| 例文 |
step patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2083件
The program control unit is provided with an output pattern table 22 patternizing an operation form in a plurality of processing steps to be stored, a transfer condition table 23 storing a transfer destination of the step and a transfer condition of the step at every processing step, and a step information memory 21 storing step numbers.例文帳に追加
複数の処理工程における稼働形態をパターン化して記憶した出力パターンテーブル22と、各処理工程毎にその工程移行先と工程移行条件を記憶した遷移条件テーブル23と、工程番号を記憶する工程情報メモリ21とを備える。 - 特許庁
This pattern forming method includes (i) a step of forming a resist pattern on a support body using resist composition, (ii) a step of forming coating for pattern reversal by applying the material for forming a reverse pattern to the support body on which the resist pattern is formed, and (iii) a step of forming the reverse pattern by removing the resist pattern by etching.例文帳に追加
支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料が、下記式(x0−1)で表される構成単位を有し、シリコン含有量が15質量%超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とする。 - 特許庁
In the pattern forming method, when a thermoplastic resin layer and an intermediate layer are present, a step of removing the thermoplastic resin layer and the intermediate layer is included between the transfer step and the exposure step.例文帳に追加
また、熱可塑性樹脂と中間層がある場合には、前記転写工程と前記露光工程との間に、該熱可塑性樹脂層と該中間層とを除去する工程を含むパターン形成方法。 - 特許庁
Then geometric value of an isolated pattern is measured (step S4) and a second database is accessed on the bases of the measurement (step S5) and determine focus variation using the calculated proper exposure amount (step S6).例文帳に追加
続いて、孤立パターンの形状値を測定し(ステップS4)、測定結果から第2のデータベースにアクセスし(ステップS5)、算出された適正露光量を用いてフォーカス変動量を決定する(ステップS6)。 - 特許庁
The master unit overwrites the received pattern file on a corresponding part of an EEP-ROM (step 201), and then calculates a checksum (step 202) and transmits the calculated checksum to the parameter writing tool (step 203).例文帳に追加
マスターユニットは受信したパターンファイルをEEP−ROMの該当部分に上書きした(ステップ201)後、チェックサムを算出し(ステップ202)、算出したチェックサムをパラメータ書込みツールに送信する(ステップ203)。 - 特許庁
The manufacturing method of the substrate comprises a step for forming a first insulation layer on the back of the substrate, a step for forming the pattern of the resistance heater on the first insulation layer, and a step for forming a second insulation layer on the pattern of the resistance heater.例文帳に追加
この基板の製造方法は、基板裏面上に第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層上に抵抗発熱体パターンを形成する工程と、抵抗発熱体パターン上に第2の絶縁層を形成する工程とを有する。 - 特許庁
The pattern formation method includes a step S50 of measuring a height dimension of the finger wiring pattern 73 formed by a step S30 and a step S60 of performing adjustment of a height position of a stage 21 based on the measurement result to adjust the height position of a second nozzle 57 with respect to a substrate 9.例文帳に追加
ステップS30により形成されたフィンガー配線パターン73の高さ寸法を測定(ステップS50)し、この測定結果に基づいてステージ21の高さ位置の調整を行って基板9に対する第2ノズル57の高さ位置を調整する(ステップS60)。 - 特許庁
A resist pattern forming method includes: a resist film forming step of forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition; an exposure step of selectively irradiating the resist film with exposure light; and a development step of developing a pattern.例文帳に追加
本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対し露光光を選択的に照射する露光工程と、パターンを現像する現像工程とを含む。 - 特許庁
The pattern forming device 100 measures the elongation and contraction of a base material length (step 902) and measures the position of the previous process pattern (step 904) relating to the region where the elongation and contraction ratio ((L+ΔL)/L) of the base material length is not within a prescribed range (No of step 903).例文帳に追加
パターン形成装置100は、基材長の伸縮を測定し(ステップ902)、基材長の伸縮割合((L+ΔL)/L)が所定の範囲内にない領域に関しては(ステップ903のNo)、前工程パターンの位置測定を行う(ステップ904)。 - 特許庁
