「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

If it is below a predetermined value, pattern matching processing is selected and a basic vehicle pattern is read out (step S201) and then a feature point is determined by pattern matching (step S202).例文帳に追加

Ｙ座標値が所定値以下である場合はパターンマッチング処理を選択し、基本車両パターンを読み出して（ステップＳ２０１）パターンマッチングにより特徴点を求める（ステップＳ２０２）。 - 特許庁

The first master pattern and the pattern to be measured are positioned so as to match a coordinate system of the conductor pattern, they are compared and the conductor pattern is inspected (step 107).例文帳に追加

導体パターンの座標系が一致するように第１のマスタパターンと被測定パターンを位置合わせし、これらを比較して導体パターンを検査する（ステップ１０７）。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method comprises: a rectangle approximation step S30 of approximating a planned pattern by rectangles to generate a rectangle approximation pattern; steps S40, S50 of generating a first correction pattern based on the rectangle approximation pattern; and a step S60 of generating an irradiation pattern by enlarging the first correction pattern by a process bias Δ.例文帳に追加

計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程Ｓ３０と、矩形近似パターンに基いて第１補正パターンを生成する工程Ｓ４０，Ｓ５０と、第１補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、照射パターンを生成する工程Ｓ６０と、を具備する。 - 特許庁

The step-up notice can be given by the background color display pattern appearing in a display window.例文帳に追加

表示窓に現れた背景色表示パターンでステップアップ予告できる。 - 特許庁

The visual pattern is then removed with the set threshold (step S3).例文帳に追加

次に、上記設定したしきい値により視覚パターンを除去する（ステップＳ３）。 - 特許庁

After the pattern transfer, an overlap of patterns is measured in a step 518.例文帳に追加

パターン転写後、ステップ５１８にてパターンの重ね合わせ計測が行われる。 - 特許庁

A pattern used in a patterning step is formed by a droplet jetting method.例文帳に追加

パターニング工程に利用するパターンを、液滴吐出法により形成する。 - 特許庁

To form a photomask while reducing a step of a device pattern after OPC (optical proximity correction).例文帳に追加

ＯＰＣ後のデバイスパターンの段差を低減してフォトマスクを形成する。 - 特許庁

Then, photolithographic processing is performed on the wafer to form a resist pattern (Step S6).例文帳に追加

ウェハにフォトリソグラフィー処理を行い、レジストパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The control unit calculates an intensity difference D[n] for each reference pattern (step S110), and extracts a reference pattern having a largest intensity difference (step S112).例文帳に追加

そして、制御部は、参照パターン毎の強度差Ｄ［ｎ］を算出し（ステップＳ１１０）、最大の強度差をもつ参照パターンを抽出する（ステップＳ１１２）。 - 特許庁

When the dot pattern is detected (step S15; YES), a display control part displays a message showing that the dot pattern has been detected on the operation panel (step S16).例文帳に追加

ドットパターンが検出されたら（ステップＳ１５；ＹＥＳ）、表示制御部は操作パネルにドットパターンが検出されたことを示すメッセージを表示する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

The method includes: a base pattern judgement step for judging a base pattern included in image data; and a resolution conversion step for converting the resolution of the image data.例文帳に追加

本方法は、画像データに含まれる地紋を判別する地紋判別ステップと、画像データの解像度を変換する解像度変換ステップを含む。 - 特許庁

A synthesis processing part synthesizes image data of the printed matter in which the background pattern is missing with image data of the background pattern generated in Step S16 (Step S17).例文帳に追加

合成処理部は、背景パターンが欠落した印刷物画像データと、ステップＳ１６で生成した背景パターンの画像データとを合成する（ステップＳ１７）。 - 特許庁

These parts are converted to partial color pattern display data concerning partial patterns (step S24) and processing for synthesization to color embroidery pattern display data is performed (step S25).例文帳に追加

これを部分模様についての部分模様カラー表示データに変換し（ステップＳ２４）、刺繍模様カラー表示データへの合成処理を行う（ステップＳ２５）。 - 特許庁

After that a test pattern is recorded with the prescribed recording power (step A04), the test pattern is erased while varying stepwise erasing power (step A05).例文帳に追加

その後、テストパターンを所定の記録パワーで記録し（ステップＡ０４）、そのテストパターンを、消去パワーを段階的に変化させながら消去する（ステップＡ０５）。 - 特許庁

WSiN is formed into a film (step S12), and this film is etched (step S14) to form a dummy pattern.例文帳に追加

ＷＳｉＮを成膜し（工程Ｓ１２）、このＷＳｉＮ膜をエッチングし（工程Ｓ１４）、ダミーパターンを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed wiring board includes a pattern forming step and a dummy terminal forming step.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板の製造方法において、パターン形成工程とダミー端子形成工程とを行う。 - 特許庁

