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step patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2083件
The layout data of an absorber pattern are divided into meshes starting from a reference pattern on an EUV mask having a multilayer film and the absorber pattern (step S01).例文帳に追加
多層膜と吸収体パターンとを有するEUVマスク上の基準パターンを基点にして、吸収体パターンのレイアウトデータをメッシュに区分する(ステップS01)。 - 特許庁
A threshold being the same as that of a pixel to be painted after a visual pattern is set in the visual pattern so as not to reproduce the visual pattern (step S2).例文帳に追加
視覚的なパターンに対して、これが再現されないように該当パターンの次に塗られるべきピクセルと同じしきい値を設定する(ステップS2)。 - 特許庁
Then, the dielectric substrate 110 with a pattern formed by the pattern forming step is treated for thermal diffusion, making the waveguide pattern 120a into an optical waveguide.例文帳に追加
つぎに、パターン形成工程によってパターン形成された誘電体基板110を熱拡散処理して導波路パターン120aを光導波路にする。 - 特許庁
To provide a composition for microfabrication of a resist pattern which is used for miniaturizing the line width of a resist pattern in a step of forming a resist pattern in a semiconductor process.例文帳に追加
半導体プロセスにおけるレジストパターンの形成段階でレジストパターンの線幅微細化に使用されるレジストパターン微細化組成物を提供すること。 - 特許庁
The method for cleaning the substrate is provided with: a step to fabricate the substrate to be cleaned having a pattern surface; a step to subject the pattern surface to plasma treatment; and a step to clean the substrate to be cleaned after the pattern surface has been subjected to the plasma treatment.例文帳に追加
本発明の例に関わる基板洗浄方法は、パターン面を有する被洗浄基板を作製する工程と、パターン面に対してプラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理を施した後に被洗浄基板の洗浄を行う工程とを備える。 - 特許庁
(Step S4) The pattern rule of the dummy pattern for every division region is changed as shown in a dummy pattern 4b of a division region enlarged view B of a layout pattern 1d so that the density becomes a desired value.例文帳に追加
密度が所望の値となるように、分割領域毎のダミーパターンのパターンルールを、レイアウトパターン1dの分割領域拡大図Bのダミーパターン4bに示すように変更する(ステップS4)。 - 特許庁
The method further comprises the step of coating to form a silk pattern 8 on the wiring pattern except the land 5 in the region B.例文帳に追加
そして、部品非搭載領域B内の独立ランド部5を除く配線パターン上にシルクパターン8を被覆形成した。 - 特許庁
In an approximate pattern calculation step, a lithographic target having the same corresponding relationship as an approximate value of the above corresponding relationship is calculated as an approximate pattern.例文帳に追加
前記対応関係の近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する。 - 特許庁
And the calculated classification pattern number for every positional relationship is used to calculate the pattern dependency of defect groups (step S9).例文帳に追加
そして、算出した位置関係毎の分類パターン数を用いて欠陥群のパターン依存度を算出する(ステップS9)。 - 特許庁
Thereafter, the density of each pattern is measured, and an optimum pattern is selected in accordance with a target density value (step S4).例文帳に追加
その後、各パターンについて濃度を測定し、狙いとする濃度値に合わせて最適なパターンを選択していく(ステップS4)。 - 特許庁
In the correcting step, an error pattern is corrected based on the estimation error pattern and a corrected data string is output.例文帳に追加
訂正ステップでは、推定誤りパターンに基づいて誤りパターンが誤り訂正されて訂正後データ列が出力される。 - 特許庁
The gradation pattern sheet is cut in conformity with filter glasses 9a and 9b into a cut piece 7 (gradation pattern sheet) (step S3).例文帳に追加
フィルタ硝子9a,9bの形状に合わせて切り抜いて、切り抜き片7(グラデーションパターンシート)を作成する(ステップS3)。 - 特許庁
The method of manufacturing the substrate includes an organic film pattern working step of working the organic film pattern formed on the substrate.例文帳に追加
基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法である。 - 特許庁
The pattern 4 and the second pattern 5 are formed each other in the vicinity thereof on a surface of a transparent substrate 2, in the (a) step.例文帳に追加
ここで、(a)工程は、透明基板2表面に、第1パターン4と、第2パターン5とを、互いの近傍に形成する。 - 特許庁
The pattern exposure system decides the luminous exposure for pattern exposure in accordance with the received thickness of the resist film (step S202).例文帳に追加
パターン露光装置は、受信した膜厚に応じてパターン露光処理における露光量を決定する(ステップS202)。 - 特許庁
In-plane tendencies of measurement sizes of a resist pattern and a pattern of the film to be processed on a wafer for inspection are calculated (step S5).例文帳に追加
検査用ウェハ上のレジストパターンと被処理膜パターンの測定寸法の面内傾向を算出する(ステップS5)。 - 特許庁
Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).例文帳に追加
レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する(ステップS6)。 - 特許庁
To provide a pattern manufacturing method suitable for manufacturing a fine three-dimensional structural pattern having a plurality of step portions.例文帳に追加
複数の段差を備えた微細な3次元構造パターンの製造に好適なパターン製造方法を提供すること。 - 特許庁
Center coordinates of one pattern formed on a CF substrate are measured by turning a pattern face upward (a step S1).例文帳に追加
CF基板上に形成された一つのパターンの中心座標を、パターン面を上向きにして測定する(ステップS1)。 - 特許庁
When judged as not the first torque mode, a change gear ratio pattern B or a change gear step pattern B is selected (S14).例文帳に追加
第1トルクモードでないと判断したときは、変速比パターンBあるいは変速段パターンBを選択する(S14)。 - 特許庁
The method for evaluating the semiconductor device comprises a step of previously disposing a measuring pattern of the same configuration as that of the circuit pattern of a chip at an arbitrary place of the semiconductor wafer.例文帳に追加
予め、半導体ウェーハの任意の場所にチップの回路パターンと同じ構成の測定パターンを配置する。 - 特許庁
In a third step, at least one replacement color (stored color) value is allocated to the pattern area or image pattern.例文帳に追加
第3のステップでは、少なくとも1つの置換色の値(記憶色)を上記パターン領域または画像パターンに割り当てる。 - 特許庁
The method of manufacturing a metal pattern in accordance with a plating method, includes, in the order of descriptions: (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer 3 on a substrate 2; (b) a step of making the photocrosslinkable resin layer 3 into membrane; (c) a pattern exposing step; (d) a developing step; and (e) a plating step.例文帳に追加
めっき法による金属パターンの作製方法において、(a)基板2上に光架橋性樹脂層3を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層3を薄膜化する工程、(c)パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)めっき工程をこの順に含む金属パターンの作製方法。 - 特許庁
A method for creating (S5) correction pattern data comprises a step of extracting (S1) a metal pattern from layout pattern data, extracting (S2) and expanding (S3) the minimum area violation pattern, detecting and improving (S4) an interconnection interval violation, and compensating a pattern width.例文帳に追加
レイアウトパターンデータからメタルパターンを抽出(S1)し、最小面積違反パターンを抽出(S2)して拡張(S3)し、配線間隔違反を検出、改善(S4)し、パターン幅を補正して修正パターンデータを生成(S5)する。 - 特許庁
When it is discriminated that the transition pattern is not a specific pattern (step S24, NO), phase error information is calculated conforming to a reference calculation means (step S25).例文帳に追加
その推移パターンが特定パターンではないと判定された場合(ステップS24NO)、基準となる演算手法に従って位相誤差情報が算出される(ステップS25)。 - 特許庁
A game machine such as Pachinko(Japanese pinball game) machine once stops a special pattern (step S76) after displaying on a special pattern display device (display part) that a prewinning position is reached (step S74).例文帳に追加
パチンコ機等の遊技機に関し、特別図柄表示器(表示部)にリーチになったことを表示した後(ステップS74)、特別図柄を一旦停止させる(ステップS76)。 - 特許庁
When advance notice number of times 2 is selected by the selection of a variation start command, each of an advance notice pattern of step 1 and an advance notice pattern of step 2 is selected.例文帳に追加
変動開始コマンドが選択されることで予告回数2が選択された場合にはステップ1の予告絵柄およびステップ2の予告絵柄のそれぞれが選択される。 - 特許庁
A pattern selection unit makes a user select combination patterns in a step S27.例文帳に追加
パターン選択部は、ステップS27において、利用者に組み合わせパターンを選択させる。 - 特許庁
The image of the resolution-measuring pattern 90 is detected, based on a position of the pattern position specifying marker 92 detected in step S14 (step S16).例文帳に追加
その次に、上記ステップS14において検出されたパターン位置特定用マーカ92の位置に基づいて、解像度測定用パターン90の画像が検出される(ステップS16)。 - 特許庁
An inspection object pattern is picked up to prepare binary image data (step 10 and 12).例文帳に追加
検査対象パターンを撮像して2値画像データを作成する(ステップ10、12)。 - 特許庁
The alignment mark of the partial transfer pattern on a transfer mask is measured in step 23, and the coordinate system of an actual alignment mark is computed in step 25 based on the above-mentioned measurement in this mask pattern transfer method.例文帳に追加
転写マスク上の部分転写パターンのアライメントマークを計測し(ステップ23)、これらを基に実際のアライメントマークの座標系を算出する(ステップ25)。 - 特許庁
The character string replaced with the variable is also extracted as a sub-pattern (step S36).例文帳に追加
また、変数に置換された文字列をサブパターンとして抽出する(ステップS36)。 - 特許庁
The resist pattern is formed on the wafer for inspection by carrying out the PEB processing at the corrected heating temperature (step S5), and a second linewidth of the resist pattern is measured (step S6).例文帳に追加
補正された加熱温度でPEB処理を行い検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し(ステップS5)、当該レジストパターンの第2の線幅を測定する(ステップS6)。 - 特許庁
Since the color of the pattern displayed on a displaying screen is brightened step by step with the approach of the pattern to the screen, the player can feel presence.例文帳に追加
これにより、表示画面には、図柄が画面に近づいてくるほどその色合いが段々と明るくなるように表示されるので、遊技者は臨場感を感じることができる。 - 特許庁
A transmission side terminal considers step-out to be password step-out and the transmission of synchronous pattern data in a reception terminal is a password synchronous pattern re-transmission processing for re- synchronizing a password.例文帳に追加
音声フレーム同期を利用して暗号同期外れを等価的に検出し、音声フレーム内の音声符号化データの代わりに固定パターンデータを挿入する。 - 特許庁
Then, it is judged whether the production of the initialization pattern and transition pattern is successful or not in a step ST04 to proceed to the next step ST05 in the case that it is successful.例文帳に追加
続いて、ステップST04において、初期化パターン及び遷移パターンの生成が成功したか否かを判定し、成功であれば、次のステップST05に進む。 - 特許庁
Thereafter, the wafer is etched to form a predetermined pattern on the film (Step S7).例文帳に追加
ウェハにエッチング処理を行い、被処理膜に所定のパターンを形成する(ステップS7)。 - 特許庁
In a step 31, a function of blurring due to a photomask and an exposure optical system is obtained, and in a step 32, an original pattern is subjected to reverse convolution with the function of blurring to obtain a mask pattern.例文帳に追加
ステップ31でフォトマスクや露光光学系に起因するぼけ関数を求め、ステップ32で、オリジナルパターンをぼけ関数で逆コンボリューションし、マスクパターンを求める。 - 特許庁
In Step S1917, a character string to be printed in the header/footer of woven pattern is generated.例文帳に追加
ステップS1917において、地紋ヘッダ/フッタに印字する文字列を作成する。 - 特許庁
In step (a), it is preferable that the background pattern 2 be formed into a mesh shape.例文帳に追加
(a)の工程において、下地パターン2は網目状に形成されるのが好ましい。 - 特許庁
This manufacturing method for the anti-copying printed pattern, which is formed in such a manner that a figured pattern and a camouflage pattern for camouflaging the figured pattern are superposed on a substrate, comprises a first printing step of printing and forming the camouflage pattern on the substrate, and a second printing step of printing and forming the figured pattern on the camouflage pattern.例文帳に追加
模様パターンと、模様パターンをカモフラージュするためのカモフラージュパターンと、を基材上に重ねて形成されてなる複写防止印刷物の製造方法であって、基材上にカモフラージュパターンを印刷形成する第1の印刷工程と、カモフラージュパターン上に模様パターンを印刷形成する第2の印刷工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
This method of finishing the surface of the concrete building frame comprises a black base spot pattern forming step S4 creating the spot pattern of a black base concrete mold pattern mark and a white base spot pattern forming step S5 creating the spot pattern of a white base concrete mold pattern mark on the surface of the concrete building frame.例文帳に追加
コンクリート躯体の被処理面に黒色系のコンクリート型枠模様跡の斑点模様を造成する黒色系斑点模様形成工程S4と、白色系コンクリート型枠模様跡の斑点模様を造成する白色系斑点模様形成工程S5と、を含んで行うコンクリート躯体の表面仕上げ方法である。 - 特許庁
The microstamping method comprises a coloring step, a positioning step, a pattern transfer step and a pattern solidifying step, and all of three kinds of pigment, that is, red green and blue pigment are solidified on the prescribed position of the base material surface by overlapping the aforesaid steps.例文帳に追加
このマイクロスタンピング方法は、色付着工程、位置決め工程、パターン転写工程と固化工程を具え、以上の工程が重複されて赤色、緑色、青色の三種類の顔料がいずれも基材表面の特定位置上に固化される。 - 特許庁
The method includes a step for generating pattern information for describing a symbol of a pattern in the section, using an algorithm of defining the position coding pattern over the wide area, and a step for printing out the pattern information on a base by the printer unit 106.例文帳に追加
この方法は、広域にわたる位置コーディングパターンを画定するアルゴリズムを用いて、セクション中のパターンの記号を記述する図形情報を発生するステップと;図形情報をプリンタユニットによってベース上にプリントアウトするステップと;を含む。 - 特許庁
It also includes a step for etching the work with the resist pattern as a mask, a step for radiating the light of photosensitizing wavelength band for the photosensitizer to the resist pattern through the photomask, a step for etching the work with the resist pattern as the mask, and a step for removing the resist pattern on the work.例文帳に追加
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁
Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.例文帳に追加
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁
An electric load is applied to a circuit pattern by a step of irradiating an electron beam for a predetermined time period to a wafer including the circuit pattern in a semiconductor manufacturing process to charge the circuit pattern to a predetermined charge voltage (Step 99), and a step of controlling a region surrounding the circuit pattern to a predetermined temperature by laser irradiation or the like (Step 106).例文帳に追加
半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程(ステップ99)と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程(ステップ106)とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。 - 特許庁
The method for fabricating a device comprises a step for coating a substrate with photoresist, a step for exposing a device pattern on the substrate coated with photoresist with a specified exposing energy, and a step for developing the substrate exposed with the device pattern.例文帳に追加
基板にフォトレジストを塗布する塗布工程と、フォトレジストが塗布された基板に所定の露光エネルギ量でデバイスパターンを露光する露光工程と、デバイスパターンが露光された基板を現像する現像工程とを含む。 - 特許庁
The image display in provided with a step for displaying a character from the memory on the display device, a step for generating an arbitrary pattern at coordinates on the display device, and a step for superposing the arbitrary pattern on the character from the memory.例文帳に追加
表示装置上にメモリからの文字を表示するステップと、前記表示装置上の座標に任意のパターンを作り出すステップと、前記メモリからの文字へ任意のパターンを重ね合わせるステップとを備えるようにする。 - 特許庁
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