The pattern molding method includes; a step (S 140) of applying resists on a plurality of small molds marked with the masks or the micro-patterns, a step (S 150) of pressing the plurality of small molds and imprinting the micro-pattern of a curing resist, a step of curing the resist and a step (S 170) of releasing the plurality of small molds from the resist.例文帳に追加
マスクまたは微細パターンの刻印された複数の小型モールドに、レジストを塗布する段階と、前記複数の小型モールドを加圧し、前記レジストに微細パターンをインプリンティングする段階と、前記レジストを硬化する段階と、前記複数の小型モールドを前記レジストから離型する段階とを含む。 - 特許庁
The method includes an exposure step of irradiating the transfer object body with exposure light using a photomask, wherein the photomask 5 used in the exposure step has a first light shielding pattern 53 and a second light shielding pattern 55 different from the first light shielding pattern formed on the same transparent substrate 51.例文帳に追加
フォトマスクを用いて被転写体に露光光を照射する露光工程を有し、露光工程で用いるフォトマスク5は、同一の透明基板51上に形成された、第1遮光パターン53と、該第1遮光パターンとは異なる第2遮光パターン55とを有する。 - 特許庁
During the formation of the adjacent conductive and insulating patterns on the substrate, a step of forming the insulation pattern of at least a single scan is performed in the conductive pattern forming step that is performed two or more times until the conductive pattern reaches a predetermined thickness.例文帳に追加
基材上で隣接する、導電パターンと絶縁パターンとを形成する際に、導電パターンが所定の厚さになるまで前記複数回行われる導電パターン形成工程の間に、少なくとも1走査分の絶縁パターンを形成する工程を行う。 - 特許庁
A method for measuring and controlling high frequency banding includes a step (S110) for creating a test pattern, a step (S120) for detecting the test pattern by an optical sensor, a step (S130) for specifying beat frequency based on the detected test pattern, and a step (S140) for specifying the amplitude, phase and amplitude of the high frequency banding based on the beat frequency.例文帳に追加
高周波バンディングを測定および制御する方法であって、テストパターンを作成するステップ(S110)と、光学センサーによりテストパターンを検知するステップ(S120)と、検知されたテストパターンに基づいてビート周波数を特定するステップ(S130)と、ビート周波数に基づいて高周波バンディングの周波数、位相および振幅を特定するステップ(S140)を含む。 - 特許庁
This method for producing a member for the display panel comprises a step of transferring the resin layer on a substrate from the transfer film having the resin layer composed of the resin composition containing the inorganic powder, a step of forming a latent image of a pattern by exposure of the resin layer, a step of forming the pattern by developing the resin layer and a step of burning the pattern.例文帳に追加
本発明に係るディスプレイパネル用部材の製造方法は、上記無機粉体含有樹脂組成物からなる樹脂層を有する転写フィルムを用いて該樹脂層を基板上に転写する工程、該樹脂層を露光処理してパターンの潜像を形成する工程、該樹脂層を現像処理してパターンを形成する工程、および該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method of forming the pattern to detect the discharge failure of a plurality of nozzles includes a step of recording a first dot pattern by the plurality of nozzles and a step of recording a second dot pattern that is adjacent to at least one direction of predetermined directions of the first dot pattern.例文帳に追加
複数のノズルの吐出不良を検出するためのパターンを形成するパターン形成方法は、前記複数のノズルにより第1のドットパターンを記録する工程と、前記第1のドットパターンの、前記所定の方向の少なくとも一方に隣接させて、第2のドットパターンを記録する工程とを有する。 - 特許庁
There is provided a flare prediction method in a photolithography comprising: a step S14 of obtaining a pattern density distribution of a pattern layout; a step S15 of obtaining a gradient of change in the pattern density distribution; and steps S16 to S19 of performing flare computations in a plurality of division sizes which are based on the gradient of change in the pattern density distribution.例文帳に追加
フォトリソグラフィにおけるフレアの予測方法であって、パターンレイアウトのパターン密度分布を求める工程S14と、パターン密度分布の変化の傾きを求める工程S15と、パターン密度分布の変化の傾きに基づく複数の区画サイズでフレア計算を行う工程S16〜S19とを備える。 - 特許庁
A definite performance symbol of an ordinary big win combination is decided when a variable display pattern shown in a variable display pattern command is an exclusive pattern for a normal big win (step S541), a definite performance symbol of probability variable big win combination is decided when it is an exclusive pattern for the probability variable big win (step S540).例文帳に追加
可変表示パターンコマンドに示された可変表示パターンが通常大当り専用パターンである場合には通常大当り組合せの確定演出図柄を決定し(ステップS541)、確変大当り専用パターンである場合には確変大当り組合せの確定演出図柄を決定する(ステップS540)。 - 特許庁
