「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

When the value of a counter CT is below 100, the scene of spring is displayed as a background display of each special pattern (step S250).例文帳に追加

カウンタＣＴの値が１００未満の場合は、各特別図柄の背景表示として春の風景が表示される（ステップＳ２５０）。 - 特許庁

The alignment mark 31 and the lower layer 32BM of the bank pattern 32 are formed with the same material and in the same step as those of a black matrix.例文帳に追加

アライメントマーク３１及び土手パターン３２の下層３２ＢＭはブラックマトリクスと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁

Thereby, a grinding pattern oblique to a circumferential direction is formed on the step surface P3, and a circumferential flaw can be found easily.例文帳に追加

この結果、段差面Ｐ３には周方向に対して斜めの研削模様が生じ、周方向疵の発見が容易となる。 - 特許庁

Based on an estimation result of the pattern, a corrected value of heating temperature in a PEB device is calculated from second correlation (a step S3).例文帳に追加

パターンの推定結果に基づいて、第２の相関からＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Furthermore, if necessary, a fourth step of a reduction pattern by nascent hydrogen produced under participation of the OH radical is also added.例文帳に追加

更に必要に応じ、ＯＨラジカルが関与して生成される発生期の水素による、還元パターンの第４ステップも加わる。 - 特許庁

A new tint pattern is then formed by performing exclusive OR operation of these two temporary tint patterns (Step S3).例文帳に追加

ステップＳ３では、この２つの仮万線パターンの排他的論理和演算を行うことにより、新たな万線パターンを作成する。 - 特許庁

A second method is a step of arranging patterns where the aspect ratio of the width of the dummy pattern to the height of a resist is not larger than 2 in the separated areas.例文帳に追加

第２の方法は、ダミーパターンの幅とレジスト高さのアスペクト比が２以下になるパターンを上記分離領域に配置する。 - 特許庁

Since WSiN is a heat-resistive metal, a high-temperature processing (step S20) is allowed in the condition of forming the dummy pattern.例文帳に追加

ＷＳｉＮは耐熱性金属なので、ダミーパターンを形成した状態で高温熱処理（工程Ｓ２０）を行なうことができる。 - 特許庁

In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.例文帳に追加

酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁

The pattern generator 20 stores a step of logical data which generates the difference of the current values corresponding to the signal from the comparator 50.例文帳に追加

パターンジェネレータ２０はコンパレータ５０からの信号に対応する電流値の差を発生させた論理データのステップを記憶する。 - 特許庁

In a step for dividing the aggregate 22 into elements, the alignment pattern 14a is positioned and the aggregate 22 is cut.例文帳に追加

集合体２２をエレメント素子に分割する工程では、アライメントパターン１４ａを位置決めとして集合体２２を切断する。 - 特許庁

Based on the target dimension of the resist pattern, the set temperature of the POST device is calculated from the calculated correlation (step S6).例文帳に追加

レジストパターンの目標寸法に基づいて、算出された相関から、ＰＯＳＴ装置の設定温度を算出する（ステップＳ６）。 - 特許庁

Consequently, the chips 2 are electrically connected to the projected electrodes 5 through the wiring pattern (semiconductor chip bonding step).例文帳に追加

これにより、半導体チップ２は配線パターンを介して突起電極５と電気的に接続される（半導体チップ接合工程）。 - 特許庁

Photolithographic processing including PEB processing of the corrected heating temperature is performed to form a resist pattern on the wafer (a step S5).例文帳に追加

補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。 - 特許庁

An internal electrode pattern 20 and a step difference accommodation layer 31 are formed in one chip area Q1 on a ceramic green sheet 11.例文帳に追加

セラミックグリーンシート１１上の一チップ領域Ｑ１に内部電極パターン２０及び段差吸収層３１を形成する。 - 特許庁

The mask used for re-exposure only has an opening for generating an identification pattern of a single pellet and it is stepped in X and Y directions by a step width different from the dimension of the pellet.例文帳に追加

その寸法はペレット幅±αの寸法で、αの値は、識別パターンの間隔に対応する寸法である。 - 特許庁

In a third step, the preserved memory input signal is converted to a signal pattern which can be taken in the semiconductor memory.例文帳に追加

第３ステップでは、保存されたメモリ入力信号を当該半導体メモリテスタに取り込み可能な信号パターンに変換する。 - 特許庁

After the term pattern rule is all matched, information on fields are imparted to extracted terms (step 206).例文帳に追加

用語パタンルールのすべてについて照合が終わったら、抽出された用語に対して、分野の情報を付与する（ステップ２０６）。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a semiconductor chip having an electrode 15 on a surface on a main surface of a wafer 11; a step of forming a lower layer ground metal film 20B on the surface; a step of forming a resist pattern 50 having an aperture on the electrode 15; and a step of removing the resist pattern 50 after forming a conductive post 22 in the aperture part.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に電極１５を有する半導体チップをウェハ１１の主面に形成する工程と、表面に下層下地金属膜２０Ｂを形成する工程と、電極１５上に開口部を有するレジストパターン５０を形成する工程と、開口部に導電性ポスト２２を形成した後にレジストパターン５０を除去する工程とを備える。 - 特許庁

In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.例文帳に追加

段差部１１ａを有する下層膜１１上に形成されたポリシリコン膜１２をエッチングしてポリシリコン膜１２に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜１２の段差部領域１２ａのみを選択的にエッチングし、段差部領域１２ａがエッチングされたポリシリコン膜１２を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step for dividing a pattern area which is an area to draw the electron beams into drawing areas; a step for specifying a drawing order to the divided drawing areas; a step for drawing the drawing area according to the drawing order; and a step for drawing the drawing areas in the reverse order of the drawing order.例文帳に追加

電子線描画を行う領域であるパターン領域を描画領域に分割する工程と、分割された描画領域に描画順序を指定する工程と、描画順序に従って描画領域を描画する工程と、描画順序とは逆順に描画領域を描画する工程と、を備えることを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 - 特許庁

When the dry pattern PD consisting of an aggregate of conductive fine particles Ia written on the main green sheet 23 is pressed by the auxiliary green sheet at a lamination step or a pressure adhesion step, a portion of the auxiliary green sheet touching the dry pattern PD sinks to wrap the dry pattern PD because the auxiliary green sheet has a hardness lower than that of the dry pattern PD.例文帳に追加

積層行程や、圧着行程の際に、主グリーンシート２３上に描画された導電性微粒子Ｉａの集合体よりなる乾燥パターンＰＤが補助グリーンシートにて押圧されるとき、補助グリーンシートは、乾燥パターンＰＤよりも硬度が低いことから、補助グリーンシートであって乾燥パターンＰＤと接する部分は、該乾燥パターンＰＤを包み込むように凹む。 - 特許庁

A method for generating the test pattern for the tester includes: the step of cyclizing a first test pattern 201 generated in logic design with a cycle in accordance with a clock signal 20 of the highest frequency to be used in a semiconductor integrated circuit; and the step of changing a timing edge in the first test pattern 201 to a period boundary just before the timing edge, to generate a second test pattern 301.例文帳に追加

本発明によるテスタ用テストパタンの生成方法は、論理設計時に生成された第１テストパタン２０１を、半導体集積回路で用いられる最高周波数のクロック信号２０に応じたサイクルでサイクライズするステップと、第１テストパタン２０１におけるタイミングエッジを、タイミングエッジ直前のピリオド境界に変更して第２テストパタン３０１を生成するステップとを具備する。 - 特許庁

A step for preparing the photomask provided with a first photomask pattern used for forming the protrusion and constituted of a pattern having a first shape consisting of a plurality of light shielding units and a second photomask pattern used for forming the spacer and constituted of a light shielding pattern having a second shape is performed and then a step for exposing and developing the photoresist layer using the photomask is performed.例文帳に追加

突起を形成するのに用いられ、複数の遮光ユニットからなる第１形状を有するパターンから構成される第１フォトマスクパターンと、スペーサを形成するのに用いられ、第２形状を有する遮光パターンから構成される第２フォトマスクパターンとを備えてなるフォトマスクを準備するステップを行った後、このフォトマスクを用いてフォトレジスト層に露光現像を施すステップを実行する。 - 特許庁

A CPU 1020 receives a signal showing a designated performance pattern shown by information, which is transmitted from portable terminal equipment 3000, showing the designated performance pattern (step S1900) and makes a special picture pattern display device (peripheral device for direction) 100 perform performance based on this signal (step S1902) so that the player can take part in the performance pattern selection.例文帳に追加

ＣＰＵ１０２０は、携帯端末装置３０００から送信される指定演出パターンを示す情報で示される指定演出パターンを示す信号を受信し（ステップＳ１９００）、これによる演出を特別図柄表示装置１００（演出用周辺装置）に行なわせるので（ステップＳ１９０２）、演出パターン選択に際して遊技者が関与することができるようになる。 - 特許庁

A determination method for determining a replacement timing of a focus ring disposed around a substrate to improve in-plane uniformity of a pattern when the pattern is formed by etching a film on the substrate comprises a measurement step of measuring a shape or dimension of the pattern and a determination step of determining a replacement timing of the focus ring based on the shape or dimension of the measured pattern.例文帳に追加

基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 - 特許庁

The controller 2 executes a first step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 31 and the identification mask pattern 32 onto a resist film 81, formed on the wafer 7 for each shot, and a second step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 41 and the identification mask pattern 42 onto a resist film 82, formed on the wafer 7 in every shot.例文帳に追加

制御装置２は、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８１に金属配線マスクパターン３１と識別マスクパターン３２とをショット毎に投影させる第１ステップと、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８２に金属配線マスクパターン４１と識別マスクパターン４２とをショット毎に投影させる第２ステップとを実行する。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

When the SIM card is available (at step S1), the mobile wireless terminal determines whether or not time based on the authentication system startup pattern has elapsed (at step S2), and when the time has elapsed, the personal authentication system is started up (at step S3).例文帳に追加

ＳＩＭカードが使用可能状態であると（ステップＳ１）、移動体無線端末は上記の認証システム起動パターンによる時間経過したか否か判定し（ステップＳ２）、この時間経過した時点で個人認証システムを起動する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The pattern forming method which has the process step of previously forming the alignment markers on a first thick film in a first thick film forming process step and references the alignment markers in the exposing process step of a second thickness film.例文帳に追加

第１厚膜形成工程において、あらかじめ第１厚膜上にアライメントマーカーを形成する工程を有し、第２厚膜の露光工程において、前記アライメントマーカーを参照することを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the stamper comprises a step of making the surface of a positive photoresist layer insolubilize, on which a latent image having the prescribed pattern is formed by exposing it to a laser beam, by treating it with a low-concentration alkaline developer and a step to furthermore develop the latent image by using the alkaline developer to form the prescribed pattern.例文帳に追加

レーザー光の露光により所定パターンの潜像が形成されたポジ型フォトレジスト層の表面を低濃度のアルカリ現像液で処理することにより、フォトレジスト層の表面を難溶化した後、さらにアルカリ現像液で現像してパターン形成を行う。 - 特許庁

In measuring the shape of the droplet changing with time, contrast information is extracted from the diffraction pattern being imaged (step S4-2), and the contrast of the central part of the diffraction pattern is so adjusted as to be a contrast enabling measurement of a contact diameter of the droplet (step S4-7).例文帳に追加

経時変化する液滴の形状計測において、撮像された回折パターンからコントラスト情報を抽出し（ステップＳ４−２）、回折パターンの中央部のコントラストを、液滴の接触径を計測可能なコントラストになるように調整する（ステップＳ４−７）。 - 特許庁

The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁

In a profile pattern extraction step, a profile pattern as a profile of the three-dimensional model is extracted from the plate detected by the plane detection step by mutually connecting border sides belonging to only one triangle among the respective sides of the respective triangles on the plane.例文帳に追加

輪郭図形抽出ステップは、前記平面検出ステップによって検出された平面から、該平面の各三角形の各辺のうち、１つの三角形のみに属する境界辺同士を接続して前記三次元モデルの輪郭である輪郭図形を抽出する。 - 特許庁

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁

The count of delaying the normal pattern game is not '0' (step S226; No), the prescribed combination of stop figures different from the combination of win figures is determined as the result of the variable display of the normal figures in the normal pattern game with the starting conditions established (step S232).例文帳に追加

普通図ゲームの遅延回数が「０」以外であるときには（ステップＳ２２６；Ｎｏ）、開始条件が成立した普通図ゲームにおける普通図柄の可変表示結果として、当り図柄の組合せとは異なる所定の停止図柄の組合せを決定する（ステップＳ２３２）。 - 特許庁

The correction value determination method also comprises a step of making the head record a second pattern for checking the amount of the conveyance of the medium while conveying the medium by correcting the target amount of the conveyance of the medium by means of the first correction value, and a step of determining a second correction value on the basis of the second pattern.例文帳に追加

また、第１の補正値を用いて目標搬送量の補正を行って媒体を搬送させつつ、媒体の搬送量を確認するための第２パターンをヘッドに記録させるステップと、第２パターンに基づいて、第２の補正値を求めるステップと、を含む。 - 特許庁

Thereby, first side portions 91y of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the first exposure step, and second side portions 91x of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the second exposure step.例文帳に追加

このため、デバイスパターン９１ａの第１辺部９１ｙは、第１露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成され、デバイスパターン９１ａの第２辺部９１ｘは、第２露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成される。 - 特許庁

In regard to a corresponding decoding step the method comprises extracting from the recorded document, a retrieved pattern element for said pixel, determining a pattern element depending upon a major component extracted from the retrieved pattern element and the position of the pixel on the recorded document, and comparing the retrieved pattern element and the said determined pattern element.例文帳に追加

対応する復号工程に関して、方法は、画素に対する検索パターン要素を、記録文書から抽出する工程と、検索パターン要素から抽出された主成分、及び記録文書上の画素の位置に依存するパターン要素を判定する工程と、検索パターン要素及び判定パターン要素を比較する工程とから成る。 - 特許庁

To provide a touch screen panel for preventing the decrease in sensitivity by removing a mask step for forming a connection pattern for connecting a first sensing pattern or a second sensing pattern formed on the same layer to the first sensing pattern and the second sensing pattern and by decreasing the parasitic capacitance at the intersection, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

同一のレイヤー上に形成される第１感知パターンおよび第２感知パターンに対して前記第１または第２感知パターンを連結する連結パターン形成のためのマスク工程を除去するとともに、交差部の寄生キャパシタンスを低めてセンシング感度の低下を防止するタッチスクリーンパネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resin pattern that can absorb a liquid solution including a metal component is formed on a substrate, the resin pattern is immersed into the solution including the metal component to absorb the solution, and a calcination step is taken to make it a metal or metal compound pattern.例文帳に追加

金属成分を含む溶液を吸収可能な樹脂パターンを基体上に形成し、該樹脂パターンを前記金属成分を含む溶液に浸漬して該溶液を吸収させ、焼成工程を経て金属または金属化合物パターンとする。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In this game machine, when the microcomputer of a picture pattern control board receives an image display command, processing is executed for preparing the variation pattern of special picture patterns from received variation time and the identification numbers of left, middle and right stop picture pattern designation codes (step S300).例文帳に追加

図柄制御基板のマイコンが画像表示コマンドを受信すると、受信した変動タイムと左、中及び右静止図柄指定コードの識別番号とから特別図柄の変動パターンを作成する処理を実行する（ステップＳ３００）。 - 特許庁

Both pattern transfer regions 100A corresponding to a scan exposure procedure and the pattern transfer regions 100B corresponding to a step-and-repeat exposure procedure are formed to two pattern forming regions 100-1 and 100-2 on the mask 10.例文帳に追加

マスク１０の２つのパターン形成領域１００−１、１００−２には、スキャン露光手順に対応したパターン転写領域１００Ａと、ステップアンドリピート露光手順に対応したパターン転写領域１００Ｂとの双方が形成されている。 - 特許庁