The step A2 to step A5 are then repeated until the size of the dummy pattern becomes the minimum size which meets a design rule.例文帳に追加

そしてステップＡ２乃至ステップＡ５を、ダミーパターンのサイズがデザインルールを満たす最小サイズに至るまで繰り返す。 - 特許庁

The image recognition apparatus performs pattern matching determination after making the resolution lower in a second step than in the first step.例文帳に追加

画像認識装置は２段階目に１段階目よりも解像度を低くした後にパターン照合判定を行う。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern includes at least a resist pattern thickening step of applying and heating a resist pattern thickening material for covering the surface of a resist pattern, after the resist pattern is formed, and developing the material to thicken the resist pattern; and a heat treatment step of further heating the thickened resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料を塗布し、加熱した後、現像することにより前記レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化工程と、厚肉化後のレジストパターンを更に加熱する加熱処理工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

A fine pattern is joined to a substrate W1 by a first group of the coating step and a micropattern forming step by etching a transfer step, and a second group of a coating step and a micropattern forming step by etching the transfer step.例文帳に追加

第１群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程と、第２群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程とによって、微細パターンを基材Ｗ１につなげて形成する。 - 特許庁

When it is won, whether or not all rotary drums are stopped is determined (step 35), and when they are stopped, whether or not a displayed pattern is an allotment pattern is determined (step 36), and game tokens are put out when it is the allotment pattern (step 37).例文帳に追加

当選であれば、全ての回転ドラムが停止したか否かを判定し（ステップ３５）、停止していれば、表示している図柄が配当図柄か否かを判定し（ステップ３６）、配当図柄であれば遊技メダルを払い出す（ステップ３７）。 - 特許庁

The method for drawing the picture pattern comprises the step of generating a coating material having the decorative picture pattern containing a diamond powder of 10 to 15 microns as a main component.例文帳に追加

１０〜１５ミクロンのダイヤモンドパウダーを主成分とする装飾絵模様の塗装材料を生成する。 - 特許庁

Shape correction is performed to a device pattern 1 with a step 1a formed by OPC, and an assist pattern 2 adjacent to the device pattern 1.例文帳に追加

ＯＰＣによって段差１ａが形成されたデバイスパターン１と、そのデバイスパターン１に隣接するアシストパターン２とに対し、形状補正を行う。 - 特許庁

The subdivision pattern of a surface constituting the three-dimensional shape is determined (step S2).例文帳に追加

立体形状を構成する面の細分割パターンを決定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A plurality of pattern data and job decks are read from the data file in the step S_2.例文帳に追加

ステップＳ_2 で、複数個のパターンデータ、及びジョブデックをデータファイルから読み出す。 - 特許庁

When someone has rights to copy a printed matter (Step S15/YES), a background pattern generating part generates image data of the same background pattern as a missing background pattern based on information to specify a background pattern (Step S16).例文帳に追加

印刷物を複写する権限がある場合（ステップＳ１５／ＹＥＳ）、背景パターン生成部は、背景パターンを特定する情報に基づき、欠落した背景パターンと同一の背景パターンの画像データを生成する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for thickening a resist pattern by coating the surface of the pattern with the thickening material after forming the pattern on an underlayer and a step for patterning the underlayer by etching through the pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A resistor element pattern 30 is formed by laying a lowermost level pattern 30a, a step-like pattern 30b and a highest level pattern 30c on a step-like oxide film 31 formed on a semiconductor substrate 33.例文帳に追加

抵抗素子パターン３０は、半導体基板３３上に形成された階段状の酸化膜３１上に、最下段パターン３０ａ、階段状パターン３０ｂ、最上段パターン３０ｃから形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the organic film pattern working step; a heating step (S00) of heating the substrate, a removing step of removing a decomposed layer or deposited layer formed on the surface of the organic film pattern, and a melting and deforming step (S3) of melting and deforming the organic film pattern are performed in this order.例文帳に追加

有機膜パターン加工処理では、基板を加熱する加熱処理（ステップＳ００）と、有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理と、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、をこの順に行う。 - 特許庁

The pattern forming apparatus 100 carries out steps of: scanning a base material 303 with a CCD camera 302 to acquire the image data or the like of the pattern in the preceding step (step 502); and subjecting the image data to image processing to acquire the measurement data relating to the position of the pattern in the preceding step (step 503).例文帳に追加

パターン形成装置１００は、ＣＣＤカメラ３０２により基材３０３上を走査し、前工程パターンの画像データ等を取得し（ステップ５０２）、画像データについて画像処理を行い、前工程パターンの位置に関する測定データを取得する（ステップ５０３）。 - 特許庁

When the registered tactile stimulus time series pattern is reproduced (Step S8, Step S9), the user who has reproduced the registered tactile stimulus time series pattern is authenticated as the registrant (Step S10).例文帳に追加

そして、この登録されている触刺激時系列パターンが再現されたとき（ステップＳ８、ステップＳ９）、登録されている触刺激時系列パターンを再現したユーザを登録者本人と判定する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

The metalized substrate manufacturing method comprises a metalized pattern forming step for forming a metalized pattern on a substrate, a coating layer forming step for forming a coating layer in at least a part of the metalized pattern, and a polishing step for mechanically polishing surfaces of the coating layer and the metalized pattern.例文帳に追加

基板上にメタライズパターンを形成する、メタライズパターン形成工程と、メタライズパターンの少なくとも一部にコーティング層を形成する、コーティング層形成工程と、コーティング層とともにメタライズパターンの表面を機械研磨する、研磨工程とを備える、メタライズド基板の製造方法とする。 - 特許庁

The first mask is eliminated (step S104), and then, a second mask is formed as a pattern different from that of the first mask in a second mask forming step (step S105).例文帳に追加

第１のマスクを除去した後（ステップＳ１０４）、第２のマスク形成工程で第２のマスクを第１のマスクと異なるパターンとして形成する（ステップＳ１０５）。 - 特許庁

A simulation is executed (step 1), an input/output switch timing of an integrated circuit is calculated to create a test program and a test pattern (step 2, step 3).例文帳に追加

シミュレーションを実行して（ステップ１）集積回路の入出力の切替えタイミングを算出し、テストプログラムとテストパタンとを作成する（ステップ２，ステップ３）。 - 特許庁

After the photo-resist pattern is removed in an ashing step, a two-step isotropic etching step is carried out in a single cleaning system continuously with a conventional strip step.例文帳に追加

フォトレジストパターンをアッシング工程によって除去した後、単一の洗浄システム内で既存のストリップ工程と連続して行なわれる２段階の等方性湿式蝕刻工程を実施する。 - 特許庁

The step of forming the first and the second resin patterns is a step of forming the first resin pattern and the second resin pattern with a height lower than that of the first resin pattern by developing the transparent resin layer.例文帳に追加

第１、第２の樹脂パターンを形成する工程は、透明樹脂層を現像することにより、第１の樹脂パターンおよびこのパターンよりも低い第２の樹脂パターンを形成する工程である。 - 特許庁

An image is shaped (step 604), a bit pattern is detected (step 605), a two-dimensional code is detected (step 606), and the identification information of the medium and position information in the medium are fetched (step 607) for storage (step 608).例文帳に追加

また、画像を整形し(ステップ６０４)、ビットパターンを検出し(ステップ６０５)、２次元コードを検出し(ステップ６０６)、媒体の識別情報及び媒体内の位置情報を取り出し(ステップ６０７)、記憶する(ステップ６０８)。 - 特許庁

The flaw detection method includes an image input step ST1, an inspection data extracting step ST2, a comparison data extracting step ST3, a background pattern direction calculating step ST4, and a flaw detecting step ST5.例文帳に追加

欠陥検出方法は、画像入力工程ＳＴ１と、検査データ抽出工程ＳＴ２と、比較データ抽出工程ＳＴ３と、背景パターン方向算出工程ＳＴ４と、欠陥検出工程ＳＴ５とを備える。 - 特許庁

LSI DESIGN METHOD HAVING DUMMY PATTERN GENERATING STEP AND LCR EXTRACTING STEP, AND COMPUTER PROGRAM FOR IMPLEMENTING THE METHOD例文帳に追加

ダミーパターン発生工程とＬＣＲ抽出工程とを有するＬＳＩ設計方法及びそれを行うコンピュータプログラム - 特許庁

These data are converted to color display data (step S24), and processing for synthesization to entire pattern color display data is performed (step S25).例文帳に追加

これをカラー表示データに変換し（ステップＳ２４）、全体模様カラー表示データへの合成処理を行う（ステップＳ２５）。 - 特許庁

The grooves can be formed in a photolithographic step and an etching step of forming the hologram pattern 3.例文帳に追加

この溝部は、ホログラムパタ−ン３を形成するフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程において形成することができる。 - 特許庁

The second master pattern and the pattern to be measured are positioned so as to match the coordinate system of the conductor pattern and the position deviation of the hole is inspected (step 109).例文帳に追加

導体パターンの座標系が一致するように第２のマスタパターンと被測定パターンを位置合わせし、穴の位置ずれを検査する（ステップ１０９）。 - 特許庁

In a mask pattern preparation step, a mask pattern of each cell is prepared by extracting a cell after the OPC from the pattern subjected to the OPC process.例文帳に追加

マスクパターン作成ステップは、前記ＯＰＣ処理が行われたパターンから前記ＯＰＣ後のセルを抽出することによって前記セル毎のマスクパターンを作成する。 - 特許庁