Shift of recording position between the rectangular pattern TP1 and the rectangular pattern TP2 is calculated (step S8) and positional shift of recording in a 'bidirectional recording means' is corrected based on the shift of recording position thus calculated (step S9).例文帳に追加
矩形パターンTP1と矩形パターンTP2との記録位置のずれ量を算出し(ステップS8)、その記録位置のずれ量に基づいて、「双方向記録手段」における記録位置ずれを補正する(ステップS9)。 - 特許庁
The step transferring the first mask pattern includes a step transferring the first mask pattern portion to one part 49 of the pixel 16a being in a position at an overlap exposure area, in which the first and the second areas are laid over the other.例文帳に追加
第1のマスクパターンを転写する工程は、第1および第2領域が重なった重複露光領域に位置する画素16a内の一部分49に第1のマスクパターン部分を転写する工程を含む。 - 特許庁
To test step-out or the like in a short time, by generating a test pattern, which is specified in verification of faults such as the step-out in a high-speed serial transfer device, and by successively transferring the test pattern in a target device.例文帳に追加
高速シリアル転送デバイスでの同期外れ等障害の検証に特化した試験パターンを作成して対象装置内で連続的に転送することで、同期外れ等を短時間に検証可能とする。 - 特許庁
In this constitution, the storage amount of memory can be suppressed because there is no need to store, in the memory, the combinations of the number corresponding to (kinds of the advance notice pattern of step 1×kinds of the advance notice pattern of step 2).例文帳に追加
この構成の場合には(ステップ1の予告絵柄の種類×ステップ2の予告絵柄の種類)に応じた数の組合せをメモリに記録しておく必要がなくなるので、メモリの記録量が抑えられる。 - 特許庁
The method includes a step of identifying a target pattern having a plurality of features, including horizontal and vertical features, and a step of generating a horizontal mask based on the target pattern, where the horizontal mask includes low contrast vertical features.例文帳に追加
水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。 - 特許庁
The solder resist pattern forming method contains a step for depositing a semihardened thermohardening film on both surfaces of a substrate, and a step of treating the deposited thermosetting films by laser ablation along the solder mask pattern.例文帳に追加
半硬化状態の熱硬化性フィルムを基板の両面に積層する工程;および、ソルダーマスクパターンに沿って前記積層された熱硬化性フィルムをレーザアブレーション加工する工程;を含むことを特徴とする。 - 特許庁
When the identification code corresponds to the partial pattern, processing for conversion to color display data is performed (step S25) and processing for synthesizing entire color pattern display data is performed (step S26) but when the identification code corresponds to the additional information, such processing is not performed.例文帳に追加
部分模様の識別コードであれば、カラー表示データへの変換処理(ステップS25)、全体模様カラー表示データの合成処理(ステップS26)を行い、付加情報の識別コードであれば、これらの処理は行わない。 - 特許庁
Thus a difference H1 between an absolute step on an upper part of the first wiring pattern 53a in a third insulating film 58 and an absolute step of the dummy pattern 53b can be made sufficiently small to a negligible extent after polishing.例文帳に追加
これにより、第3の絶縁膜58における第1の配線パターン53aの上側部分の絶対段差とダミーパターン53bの絶対段差との差H1が、研磨後には無視できる程度に十分に小さくなる。 - 特許庁
Then the dimension L1 of the focus confirmation pattern 3 formed on the step low area 1 and the dimension L2 of the focus confirmation pattern 3 formed on the step high area 2 are measured by a dimensional measuring device.例文帳に追加
次に段差低部領域1上に形成されたフォーカス確認パターン3の寸法L1と、段差高部領域2上に形成されたフォーカス確認パターン3の寸法L2を寸法測定装置によって測定する。 - 特許庁
In a step 106, replacement arrangement possible areas 160, 161 in which the total value of lengths of a power supply pattern 151 and a ground pattern 152 after replacement is the wiring pattern length 150 or below are obtained.例文帳に追加
ステップS106では、置換え後の電源パターン151及びグランドパターン152の長さの合計値が配線パターン長150以下となる置換配置可能領域160,161が求められる。 - 特許庁
When an operator selects a writing pattern to be transferred, the pattern file of the selected writing pattern is transferred from a parameter writing tool to a master unit in which a program is to be set (step 103).例文帳に追加
操作者が転送すべき書込みパターンを選択すると、パラメータ書込みツールからプログラムを設定すべきマスターユニットに選択された書込みパターンのパターンファイルが転送される(ステップ103)。 - 特許庁
