース・ドレイン間の漏れ電流の少ない可動ゲート電極を有する電界効果トランジスタを提供することである。 - 特許庁

With this constitution, the silicon oxide film 12 prevents penetration of water, and is not disposed between the floating gate electrode film 7 and control gate electrode film 9 and has the small specific inductive capacity to suppress an increase in parasitic capacity.例文帳に追加

この構成で、シリコン窒化膜12は、水分の浸透を防止し、しかも、浮遊ゲート電極膜7や制御ゲート電極膜9の間に位置せずしかも比誘電率が小さいので寄生容量の増大を抑制できる。 - 特許庁

例文

On the other hand, if the charging rate required for the gate of the switching element Sw# is small, the switching element 32 is connected in series to the resistor 22 and a drain of the switching element 32 is connected to the gate of the switching element Sw#.例文帳に追加

一方、スイッチング素子Sw#のゲートに要求される充電速度が小さい場合等には、スイッチング素子32を抵抗体22に直列接続し、スイッチング素子32のドレインをスイッチング素子Sw#のゲートに接続する。 - 特許庁

例文

To form a p-channel MIS (Metal Insulator Semiconductor) transistor having a metal gate and an n-channel MIS transistor having a metal gate by the small number of steps.例文帳に追加

メタルゲートを有するpチャネルMISトランジスタとメタルゲートを有するnチャネルMISトランジスタとを、少ない工程数で形成する。 - 特許庁

Consequently, an electric field which is a differential of a voltage becomes small as shown by a peak 32 at the gate electrode end 31 to reduce the electric field concentration on the gate electrode end 31.例文帳に追加

これにより、ゲート電極端31において、電圧の微分である電界がピーク32で示すように小さくなり、ゲート電極端31での電界集中を緩和することができる。 - 特許庁

A transmission gate 120 is configured of MOS transistors 121 and 122 whose on-resistances are small, and an impedance adjusting gate 130 is configured of MOS transistors 131 and 132 whose on resistances are large.例文帳に追加

トランスミッションゲート120はオン抵抗が小さいMOSトランジスタ121,122で構成され、インピーダンス調整ゲート130はオン抵抗が大きいMOSトランジスタ131,132で構成される。 - 特許庁

To suppress remaining of a High-k gate insulating film material and a gate electrode material at a periphery of an element isolation film even when an etching amount is made small.例文帳に追加

エッチング量を少なくしても素子分離膜の周辺にHigh−kゲート絶縁膜材料やゲート電極材料が残ることを抑制できるようにする。 - 特許庁

An insulation gate field effect transistor off current of which is extremely small is used as a switching element to control potential of the second gate electrode.例文帳に追加

そして、オフ電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタをスイッチング素子として用い、上記第2のゲート電極の電位を制御する。 - 特許庁

Gate drive power is also supplied from an initial charging resistor 7, when all switching elements are turned off before operating a converter thus realizing a relatively small power converter of simple structure employing a self- extinguishing switching element, where gate drive power can be stabilized through use of snubber energy.例文帳に追加

また、変換器が運転する前の全スイッチング素子がオフ状態にある場合も初充電抵抗によりゲート駆動用電力を供給する。 - 特許庁

To provide an orthogonal flux gate type magnetic sensor element capable of realizing an orthogonal flux gate type excellent and stable operation characteristic while having simple and small constitution, and capable of reducing a cost, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

簡単で小型の構成でありながら直交フラックスゲート型の良好な安定した動作特性を実現でき、また、低コスト化も図れる直交フラックスゲート型の磁気センサ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a trench gate type semiconductor device, in which contact resistances of a gate lead-out portion 28 and a wiring layer 22 are rather small and dielectric breakdown hardly occurs at the upper corner area of trench 70.例文帳に追加

ゲート引出し部28と配線層22の接触抵抗が小さく、トレンチ上側コーナー部70での絶縁破壊が生じにくいトレンチゲート型半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which has high efficiency and high manufacturing yield by integrating a gate-on voltage generation circuit and a gate-off voltage generation circuit on a liquid crystal display panel in a small area by using polysilicon thin film transistors.例文帳に追加

液晶パネルにポリシリコン薄膜トランジスタを用いて小さい面積にゲートオン、ゲートオフ電圧発生回路を集積して高効率及び高収率の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a water gate device in which wiring and piping work of a water level sensor that opens and closes a door body of a water gate by detecting water level difference of inner and outer water areas can be executed in a small scale.例文帳に追加

