「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display exhibiting improved display quality by allowing a repair pattern to act the same operation as a defective pixel under the repair pattern in a repairing step using the repair pattern.例文帳に追加

本発明の目的は、リペアパターンを利用したリペア工程で不良画素の下部に位置した画素と同一な動作をさせ表示品質が向上した横電界型の液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a widely applicable pattern forming method giving a high sensitivity and high resolution fine pattern without requiring a complex step or an expensive device and capable of forming a pattern from digital data with an infrared laser or the like.例文帳に追加

複雑な工程や高価な装置を必要とせず、高感度で高解像度の微細なパターンが得られ、赤外線レーザ等によりデジタルデータからパターン形成が可能な、応用範囲の広いパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the pattern electrode for the information display panel includes a step of forming the pattern electrode on the substrate by printing a conductive ink in a pattern on the substrate and burning the conductive ink.例文帳に追加

導電インクを基材上にパターン状に印刷した後、焼成することにより、前記基材上にパターン電極を形成する工程を有することを特徴とする情報表示パネル用パターン電極の製造方法。 - 特許庁

The method of pattern formation includes a step for coating a pattern formed on an organic film of a layered product comprising a base and the organic film with the film-forming material and etching the organic film using this pattern as a mask.例文帳に追加

基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 - 特許庁

The correction value of pattern density is determined on the basis of allowable pattern density derived from the request of inter-wiring capacity reduction and proper pattern density derived from the request of surface step reduction on the polished surfaces.例文帳に追加

配線間容量低減という要求から導き出される許容パターン密度と、研磨面の表面段差低減という要求から導き出される適正パターン密度とに基づいてパターン密度の修正値を決める。 - 特許庁

The general CPU outputs a forenotice pattern prescription command prescribing the forenotice pattern set in the storage area (b) whenever a performance pattern prescription command is input and controls to execute the big win forenotice (step S42).例文帳に追加

統括ＣＰＵは、演出パターン指定コマンドを入力する毎に、記憶領域ｂに設定されている予告パターンを指定する予告パターン指定コマンドを出力し、大当り予告を実行させる制御を行う（ステップＳ４２）。 - 特許庁

At the second step of the screen game, a pattern is scrolled for a fixed time period, and then an original pattern showing a success is stopped and displayed and the display color of the pattern is changed at random in conjunction therewith.例文帳に追加

画面遊技の第２段階として、図柄を一定期間にわたってスクロールさせた後、当たりを示す元の図柄を停止表示するとともに、これと並行して図柄の表示色を無作為に変更する。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

A pattern detection/cycle determining part 20 detects a gradually increasing pattern from step-like peak-holding signals, and detects the R wave at the maximum peak by relating the pattern to the P waves and R waves in an electrocardiogram.例文帳に追加

パターン検出・周期判定部２０は、階段状のピークホールド信号から順次増大するパターンを検出し、これを心電図におけるＰ波とＲ波に対応させて最大ピークのＲ波を検出する。 - 特許庁

Then, in a step 32, the CPU arranges the phase shifter having the same phase to the layout pattern having the same potential information based on the potential information of the layout pattern onto the adjacent layout pattern.例文帳に追加

次に、ＣＰＵは、ステップ３２において隣接するレイアウトパターンに対して、それらレイアウトパターンの電位情報に基づいて、同じ電位情報を持つレイアウトパターンに対して同じ位相を持つ位相シフタを配置する。 - 特許庁

The personal authentication method selects desired tactile stimulus elements from among a plurality of types of tactile stimuli (Step S1 to Step S5), arranges the selected tactile stimulus elements in a time series to construct a time series pattern of tactile stimuli arranged in a time series (Step S6), and registers the constructed time series pattern of tactile stimuli in association with the user (Step S7).例文帳に追加

本発明の個人認証方法は、複数種類の触刺激の中から所望の触刺激要素を選択し（ステップＳ１〜ステップＳ５）、選択された触刺激要素を時系列に並べ、時系列に並べられた触刺激の時系列パターンを構成し（ステップＳ６）、この構成された触刺激の時系列パターンをユーザと対応関係を付けて登録する（ステップＳ７）。 - 特許庁

The method comprises a step of forming alignment marks 1 together with a device pattern on a semiconductor wafer, a step of coating the semiconductor wafer with resist, a step of aligning exposure positions according to the alignment marks 1, and a step of exposing specified regions to form alignment deviation measuring marks 2 at specified positions near the alignment marks 1 together with a resist pattern.例文帳に追加

