「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Pattern data of a dot pattern showing that the document inhibits copying is generated (step S4).例文帳に追加

また、複写を禁止する文書であることを示すドットパターンのパターンデータを生成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A pattern measurement apparatus obtains an image border line of a transferred circuit pattern (step S301).例文帳に追加

パターン計測装置は、転写された回路パターンの画像輪郭線を取得する（ステップＳ３０１）。 - 特許庁

In a second step, colors existing in the detected pattern area or image pattern are measured.例文帳に追加

第２のステップでは、検出されたパターン領域または画像パターンに存在する色を測定する。 - 特許庁

In the first torque mode, a gear ratio pattern A or a gear change step pattern A is selected (S12).例文帳に追加

第１トルクモードのときに、変速比パターンＡあるいは変速段パターンＡを選択する（Ｓ１２）。 - 特許庁

By using the photomask, a via pattern and a honeycomb-via pattern can be formed in one step.例文帳に追加

本フォトマスクを用いることにより、ビアパターンとハニカムビアパターンとを同一の工程にて形成できる。 - 特許庁

In the organic film pattern working step, a removing step of removing a decomposed layer or deposited layer formed on the surface of the organic film pattern, and a melting and deforming step (step S3) of melting and deforming the organic film pattern are performed in this order.例文帳に追加

有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理と、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、をこの順に行う。 - 特許庁

A pattern dimension calculation method includes a mask shape calculating step, an opening angle calculating step, and a dimension calculating step.例文帳に追加

パターン寸法算出方法が、マスク形状算出ステップと、開口角算出ステップと、寸法算出ステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The dummy pattern 20 whose size is reduced is then located (step A5).例文帳に追加

次に、サイズを縮小したダミーパターン２０を配置する（ステップＡ５）。 - 特許庁

To accurately enable inspection even when a pattern with a step exists.例文帳に追加

段差のあるパターンであっても正確に検査できるようにすること。 - 特許庁

In a step S_1, a pattern and a correction region are determined.例文帳に追加

本方法は、ステップＳ_１ で、パターン及び補正領域を確定する。 - 特許庁

The pattern data in a code book is divided into the same meshes (step S3).例文帳に追加

コードブック中のパターンデータを同じメッシュに分割する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A pattern is formed on a processing film on a wafer for testing (Step S1).例文帳に追加

検査用ウェハの被処理膜にパターンを形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

When it is discriminated that the U key 20 is placed in the use position P2, the user set pattern F is read out in a step S36, and photographing is conducted by a function pattern of the user set pattern F in a step S38.例文帳に追加

判断が肯定された場合には、ステップＳ３６でユーザー設定パターンＦを読出し、ステップＳ３８で、ユーザー設定パターンＦの機能パターンで撮影を行う。 - 特許庁

To provide an exposure defective area calculating method of accurately calculating a pattern formation detective area, caused by a step pattern in a step pattern layout plane, in a short time.例文帳に追加

段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、段差パターンレイアウト面内で正確かつ短時間に算出する露光不良領域算出方法を得ること。 - 特許庁

A lip pattern is segmented from a speaker's image (Step 108), and correlation values are calculated between lip pattern f(t) and a lip-inclusive pattern F(t-i) (i = 1, 2, ..., N) (Step 109).例文帳に追加

話者の画像から口唇パターンを切り出し（ステップ１０８）、口唇パターンｆ（ｔ）と口唇包含パターンＦ（ｔ−ｉ）（ｉ＝１，２，・・・，Ｎ）との相関値を算出する（ステップ１０９）。 - 特許庁

When it is judged that the standby system K bytes are not the defined pattern in the step, whether or not the pattern is a pattern for reporting an erroneous connection is judged (step S55).例文帳に追加

このステップで、予備系Ｋバイトが定義されたパターンでないと判定されれば、そのパターンが、誤接続通知用のパターンであるか否かを判定する（ステップＳ５５）。 - 特許庁

First processing for the base pattern data judged in the base pattern judgement step and second processing for the image data other than the base pattern data are performed in the resolution conversion step.例文帳に追加

解像度変換ステップは、地紋判別ステップにより判別された地紋データに対する第１の処理と、地紋データを除く画像データに対する第２の処理とを行う。 - 特許庁

The method of framing the resist pattern includes a step of forming the resist pattern on a material worked by discharging a composition containing a photosensitive agent to the material under reduced pressure, and a step of etching the material by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

It is decided whether the pattern is the alignment pattern or not, when it is found that the pattern is the alignment pattern, a step S17 is selected, and the alignment pattern is replaced with the predetermined split alignment pattern.例文帳に追加

パターンが位置合わせ用パターンであるかどうかを判断し、位置合わせ用パターンであるとすると、ステップＳ17に移行して、予め定められた分割済みの位置合わせ用パターンに置き換える。 - 特許庁

In pattern step-up 1, a left symbol or a right symbol is changed from the design of a pattern 1 to the design of a pattern 2 in a pattern table (S205).例文帳に追加

図柄ステップアップ１では、左図柄又は右図柄を、図柄パターンテーブルにおける１のパターンのデザインから２のパターンのデザインに変更する（Ｓ２０５）。 - 特許庁

The deviation of the pattern widths of the real circuit pattern and the theoretical circuit pattern is obtained and corrected in this partitioning region unit, and a correcting circuit pattern is created (step S8).例文帳に追加

この分割領域単位で、実回路パターンと理論回路パターンのパターン幅の偏差を求めて補正し、補正回路パターンを作成する（ステップＳ８）。 - 特許庁

A formation method of a resist pattern includes a step of forming a resist pattern before applying the resist pattern improving material so as to cover a surface of the resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン改善化材料を塗布する工程を含むレジストパターンの形成方法である。 - 特許庁

In pattern step-up 2, the left symbol or the right symbol is changed from the design of the pattern 2 to the design of a pattern 3 in the pattern table (S206).例文帳に追加

図柄ステップアップ２では、左図柄又は右図柄を、図柄パターンテーブルにおける２のパターンのデザインから３のパターンのデザインに変更する（Ｓ２０６）。 - 特許庁

In pattern step-up 4, the left symbol or the right symbol is changed from the design of the pattern 4 to the design of a pattern 5 in the pattern table (S208).例文帳に追加

図柄ステップアップ４では、左図柄又は右図柄を、図柄パターンテーブルにおける４のパターンのデザインから５のパターンのデザインに変更する（Ｓ２０８）。 - 特許庁

A mounting step of a component includes a bonding material formation step S1, a component mounting step S2, a protruding state detecting step S3, and a shape pattern updating step S4.例文帳に追加

部品の実装工程では、接合用材料形成工程Ｓ１と、部品搭載工程Ｓ２と、はみ出し状態検出工程Ｓ３と、形状パターン更新工程Ｓ４とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a plasma display panel includes step 2 for forming an address electrode pattern on a rear glass substrate, step 3 for curing the address electrode pattern, step 4 for forming an underlying dielectric paste film covering the address electrode pattern, and step 5 for calcinating the underlying dielectric paste film and the address electrode pattern.例文帳に追加

背面ガラス基板上にアドレス電極パターンを形成するステップ２と、アドレス電極パターンをキュアするステップ３と、アドレス電極パターンを覆う下地誘電体ペースト膜を形成するステップ４と、下地誘電体ペースト膜とアドレス電極パターンとを焼成するステップ５と、を含む。 - 特許庁

The pattern is projected onto the sewing object based on the created projection image that was created at Step S40 (Step S50).例文帳に追加

Ｓ４０で作成された投影画像に基づき、模様が縫製対象物に投影される（Ｓ５０）。 - 特許庁

In this concrete example, the minimum single frame step number is zero pattern, and the maximum single frame step number is twenty patterns.例文帳に追加

本具体例では、最少コマ送り数は０図柄であり、最大コマ送り数は２０図柄である。 - 特許庁

At least part of the removing step is performed by performing chemical treatment (step S1) on the organic film pattern.例文帳に追加

除去処理の少なくとも一部を、有機膜パターンに対する薬液処理（ステップＳ１）により行う。 - 特許庁

In a step S102 to a step S104, a resistance value of a resistance pattern which is a heat generating source is acquired.例文帳に追加

ステップＳ１０２乃至ステップＳ１０４において、発熱源である抵抗パターンの抵抗値を取得する。 - 特許庁

The method for forming the wiring pattern comprises (1) a step of providing a catalyst over the entire surface, (2) a step of forming a resist on a wiring pattern forming region, (3) a step of inactivating or removing the catalyst, and (4) a step of electroless plating of the wiring pattern by peeling off the resist.例文帳に追加

（１）触媒を全面に設ける工程、（２）配線パターン形成領域にレジストを形成する工程、（３）触媒を不活性化もしくは除去する工程、（４）レジストを剥離し、配線パターンに無電解メッキを行う工程を含む。 - 特許庁

The first correction step includes a Δ shift step of generating a Δ shift pattern based on the rectangle approximation pattern; and upon generating the Δ shift pattern in the Δ shift step, a side portion of the rectangle approximation pattern is shifted by an amount corresponding to the process bias Δ.例文帳に追加

第１補正工程は、矩形近似パターンに基いてΔ移動パターンを生成するΔ移動工程を有し、Δ移動工程においてΔ移動パターンを生成するにあたり、矩形近似パターンの側部を、プロセスバイアスΔの量だけ移動させる。 - 特許庁

Either a first pattern formation step that forms the first pattern on a substrate or a second pattern formation step that forms the second pattern on the substrate is carried out, and then, a wiring pattern is formed on the substrate by performing the other formation step.例文帳に追加

第１パターンを基体に形成する第１パターン形成工程と第２パターンを基体に形成する第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことで配線パターンを基体に形成することを特徴とする。 - 特許庁

In a flat display device provided with a conductive pattern, the method for forming a conductive pattern includes: a step of preparing a base member; a step of forming recessed portions having same pattern as the conductive pattern on the base member; and a step of coating conductive material in the recessed portions to form the conductive pattern.例文帳に追加

導電パターンを備える平板表示装置において、ベース部材を用意するステップと、ベース部材に導電パターンと同じ形態の凹部を形成するステップと、凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成するステップと、を含む導電パターンの形成方法である。 - 特許庁

An exposure method for transferring an exposure light pattern to an object surface includes: a pattern formation step of forming a pattern; a projection step of projecting the pattern on the object surface using a projection optical system; and an adjustment step of dividing the pattern according to the shape of the projection region on which the pattern is projected on the object surface.例文帳に追加

露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、パターンを形成するパターン形成ステップと、投影光学系を用いてパターンを対象面に投影する投影ステップと、対象面のうちパターンが投影される投影領域の形状に応じて、パターンを分割する調整ステップとを含む。 - 特許庁

The method also comprises a step of then removing the second photoresist pattern and the second metal layer on the pattern by a lifting-off method.例文帳に追加

次に、リフトオフ法により第２のフォトレジストパターン及びその上の第２の金属層を除去する。 - 特許庁

An arbitrary region 12 is extracted from LSI pattern (semiconductor circuit pattern) data 11 (step S1).例文帳に追加

ＬＳＩパターン（半導体回路パターン）データ１１の中から任意の領域１２を抽出する（ステップＳ１）。 - 特許庁

Subsequently, assembled pattern data including a plurality of pattern data and job decks are generated in the step S_3.例文帳に追加

続いて、ステップＳ_3 で、複数個のパターンデータ及びジョブデックを包含する集合パターンデータを作成する。 - 特許庁

In a step ST01, AA-pattern data of a MOS transistor and gate-pattern data are superposed.例文帳に追加

たとえば、ステップＳＴ０１において、ＭＯＳトランジスタのＡＡパターンデータとゲートパターンデータとを重ね合わせる。 - 特許庁

In this case, this pattern has n-step shape more than two steps.例文帳に追加

この際、前記パターンは２より大きいｎ段のレベルのパターンを有する。 - 特許庁

A screen pattern code corresponding to the diagnosis name is acquired (step 43).例文帳に追加

その診断名に対応する画面パターンコードを取得する（ステップ４３）。 - 特許庁

Thereafter, a table for sub variation pattern determination corresponding to the main variation pattern specified in the step S651 and the determined result of the step S652 is set (step S653), and the sub variation pattern is determined (steps S654 and S655).例文帳に追加

その後、ステップＳ６５１で特定したメイン変動パターンと、ステップＳ６５２の判定結果とに対応するサブ変動パターン決定用テーブルをセットし（ステップＳ６５３）、サブ変動パターンを決定する（ステップＳ６５４、Ｓ６５５）。 - 特許庁

The entire surface of the step eliminating pattern 3 is coated with electrode paste 4.例文帳に追加

この段差解消パターン３に電極ペースト４を全面塗布する。 - 特許庁

Thereafter, a resist pattern is obtained by performing a developing process in a step S6.例文帳に追加

その後、ステップＳ６において現像処理を行い、レジストパターンを得る。 - 特許庁

A test pattern is automatically generated by an ATPG tool at a step 15.例文帳に追加

ステップ１５で、ＡＴＰＧツールによるテストパターンの自動作成を行う。 - 特許庁