内外の水域の水位差を検出して水門の扉体を開閉させる水位センサの配線配管工事が小規模で行える水門装置の提供。 - 特許庁

When an operation handle 5 is turned in the direction to open a gate valve with the gate valve completely closed, the valve rod 3 and the child valve body 12 move upward to fully open the valve hole 8 to start water passage from the small valve hole 8.例文帳に追加

仕切弁の全閉状態において、操作ハンドル5を弁開方向に回転させると、弁棒3および子弁体12が上昇して小さい弁孔8を全開し、小さい弁孔8から通水を開始する。 - 特許庁

To provide a small and cheap insulated gate transistor suppressing a switching noise in the insulated gate transistor which is used for a switching circuit and enables high-speed switching.例文帳に追加

スイッチング回路に用いられる、高速スイッチングが可能な絶縁ゲート型トランジスタであって、スイッチングノイズを抑制した、小型で安価な絶縁ゲート型トランジスタを提供する。 - 特許庁

The second transistor 122 constantly operates at a low speed while the gate leak current is small, and the first transistor 121 pauses appropriately while the gate leak current is not small and operates speedily, thus optimizing the transistors 121-123 according to applications and performance.例文帳に追加

第二トランジスタ122はゲートリーク電流が微少な状態で低速に常時動作し、第一トランジスタ121はゲートリーク電流は微少でないが適宜休止しながら高速に動作するので、各トランジスタ121〜123が用途や性能に対応して最適化されている。 - 特許庁

The 'temple gate' scene in Kabuki, "Kinmon Gosan no Kiri (Sanmon Gosan no Kiri)" (The Temple Gate and the Paulownia Crest), is a famous scene in which he takes a flamboyant pose with a tobacco pipe in one hand and says, 'What a glorious view, what a glorious view, the scenery of spring is worth its weight in gold, how small that is, how small that is,' and he reads a poem as a part of his line in the temple gate scene, 'Although there maybe an end to ISHIKAWA and sand on the beach, there is no end to the seeds of robbers in this world (said to be his poem at his death)' as he is roasted to death in a cauldron. 例文帳に追加

歌舞伎『金門五山桐』(楼門五三桐)の「山門」の場で「絶景かな、絶景かな、春の眺めは値千金とは小せえ、ちいせえ」と煙管片手に見得を切り、楼門の場の科白で釜煎りにされながら詠む「石川や 浜の真砂は 尽きるとも 世に盗人の 種は尽きまじ(辞世の句とされている)」が有名である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a manufacturing method of an SIT type switching element, by which a gate electrode, which has a sufficiently small gate hole, in which the gate hole is formed uniformly and which has superior durability, can be obtained easily and which displays superior switching characteristics, when a gate electrode for an SIT using an organic semiconductor, capable of being manufactured at a low temperature as an active layer is manufactured.例文帳に追加

本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたSITのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すSIT型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

It was at its height from the beginning of the Kanei era to the Kanbun era, and the performers in priestly attire showed the performances of kadotsuke (also called as kadozekkyo, which represents a performance in front of the gate of a house) or the performances with an umbrella stood on a street accompanied by sasara (a percussion instrument made of finely split bamboo and played by rubbing against a ridged rod), shoko (a small gong), and kakko (a small drum used in the Court music of Japan and hit with sticks at each end). 例文帳に追加

寛永の始めから寛文頃までがその全盛期で、僧形の芸人が門付け(門説経)や、街角に傘を立ててささら・鉦鼓・羯鼓を伴奏として興行を行った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor device having a high dielectric constant insulating oxide film with a small hysteresis and a small change ΔVfb in a flat band voltage as a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜としてヒステリシスが小さく、フラットバンド電圧の変化ΔVfbが小さな酸化物高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of relatively small size which will not malfunction due to leakage from a transistor region and has high reliability as a semiconductor device equipped with fine gate patterns with small size variance.例文帳に追加

寸法ばらつきの少ない微細なゲートパターンを備えた半導体装置であって、トランジスタ領域からのリークによる誤動作のない信頼性の高い、比較的小サイズの半導体装置を提供する。 - 特許庁

Meanwhile, a gate electrode 4b of a transistor Tr2 of high performance wherein a rapid and large driving current is required, is formed of a small grain diameter polycrystalline silicon layer of a small average crystal grain diameter.例文帳に追加

一方、高速かつ大きな駆動電流が要求される高性能なトランジスタTr2のゲート電極4bは、平均結晶粒径が小さい小粒径多結晶シリコン層により形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a complementary logic gate and a manufacturing method for which power consumption is small, the threshold voltage is easily controlled and the number of manufacturing processes is small.例文帳に追加

