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step patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2083件
The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones.例文帳に追加
該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ120と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ122と、区分された複数のゾーンの1つに各フィーチャを分類するステップ124と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ126,128,130とから成る。 - 特許庁
A method of isolating structures of a semiconductor material comprises a step of providing a pattern of the semiconductor material including at least one elevated line; a step of defining device regions which at least include at least one elevated line in the pattern; and a step of modifying the conductive properties of the semiconductor material outside the device regions so as to electrically isolate the device regions.例文帳に追加
半導体材料の構造分離方法は、少なくとも一つの高架線(elevated line)を含む半導体材料のパターンを設けるステップと、前記パターン内に前記少なくとも一つの高架線を少なくとも含むデバイス領域を画成するステップと、前記デバイス領域の外側の前記半導体材料の導電性を変化させ、前記デバイス領域を電気的に分離するステップとを含む。 - 特許庁
In the 1st step, a printing system provided with a print head is used and the phase change material is deposited in a 1st printing pattern and consequently the 1st printing pattern remains after change of the phase change material from a liquid phase to a solid phase and the 1st printing pattern defines the gap.例文帳に追加
第1のステップは、プリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して、相変化材料が第1のプリント・パターンで堆積し、その結果、第1のプリント・パターンが、相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存し、第1のプリント・パターンがギャップを画定する。 - 特許庁
The method for inspecting the pattern of the wafer is equipped with the step for inputting the inspection image of the pattern or chip of the wafer being an inspection target, comparing the inputted inspection image with a preliminarily stored reference image to judge the quality of the pattern or chip from the difference quantity of the compared image.例文帳に追加
ウェハパターン検査方法及び装置は、検査対象であるウェハのパターン又はチップの検査画像を入力し、入力した検査画像と予め記憶されたリファレンス画像とを比較し、比較画像の相違量よりパターン又はチップの良否を判定する段階を備える。 - 特許庁
The step of correcting the defect portion includes forming a resist film on the photomask again, performing prescribed pattern drawing on a prescribed region including the defect portion, developing it to form a correction resist pattern, and removing the residual substance at the defect portion by performing etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加
欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。 - 特許庁
Moreover, in this step S_4, a plurality of new pattern data and job decks are specified so that the stage does not move in the X and Y directions in the predetermined orientation and does not pass again the field already drawn and thereby the assembled pattern data are divided into a plurality of new pattern data which are adjacently provided with each other.例文帳に追加
ステップS_4 では、ステージが、所定の向きでX方向及びY方向に移動して既に描画したフィールドを再度通過しないように、新たな複数個のパターンデータ及び新たなジョブデックを規定して、集合パターンデータを相互に隣合う新たな複数個のパターンデータに分割する。 - 特許庁
When the remaining charged amount M lowers to less than the reference remaining amount Mref, in a step S4, a present shift pattern is determined whether it is a first pattern adopted when the remaining charged amount is sufficient or a second pattern adopted when the remaining charged amount is not sufficient.例文帳に追加
充電残量Mが基準残量Mrefを下回っていればステップS4へ進み、現在の変速パターンが、充電残量が十分な場合に採用される第1パターンおよび充電残量が不十分な場合に採用される第2パターンのいずれであるかが判定される。 - 特許庁
When it is judged that the pattern of the standby system K bytes is the pattern for reporting the erroneous connection in the step, since the pattern is transmitted only through an active system transmission line SL, it is approved that the active system transmission line SL is connected to the standby system high-speed interface part 1-1.例文帳に追加
このステップで、予備系Kバイトのパターンが誤接続通知用のパターンであると判定されれば、当該パターンは現用系伝送路SLを介してのみ伝送されるのであるから、予備系高速インタフェース部1−1に現用系伝送路SLが接続されたと認定する。 - 特許庁
Coincidence between a calculated pattern and a measured pattern is calculated quantitatively (step S19) by using at least one factor among (1) the number of diffraction points as a crystallographic pattern, (2) a face interval ratio as a geometric condition, (3) an angle between faces, (4) a camera constant, and (5) an average error of an angle between photographs.例文帳に追加
計算パターンと前記実測パターンの一致度を、結晶学的条件として▲1▼回折点数、幾何学的条件として▲2▼面間隔比、▲3▼面間角度、▲4▼カメラ定数、及び▲5▼写真間角度の平均誤差のうち、少なくとも一つの因子を用いて定量的に計算する(ステップS19)。 - 特許庁
When it is determined that the advance notice presentation information showing the selected advance notice presentation pattern is stored in the step S20 (YES in S20), an advance notice presentation pattern of different kind from the advance notice presentation pattern corresponding to the stored advance notice presentation information is again selected (S30).例文帳に追加
S20において選択された予告演出パターンを示す予告演出情報が記憶されていると判定された場合(S20:YES)には、記憶されている予告演出情報に対応する予告演出パターンと異なる種類の予告演出パターンが再度選択される(S30)。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a photomask, which can prevent the occurrence of positional deviation error of a drawing pattern due to electron beam in a mask manufacturing step and the deterioration in yield due to the occurrence of the positional deviation of the pattern when a circuit pattern is transferred to a semiconductor wafer by using a photomask deflected by distortion of a glass substrate of the photomask.例文帳に追加
フォトマスクのガラス基板の歪みなどにより撓んだフォトマスクを使用することにより、マスク製造工程での電子ビームによる描画パターンの位置ズレ誤差の発生や、回路パターンが半導体ウエハに転写される際のパターンの位置ズレ発生による歩留まりが低下するのを防ぐ。 - 特許庁
To prevent a position of a pattern formed on a work by projection exposure from being deviated from a position of a pattern formed by previous exposure processing and a position of a mask pattern for screen printing or the like to be executed in the next step, even in the case of the occurrence of telescopic deformation on the work.例文帳に追加
ワークに伸縮変形が生じても、投影露光によりワークに形成するパターンの位置を、それ以前の露光処理により形成されているパターンの位置と、次の工程で行うスクリーン印刷等のマスクパターンの位置との間に大きなずれを生じさせないようにすること。 - 特許庁
In the case of registration correction, in a present set condition (condition where it is assumed that registration deviation does not exist), the C test pattern and the K test pattern are plotted so that a central short line forming the C pattern in each step state is superposed on the corresponding K line, and a test image 50A is formed on the paper.例文帳に追加
レジストレーション補正時には、現在の設定状態(レジストレーションずれがないと仮定した状態)で、Cの各階段状パターンを形成している中央の短ラインが、対応するKのラインと重なるように、CのテストパターンとKのテストパターン描き、用紙上にテスト画像50Aを形成する。 - 特許庁
The continuous performance flag is turned on when the variation pattern of the previous time is a specified one for a losing ready-to-win state, and the main control circuit judges whether or not the setting result of a big winning pattern is a probability variable pattern in a step S41 at the time of judging the ON of the continuous performance flag.例文帳に追加
この連続演出フラグは前回の変動パターンが外れリーチ用の特定のものであるときにオンされるものであり、メイン制御回路は連続演出フラグのオンを判断したときにはステップS41で大当り図柄の設定結果が確率変動図柄であるか否かを判断する。 - 特許庁
Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加
容量素子の下方には、CMP工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン8bと、ダミーの活性領域である活性領域1bとが配置され、これらは配線M1〜M5からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁
When a multiple board is loaded into an electronic component mounting device, a circuit pattern where electronic components are to be mounted and a defective circuit pattern are recognized respectively, and an optimal mounting system is selected out of a step repeat system and a pattern repeat system on the basis of the above recognitions or a simulation of a mounting time.例文帳に追加
多面取り基板が電子部品実装機に搬入されたとき、実装を行う回路パターンと不良回路パターンを認識してその認識に基づき、または実装時間のシミュレーションにより、ステップリピート方式とパターンリピート方式の中から最適の実装方式を選択する。 - 特許庁
In a step S404, plural bar intervals of the magnetic pattern are calculated from the measured peak intervals and each of the calculated bar intervals is converted into a 'wide' interval or a 'narrow' interval of the bar interval pattern on the basis of pattern conversion consisting of two steps, S405 and S412.例文帳に追加
ステップS404において、測定した複数のピーク間隔から磁気パターンの複数バー間隔を算出し、算出した複数のバー間隔のそれぞれをステップS405及びステップS412の2段階からなるパターン変換に基づいて、バー間隔パターンの「広い」間隔または「狭い」間隔に変換する。 - 特許庁
This molded pulp product is colored to one or more colors by adding pattern-forming components in a papermaking, dehydrating or drying step, and has a light and dark pattern of colors based on heterogeneously dispersed colored pattern-forming components on the surface.例文帳に追加
抄紙、脱水又は乾燥工程において模様形成成分が添加されることで1色又は2色以上に着色され、着色された該模様形成成分が不均一に分散されて該模様形成成分に基づく色の濃淡模様を表面に有するパルプモールド成形体。 - 特許庁
The pattern correction method for correcting the pattern formed on a color filter 60 comprises a heating step of locally heating ink applied to the defective portion 15 of the pattern on the color filter 60 by using radiant heat H from a heating element 7.例文帳に追加
パターン修正方法は、カラーフィルタ60上に形成されたパターンを修正するパターン修正方法であって、カラーフィルタ60上におけるパターンの欠陥部分15に塗布されたインクを発熱体7からの輻射熱Hにより局所的に加熱する加熱工程を含んでいる。 - 特許庁
During the process from initial stage of firing for forming the wring pattern to the latter stage of firing, the film pattern 40 is irradiated with laser beams 50 and 53 of two optimal wavelengths exhibiting good absorption efficiency while setting a time difference depending on the absorption spectrum of the film pattern 40 varying at each step.例文帳に追加
配線パターンが形成される焼成初期から焼成後期までの過程において、各過程で変化する膜パターン40の吸収スペクトルに応じて、吸収効率の良い最適な2波長のレーザ光50,53を、膜パターン40に時間差を持たせて照射する。 - 特許庁
In this MRI apparatus, a control means for controlling a magnetic field generating means, a detecting means and a signal processing means according to a designated imaging sequence calculates which application time is shortest between inclined magnetic field application pattern using a one step method and application pattern using a two step method, selects an application pattern whose application time is shortest, and performs the imaging sequence according to the selected application pattern.例文帳に追加
MRI装置において、所定の撮像シーケンスに基づいて、磁場発生手段、検出手段及び信号処理手段を制御する制御手段は、設定手段で設定された撮像条件において、1ステップ法による傾斜磁場の印加パターンと2ステップ法による印加パターンのうち、いずれの印加時間が最短となるかを計算し、印加時間が最短時間となる印加パターンを選択し、その選択された印加パターンで撮像シーケンスを実行する。 - 特許庁
A step 4b having a low tip side is formed on the upper face of a pattern termination part 4 while its lower level face 4c is made as a face to which a solder ball 7 is arranged.例文帳に追加
パターン終端部4の上面に、先端側が低くなった段差4bを形成し、その低位面4cを、半田ボール7を配置する面とする。 - 特許庁
Nano imprint lithography method is used for carrying out a step of imprinting a concavity and convexity pattern formed on a mold on a resist film applied on a lamination structure of a semiconductor.例文帳に追加
ナノインプリントリソグラフィー法を用いて、モールドに形成された凹凸パターンを、半導体の積層構造上に塗布したレジスト膜に転写する工程を行なう。 - 特許庁
In case the pattern formation has not been completed, a stage 5 is transferred to a predetermined position under a drawing unit 3 by step S9 as a stage transfer process.例文帳に追加
パターンが完成していない場合は、ステージ移動工程としてのステップS9によって、ステージ5を描画ユニット3の下の所定の位置に移動する。 - 特許庁
The inspection area AX1 is moved based on a moving pattern of a specified moving direction M1 for guiding a sight line of the inspection person, in the moving step.例文帳に追加
移動ステップでは、検査員の視線を誘導する特定の移動方向M1の移動パターンに基づいて検査領域AX1を移動させる。 - 特許庁
Whether the storage value of the number of starting held balls of a pattern display device is less than four, that is, other than four, is judged (step S15).例文帳に追加
図柄表示装置の始動保留球数の記憶値が上限値である4よりも少ない、即ち、4以外であるか否かを判定する(ステップS15)。 - 特許庁
When an ON-flag of a drum sensor is set, the ON-flag of the drum sensor is reset, and a step counter is cleared (=0) to initialize the current display pattern data.例文帳に追加
ドラムセンサONフラグがセットされているときには、ドラムセンサONフラグをリセットするとともに、ステップ数カウンタをクリア(=0)し、現在表示図柄データを初期化する。 - 特許庁
A method for producing a color filter is also provided which includes a step of forming a pattern by applying the colored curable composition on a support, exposing it through a mask and performing development.例文帳に追加
および該着色硬化性組成物を支持体上に塗布後マスクを通して露光し、現像してパターンを形成する工程を含むカラーフィルタの製造法。 - 特許庁
A top surface of the step reducing pattern stepwisely or gradually decreases in height toward an opposite side from a side facing the first conductive film group.例文帳に追加
段差緩和パターンの上面は、第1の導電膜群に対向する側とは反対側に向かって、階段状または連続的に低くなっている。 - 特許庁
First, as shown in Fig. 2 (a), in a step St 11, the analysis of signal data is performed with respect to respective test patterns P_1-P_n contained in a test pattern group 150.例文帳に追加
まず、図2(a)に示すように、ステップSt11において、テストパターン群150に含まれる各テストパターンP_1〜P_nについて、信号データの解析を行なう。 - 特許庁
The sheet image 14 is analyzed by each area by the resolution-measuring apparatus 10, and a pattern position for specifying marker 92 is detected (step S14).例文帳に追加
そして、解像度測定装置10によりシート画像14が上記エリアごとに解析され、パターン位置特定用マーカ92が検出される(ステップS14)。 - 特許庁
The plated/shaped body is produced through a step for carrying out electroplating using a pattern formed on a substrate from the composition or the resin film as a template.例文帳に追加
メッキ造形物は、基板上に前記組成物または樹脂膜から形成されたパターンを鋳型として電解メッキする工程を経て製造される。 - 特許庁
Subsequently, recording operation control information corresponding to each acquired control pattern number is acquired from a recording operation control information table shown on Fig. 6 (step S7).例文帳に追加
取得した各制御パターン番号に対応した記録動作制御情報を、図6に示した記録動作制御情報テーブルから取得する(ステップS7)。 - 特許庁
If the character code does not exist ("NO"), a read code pattern is determined as RSS_Limited, and if the character code exists ("Yes"), read "NG" is determined (step A14).例文帳に追加
前記キャラクタコードが存在しなければ(「NO」)読取ったコードパターンをRSS_Limitedとして確定し、前記キャラクタコードが存在すると(「YES」)読取りを「NG」とする(ステップA14)。 - 特許庁
In production of the beam structure 144 having the step portion 160 by wet etching, an etching substance 400 is coated with a mask pattern 450.例文帳に追加
ステップ部160を有するはり構造体144をウエットエッチングによって製作するために、被エッチング材400にマスクパターン450をコーティングする。 - 特許庁
To provide a power supply noise reduction package capable of bypassing effectively a noise voltage by a capacitor without increasing a mask pattern and a diffusion step of a semiconductor chip.例文帳に追加
半導体チップのマスクパタン、拡散工程の増加をすることなく、ノイズ電圧をコンデンサにより効率的にバイパスできる電源ノイズ低減パッケージを提供する。 - 特許庁
In a step for producing a photomask, a light shielding body pattern is directly formed using a photosensitive resin composition containing a specified light absorbing compound.例文帳に追加
フォトマスクの製造工程で、特定の光吸収化合物を含有する感光性樹脂組成物を用いて遮光体パターンを直接形成する。 - 特許庁
The method includes the step of forming a pattern of concavities 186 on at least one surface 188, 178 of the stationary member or the rotating member.例文帳に追加
本方法は、固定部材又は回転部材のうちの少なくとも1つの表面188,178上に陥凹部186のパターンを形成する段階を含む。 - 特許庁
The controller controls the actuator so that a swing angle of the crus link follows a target pattern in which a temporal change for one step of an idling-leg knee angle is described.例文帳に追加
コントローラは、下腿リンクの揺動角が、遊脚膝角度の一歩分の経時的変化を記述した目標パターンに追従するようにアクチュエータを制御する。 - 特許庁
To provide a step-type proximity exposure method by which a measurement position of a gap and a position of an alignment mark can be disposed while avoiding overlapping on an exposure pattern.例文帳に追加
ギャップの測定位置及びアライメントマークの位置を露光パターンに重ならないように設けることができるステップ式近接露光方法を提供する。 - 特許庁
In the processing room 5, using a step and repeat system, the pattern is transferred to the whole film by pressing the mold repeatedly against a plurality of regions of the film.例文帳に追加
プロセス室5においては、ステップ・アンド・リピート方式により、膜の複数の領域に繰り返しモールドを押し付けることにより、膜全体にパターンを転写する。 - 特許庁
When the value in the counter CT is at least 100 and less than 200, a scene in summer is displayed as a background display of each special pattern (Step S260).例文帳に追加
カウンタCTの値が100以上200未満の場合は、各特別図柄の背景表示として夏の風景が表示される(ステップS260)。 - 特許庁
In a step of forming the interlayer insulating film 22, an exposure mask 56A is used, when the projecting and recessing pattern are formed on the surface of the interlayer insulating film 22.例文帳に追加
層間絶縁膜22を形成する工程では、層間絶縁膜22の表面に凹凸パターンを形成する際に露光マスク56Aを用いる。 - 特許庁
A synchronization pattern detection period monitoring section 18 outputs a step out notice 68 if next notice 66 is not received within L sec after receiving the notice 66.例文帳に追加
しかし、同期パターン検出期間監視部18は、通知66の受信後L秒以内に次の通知66を受けないとき同期はずれ通知68を出力する。 - 特許庁
To provide an insulation pattern forming method and a resin composition capable of forming a multilayer structure easily without performing a complicated etching step, etc.例文帳に追加
煩雑なエッチング工程等を施すことなく、簡便に多層構造が形成できる、絶縁パターン形成方法及び樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
This invention includes a step of forming the resist pattern by discharging a composition containing a photosensitizer on an object to be processed under reduced pressure.例文帳に追加
本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁
The pattern formation defect region is calculated by performing convolution operation of the correspondence relation on the layout used for forming the step portion.例文帳に追加
前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係の畳み込み演算を行うことによって算出される。 - 特許庁
Concerning the test pattern corresponding to the ratio having the highest value of a plurality of computed ratios, a focus point upon exposure is a best focusing (step S14).例文帳に追加
算出した複数の比率のうち最も値が大きい比率に対応するテストパターンについて露光した時のフォーカスポイントをベストフォーカスとする(ステップS14)。 - 特許庁
To provide a method of forming a silicon nitride film in which a step coating can be improved even when a semiconductor device is miniaturized with more steps in a pattern.例文帳に追加
半導体デバイスが微細化しパターンの段差が増大した場合でも、段差被覆性を高くできる窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁
After that, a stored data group is reproduced from an address used for storing each ROM data pattern using the variable step address generator.例文帳に追加
その後、可変ステップ・アドレス発生器を使って、各々のROMデータ・パターンを記憶するのに使われたアドレスから、記憶されているデータの群を再生する。 - 特許庁
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