「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

This electrical connecting member 11 contains a substrate 12, an adhesive layer 15 arranged on the substrate 13, and a plurality of conductors 17 arranged on the adhesive layer 15, each of the conductors 17 has a plurality of recessed and projecting steps 17a, 17b on the front side, and the recessed and projecting steps constitute a step periodical pattern continuing in a zigzag period pw.例文帳に追加

電気接続部材１１は、基材１３、該基材１３上に設けた粘着剤層１５、該粘着剤層１５上に配設した複数の導電体１７とを含み、前記導電体１７のそれぞれは、前側辺に複数の凹凸段差１７ａ，１７ｂをもち、かつ前記凹凸段差がジグザグ状の周期ｐｗで連続している段差・周期パターンを構成している。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a photoresist covering a pattern-formable region for protecting the surface of the wafer, completely removing only the unwanted films, after the photoresist coating step, by the use of chemicals capable of removing the unwanted films causing the peel off, and peeling off the photoresist for protecting the surface of the wafer.例文帳に追加

ウェハー表面保護のために、パターン形成可能領域をフォトレジストで覆うフォトレジスト被覆工程と、フォトレジスト被覆工程に続いて、剥がれの原因となる不要膜を除去できる薬液を用いて、不要膜のみを完全に除去する不要膜除去工程と、その後、前記ウェハー表面保護用のフォトレジストを剥離するフォトレジスト剥離工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Before pattern exposure in the step to form transparent electrodes 1b, 2b by working respective transparent conductive films in patterns after forming the respective transparent conductive films on each one side of the pair of the synthetic resin substrates 1a, 2a, the respective synthetic resin substrates 1a, 2a are subjected to drying treatment in vacuum and subsequently are stuck to each other.例文帳に追加

一対の合成樹脂基板１ａ・２ａの片面上にそれぞれ透明導電膜を形成した後、各透明導電膜をパターン状に加工して透明電極１ｂ・２ｂを形成するための一工程でパターン状の露光を行う前に、各合成樹脂基板１ａ・２ａを真空中で乾燥処理し、その後に両合成樹脂基板１ａ・２ａを貼り合わせる。 - 特許庁

In the tape carrier for a semiconductor device, a blind via 22a and a reinforcement copper layer 20 as a peelable layer are used as a conductor for supplying an electroplating current, a gold/nickel electroplated layer 24 is formed on the surface of at least one of a wiring pattern 12 and a connection pad 13 by electroplating, and the reinforcement copper layer 20 is peeled off after completion of the electroplating step.例文帳に追加

ブラインドビア２２ａとピーラブル層である補強銅層２０とを、電解めっき用電流の給電導体として用いて、電解めっき法により、配線パターン１２および接続パッド１３のうち少なくともいずれかの表面上に電解金／ニッケルめっき層２４を形成し、その電解めっき工程が終了した後、補強銅層２０を引き剥がす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing the plastic package 10 comprises a step for providing a second plating resist film 19 for forming the coating 14 of Ni plating and Au plating on a first plating resist film 18 and/or the metal wiring pattern 13 and then forming the coating 14 by electrolytic plating using the first plating resist film 18 and the second plating resist film 19.例文帳に追加

また、プラスチックパッケージ１０の製造方法において、第１のめっきレジスト膜１８及び／又は金属配線パターン１３上に、Ｎｉめっき及びＡｕめっきのめっき被膜１４形成用の第２のめっきレジスト膜１９を設け、第１のめっきレジスト膜１８及び第２のめっきレジスト膜１９を用いて、電解めっきによってめっき被膜１４を形成する工程を有する。 - 特許庁

To reduce a substantially mounting area of a plurality of electronic components by mounting the plurality of the components on one mounting board, and to improve stability of a strength of a mechanical connection of the connecting electrode of an electronic component with a conductor pattern of a mounting board, and its connection without affecting an influence to the operation of the component in a simple step with a simple constitution.例文帳に追加

複数の電子部品を１つの実装基板に実装することで複数の電子部品の実質的な実装面積を小さくし、且つ、簡単な構成および簡単な工程で、電子部品の動作に影響を与えることなく、電子部品の接続電極と実装基板の導体パターンとの機械的な接合の強度や接合の安定性の向上を図る。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁

At least a part of the implementation process comprises a step of determining a configuration of a plurality of individually controllable elements that would be necessary to create in a radiation beam a pattern which is sufficient to implement the desired shape or size of the constituent part of the device when creating the constituent part of the device.例文帳に追加

望ましい形状又はサイズは、デバイスの構成部分が作成される材料の層の測定された特性に関連し、実施工程の少なくとも一部は、デバイスの構成部分を作成する時にデバイスの構成部分の望ましい形状又はサイズを実施するのに十分なものであるパターンを放射ビーム内に形成するのに必要な複数の個別に制御可能な素子の構成を決定するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a large quantity of semiconductor nano wire elements eliminating a complicated nano wire positioning step and an SOI wafer at a low cost, with no necessity of forming an extremely fine pattern using electronic beams, and by forming a single crystal silicon nano wire by an easy method, transferring the nano wire separated from a substrate onto an other oxide film or a silicon substrate formed with an insulating film.例文帳に追加

電子ビームを用いた極微細パターンを形成する必要なく、簡単な方法で単結晶シリコンナノワイヤを形成し、基板から分離されたナノワイヤを他の酸化膜又は絶縁膜が形成されたシリコン基板などに転写させることで複雑なナノワイヤ位置合わせ工程やＳＯＩウエハーが不要な低コストの半導体ナノワイヤ素子を大量に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern formation step, the plurality of openings 53 disposed along the first formation direction X are formed at a uniform pitch B_h smaller than the ideal opening pitch in the row direction of the parallax barrier 5 prescribed based on a pixel pitch in the row direction in a display means, and are formed such that the openings are disposed stepwise shifted in the second formation direction Y and follow the first cutting direction X'.例文帳に追加

パターン形成工程では、第１の形成方向Ｘに沿って並ぶ複数の開口部５３を表示手段における行方向の画素ピッチに基づいて規定される視差バリア５の行方向の理想開口ピッチよりも小さい均等なピッチＢ_ｈで形成するとともに、第１の切出方向Ｘ´に倣うように第２の形成方向Ｙにずらして階段状に並ぶように形成する。 - 特許庁

The present patent application comprises a method and apparatus to generate high-rate codes from low-rate codes, comprising puncturing a subset of codeword bits, in which the step of puncturing a subset of codeword bits comprises regular-irregular puncturing, in which puncturing pattern is as regular as possible with respect to a preceding code, random puncturing, or progressive node puncturing, to obtain a desired code from a preceding code.例文帳に追加

符号語ビットの部分集合をパンクチュアすることを具備する低−レート符号から高−レート符号を生成するための方法及び装置、ここで符号語ビットの部分集合をパンクチュアするステップは、先行符号から所望の符号を求めるために、正則−非正則パンクチュアリング、ここで、パンクチュアリング・パターンは、先行の符号に関して出来る限り正則である、ランダム・パンクチュアリング、或いはプログレッシブ・ノード・パンクチュアリングを具備する。 - 特許庁

A manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting to form a desired wiring pattern, by etching treatment of a copper foil adhered on the surface of an insulating film comprises the step of etching treatment by breadthwise reciprocating and swinging an etchant jet nozzle arranged above the film to jet the etchant to the top face of the film in a direction vertical to the film feed direction.例文帳に追加

絶縁フィルム表面に接着した銅箔をエッチング処理することによって所望の配線パターンを形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記フィルムの上方に配置され、エッチング液をフィルム上面に吐出するエッチング液吐出ノズルを、フィルムの送給方向に対して垂直な方向であるフィルムの幅方向に往復揺動して、エッチング処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which can form dense patterns without receiving the influence of standing waves and can form the patterns having a high aspect ratio in a dry etching step by combining lower layer films usable as thin films having excellent dry etching resistance and a resist film containing a fluorine-containing polymer having high transparency at a wavelength ≤193 nm and multilayered films for forming the patterns.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、波長１９３ｎｍ以下において透明性の高いフッ素含有重合体を含有するレジスト被膜とを組み合わせることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成でき、ドライエッチング工程において高いアスペクト比を有するパターンを形成できるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a production method wherein a manufacturing process is simplified more greatly compared with a conventional physical magnetic layer processing type by eliminating a magnetic layer removal step and a contamination risk is small, and a useful discrete track type magnetic recording medium having high head floating characteristics, regarding a magnetic recording medium having a magnetically separated magnetic recording pattern in at least one surface of a nonmagnetic substrate.例文帳に追加