低消費電力でしきい値電圧の制御が容易であり、製造工程数の少ない相補型論理ゲートを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a high dielectric constant oxide insulating film which functions as a gate insulating film and has a reduced silicon oxide converted film thickness, a small hysteresis, and a small shift in a flat band voltage (ΔVfb).例文帳に追加

ゲート絶縁膜として、酸化シリコン換算膜厚が薄く、ヒステリシスが小さく、フラットバンド電圧の変化ΔVfbが小さな酸化物高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition for cleaning a mold which is excellent in fluidity and packing properties in a small void in the mold and in a gate part of a small area.例文帳に追加

金型内部の狭小な空隙や面積の狭いゲート部における流動性や充填性に優れた金型清掃用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Even if the area of the source electrode TS is enlarged and the properties of the MOSFET is improved, the area of the gate electrode TG can be made small and the small physical size of the package can be achieved.例文帳に追加

ソース電極TSの面積を大きくしてMOSFETの特性を向上した場合でもゲート電極TGの面積を小さくしてパッケージの小型化が可能になる。 - 特許庁

To provide a pipe culvert flap gate capable of being constituted so as to open a door body at a small amount of discharge, calculating the volume of run-off, at the same time, opening the door body even at a small amount of water and being easily come off even if a foreign matter is caught therein.例文帳に追加

扉体が少い排水量で開披するように構成し、流出量の算出が可能になると共に、扉体が小量の水量でも開き、異物が狭まっても外れ易い管渠用フラップゲートを提供する。 - 特許庁

To provide a MIS type semiconductor device whose switching loss can be made low by making on-resistance small by certainly securing the area of an overlap between a gate electrode and a drift area and also making a feedback capacity small.例文帳に追加

ゲート電極とドリフト領域の重なり面積を確実に確保して低オン抵抗化を図り、且つ、低帰還容量化を図ることで低スイッチング損失化を図ることができるMIS型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric converting device where the resistance of a gate line is small, driving speed is fast, leak current is less and Vth dispersion is small.例文帳に追加

ゲート線の抵抗が小さくて駆動速度の速い光電変換装置、及びリーク電流が少なくて、且つVthばらつきの小さい光電変換装置を提供する。 - 特許庁

In this gate fitted with the locking means comprising a gate bar 2 and a drop rod 3, the small window 10 is formed in a position in which the locking means can be operated by inserting a person's hand; an opening/closing plate 14 for opening/closing the small window 10 is attached to the small window 10; and the opening/closing plate 14 can be locked with the key 15.例文帳に追加

閂2および落とし棒3からなる施錠手段が取り付けられている門扉において、手を通して前記施錠手段を操作することができる位置に小窓10が形成され、小窓10には、小窓10を開閉する開閉板14が取り付けられ、開閉板14は、鍵15により施錠可能である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an under-gate type electron emission element capable of increasing an efficiency by lowering an ineffective current flowing in a gate electrode and providing, with a high reproducibility, the electron emission element with a small beam diameter by preventing emission electrons from dispersing.例文帳に追加

アンダーゲート型の電子放出素子におけるゲート電極に流れ込む無効な電流を減らして効率を高めると共に、放出電子の散乱を防ぎビーム径の小さい電子放出素子を再現性良く得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the so-called cantilever type gate, preventing breakage of a locking claw of a locking means and a gear of a rotation support means even if a gate is driven by wind, and making a speed reducer for using a small-torque motor compact.例文帳に追加

門扉が風に煽られても、ロック手段のロック爪や回動支持手段のギア等が破損するのを防止でき、しかも小トルクのモータを用いるための減速装置をコンパクトなものとできる、所謂片持ちタイプの門を提供する。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit which is small in scale and size without causing a malfunction even if a duty ratio of an input voltage to a transformer is not around 50%, a power conversion circuit and a gate drive method.例文帳に追加

本発明は、トランスへの入力電圧のデューティ比が略50%でなくても不具合が生じず、また小規模で小型な構成で実現できるゲート駆動回路、電力変換回路及びゲート駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a ring core for a flux gate leakage sensor easily saturated with flux density and having a small inductance; to provide a ring core unit including the ring core and having excellent productivity; and to provide the flux gate leakage sensor which is suitable for heightening of a sampling frequency and power saving.例文帳に追加