By paying attention to a characteristic pattern of acceleration of a leg part formed according to the walking and monitoring whether the pattern appears from acceleration data of the leg pattern or not, one step by the leg part is detected.例文帳に追加
歩行に応じて形成される脚部の加速度の特徴的パターンに着目し、脚部の加速度データからそのパターンが現れるか否かの監視をすることにより、脚部による一歩を検出する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of defects on a substrate after a developing step in the formation of an ultrafine photoresist pattern at least partially having a pattern of ≤0.25 μm pattern width.例文帳に追加
少なくともその一部にパターン幅が0.25μm以下のパターンを有する超微細なホトレジストパターンの形成において、現像処理工程後基板上に発生するディフェクトの発生を有効に防止する。 - 特許庁
When a resist pattern that covers areas c and d is formed, a resist pattern 22 is formed by displacing a mask pattern such that the groove of the area c is completely covered even in the case that a alignment error occurs (step 3).例文帳に追加
領域c,dを覆うレジストパターンを形成する場合、位置合わせ誤差が生じても領域cの溝が完全に覆われるように、マスクパターンの位置をずらしてレジストパターン22を形成する(工程3)。 - 特許庁
This method includes a step of forming a pattern of a column spacer 300 on a printing roll 100, a step of forming a pattern of an overcoat layer 350 on the printing roll 100 carrying the pattern of the column spacer 300, and a step of transferring the overcoat layer 350 and the pattern of the column spacer 300 on a substrate 200, by rolling the printing roll 100 on the substrate 200.例文帳に追加
印刷ロール100にカラムスペーサー300のパターンを形成する工程と、カラムスペーサー300のパターンが形成された印刷ロール100にオーバーコート層350のパターンを形成する工程と、基板200上で印刷ロール100を回転させ、基板200上にオーバーコート層350およびカラムスペーサー300のパターンを同時に転写する工程とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁
When a combination of left and center pattern displays, which already variation-stopped, except the right pattern display is judged in Reach state by a step 124, already stopped left and center pattern displays start a variation-display by a step 132 and stopped simultaneous with the right pattern display which finally variation-stops and a step 138.例文帳に追加
最後に変動停止する右図柄表示器を除く既に変動停止した左・中図柄表示器の図柄の組合せがいわゆるリーチ状態であるとステップ124で判断されたときに、既に停止した左・中図柄表示器をステップ132で再度変動表示開始し、最後に変動停止する右図柄表示器とステップ138で同時に停止制御するようにした。 - 特許庁
By a pattern forming step, there are formed, on a dielectric substrate 110, a waveguide pattern 120a having a loopback part 123a, a conductor pattern 312 situated on the outer circumference of the loopback part 123a, and a dummy pattern 130a for connecting the loopback part 123a and the conductor pattern 312.例文帳に追加
パターン形成工程によって、折り返し部123aを有する導波路パターン120aと、折り返し部123aの外周側に位置する導体パターン312と、折り返し部123aと導体パターン312を接続するダミーパターン130aと、を誘電体基板110上に形成する。 - 特許庁
When an input image density is within the medium density region in a density discrimination processing step (S140), a dot generation pattern of already quantized surrounding pixels in the vicinity of a target pixel is compared with a dot pattern discrimination matrix, the dot generation pattern is classified into a dot generation pattern, a dot non-generation pattern, and other patterns and the dot generation is processed (S150).例文帳に追加
濃度判定処理工程(S140)で入力画像濃度が中濃度域の場合、注目画素近傍の既に量子化された周辺画素のドット発生具合とドットパターン判定マトリックスを比較し、発生パターン、非発生パター、それ以外のバターンに分けてドット発生を処理する(S150)。 - 特許庁
To solve problems that a step of arraying a first mask step and a second mask step is not easy and a defect is caused when a double patterning step for overcoming the limit of resolution of exposure equipment is performed in a fine pattern forming method of a semiconductor device.例文帳に追加
半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。 - 特許庁
To provide an electric sewing machine capable of forming stitches or seams of high quality even in the case where a needle swinging movement pattern just before and after the shift from a start stop stitch step to a normal stitch step or from the normal stich step to an end stop stitch step differs, when the shift occurs.例文帳に追加
始め止め縫いから通常縫いへ、あるいは通常縫いから終わり止め縫いに移行するとき、その移行前後の針振りパターンが異なる場合でも、高品質な縫い目を形成することが可能な電子ミシンを提供する。 - 特許庁
