「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for forming the image on the substrate 14 has a step for arranging a first layer on the substrate 14 so as to forming "a printing pattern" and a step for providing "an arranged design" on the substrate 14 in both the inner side and the outer side of the areas of the printing pattern.例文帳に追加

「印刷パターン」を形成するように基材１４上に第１の層を設けるステップと、印刷パターンの領域の内側及び外側の双方において基材１４に「配置されたデザイン」を提供する第２のステップとを有した、基材１４へのイメージ形成方法。 - 特許庁

This method for manufacturing an optical disk medium includes a step of exposing a groove or a pit pattern after a photoresist is coated on the specified area of the optical disk medium, and a step of further exposing an image as a level on the area of exposing the groove or the pit pattern.例文帳に追加

本発明の光ディスク媒体の製造方法は、光ディスク媒体の所定の領域にフォトレジストを塗布した後にグルーブまたはピットパターンを露光する工程と、前記グルーブまたはピットパターンを露光した領域に更にレーベルとなる画像を露光する工程とを具える。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

When transferring the pattern to multiple shot areas arranged in a direction in which a holding means configured to hold a mold and an applying means configured to apply the resin on a substrate are arranged, after a step (S106) of applying the resin on the multiple shot areas successively, a step (S108) of transferring the pattern to the multiple shot areas successively is performed.例文帳に追加

モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段が並んでいる方向の複数のショット領域にパターンを転写する際、複数のショット領域に連続して樹脂を塗布（Ｓ１０６）した後、連続してパターンを転写（Ｓ１０８）する。 - 特許庁

In the case of the color display of an embroidery pattern selection picture arranging a lot of embroidery patterns on the embroidery pattern display device, after initial setting (step S21), the display positions of respective embroidery patterns are set (step S22), partial binary embroidery display data corresponding to the thread color are read out (stag S23).例文帳に追加

刺繍模様表示装置において、多数の刺繍模様を並べた刺繍模様選択画面をカラー表示するに際し、初期設定後（ステップＳ２１）、個々の刺繍模様の表示位置をセットし（ステップＳ２２）、糸色に対応する部分模様２値表示データを読み出す（ステップＳ２３）。 - 特許庁

The test pattern generation method includes a property generation step for outputting a property that describes an operation of a circuit based on circuit information and failure information of a detection object in the circuit, and a format verification step for outputting a test pattern of the circuit based on the property.例文帳に追加

本発明のテストパターン生成方法は、回路情報と、回路における検出対象の故障情報とに基づいて、回路の動作を記述するプロパティを出力するプロパティ作成工程と、前記プロパティに基づいて、回路のテストパターンを出力する形式検証工程とを含む。 - 特許庁

A method for dispensing a liquid on a substrate includes an arranging step of arranging a pattern of a plurality of spaced-apart droplets such that gas pockets are formed, particularly, between mutually adjacent droplets, namely, a step of forming the pattern so that a plurality of gas pockets are minimum in volume.例文帳に追加

液体を基板上に分配する方法であって、とりわけ相隣る液滴間にガスポケットが生じる複数の互いに相隔たる液滴のパターンを基板上に配置する配置ステップで、パターンを複数のガスポケットの容積が最小となるように形成するステップ、を含む方法に関する。 - 特許庁

The optical unit 34 has an 8-step form in the center region in the diffraction grating pattern 41a and has a 4-step form in the peripheral region in the diffraction grating pattern 42a by superimposing effect of the diffraction grating patterns 41a, 42a.例文帳に追加

この光学ユニット３４は回折格子パターン４１ａ、４２ａの両者の重畳作用により、回折格子パターン４１ａにおける中央領域では８段の階段形状、回折格子パターン４２ａにおける周辺領域では４段の階段形状から構成することができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a photomask comprises: a step S12 of preparing a half-tone-type phase shift mask on which a mask pattern is formed; and a step S15 of forming a light-shielding frame by selectively applying a light-shielding material onto a region around the region in which the mask pattern is formed.例文帳に追加

実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程Ｓ１２と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程Ｓ１５とを備える。 - 特許庁

In the step S32, the transfer material is fed for a test pattern from the paper feeding part set for the succeeding printing operation confirmed in the step S31, and the color balance adjustment is performed after detecting the chromaticity of the test pattern transferred and fixed on the transfer material by a color sensor 26.例文帳に追加

ステップＳ３２では、ステップＳ３１で確認した、以後の印字動作に対して設定された給紙部から、テストパターンのための転写材を給紙して、転写材上に転写・定着したテストパターンの色度をカラーセンサ２６で検知した後に、カラーバランス調整を行う。 - 特許庁

In addition, a method for exposure includes a step of extracting the pattern conforming to the preset condition out of the plurality of patterns to be plotted, and a step of plotting the extracted pattern in a multiplexed state by projecting the electron beam for the larger number of times than those to the nonextracted patterns.例文帳に追加

また、描画する複数のパターンのうち、予め設定された条件に適合したパターンを抽出する工程と、抽出されたパターンについて、抽出されなかったパターンより多くの回数の電子ビームを照射する多重描画を施す工程とを備える露光方法でもある。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming finer irregularity 16 than the irregularity of the irregularity pattern on the surface 20a of the raw film by blasting processing, and a step of forming the irregularity pattern of the raw film having a fine irregularity formed by embossing.例文帳に追加

製造方法は、ブラスト加工によって、前記凹凸模様の凹凸よりも微小な凹凸１６を前記原反の表面２０ａに形成する工程と、エンボス加工によって、微小な凹凸を形成された前記原反の前記表面に前記凹凸模様を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

In a step 417, an optimum dosage for exposure for a measurement pattern for optical characteristic measurement of the projection optical system is temporarily determined on the basis of the detection result of a formation state of an image of the measurement pattern formed in a plurality of regions on a wafer through exposure processing in a step 406.例文帳に追加

ステップ４１７において、ステップ４０６の露光処理によってウエハ上の複数の領域に形成された計測用パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性計測のための前記パターンの露光の最適ドーズ量が仮に決定される。 - 特許庁

In the following developing step, an alkaline developing solution is used to develop the photoresist film 30 processed in the exposure step to from a resist pattern 30B', and an area 22A exposing over the resist pattern 30B' in the protection layer 22 is removed, so that the protection layer 22 is etched.例文帳に追加

そして、次の現像工程において、アルカリ性現像液を用いて、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０を現像してレジストパターン３０Ｂ’を形成すると共に、防護層２２における該レジストパターン３０Ｂ’から露出している領域２２Ａを除去して防護層２２のエッチングを行なう。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes: a step of adhering a film to the insulation base, wherein the film is for flattening the surface of the insulation base; a step of thermosetting the film; and a step of forming the circuit pattern on the film by way of ink-jetting.例文帳に追加

本発明による印刷回路基板の製造方法は、絶縁基材に絶縁基材の表面を平坦化させるフィルムを貼り付けるステップと、フィルムを熱硬化するステップと、フィルムにインクジェット方式で回路パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the descriped steps, a plating step for plating the reverse irregular pattern of the master mold, a molding step for molding the finished product directly using the master mold and a property judging step for judging the property of the directly molded finished product are provided.例文帳に追加

また上記工程において、マスター金型の逆凹凸パターン面に鍍金する鍍金工程と、鍍金されたマスター金型を使用して直接製品を成形する成形工程と、直接成形された製品の性状判定をする性状判定工程と、を備える。 - 特許庁

The method for forming the pattern formation buried oxide film comprises a step of carrying out implantation into a substrate, a step of forming a mask at least on part of the substrate in order to control implantation diffusion, and a step of annealing the substrate and forming a buried oxide.例文帳に追加

パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、基板をアニールして埋込み酸化物を形成するステップとを含む。 - 特許庁

This nail art method includes a step of fixing a finger tip of a person to be operated on a base, a step of placing a stencil on a nail of the finger tip in a substantially closely attaching manner, and a step of spraying the ink on the stencil, and a pattern by the ink is depicted on a surface of the nail.例文帳に追加

基台上に被施術者の指先を固定するステップと、前記指先の爪の上にステンシルを略密着するように載置するステップと、前記ステンシルの上にインクを噴射するステップを含み、前記爪の表面に前記インクによる模様を描出する。 - 特許庁

Then, discrete Fourier transformation is performed to the calculated adjacent angle distribution (a step S5), and processing to remove unnecessary data from data after the discrete Fourier transformation, that is, filter processing is operated (a step S6), and the pattern matching of the data after the Fourier transformation is executed (a step S7).例文帳に追加

次に、計算された接角分布に対して離散フーリエ変換を行い（ステップＳ５）、この離散フーリエ変換後のデータの内、必要でないものを除く処理、すなわちフィルタ処理を施し（ステップＳ６）、フーリエ変換後のデータのパターンマッチを行う（ステップＳ７）。 - 特許庁

The method for manufacturing the cylindrical heating element 1F includes: a first step of obtaining a heating sheet by forming the metallic pattern which can be energized to generate heat on a flexible resin sheet surface 171f; and a second step of arranging the heating sheet obtained in the first step on the outer peripheral surface of the cylindrical body 11a.例文帳に追加

この製造方法は、可撓性樹脂シート面１７１ｆに通電発熱可能の金属パターンを形成して発熱シートを得る第１工程と、第１工程で得た発熱シートを筒状体１１ａの外周面に配置する第２工程とを含む。 - 特許庁

The photomask pair includes a first photomask for use in a fist step and a second photomask for use in a second step subsequent to the first step, wherein a first monitor mark includes a monitor pattern 140 for monitoring element dimensions of a lower layer.例文帳に追加

第１工程において用いられる第１フォトマスクと、該第１工程の後の第２工程において用いられる第２フォトマスクとからなるフォトマスクペアにおいては、第１のモニタマークは、下層の素子寸法をモニタするためのモニタパターン１４０が設けられている。 - 特許庁

The pattern is formed by an imprint process including a press step in which a mold 5 and a photosensitive resin layer 2 are pressed by using a heating body set at 35-130°C, exposure step in which the photosensitive resin layer is cured by exposure, and disengagement step in which the mold is disengaged.例文帳に追加

温度３５〜１３０℃に設定された加熱体を用いて、モールド５と感光性樹脂層２とを押し付けるプレス工程、感光性樹脂層を露光により硬化させる露光工程、およびモールドを外す離脱工程を含むインプリントプロセスによりパターンを形成する。 - 特許庁

In a generation step S24, a correction model which shows the relation between a correction amount to be determined and an amount of characteristic of the outline form is generated according to the difference between the outline form which is computed in the first computation step and the resist pattern form which is measured in the measuring step.例文帳に追加

生成工程Ｓ２４では、第１計算工程で計算された輪郭形状と測定工程で測定されたレジストパターンの形状との差に応じて決定される補正量と該輪郭形状の特徴量との関係を示す補正モデルを生成する。 - 特許庁

A process to open contact holes 26, 27 on a passivation film 32 includes: a step to pattern form a photoresist on the interlayer insulating film; and a step to apply dry-etching to the passivation film 32 with the photoresist being used as a mask not through a step for post-baking the photoresist.例文帳に追加

パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an organic bottom anti-reflective coating over an etch target layer, a step of forming a photoresist pattern over the organic bottom anti-reflective coating, and a step of etching the organic bottom anti-reflective coating using a sulfur-containing gas.例文帳に追加

被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

On the basis of the divided data, the order of sewing, the part pattern, and the thread color name are displayed (Step S26), further the color display data are composed in the order of sewing (Step S27), and the above mentioned processes are repeated for all kind of colors (Step S28 and S29).例文帳に追加

上記分離後のデータを用いて、縫製順、部分模様、糸色名称を表示し（ステップＳ２６）、更にカラー表示データを縫製順に従って合成し（ステップＳ２７）、全ての糸色に対して同様の処理を繰り返す（ステップＳ２８、ステップＳ２９）。 - 特許庁

The resist pattern forming method for forming a resist pattern on a surface of a substrate includes a step of forming the resist pattern so that the size of an end of the resist pattern on the substrate side is longer than that of an end thereof on a side opposed to the end on the substrate side.例文帳に追加

基体の表面にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、前記レジストパターンの基体側端部の寸法が、前記基体側端部と対向する側の端部の寸法よりも長くなるように前記レジストパターンを形成する工程を有したこと、を特徴とするレジストパターンの形成方法が提供される。 - 特許庁

An area of a determination pattern is divided into two or more areas using the area division central point under the same conditions as the step of selecting the representative point of the standard pattern, and a determination pattern pixel position at the maximum distance from the area division central point is selected as a representative point of the determination pattern for each divided area.例文帳に追加

被判定パターンの領域を、標準パターン代表点選定ステップと同じ条件で領域分割中心点を用いて２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある被判定パターン画素位置を被判定パターン代表点として選定する。 - 特許庁

To provide a colored curable composition for ultraviolet laser exposure which enables to form a pattern having high linewidth stability in a developing step on a substrate, to provide a pattern forming method giving stable pattern profile, and to provide a method for manufacturing a color filter suitable for forming a colored pixel pattern of a color filter.例文帳に追加

現像工程における線幅安定性が高いパターンを基板上に形成しうる紫外光レーザー露光用着色硬化性組成物を提供し、パターン形状の安定なパターン形成方法を提供し、カラーフィルタの着色画素パターンの形成に好適なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The general CPU, when the big win forenotice is executed in a previous pattern combination game (in a case of a forenotice flag F=1) and the pattern combination game of this time becomes the big win forenotice, even if the forenotice pattern is not determined yet, determines the forenotice pattern (step S49) and controls to execute the big win forenotice.例文帳に追加

そして、統括ＣＰＵは、前回の図柄組み合わせゲームで大当り予告が実行され（予告フラグＦ＝１の場合）、かつ、今回の図柄組み合わせゲームが大当り演出となる場合には、予告パターンが決定されていないときであっても予告パターンを決定し（ステップＳ４９）、大当り予告を実行させる制御を行う。 - 特許庁

In a step S2, etching time corresponding to an etching shift amount for obtaining expected sizes of the sparse pattern and dense pattern using the exposure amount determined by the first correlation is determined using second correlation, pre-obtained, between etching times of the space pattern and dense pattern and the etching shift amount.例文帳に追加

ステップＳ２では、予め取得された、疎パターン及び密パターンにおけるエッチング時間とエッチングシフト量との第２の相関関係を用いて、第１の相関関係により決定された露光量による疎パターン及び密パターンをそれぞれ所期の寸法とするためのエッチングシフト量に対応したエッチング時間を決定する。 - 特許庁

When a winning chance comes, CPU1020 (not indicated) turns and changes a pattern on the right to display it in such way that the same pattern 9 as the ones on the left and in the middle and a pattern 6 functioning as another identification information when the above same pattern is turned around at a given angle appear alternately (step S1500, 1510).例文帳に追加

ＣＰＵ１０２０（図示せず）は、リーチ状態となった場合、右図柄以外の左・中図柄と同一の図柄「９」、および、この同一の図柄を所定角度回転させた時に他の識別情報として成り立つ図柄（「６」）が、交互に出現するように、右図柄自体を回転変動表示する（ステップＳ１５００、１５１０）。 - 特許庁

In a second coating process of forming a finger wiring pattern crossing a bus wiring pattern on a substrate by linearly supplying paste onto a principal surface of a substrate and the bus wiring pattern from a nozzle, curing processing for curing the coating liquid is carried out on the paste supplied onto the principal surface of the substrate (step S54), and light irradiation of the paste supplied onto the bus wiring pattern is stopped (step S52).例文帳に追加

ノズルから基板の主面およびバス配線パターン上にペーストを線状に供給して、基板上にバス配線パターンと交差するフィンガー配線パターンを形成する第２塗布工程おいて、基板の主面に供給されたペーストに対して当該塗布液を硬化させる硬化処理を実行し（ステップＳ５４）、バス配線パターン上に供給されたペーストに対しては光照射を停止する（ステップＳ５２）。 - 特許庁

This character pattern generation method is characterized in that it has a step of receiving input of the character pattern composed of time series tool point coordinate information when a character is written and a step of generating the character pattern plotted by a prescribed typeface with a prescribed writing tool on the basis of the definition of a limited number of basic stroke shapes or the definition of a basic part shape from the character pattern.例文帳に追加

本発明の文字パターン生成方法は、文字が筆記されるときの時系列筆点座標情報からなる文字パターンの入力を受けるステップと、上記文字パターンより、有限個の基本筆画形状の定義及び基本部位形状の定義のいずれかに基づいて、所定の筆記具により所定の書体で描かれた文字パターンを生成するステップと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing the layered capacitor, recessed sections produced by an electrical insulating section are flattened by etching a dielectric layer by performing a step of forming a dielectric, a step of treating the surface of the dielectric, a step of forming a pattern on a metallic electrode, a step of forming the metallic electrode, and a step of treating the surface of the metallic electrode in the same vacuum tank.例文帳に追加

同一真空槽内で、誘電体を形成する工程と、誘電体の表面を処理する工程と、金属電極にパターンを形成する工程と、金属電極を形成する工程と、金属電極表面を処理する工程を有し、誘電体層を蝕刻して電気絶縁部により生ずる凹部を平坦化することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 特許庁

This pattern defect correcting method includes an application step to apply a base part 31 to the defective part 32 of a rib 83 formed on a substrate, a step to reshape the applied base part 31, a step to bake the shaped base part 31, a step to further apply correcting paste on the baked base part 31, and a step to bake the applied correcting paste.例文帳に追加

パターン欠陥修正方法は、基板上に形成されたリブ８３の欠損部３２にベース部３１を塗布する塗布ステップと、塗布されたベース部３１を整形するステップと、整形されたベース部３１を焼成するステップと、焼成されたベース部３１の上に、さらに修正ペーストを塗布するステップと、さらに塗布された修正ペーストを焼成するステップとを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a pattern includes the step of applying the positive photosensitive resin composition on a supporting substrate and drying it, the step of exposing the photosensitive resin film obtained by the drying step, the step of implementing development using an alkali solution to remove the exposure portion of the photosensitive resin film after the exposure, and the step of heat-treating the photosensitive resin film after the development.例文帳に追加

前記のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後の感光性樹脂膜の露光部を除去するためにアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含むパターンの製造方法。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

The mask pattern is divided into sub-areas (STEP 2), in a model base OPC for correcting a mask properly in every mask pattern, using an optical image intensity simulator, and a model of the optical image intensity simulator is changed in response to the pattern in each sub-area.例文帳に追加

光学像強度シミュレータを用いて、マスクパターン毎に適切なマスク補正を行うモデルベースＯＰＣにおいて、マスクパターンをサブ領域に分割し（ＳＴＥＰ２）、各サブ領域内のパターンの内容に応じて、光学像強度シミュレーションのモデルを変更する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and ensures low edge roughness of a line pattern and a small dimensional shift in the transfer of a pattern to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。 - 特許庁

In the next step, the first removing layer 4 and the exposed part of the second removing layer 8 without the mask of the inorganic material pattern 6 are removed from the transcript 20 to form a spacer including the inorganic material pattern 6 and a part of the second removing layer 8 covered with the pattern.例文帳に追加

その後、転写体２０から第１剥離層４を除去し、無機材料パターン６をマスクとして第２剥離層８の露出部分を除去することで、無機材料パターン６とそれにより覆われた第２剥離層部分とを含んでなるスペーサを形成する。 - 特許庁

The surface Wf of the substrate can be dried without damaging the pattern by removing the frozen film in the removing step.例文帳に追加

この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Ｗｆを乾燥することができる。 - 特許庁

A crossing over step S23 to select a pair of patterns from a group consisting of the mutation patterns and the initial pattern and to replace matrices in the pair of patterns is carried out.例文帳に追加

変異パターンと初期パターンとからなる群から一対のパターンを選んでパターン対中の行列を入れ替える交叉工程S23を行なう。 - 特許庁

In a third step, a second insulating adhesive 132a is arranged at the side of a conductor pattern 122 of the interposer 120 for adhesion.例文帳に追加

第３の工程では、インターポーザ１２０の導体パターン１２２側に第２の絶縁性接着剤１３２ａを配置してこれに接着させる。 - 特許庁

Typical data similar to the distribution shape pattern and reflecting a variation caused between a plurality of the analysis target data are created (step S102).例文帳に追加

分布形状パターンに類似し、かつ複数の解析対象データの間で生じる変動を反映した代表データを作成する（Ｓ１０２）。 - 特許庁