インダクタンスが小さく磁束密度が飽和し易いフラックスゲート漏電センサ用のリングコア、該リングコアを備える生産性に優れたリングコアユニット、及び、サンプリング周波数の高周波数化及び省電力化に適する、フラックスゲート漏電センサを提供する。 - 特許庁

Since the gate part 12 of a molded product 10 on a first stage 21a is held by a clamp member of a holding device 70 while positioned and is cut, rotation of the gate part 12 can be securely prevented by small force.例文帳に追加

保持装置70のクランプ部材によって第1ステージ21a上の成形品10のゲート部12を位置決めした状態で保持してゲート部12を切断するので、ゲート部12の回転を少ない力で確実に防止することができる。 - 特許庁

To prevent a threshold voltage of an n-type MIS transistor from increase even when a gate width becomes small in a semiconductor apparatus including the n-type MIS transistor including a gate insulator film including a high dielectric constant insulator film including metal for threshold voltage adjustment.例文帳に追加

閾値電圧調整用金属を含む高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜を備えたn型MISトランジスタを有する半導体装置において、ゲート幅が狭くなっても、n型MISトランジスタの閾値電圧が高くなることを防止する。 - 特許庁

When the output current is small, a voltage corresponding to the output current is generated by an output current detection portion 40, and signals supplied to the gate of the FET32 is held at 'L' by a comparison circuit 43 and an AND gate 44, disabling the power conversion portion 30.例文帳に追加

出力電流が小さい場合には、出力電流検出部40により、出力電流に対応する電圧が生成され、比較回路43及びANDゲート44により、FET32のゲートに与えられる信号が“L”に固定され、電力変換部30が機能しなくなる。 - 特許庁

By controlling the potential applied to the back gate electrode with the back gate control circuit, the threshold voltage can be adjusted so that the on resistance is lowered in the case of large output power, and so that the off current is lowered in the case of small output power.例文帳に追加

バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。 - 特許庁

A gate driver 28 of a liquid crystal display device 10 temporarily boosts gate signals to an intermediate voltage VDD from a reference voltage VO and then, boosts the voltage VDD to a writing voltage Vgh so that the size of the residual is made small and no writing shortage is generated.例文帳に追加

液晶表示装置10のゲートドライバ28は、ゲート信号を基準電圧V0から中間電圧VDDに一旦上昇させた後、書き込み電圧Vghに上昇させることによって、なまりを小さくすることができ、書き込み不足が生じない。 - 特許庁

Since the voltage of the bit line BL [i+1] connected to the source of a twin memory cell 100 [i] is made nearly 0 V (almost several tens to hundreds mV), the influence of the back gate of a bit line selection transistor 217B is small, and its gate voltage BS1 is set to power source voltage Vdd (1.5 V).例文帳に追加

ツインメモリセル100[i]のソースに接続されたビット線BL[i+1]の電圧は0Vに近い電圧(数十〜百mV程度)となるため、ビット線選択トランジスタ217Bのバックゲートの影響は少ないので、そのゲート電圧BS1を電源電圧Vdd(1.5V)に設定した。 - 特許庁

The outer peripheral surface of an exposed part of a gate spindle 3 near the water surface WL at the time of full closure of a regulating gate is surrounded by the tip 8a of a circular scraping pawl 8 having a downward-truncated-cone-shaped section, with a very small gap left between.例文帳に追加

制水扉2の全閉時におけるゲートスピンドル3の水面WL近くの露出部分の外周面を、下向き截頭円錐形断面で環状の掻取り爪8の爪先8aによってきわめて小さい隙間9を有して取囲む。 - 特許庁

Since a notch part 76 is formed on the inner peripheral edge part 74 of a metallic plate 62 and a gate part is formed in the notch part 76, insertion molding of the metallic plate 62 can be performed without using a submarine gate, so that no problem is caused even when the hole part 58A of a reel hub 56 is small.例文帳に追加

金属プレート62の内周縁部74に切欠き部76を形成し、切欠き部76内にゲート部を設けることで、サブマリンゲートによらず金属プレート62をインサート成形することができるため、リールハブ56の穴部58Aが小さくても問題は生じない。 - 特許庁

例文

To provide the overhang gate that can prevent a lock nail of lock means and a gear of revolving support means from damaging even if the gate is fanned by the wind and make compact the reduction gear for using a small torque motor as well.例文帳に追加

門扉が風に煽られても、ロック手段のロック爪や回動支持手段のギア等が破損するのを防止でき、しかも小トルクのモータを用いるための減速装置をコンパクトなものとできる、所謂片持ちタイプの門を提供する。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS