「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The simulation method includes step S2 of applying bias processing to a mask pattern to be simulated with reference to a reference table wherein relations between pattern sizes and pattern bias amounts are regulated and step S3 of obtaining an optical image of the mask pattern subjected to the bias processing.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーションの対象となるマスクパターンに対して、パターン寸法とパターンバイアス量との関係が規定された参照テーブルを参照してバイアス処理を施す工程Ｓ２と、バイアス処理が施されたマスクパターンの光学像を求める工程Ｓ３とを備える。 - 特許庁

Alternatively, the color distribution of the test pattern is automatically discriminated on the basis of image data (step S7), and calculation methods and parameters are changed in accordance with the discriminated color distribution of the test pattern (step S8).例文帳に追加

或いは、画像データに基づいてテストパターンの色分布を自動的に判別し（ステップＳ７）、判別されたテストパターンの色分布に応じて計算方法及びパラメータを変更する（ステップＳ８）。 - 特許庁

Then, a pattern is drawn by the step of discharging a functional liquid to the tape 80 from a liquid discharge head, and the step of drying the functional liquid to form a pattern on the tape 80.例文帳に追加

その後、液滴吐出ヘッドからテープ８０へ機能液を吐出するステップと、機能液を乾燥させてテープ８０上にパターンを形成するステップと、によってパターンを描画する。 - 特許庁

In a step 512, a pattern is transferred to respective wafers in a lot, and prior to the transfer, alignment marks formed on the wafers through precedent exposure together with the pattern are detected (step 506).例文帳に追加

ステップ５１２でロット内のウエハのそれぞれにパターンが転写されるが、その転写に先だって、そのウエハに先の露光でパターンとともに形成されたアライメントマークが検出される（ステップ５０６）。 - 特許庁

When the threshold variation pattern is set at more than one advancing order of the maps, the threshold variation pattern is switched in order by one step by one step for every sampling time.例文帳に追加

この際、しきい値変化パターンがそれらのマップ順で一つ以上飛び越えて設定された場合には、そのしきい値変化パターンをサンプリング時間ごとに一段階ずつ順番に切り替える。 - 特許庁

A sidewall part 17 of the first step difference pattern 11 and a sidewall part 18 of the second step difference pattern 13 are formed at the same angle and is formed so as to have the same crystal orientation.例文帳に追加

そして、第１段差パターン１１の側壁部１７と、第２段差パターン１３の側壁部１８とが、同一の角度で形成され、かつ同一の結晶方位を有するように形成する。 - 特許庁

Each pixel value taken into the RAM 148 is detected (step 235), and the mask pattern to be applied to each pixel region is determined by the random number on the basis of a pattern table (step 245).例文帳に追加

ＲＡＭ１４８に取り込まれた各画素の値が判定され（ステップ２３５）、各画素領域に適用されるマスクパターンが、乱数により、パターンテーブルに基いて決定される（ステップ２４５）。 - 特許庁

Then, the performance control CPU determines either of the forenotice performance patterns contained in the determined forenotice performance pattern type (a step S538 and a step S546).例文帳に追加

その後、決定した予告演出パターン種別に含まれる予告演出パターンのいずれかに決定する（ステップＳ５３８、ステップＳ５４６）。 - 特許庁

When the button is pressed, moving image photographing processing is started (step S214), and a subject is recognized by pattern matching (step S205).例文帳に追加

押下されたならば、動画撮影処理を開始するとともに（ステップＳ２１４）、パターンマッチングにより被写体を認識する（ステップＳ２０５）。 - 特許庁

Image data for generating forgery prevention pattern are fetched (step S1) and the image data are divided into blocks in the same shape (step S2).例文帳に追加

偽造防止パターンを作成する画像データを取り込み（ステップＳ１）、その画像データを同一形状のブロックに分割する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Thereafter, one of the notice performance patterns included in the determined notice performance pattern kind is determined (step S538, step S546).例文帳に追加

その後、決定した予告演出パターン種別に含まれる予告演出パターンのいずれかに決定する（ステップＳ５３８、ステップＳ５４６）。 - 特許庁

Next, a step for making the bottom part electrode and resistors having a constant length in a pattern, and a step 350 for performing etching are executed.例文帳に追加

次に、この底部電極と一定長の抵抗器をパターンに作成する段階およびエッチングを行う段階３５０が実行される。 - 特許庁

An image pattern is formed on an intermediate transfer body at a step S10, and a color slippage is detected by a detecting sensor at a step S12.例文帳に追加

ステップＳ１０において、像パターンを中間転写体に形成し、ステップＳ１２において、検知センサにより色ずれを検知する。 - 特許庁

To notify the result of a picture pattern lottery step by step in two or more steps of performance.例文帳に追加

スロットマシンに関し、図柄抽選の結果を、二段階以上の演出により、段階的に告知することができるようにしたものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This correction method is comprised of a master pattern classifying step 100 classifying the master pattern according to a positional relationship between each master pattern form and mask patterns located in the neighborhood of each mask pattern, and OPC executing steps 101, 102 for executing the optical proximity effect correction to the mask pattern forms classified by the mask pattern classifying step 100.例文帳に追加

各々のマスクパターンの形状、および各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップ１００と、このマスクパターン分類ステップ１００で分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正（以下、ＯＰＣ）を実施するＯＰＣ実施ステップ１０１，１０２とから構成されている。 - 特許庁

The pattern forming method comprises a step of forming an organic film on a substrate, a step of compression-bonding a plasma-processed mold, having pattern-forming protrusions and recesses on the organic film with the mold so as to face the substrate, and a step of removing the mold from the substrate to form a pattern.例文帳に追加

有機膜を基板上に形成する工程と、上記有機膜にプラズマ処理を行ったパターン形成用の凸部又は凹部を有するモールドを前記基板に対向するように圧着させる工程と、前記基板から前記モールドを脱着することによりパターンを形成するパターン形成方法。 - 特許庁

After image data to be output by a solid-state image sensor is fetched (step S1) and reduced image data is generated (step S2), pattern matching processing between a face pattern and the reduced image data is performed to extract a face area candidate having correlation of a prescribed value or larger with the face pattern (step S3).例文帳に追加

固体撮像素子から出力される画像データを取り込み（ステップＳ１）、縮小画像データを生成（ステップＳ２）した後、顔パターンと縮小画像データとのパターンマッチング処理を実行し、顔パターンと所定値以上の相関を有する顔領域候補を抽出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The pachinko game machine 1 has a following function; after the start of variation of the display, the variation is tentatively stopped to display a special pattern as a first step display, and after that, the special pattern displayed as the first step display is made to vary again, then the variation is stopped to display a special pattern as a second step display.例文帳に追加

パチンコ機１は、特別図柄の変動開始後に、第一段階表示として特別図柄を仮停止表示した後、第一段階表示された特別図柄を再度変動させ、しかる後に、第二段階表示として特別図柄を表示する機能を有している。 - 特許庁

After the line width or the like of the resist pattern is measured (step 11) by recognizing the pattern after developing (step 10), the measured result is fed forward to etching (step 13) to be performed later and by performing etching in optimal treatment conditions, the precise circuit pattern can be finally formed.例文帳に追加

現像（ステップ１０）後のレジストパターンを認識してパターンの線幅等を測定した後（ステップ１１）、この測定結果をその後に行われるエッチング処理（ステップ１３）にフィードフォワードし、最適な処理条件でエッチング処理を行うことにより、最終的に精密な回路パターンを形成することができる。 - 特許庁

The forming method of a circuit pattern includes (1) a step to apply the aforementioned composition on a substrate, (2) a step to expose the photosensitive composition to light and then to develop, and (3) a step to perform wet etching of the substrate by using the pattern as a resist.例文帳に追加

回路パターン形成方法は、（１）基板上に上記感光性組成物を塗布する工程、（２）上記感光性組成物にパターン露光した後現像する工程、（３）該パターンをレジストとして基板をウエットエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of the pattern-plated film, a plating pretreatment step, a catalyst treatment step, and a plating step are successively executed to a liquid crystal polymer film, and a plating pattern is formed on a surface of the liquid crystal polymer film.例文帳に追加

本発明のパターンめっきされたフィルムの製造方法は、液晶ポリマーフィルムに対してめっき前処理工程、触媒処理工程およびめっき工程を順に行って液晶ポリマーフィルムの表面上にめっきパターンを形成する。 - 特許庁

In a step S107, on the basis of the temperature of the resistance pattern obtained in the step S105 and the supply power to the resistance pattern at present obtained in the step S106, the temperature of a holding part holding living tissue is estimated.例文帳に追加

ステップＳ１０７において、ステップＳ１０５で求めた抵抗パターンの温度と、ステップＳ１０６で求めた現在の抵抗パターンへの投入電力とに基づいて、生体組織を把持している保持部の温度を推定する。 - 特許庁

The method for forming the pattern comprises a step A of coating the substrate with the paste, a step B of thermally drying the printed paste, and a step of repeating the steps A and B plural times to form the pattern, thereby manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

樹脂ペーストを基板上に塗布する工程Ａ及び印刷された樹脂ペーストを加熱乾燥する工程Ｂを含み、工程Ａ及び工程Ｂを複数回繰り返し、精密パターンを形成して半導体装置を製造する。 - 特許庁

Such swinging down/up of the hammer and the re-fluctuation of the special pattern are repeated by the number of re-fluctuating times (n) (step S106) and finally, the stop-scheduled pattern changed at a step S96 is stopped and displayed (step S107).例文帳に追加

こうしたハンマーの振り下ろし／振り上げと特別図柄の再変動を再変動回数ｎだけ繰り返し行い（ステップＳ１０６）、最終的にはステップＳ９６で変更した停止予定図柄を停止して表示する（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

Then, the MODE value and a variation pattern table address are acquired anew from a ready-to-win variation pattern group address selection table (step S508).例文帳に追加

そして、次にリーチ変動パターングループアドレス選択テーブルから改めてＭＯＤＥ値、変動パターンテーブルアドレスを取得する（ステップＳ５０８）。 - 特許庁

A pattern width of the thin-film pattern 7 is determined on the basis of two side faces 2B and 2C which are formed through the two-step etching process.例文帳に追加

２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。 - 特許庁

A first irradiation pattern is directed to an object to be measured (step S2) to pick up a reflection pattern that is reflected on the object to be measured.例文帳に追加

先ず第一の照射パターンを計測対象に向けて照射し（ステップＳ２）、計測対象に映る反射パターンを撮像する。 - 特許庁

Thereafter, the method includes a step of forming a stencil pattern by transferring the pattern of the EB resist 107 to a silicon membrane 41, and removing the EB resist 107(G).例文帳に追加

その後、ＥＢレジスト１０７のパターンをシリコンメンブレン４１に転写してステンシルパターンを形成し、ＥＢレジスト１０７を除去する（Ｇ）。 - 特許庁

In the first resist patterning step, a first resist pattern 11 having an opening pattern 111 is formed in a contact hole formation region.例文帳に追加

第１のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域に、開口パターン１１１を有する第１のレジストパターン１１を形成する。 - 特許庁

(Step S2) A dummy pattern is inserted between design patterns of the division regions as shown in a division region enlarged view A of a layout pattern 1c.例文帳に追加

レイアウトパターン１ｃの分割領域拡大図Ａに示すように、分割領域の設計パターン間にダミーパターンを挿入する（ステップＳ２）。 - 特許庁

At this time, if the initial numerical aperture α_0 is smaller than the allowable numerical aperture α_1, add a dummy pattern to the mask pattern (step S56).例文帳に追加

このとき、初期開口率α_０が許容開口率α_１よりも小さい場合には、マスクパターンにダミーパターンを追加する（ステップＳ５６）。 - 特許庁

The mismatching part of layout pattern data before a change and layout pattern data after the change is extracted as a changed region in a step S12.例文帳に追加

ステップＳ１２で変更前のレイアウトパタンデータと変更後のレイアウトパタンデータとの不一致部分を変更領域として抽出する。 - 特許庁

The original pattern superposed on the first thick figure is omitted in a step S_5 to produce an omitted figure and output as a second pattern.例文帳に追加

Ｓ_５ で第１の太らせた図形と重なった元パターンを削除して削除図形を作成し、第２のパターンデータとして出力する。 - 特許庁

When the jackpot is to be made, it is decided that a prescribed normal jackpot pattern is the stopping pattern of the decoration patterns (step S267).例文帳に追加

一方、大当りとするときには、所定の通常大当り図柄を飾り図柄の停止図柄とすることを決定する（ステップＳ２６７）。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a group III nitride semiconductor substrate capable of forming a pattern only by laser irradiation and an etching step.例文帳に追加

レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The reflection type exposing method includes: a step of selecting a specified pattern, for example, a pattern of the smallest size for a trench mask or hole mask provided to the reflection type mask; and a step of measuring the mask size associated with the pattern.例文帳に追加

反射型露光方法は、反射型マスクに設けられるトレンチマスクまたはホールマスクにおいて、特定のパターン、例えば、最も寸法の小さいパターンを選択するステップと、当該パターンについてのマスク寸法を計測するステップとを含む。 - 特許庁

Namely, the edge position of the device pattern 1 is changed so as to eliminate the step 1a, and the line width of the assist pattern 2 is changed so as to adjust a change in transfer shape resulting from the elimination of the step 1a from the device pattern 1.例文帳に追加

デバイスパターン１は、段差１ａを消失させるように、そのエッジ位置を移動させ、アシストパターン２は、デバイスパターン１から段差１ａを消失させたことによるその転写形状の変化を調整するように、線幅を変化させる。 - 特許庁

The operator switches the operation pattern to a desired one while saying 'operation pattern switching' by voice (step B1), then he allocates the operation lever to the switched desired operation pattern while saying 'boom up' (step B2).例文帳に追加

操作者が「操作パターン切り換え」と音声により所望の操作パターンに切り換えて（ステップＢ１）、操作者が「ブーム上げ」と言いながら、切り換えられた所望の操作パターンに操作レバーが割り当てられるように構成する（ステップＢ２）。 - 特許庁

A pattern formation method of an embodiment comprises a step of forming a first pattern on a substrate and a step of enhancing liquid repellency with respect to an inverted resin material by irradiating an upper part of the first pattern with ultraviolet light.例文帳に追加

本実施形態によれば、パターン形成方法は、基板上に第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンの上部に紫外線を照射し、反転樹脂材料に対する撥液性を高める工程と、を備える。 - 特許庁

A main CPU, if the kind of the symbol giving rise to a jackpot condition is a specific one, selects a pattern of variation based on a value of a variation-pattern-sorting random number extracted from a variation-pattern sorting table L1 (step S5 and step S6).例文帳に追加

大当り状態を形成する図柄の種類が特定図柄である場合、メインＣＰＵは、変動パターン振分テーブルＬ１から変動パターン振分け乱数の抽出値に基づいて変動パターンを選択する（ステップＳ５，ステップＳ６）。 - 特許庁

As to a game machine such as a Japanese pinball game machine, after displaying a stop-scheduled pattern first (step S92), a hammer is swung down and a special pattern and/or a background pattern are displayed linked with the movement of the hammer (step S98, S100).例文帳に追加

パチンコ機等の遊技機に関し、初めに停止予定図柄を表示した後（ステップＳ９２）、ハンマーを振り下ろして当該動きに連動して特別図柄および／または背景図柄を表示する（ステップＳ９８，Ｓ１００）。 - 特許庁

The method for restoring the shape of the pattern of the substrate having an imperfect pattern comprises; (a) a step of detecting the imperfect pattern by inspecting the substrate; and (b) a step of restoring the shape of the pattern by etching or depositing the detected imperfect pattern with radiation.例文帳に追加

不完全なパターンを有する基材のパターンの形状を修復する方法であって、（ａ）基材を検査して不完全なパターンを検出するステップと、（ｂ）前記検出された不完全なパターンを放射線によりエッチング又は堆積してパターンの形状を修復するステップ、を含むことを特徴とする、形状修復方法を用いる。 - 特許庁

The method for forming a pattern includes a first application step S30 for linearly supplying a high-viscosity application liquid to a principal surface of a substrate to form a small-width pattern, and a second application step S50 for linearly supplying a low-viscosity application liquid onto the principal surface of the substrate and the small-width pattern to form a large-width pattern intersecting with the small-width pattern.例文帳に追加

基板の主面に高粘度の塗布液を線状に供給して幅小パターンを形成する第１塗布工程（ステップＳ３０）と、基板の主面および幅小パターン上に低粘度の塗布液を線状に供給して、幅小パターンと交差する幅大パターンを形成する第２塗布工程（ステップＳ５０）とを含む。 - 特許庁

A window minimizing the pattern coincidence degree is discriminated (step S17) and when the discriminated window is a linear window (step S18), a pixel density is replaced with an average value obtained by the step S14 of the window (step S19).例文帳に追加

パターン一致度が最小となるウィンドウを判別し（ステップＳ１７）、判別されたウィンドウが直線型ウィンドウであれば（ステップＳ１８）、画素濃度をそのウィンドウのステップＳ１４で求めた平均値に置換える（ステップＳ１９）。 - 特許庁