| 例文 |
step patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2083件
The substrate processing method includes a film forming step of providing the resist film on the substrate, and an exposure step of performing electron beam lithography for the desired pattern on the resist film on the substrate, and further a ground pattern forming step of forming a conductive ground pattern in a non-drawing region which is not exposed, on the resist film, between the film forming step and exposure step.例文帳に追加
基板処理方法を、基板上にレジスト膜を設ける成膜工程と、前記基板上のレジスト膜に所望パターンの電子線露光を行う露光工程とを備え、さらに、前記成膜工程と露光工程との間に、前記レジスト膜上の前記露光がされない非描画領域に導電性のアースパターンを形成するアース形成工程を設けるよう構成する。 - 特許庁
The steps for forming the diffusion layer includes a step for preparing a roller around which a master film is wound, a step for applying a coating liquid to the base film, a step for forming the diffusion pattern by patterning the coating liquid applied to the base film by the roller, and a step for curing the diffusion pattern.例文帳に追加
拡散層を形成する段階は、マスターフィルムが巻かれたローラーを準備する段階、ベースフィルムにコーティング液を塗布する段階、ベースフィルムに塗布されたコーティング液をローラーでパターニングして拡散パターンを形成する段階、及び拡散パターンを硬化させる段階を含む。 - 特許庁
A first mask part patterning step S7-1 in the ridge waveguide part forming step S7 and a second mask part patterning step S9-1 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time by a pattern transfer from a master pattern 40M.例文帳に追加
リッジ導波路部形成工程S7における第1マスク部パターニング工程S7−1と半導体回折格子要素形成工程S9における第2マスク部パターニング工程S9−1とは、一つのマスターパターン40Mからのパターン転写によって一括して行われる。 - 特許庁
This method contains at least the resist pattern forming step in which after a resist pattern 3 is formed on a processing face 5, a resist pattern thickness increasing material 1 is applied so as to cover a surface of the resist pattern, whereby the thickness of the resist pattern is increased and the unwanted pattern formed together with the resist pattern is erased.例文帳に追加
被加工面5上にレジストパターン3を形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料1を塗布することにより、該レジストパターンを厚肉化し、かつ該レジストパターンと共に形成された不要なパターンを消去するレジストパターン形成工程を少なくとも含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method comprises steps of: reading the servo pattern recorded on a disk; generating an erase pattern for erasing the servo pattern on the basis of the servo pattern acquired through the step of reading the servo pattern; and deleting the servo pattern using the erase pattern while the disk is rotated.例文帳に追加
ディスク上に記録されたサーボパターンを読み取る段階と、前記サーボパターンを読み取る段階を通じて獲得されたサーボパターンに基づいて、前記サーボパターンを消去するためのイレーズ(erase)パターンを生成する段階と、前記ディスクが回転している間に、前記イレーズパターンを用いて前記サーボパターンを削除する段階とを有する。 - 特許庁
The thus formed pattern image is arranged in the document as an object image (step 118).例文帳に追加
このように形成したパターン画像を、対象画像であるドキュメントに配列する(ステップ118)。 - 特許庁
At a step where the output pattern for authentication is displayed from the display window, a power switch is turned off temporarily.例文帳に追加
表示窓から認証用出目が表示された段階で、電源スイッチを一旦オフにする。 - 特許庁
In the case of outputting an excitation pattern to a drum motor, the step counter is incremented by one.例文帳に追加
さらに、ドラムモータに対して励磁パターンを出力した場合には、ステップ数カウンタを+1する。 - 特許庁
In step S210, the temperature of a resistance pattern in application of an initial voltage is obtained.例文帳に追加
ステップS210において、初期電圧を印加したときの抵抗パターンの温度を取得する。 - 特許庁
To provide a pattern formation method which does not need any special mask plate in a light exposure step.例文帳に追加
露光工程時において専用のマスク板を必要としないパターン形成方法を提案する。 - 特許庁
Also, at least the maximum width yi of the second coordinate axis of each pattern data is computed (step A3).例文帳に追加
また、各パターンデータの少なくとも第2の座標軸の最大幅yiを算出する(ステップA3)。 - 特許庁
The method also comprises a step of forming a T-shape gate electrode 40 by removing the first resist pattern.例文帳に追加
次いで、第1のレジストパターンを除去することによりT形ゲート電極40が形成される。 - 特許庁
Wherein, in the extraction step (S24), the size of an extracted fine-graphic pattern is compared with the corresponding predetermined size.例文帳に追加
抽出するステップ(S24)において、微小図形の大きさを所定の大きさと比較する。 - 特許庁
INSULATED SUBSTRATE WHERE FINE WIRING PATTERN IS FORMED ON FACE HAVING STEP PART, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
段差部を有する面に微細な配線パターンが形成された絶縁性基板とその製造方法 - 特許庁
To provide a photoresist composition excellent in pattern uniformity and heat resistance after a hard baking step.例文帳に追加
ハードベーク工程後のパターン均一性及び耐熱性に優れたフォトレジスト組成物を提供。 - 特許庁
The feature point thus detected is registered as a vehicle pattern (step S203, S206).例文帳に追加
こうして検出される特徴点を車両パターンとして登録する(ステップS203、S206)。 - 特許庁
Registered shape portion data are read out from a My pattern matching area (step S211).例文帳に追加
Myパターンマッチング領域から登録されている形状部分データを読み出す(ステップS211)。 - 特許庁
In the shift step, a shift unit shifts the whole reference pattern image by using the shift amount.例文帳に追加
シフトステップでは、シフト部が、前記シフト量を用いて前記基準パターン画像全体をシフトする。 - 特許庁
In this etching step, a waveshape-like etching pattern is adopted on the layer 105.例文帳に追加
このエッチング工程において、p型層105上に周辺が波形状のエッチングパタンを採用する。 - 特許庁
Meanwhile, an image pattern is created from transmission destination information corresponding to the transmission destination (step ST7).例文帳に追加
一方、送信先に対応する送信先情報からイメージパターンを作成する(ステップST7)。 - 特許庁
The resist film is exposed in the desired pattern shape with a KrF excimer laser exposer (step S2).例文帳に追加
次いで、KrFエキシマレーザ露光機にて所望のパターン形状にレジスト膜を露光する(ステップS2)。 - 特許庁
In the first step, a pattern having patterns 2a and 2b is formed on the conductor layer 2.例文帳に追加
第一の工程では、パターン2a及び2bを有するパターンが導体層2に形成される。 - 特許庁
A combination of a dummy pattern of a size corresponding to the minimum reticle is then located (step A6).例文帳に追加
さらに、最小のレチクルに対応するサイズのダミーパターンの組み合わせを配置する(ステップA6)。 - 特許庁
The SQL registering step registers a sending-out pattern of an SQL from a prescribed application.例文帳に追加
SQL登録ステップでは、所定のアプリケーションからのSQLの送出パターンを登録する。 - 特許庁
In the step 2, a liquid sulfurated silicone rubber 24 at room temperature is allowed to flow on the pattern layer of the mold 10.例文帳に追加
ステップ2は、液状の室温の硫化シリコーンゴム24を金型10のパターン層に流す。 - 特許庁
The plurality of first conductive films 25a and the step reducing pattern are covered with a first insulation film.例文帳に追加
複数の第1の導電膜25a及び段差緩和パターンを、第1の絶縁膜が覆う。 - 特許庁
The transmittance of the pattern 131 of the window is set to be higher than the pattern 121 of the window, and a pattern 133 of the conversation is displayed in a state that the pattern is positionally displaced from a pattern 123 of the conversation in the video of the step-up notice 3.例文帳に追加
このウィンドの絵柄131はウィンドの絵柄121に比べて透過率が高く設定されたものであり、ステップアップ予告3の映像では会話の絵柄133が会話の絵柄123に対して位置的にずらして表示される。 - 特許庁
A method of forming a servo synch mark pattern is disclosed including; a step to form a first servo synch mark pattern in even-numbered track; and a step which forms a second servo synch mark pattern distinguished from the first servo synch mark pattern in an odd-numbered track.例文帳に追加
偶数トラックに第1サーボ同期表示パターンを形成するステップと、奇数トラックに前記第1サーボ同期表示パターンと区別される第2サーボ同期表示パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする、サーボ同期表示パターンの形成方法が提供される。 - 特許庁
An ATO section 11 calculates an ORP pattern in response to an ORP trigger signal and generates a target deceleration pattern which is lower than the ORP pattern (step S208), and then outputs a brake command so that a train runs and stops according to the target deceleration pattern (step S209, S210).例文帳に追加
ATO部11は、OPRトリガ信号に応答してOPRパターンを算出し、該ORPパターンより低い目標減速パターンを生成し(ステップS208)、前記目標減速パターンに従って列車が走行して停止するように制動指令を出力する(ステップS209、S210)。 - 特許庁
When the new and old rhythm numbers are different, smoothing pattern designating addresses corresponding to the new and old rhythms are generated with reference to a smoothing pattern table SMPT (step SD5), and automatic accompaniment is advanced using the smoothing pattern data designated by the smoothing pattern designating addresses (step SD6-SD7).例文帳に追加
新旧リズム番号が相違する場合には、スムージングパターンテーブルSMPTを参照して新旧リズム番号に対応したスムージングパターン指定アドレスを発生し(ステップSD5)、当該スムージングパターン指定アドレスで指定されるスムージングパターンデータを用いて自動伴奏を進める(ステップSD6〜SD7)。 - 特許庁
In the case that the variable display pattern is a normal/probability variable shared pattern, when a first display result notifying command is not received, the established performance pattern and established decorative pattern of the normal big winning combination are determined (step S541).例文帳に追加
可変表示パターンが通常・確変共用パターンである場合に、第1表示結果通知コマンドの受信がなければ、通常大当り組合せの確定演出図柄と確定飾り図柄を決定する(ステップS541)。 - 特許庁
Then, the pattern position is corrected by the portion of pattern displacement caused by the variation of the flatness from the time of measuring the pattern position to the posture in exposure to obtain the pattern position of the mask in the posture in exposure (step ST 5).例文帳に追加
そして、パターン位置の測定時から露光時の姿勢への平面度の変化に起因するパターン変位分だけパターン位置を補正して、露光時の姿勢におけるマスクのパターン位置を求める(ステップST5)。 - 特許庁
A burst pattern and a step pattern are scrolled to be tracked and imaged, and imaged image data are captured at a length of a periodic pattern part of the burst pattern and subjected to a frequency analysis, whereby moving image resolution is accurately evaluated.例文帳に追加
バーストパターンとステップパターンをスクロールさせ、追従撮影し、パースとパターンの周期パターン部分の長さで撮影画像データを切り出して周波数解析することにより、高精度で動画解像度の評価を行う。 - 特許庁
A performance control CPU determines a notice performance pattern kind which is a group that a plurality of notice performances belong to (step S531, step S540).例文帳に追加
演出制御CPUは、複数の予告演出が属するグループである予告演出パターン種別を決定する(ステップS531、ステップS540)。 - 特許庁
A performance control CPU determines forenotice performance pattern types, or groups to which a plurality of forenotice performances belong (a step S531 and a step S540).例文帳に追加
演出制御CPUは、複数の予告演出が属するグループである予告演出パターン種別を決定する(ステップS531、ステップS540)。 - 特許庁
Then the pattern measurement apparatus decomposes design data into basic shapes (step S302), and calculates a normal vector for each basic shape (step S303).例文帳に追加
そして、パターン計測装置は、デザインデータを基本形状に分解し(ステップS302)、基本形状ごとに法線ベクトルを算出する(ステップS303)。 - 特許庁
The method includes a step of forming a conductive film pattern 27A used for a lower electrode, a step of forming a nanotube 28 like whiskers on the surface of the conductive film pattern 27A without using any catalysts, a step of forming a dielectric film 29 on the conductive pattern 27A including the nanotube 28, and a step of forming an upper electrode 30 on the dielectric film 29.例文帳に追加
下部電極に用いられる導電膜パターン27Aを形成するステップと、導電膜パターン27Aの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ28を形成するステップと、ナノチューブ28を含む導電膜パターン27A上に誘電膜29を形成するステップと、誘電膜29上に上部電極30を形成するステップとを含む。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor package 71 comprises: a step for forming a metal circuit pattern 702 on a substrate; a step for connecting an integrated circuit unit 703 to the metal circuit pattern 702; a step for forming resins 708 on the substrate, the metal circuit pattern 702, and the integrated circuit unit 703; and a step for removing the substrate.例文帳に追加
本発明に係る半導体パッケージ71の製造方法は、サブストレートに金属回路パターン702を形成するステップと、集積回路ユニット703を金属回路パターン702に接続するステップと、サブストレート、金属回路パターン702および集積回路ユニット703に樹脂708を形成するステップと、サブストレートを除去するステップとを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the diffraction optical element comprises at least a step for forming a blaze diffraction pattern having a long period on a substrate and a step for processing the blaze diffraction pattern formed in the above step into a blaze diffraction pattern having a short period by photolithography while keeping the angle of the inclined faces of the original blaze diffraction pattern.例文帳に追加
回折光学素子の製造方法を、少なくとも、基板上に長周期のブレーズ型回折パターンを形成する工程と、前記工程で形成されたブレーズ型回折パターンの斜面部の角度を保持したまま、フォトリソグラフィを用いて該ブレーズ型回折パターンを短周期のブレーズ型回折パターンに加工する工程とで構成する。 - 特許庁
The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.例文帳に追加
表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第1の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第2の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁
The pattern forming method has a step A for discharging droplets of a liquid material from a discharging part to the surface of a material body in order to form a pattern on the surface of the material body, a step B for imaging the pattern and obtaining an imaging data by using an imaging device, and a step C for inspecting the profile of the pattern based on the imaging data.例文帳に追加
パターン形成方法は、物体の表面にパターンを形成するために吐出部から前記表面へ液状材料の液滴を吐出する工程Aと、撮像装置を用いて前記パターンを撮像して撮像データを得る工程Bと、前記撮像データに基づいて前記パターンの形状を検査する工程Cと、を包含している。 - 特許庁
After the memory cell is made an over erasing state again (step S204), after inversion data written in the step 202 is written with a low write-in level (step S205), the checker pattern written in the step 205 is read out, and determination of a normal/defective apparatus is made (step S205).例文帳に追加
再びメモリセルを過消去状態にした後(ステップS204)、ステップS202で書き込んだ反転データを浅い書き込みレベルで書き込んだ後(ステップS205)、ステップS205で書き込んだチェッカパターンの読み出しテストを行い、良/不良を判定する(ステップS205)。 - 特許庁
When it is test pattern mode, a test pattern is read and the correction of the operation coefficient, a correction situation, removing number of corrections, etc., are notified (step S20).例文帳に追加
テストパターン読取モードの場合は、テストパターンを読取り、演算係数の補正と補正の状況、補正残回数等を報知する(ステップS20)。 - 特許庁
A step height (d) of the uneven pattern 16 is set to 0.5 to 1.5 mm, and the area ratio of a projection part 16b occupied in the whole uneven pattern 16 is set to 40 to 70%.例文帳に追加
凹凸パターン16の段差dは0.5〜1.5mmであり、凹凸パターン16全体に占める凸部16bの面積比は40〜70%である。 - 特許庁
Then, the CPU 601 sets a deceleration pattern for the motor 612 according to the degree of the step-out, and controls the motor 612 in the deceleration pattern.例文帳に追加
そして、CPU601は、脱調の度合いに応じて、モータ612の減速パターンを設定し、当該減速パターンでモータ612を制御する。 - 特許庁
(Step S1) A layout pattern 1a of a layout layer of a semiconductor device is divided into division regions 2a, 2b, ... as shown in a layout pattern 1b.例文帳に追加
半導体装置のレイアウト層のレイアウトパターン1aをレイアウトパターン1bに示すように分割領域2a,2b,・・・に分割する(ステップS1)。 - 特許庁
On the basis of the standard pattern and on the basis of the actual pattern for the differential value, the step and the mask residual film thickness of the second material to be treated are found.例文帳に追加
前記標準パターンと前記微分値の実パターンとに基づき、前記第2の被処理材の段差とマスク残膜厚さを求める。 - 特許庁
To provide an imprint template and an imprinting method capable of preventing damage to a pattern in a step of parting a template from the pattern.例文帳に追加
テンプレートをパターンから離型する工程において、パターンが破壊することを防止するインプリント用テンプレート及びインプリント方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|