A pattern forming method using the photosensitive resin composition can be carried out by a step of applying the composition on a substrate to be worked, a step of exposing the composition with a beam of ≤250 nm, a step of heating the same and a step of developing the same.例文帳に追加
この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、被加工基板上に前記組成物を塗布する工程、250nm以下の光線で露光する工程、加熱する工程、及び現像する工程によって行うことができる。 - 特許庁
The present invention performs: a marker candidate region detection step ST01 dependent upon topology information; a marker candidate narrowing-down step ST02 dependent upon topology information; a marker detection step ST03 dependent upon topology information; a marker detection step ST04 dependent upon geometrical information; a marker detection step ST05 dependent upon pattern matching; a marker detection step ST06 dependent upon feature points; and a marker information extraction step ST07.例文帳に追加
トポロジー情報によるマーカ候補領域検出ステップST01、トポロジー情報によるマーカ候補絞り込みステップST02、トポロジー情報によるマーカ検出ステップST03、幾何的な情報によるマーカ検出ステップST04、パターン・マッチングによるマーカ検出ステップST05,特徴点によるマーカ検出ステップST06、マーカの情報抽出ステップST07を実行する。 - 特許庁
The forming method of wiring pattern comprises a step (A) wherein the drop of liquid conductive material is discharged to a predetermined section in a pattern forming region rimmed by a bank pattern to form a conductive material layer covering the pattern forming region.例文帳に追加
配線パターン形成方法は、バンクパターンに縁取られたパターン形成領域における所定のセクションへ液状の導電性材料の液滴を吐出して、パターン形成領域を覆う導電性材料層を形成するステップ(A)を含んでいる。 - 特許庁
This processor is also provided with a copy step for copying the basic gradation pattern from a k position formed by deviating the basic gradation pattern along the horizontal direction according to the position of the copy of the basic gradation pattern, when the basic gradation pattern is sequentially and repeatedly copied along the vertical direction.例文帳に追加
上記基本グラデーションパタンを垂直方向に沿って順次コピーを繰り返すとき、上記基本グラデーションパタンのコピー位置に応じて上記基本グラデーションパタンを水平方向に沿ってずらした(k)位置からコピーするコピーステップを設ける。 - 特許庁
Accordingly, because the pattern 113 of the conversation and the pattern 123 of the conversation can be simultaneously visually recognized by the video of the step-up notice 2, a player becomes easy to comprehend a difference between the pattern 113 of the conversation and the pattern 123 of the conversation.例文帳に追加
このため、ステップアップ予告2の映像で会話の絵柄113および会話の絵柄123が同時に視覚的に認識可能となるので、会話の絵柄113および会話の絵柄123相互間の違いを遊技者が視覚的に把握し易くなる。 - 特許庁
Also the upper layer 32B of the bank pattern 32 is formed with the same material and in the same step as those of a blue color filter.例文帳に追加
また、土手パターン32の上層32Bは青色カラーフィルタと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁
Successively, the written checker pattern is read out, and determination of a normal/defective semiconductor apparatus is made (step S203).例文帳に追加
続いて、書き込んだチェッカパターンの読み出を行い、半導体装置の良/不良の判定を行う(ステップS203)。 - 特許庁
When an operation of color shift correction is determined to be requested, a pattern for color shift correction is formed (a step S4).例文帳に追加
色ずれ補正実施要求があると判断した場合には、色ずれ補正用パターンを形成する(ステップS4)。 - 特許庁
In a measuring step S20, the resist pattern form of basic patterns which are formed after exposure and development steps is measured.例文帳に追加
測定工程S20では、露光、現像工程後に形成された基本パターンのレジストパターン形状を測定する。 - 特許庁
A second optical material is shaped by using an optical material shaped in a first shaping step as a pattern.例文帳に追加
第1の整形工程で整形された光学材料を型として用いて、第2の光学材料を整形する。 - 特許庁
Then, a calculation value for the image signal is calculated from design data of the absorber pattern (step S105).例文帳に追加
次に、吸収体パターンの設計データから画素信号の計算値を数値計算により求める(ステップS105)。 - 特許庁
The micro regions detected by the position detecting step include a circuit pattern formed in the unit exposure region.例文帳に追加
位置検出工程で検出する微小領域は、単位露光領域内に形成された回路パターンを含む。 - 特許庁
In a fifth processing step, energy is applied to the initial surface pattern in order to destabilize the sacrificial layer regions 25.例文帳に追加
第5処理ステップにて、犠牲層領域25を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。 - 特許庁
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