非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the sealing step of an IC chip 21 after connecting the IC chip 21 with a bump 22 to the wiring pattern of a circuit board 23 by the flip process, the preprocessing is performed by hole making in the circuit board 23 for filling a sealing resin 25 through the hole H1 thereby enabling the time for filling the entire gap between the IC chip 21 and the circuit board 23 to be cut down.例文帳に追加

バンプ２２付きのＩＣチップ２１と回路基板２３の配線パターンとをフリップ工法により接続した後にＩＣチップ２１を封止する工程において、あらかじめ回路基板２３に穴加工などの前処理を行うことで、その穴Ｈ１を通じて封止樹脂２５を充填して封止することにより、ＩＣチップ２１と回路基板２３とのスキマ全体に封止樹脂２５を満たす時間の短縮化を可能とする。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which exhibits excellent uniformity in film thickness and has high radiation sensitivity even if a slit coating method is adopted as a coating method, and has such a development margin that a favorable pattern shape can be formed even if an optimal developing time has elapsed passed in a developing step, and an interlayer insulating film having various excellent performance such as high heat and solvent resistance, high transmittance and a low dielectric constant.例文帳に追加

塗布方法としてスリット塗布法を採用した場合であっても、優れた膜厚均一性を示し、且つ高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成しうる現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物ならびに高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率、低誘電率等の諸性能に優れる層間絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing the ceramic package formed by dividing a ceramic substrate which is obtained by stacking an uncalcinated ceramics and firing the stacked ceramics, according to a groove formed in a prescribed pattern, includes a step of dividing the ceramic substrate while applying bending moment with a principal surface of the ceramic substrate as a point of action, and also applying drawing moment in a direction parallel to the principal surface.例文帳に追加

本発明にかかるセラミックパッケージの製造方法は、未焼成セラミックを積層し焼成して得たセラミック基板を所定のパターンに形成された溝に従って分割することによりパッケージとするセラミックパッケージの製造方法であって、セラミック基板の主面を作用点とし、曲げモーメントを加えるとともに、主面に平行な方向に引っ張りモーメントを加えながらセラミック基板を分割する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device wherein the semiconductor chip 40 having an electrode 42 is opposed to a face formed on the electrode 42 and mounted on a bendable board 10 forming the wiring pattern 10 includes a step for bending the board 10 so that an interval between the semiconductor chip 40 and the board 10 is wider than the center part on the end of the semiconductor chip 40.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、電極４２を有する半導体チップ４０を、前記電極４２の形成された面を対向させて、配線パターン２０が形成された屈曲可能な基板１０に搭載する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ４０と前記基板１０との間隔を、前記半導体チップ４０の端部においてその中央部よりも広くするように、前記基板１０を屈曲させる工程を含む。 - 特許庁

By this net list extracting method, information on connections among elements is extracted from a layout pattern, designed so that blocks have hierarchical structure, while the hierarchical structure is held; and a dummy element is formed between input and output terminals in a block positioned in a specific layer (step S25) and then only the input and output terminals are extracted without extracting elements in the block.例文帳に追加

複数のブロックが階層構造を有するように設計されたレイアウトパターンから、階層構造を保持したまま素子間の接続情報を抽出する集積回路のネットリスト抽出方法であり、所定の階層に位置するブロックに対して、このブロック内の入出力端子間に擬似の抵抗素子を形成することにより（ステップＳ２５）、前記ブロック内の素子を抽出することなく、前記入出力端子のみ抽出を行う。 - 特許庁

Further, through-holes to be recording holes 45 are continuously formed by the press machine 51, with a layout pattern showing identification information correlated with the press machine 51, identification information correlated with a die 54 loaded onto the press machine 51, identification information correlated with a punching member 52 loaded onto the press machine 51, "manufacturing year" and "manufacturing month" (identification information recording step).例文帳に追加

さらに、連続して、プレス機５１によって、ノズル１０８が形成されたプレート１３０'に、当該プレス機５１に関連づけられた識別情報、当該プレス機５１に装着されている金型５４に関連づけられた識別情報、当該プレス機５１に装着されているパンチ部材５２に関連づけられた識別情報、「製造年度」及び「製造月」を示す配置パターンで配置された記録孔４５となる貫通孔を形成する（識別情報記録工程）。 - 特許庁

The production method of semiconductor element comprises a step for performing exposure again using an exposing reticle having a pattern for passing UV-rays or infrared rays only partially before photoresist is developed with developer when a plurality of pellets 1, 2, 3, 4 are produced from a sheet of semiconductor wafer 5.例文帳に追加

一枚の半導体ウエーハ５からペレット１，２，３，４を複数個製造する場合、フォトレジストを現像液で現像する前に、一部分のみ紫外線や赤外線などの光線を透過するパターンを有する露光用のレテイクルを用いて再度露光する工程を含み、再度露光する時のマスクは、ペレット１個分の識別用パターン作成用の開口部のみ有し、再度露光する時の、Ｘ方向とＹ方向とにステップする時に、ペレットの寸法と異なるステップ幅でＸ，Ｙ方向に移動する。 - 特許庁

To improve problems of napped pile fabrics such as crack of the base or transparent feeling that disturbs quality level of the fabrics which are formed by cut pile of multi-filament yarn of synthetic fibers, by obtaining bulky conjugated fibers which utilize functionalities of polyesters and forming multi step pile, and to obtain high grade napped pile fabrics having moire pattern which clearly exhibit color differences between dyeing effect of polyester fibers.例文帳に追加

本発明は、合成繊維マルチフィラメント糸でカットパイルによって形成された立毛パイル布帛の品位を妨げる”虫食い”“目ムキ”（地割れ、地透け）の課題をポリエステルの機能性を生かしたカサ高複合糸を得ることによって、多段差パイル、形態を形成し得て改善し、さらに、ポリエステル繊維間の染色性効果で色差のコントラストを鮮明に表現した杢調・粒感を呈し、ドライタッチなソフト感覚でスパン調風合いを特徴とした高級な立毛パイル布帛を得ることである。 - 特許庁

Based on a development type advance notice pattern at an advance notice selection processing (step S717), the performance display in a performance mode suggesting the shift to the subsequent process and the performance display in a performance aspect suggesting the way of development after the execution of the performance display in a given process are made executable.例文帳に追加

予告選択処理（ステップＳ７１７）にて決定された発展式予告パターンにもとづいて、次の過程への移行を示唆する演出態様の演出表示と、所定の過程の演出表示の実行後における展開態様を示唆する演出態様の演出表示と、が実行可能であることにより、これら複数の演出態様のうちいずれの演出態様が演出表示されるかを予測することが困難となり、遊技者に演出内容を注目させることができる。 - 特許庁

The method also includes a functional fluid arranging step of forming the thin film pattern by arranging the functional fluid in the lyophilic sections by a droplet discharging method on the basis of the alignment marks.例文帳に追加

基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン用開口部と、アライメントマークを形成するアライメントマーク用開口部とが具備された金属製マスクを用いて、前記基板に撥液性を付与する撥液化処理工程と、撥液化処理された前記基板上に前記金属製マスクを配した後、薄膜パターン及びアライメントマーク用の親液部を形成する親液パターン形成工程と、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記アライメントマークに基づき、液滴吐出法により前記親液部に機能液を配置して薄膜パターンを形成する機能液配置工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for producing the grafted polymer pattern comprises a step of producing the grafted polymer on the nanodomain structure of the material for fixing the polymerization initiator on the surface provided by the method for producing the material for fixing the polymerization initiator on the surface.例文帳に追加

支持体表面に、該支持体と結合しうる部位を有する重合開始剤を浸漬法又は蒸着法を用いて接触させた後、前記支持体上に接触した該重合開始剤の自己組織化により、前記支持体上に該支持体と結合した重合開始剤の自己組織化膜によるナノドメイン構造を形成する重合開始剤表面固定化材料の作製方法、該重合開始剤表面固定化材料の作製方法により得られた重合開始剤表面固定化材料のナノドメイン構造上に、グラフトポリマーを生成させる工程を有するグラフトポリマーパターンの作製方法。 - 特許庁