半導体ウエーハ上に、デバイスパターンとともに、アライメントマーク１を形成する工程と、半導体ウエーハ上にレジストを塗布する工程と、前記アライメントマーク１により、露光位置合わせを行う工程と、所定領域を露光し、レジストパターンとともに、前記アライメントマーク１近傍の所定位置に、合わせずれ計測用マーク２を形成する工程を備える。 - 特許庁

A delay fluctuation predicting step 2 is provided preliminarily to predict the delay fluctuation accompanied to change for all the wiring patterns before the wiring pattern is changed, the timing fixing is carried out in the first timing verification step 3 and the first delay correction step 4, based on the delay information obtained therein, and the wiring density is uniformized thereafter in a wiring pattern changing step 5.例文帳に追加

配線パターン変更前に、予め全配線パターンの変更に伴う遅延変動を予測する遅延変動予測ステップ２を備えておき、そこで得られた遅延情報を基に第１タイミング検証ステップ３及び第１遅延修正ステップ４にてタイミングフィックスを行なっておき、その後に、配線パターン変更ステップ５にて配線密度の均一化を行なう。 - 特許庁

An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses.例文帳に追加

段差部１１を有するサファイア基板１０上にＣｅＯ_2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パターン２０を構成する。 - 特許庁

This contrast measuring method has a step for inputting an input pattern of a rectangular wave or sine wave, a step for outputting an output image corresponding to the input pattern, a step for calculating a prescribed statistical quantity based on an output value of the output image, and a step for calculating the contrast, using the prescribed statistical quantity, in an image input and output system.例文帳に追加

画像入出力系において、矩形波もしくは正弦波の入力パターンを入力するステップと、該入力パターンに対応する出力画像を出力するステップと、該出力画像の出力値から、所定の統計量を算出するステップと、該所定の統計量を用いてコントラストを算出するステップとを有するコントラスト測定方法。 - 特許庁

The wiring pattern 16 for connecting the flexible boards is formed via an applying step for applying an organic metal compound on the transparent substrate 12, a drying step for drying the organic metal compound applied in the applying step and a baking step for baking the organic metal compound dried in the drying step.例文帳に追加

そして、フレキシブル基板接続用配線パターン１６を、透明基板１２上に有機金属化合物を塗布する塗布工程、前記塗布工程で塗布された有機金属化合物を乾燥させる乾燥工程、及び前記乾燥工程で乾燥された有機金属化合物を焼成する焼成工程を経て形成した。 - 特許庁

The objective pattern forming method includes a step for applying and drying a resin composition containing a polyimide precursor or polybenzoxazole on a substrate, a step for curing the composition by heating, a step for patternwise irradiating the composition with ion beams, a step for developing the polyimide precursor and a step for imidating the polyimide precursor by heating.例文帳に追加

ポリイミド前駆体又はポリベンズオキサゾールを含む樹脂組成物を、基板上に塗布し乾燥する工程、加熱硬化する工程、イオンビームをパターン照射する工程、該ポリイミド前駆体を現像する工程、該ポリイミド前駆体を加熱イミド化する工程を含むことからなる樹脂組成物のパターン形成方法。 - 特許庁

This aligning method of semiconductor integrated circuit includes a step by which aligning pattern data per a specified unit area is extracted from aligning pattern data inputted in an aligning device, and the aligning pattern data extracted and a dummy pattern data for every specified unit area are merged and the aligning processing of the aligning pattern data and the dummy pattern data merged is executed for every area.例文帳に追加

露光装置に入力した露光パターンデータから所定の単位領域毎の露光パターンデータを抽出し、抽出した露光パターンデータと、所定の単位領域毎のダミーパターンデータとをマージし、マージした露光パターンデータとダミーパターンデータとを単位領域毎に露光処理するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の露光方法。 - 特許庁

The resin composition for pattern reverse is used for a method for forming a reversed pattern comprising: a step of forming a resist pattern on a substrate to be processed; a step of embedding a resin composition for pattern reverse between the patterns of the resist patterns; and a step of removing the resist patterns to form reversed patterns, and contains polysiloxane containing a constitutional unit having a specific acryloyloxy alkyl group, and an organic solvent.例文帳に追加

パターン反転用樹脂組成物は、被加工基板上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンのパターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備える反転パターン形成方法において用いられるものであって、特定のアクリロイルオキシアルキル基を有する構成単位を含むポリシロキサンと、有機溶剤と、を含有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated feedthrough capacitor 1, an absorption layer pattern 44 including a precursor of a step absorption layer 22 is formed along one edge on an electrode pattern 43 for grounding, and an absorption layer pattern 45 including a precursor of a step absorption layer 32 is formed along the other edge on the electrode pattern 43 for grounding.例文帳に追加

積層貫通コンデンサ１の製造方法では、接地用電極パターン４３上の一方の外縁に沿って段差吸収層２２の前駆体を含む吸収層パターン４４を形成するとともに、接地用電極パターン４３上の他方の外縁に沿って段差吸収層３２の前駆体を含む吸収層パターン４５を形成している。 - 特許庁

The method has a step to form a conductive pattern 110 on a substrate 100, and a step that heats the substrate 100, on which the conductive pattern 110 is formed, up to the temperature softening the top surface of the substrate 100 and then presses a pressing member 120 on the conductive pattern 110 from above to press the conductive pattern 110 into the top surface of the substrate 100.例文帳に追加

基板１００上に導電性パターン１１０を形成する工程と、導電性パターン１１０が形成された基板１００を、基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材１２０を導電性パターン１１０に押し付けて、導電性パターン１１０を基板１００の表面に押し込む工程と、を備える。 - 特許庁

In a step S1, an exposure amount corresponding to the size difference between a sparse pattern and a dense pattern is determined by using first correlation between the exposure amount of pre-acquired exposure light with which an exposure device is irradiated and variations in size of the sparse pattern and dense pattern.例文帳に追加

ステップＳ１では、予め取得された、露光装置で照射する露光光の露光量と疎パターン及び密パターンの各寸法の変化との第１の相関関係を用いて、疎パターンと密パターンとの寸法差に対応した露光量を決定する。 - 特許庁

The position with the highest correlative value is deemed the second positioning mark of the measuring pattern, and the mutual second position marks of the measuring pattern and the mask patterns are aligned, so that the mask pattern and the measuring pattern are aligned by each division region (step 109).例文帳に追加

最も相関値が高い位置を被測定パターンの第２の位置決めマークと見なし、被測定パターンとマスタパターンの互いの第２の位置決めマークの位置を合わせることにより、マスタパターンと被測定パターンの位置合わせを分割領域毎に行う（ステップ１０９）。 - 特許庁

In a photomask having a plurality of ring gate patterns 122 having a vertical symmetric structure used in a semiconductor exposure step, a subsidiary pattern 124 is added in the hole of each ring gate pattern 122 on the photomask, the subsidiary pattern separated from the ring gate pattern by a designated distance.例文帳に追加

半導体露光工程に用いられる上下対称構造を有する複数個のリングゲートパターン１２２を備えるフォトマスクにおいて、フォトマスク上の各リングゲートパターン１２２の穴中に、該当のリングゲートパターンから一定距離離隔して補助パターン１２４を追加する。 - 特許庁

In the drawing method, data 1 are read as pattern layout data and data 2 are read as a drawing information in a step S_1 to produce a path figure, showing the profile of the boundary part and a pattern in the boundary part (shown as an original pattern hereinafter) upon producing the pattern data for drawing the boundary part.例文帳に追加

本方法では、境界部描画用のパターンデータを作成する際、ステップＳ_１ で、パターンレイアウトデータとしてデータ１を、描画情報としてデータ２を読み込み、境界部の輪郭及び境界部内のパターン（以下、元パターンと言う）を示すパス図形を生成する。 - 特許庁

In a first step, a first substrate 110 having a conductive pattern layer 120 comprising peripheral circuits is supplied.例文帳に追加

第１に、周辺回路により形成される導電パターン層１２０を有する第１の基板１１０が供給される。 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD WITH STEP, THIN FILM TRANSISTOR FORMING METHOD USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

段差のあるパターン形成方法、これを用いた薄膜トランジスタ形成方法および、液晶表示素子の製造方法 - 特許庁

This is to form on one side of a carrier metal foil a columnar pattern that will become an interlayer connection part through electroplating in a later step.例文帳に追加

キャリヤー金属箔の片面に電気めっきにより後工程で層間接続部となる柱状パターンを形成する。 - 特許庁

In Step S1916, a print position and a font size, the peculiar information of the header/footer of woven pattern, are obtained.例文帳に追加

ステップＳ１９１６において、地紋ヘッダ／フッタプリント独自の情報である印刷位置及びフォントサイズの取得を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern in two-layer resist process including a developing step as simple as in monolayer resist process.例文帳に追加

単層レジストプロセスと同等の簡略な現像工程でよい二層レジストプロセスのレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Step ST12: First mask pattern data are prepared in which first opening patterns are arranged on all of the grid points.例文帳に追加

全ての前記グリッド点上に第１の開口パターンが配置された第１のマスクパターンデータを用意する（ステップＳＴ１２）。 - 特許庁

When the pattern data corresponding to selected process name does not exist, the process name is indicated by flashing (step A7).例文帳に追加

選択した工程名に対応したパターンデータが存在しない場合は、工程名を点滅表示させる（ステップＡ７）。 - 特許庁

The method for judging correct lamination of a tape member comprises a step of storing the imaging pattern of the board 2A in a first memory 73 (first memory) before the ACF4 is adhered.例文帳に追加

ＡＣＦ４が貼付される前の基板２Ａの撮像パターンを第１メモリ７３（第１のメモリ）に記憶する。 - 特許庁

The defective part is irradiated while scanning with laser beam according to the scan pattern by use of a laser scan optical system (step S11).例文帳に追加

レーザスキャン光学系を用いて、スキャンパターンに従いレーザ光を走査しながら欠陥部に照射する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

Next, in a step S6, an amount ΔL of deviation between the size information of the measured initial pattern and an objective size is operated.例文帳に追加

次に、ステップＳ６で、測定された初期パターンの寸法情報と、目標寸法とのズレ量ΔＬを算出する。 - 特許庁

The management of the rugged step difference amount after the CMP treatment can also be performed by the measuring pattern and the AFM measuring unit.例文帳に追加

なお、ＣＭＰ処理後の凹凸段差量の管理も、測定パターンとＡＦＭ測定装置によって行うことができる。 - 特許庁

To provide a means of obtaining a phase shifting mask which widens a process window in pattern formation in an exposure step.例文帳に追加

露光工程におけるパターンを形成する際のプロセスウィンドウを広げる位相シフトマスクを実現する手段を提供する。 - 特許庁

In the light-emitting element mounting step, the light-emitting element is mounted and the light-emitting element and the wiring pattern 104 are electrically connected.例文帳に追加

発光素子搭載工程では、発光素子を搭載し、発光素子と配線パターン１０４とを電気的に接続する。 - 特許庁

In the process of winning for varying a pattern display device of the pachinko machine, the operation stops till the winning at a step S210.例文帳に追加

当該パチンコ機において行なわれる始動入賞処理では、まずＳ２１０にて、始動入賞があるまで待機する。 - 特許庁

In the dimension calculating step, the dimension of circuit pattern corresponding to the opening angle at the shape estimation position is calculated.例文帳に追加

また、寸法算出ステップは、前記形状予測位置における開口角に応じた回路パターンの寸法を算出する。 - 特許庁

In a step S400, board pattern shape information, circuit information, and layer information are read from circuit/board CAD data.例文帳に追加

ステップＳ４００では、回路・基板ＣＡＤデータから、基板パターン形状情報、回路情報、および層情報を読み込む。 - 特許庁

A heating process is executed at the corrected set temperature, and a resist pattern of the target dimension is formed on the wafer (step S10).例文帳に追加

補正された設定温度で加熱処理を行い、ウェハ上に目標寸法のレジストパターンを形成する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

At least part of the third removal processing is performed by a second chemical processing (step 5) for the organic film pattern.例文帳に追加

第三の除去処理の少なくとも一部を有機膜パターンに対する第二の薬液処理（ステップＳ５）により行う。 - 特許庁

A ceramic green sheet 2 is formed on a base film 1, and a step eliminating pattern 3 having water repellency is formed thereupon.例文帳に追加

ベースフィルム１上にセラミックグリーンシート２を形成し、その上に撥水性を有した段差解消パターン３を形成する。 - 特許庁

In the oyose step, quality of the materials is determined based on each pattern unit, and the pieces are made into koyosegi with a good balance. 例文帳に追加

この大寄せでは各単位文様から大きさ、材料の良し悪しを決めていきバランスのよい小寄木にしていく。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス