「step pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the coating method using a masking film, the masking film is subjected to printing (step 3) and dried (step 4), each color is printed (step 5) and dried (step 6), and the masking film is peeled (step 9), so that a pattern is formed by a backing color.例文帳に追加

マスキング膜を用いる塗装方法において、マスキング膜を刷り込み（ステップ３）乾燥させた（ステップ４）後に、各色を刷り込み（ステップ５）乾燥させ（ステップ６）、マスキング膜を剥がす（ステップ９）ことにより、下地色で図柄を作成する。 - 特許庁

The conductive pattern material manufacturing method comprises a step of providing the ITO film on the substrate, a step of directly coupling graft polymer on the surface of the ITO film, and a step of depositing the conductive material on the graft polymer, and further comprises a step of patterning the ITO film before or after the step of directly coupling the graft polymer.例文帳に追加

基板上にパターン状に設けられたＩＴＯ膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。 - 特許庁

Reading is started (step 10), the line sensor is moved as shown by an arrow Y (step 108) to make a first scan (step 110), and a read signal of a test pattern is analyzed to set reference (step 112).例文帳に追加

読み取りを開始し（ステップ１００）、ラインセンサを矢印Ｙ方向に移動し（ステップ１０８）、第１のスキャンを行い（ステップ１１０）、テストパターンの読取信号を解析し、基準を設定する（ステップ１１２）。 - 特許庁

The pattern inspection method includes a step (S12) of processing design data for an inspection pattern based on information dependent on an illumination condition of illumination used to inspect the inspection pattern, a step (S14) of generating reference data for the inspection pattern from the processed design data, and a step (S15) of comparing data of an actually formed inspection pattern with the reference data.例文帳に追加

披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程（Ｓ１２）と、加工された設計データから披検査パターンの参照データを生成する工程（Ｓ１４）と、実際に形成された披検査パターンのデータと参照データとを比較する工程と（Ｓ１５）、を備える。 - 特許庁

The method for forming a pattern includes: a surface treatment step of applying a liquid repellent coating material around a pattern formation planned portion on a target object by an inkjet method; and a pattern forming step of applying, after the surface treatment step, a pattern forming material to the pattern formation planned portion on the target object by an inkjet method.例文帳に追加

実施形態のパターン形成方法は、インクジェット方式により対象物のパターン形成予定部の周りに撥液性を有するコーティング材を塗布する表面処理工程と、前記表面処理工程の後にインクジェット方式により前記対象物の前記パターン形成予定部にパターン形成用材を塗布するパターン形成工程と、を備える。 - 特許庁

This pattern formation method further includes: a step of applying the inverted resin material onto the substrate after irradiating the upper part of the first pattern with the ultraviolet light; a step of removing the first pattern after applying the inverted resin material and forming a second pattern including the inverted resin material; and a step of processing the substrate using the second pattern as a mask.例文帳に追加

さらに、このパターン形成方法は、紫外線の照射後に、前記基板上に前記反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第１パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第２パターンを形成する工程と、前記第２パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備える。 - 特許庁

The dummy pattern 20 which is not perfectly included in each object is then deleted (step A4).例文帳に追加

次に、各オブジェクトに完全に包含されないダミーパターン２０を消去する（ステップＡ４）。 - 特許庁

To control more minutely a step shape of a resist pattern formed on a target transfer body.例文帳に追加

被転写体上に形成するレジストパターンの段差形状をより精緻に制御する。 - 特許庁

To form a step-like resist pattern having excellent etching durability and heat resistance.例文帳に追加

耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。 - 特許庁

Next, the servo pattern is magnetically or physically transferred on the memory medium (step S4).例文帳に追加

続いて、記憶媒体にサーボパターンが、磁気的又は物理的に転写される（ステップＳ４）。 - 特許庁

This enables the resist pattern to be efficiently removed in an ashing step.例文帳に追加

これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。 - 特許庁

The initial temperature of a POST device and the target dimension of a resist pattern are set (step S1).例文帳に追加

ＰＯＳＴ装置の初期温度とレジストパターンの目標寸法を設定する（ステップＳ１）。 - 特許庁

Then at a step 406, the test pattern is printed on the printed pale-blue ground.例文帳に追加

そして、ステップ４０６で、印字した薄青色の下地の上にテストパターンを印字させる。 - 特許庁

In a step 170, the apparatus determines an abnormal pattern from among the abnormal patterns a-c.例文帳に追加

ステップ１７０では、異常パターンが、異常パターンａ〜ｃのどれに該当するかを判定する。 - 特許庁

An end portion of a pattern of an object is detected from design layout information (step S11).例文帳に追加

設計レイアウト情報から、対象物のパターンの端部を検出する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

Next, the size L1 of the initial pattern on the resist layer 4a is measured in a step S5.例文帳に追加

次に、ステップＳ５にてレジスト層４ａの初期パターンの寸法Ｌ１を計測する。 - 特許庁

A pattern tester 7 is incorporated in a semiconductor production line 1 for performing a lithography step.例文帳に追加

リソグラフ工程を行う半導体製造ライン１にパターン検査装置７を組み込む。 - 特許庁

Subsequently in a step ST5, the pattern of conductive layers is changed on the basis of the evaluated result.例文帳に追加

その後、ステップＳＴ５において、評価結果を基に導電層のパターンを変更する。 - 特許庁

A preliminary step obtains a position relative to a known pattern (M1) on a patterning device.例文帳に追加

予備的なステップは、パターニングデバイス上の既知のパターン（Ｍ１）に対する位置を取得する。 - 特許庁

At a step S14, the user determines the adjusting value based on the printed inspection pattern.例文帳に追加

ステップＳ１４では、印刷された検査用パターンに基づいて、ユーザが調整値を決定する。 - 特許庁

To provide a process for forming a resist pattern having a trimming step of novel arrangement.例文帳に追加

新規な構成のトリミング処理工程を有するレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Each processing procedure includes a step wherein rate matching is carried out as a function of a rate matching pattern.例文帳に追加

各処理手順はレートマッチングをレートマッチングパターンの関数として行なうステップを含む。 - 特許庁

Next, the reproducing light from the wavelength control pattern is measured with a light receiving element (step S3).例文帳に追加

次に、波長制御パターンからの再生光を受光素子で観測する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Then, the wavelength control pattern is irradiated with a reference light being a laser beam (step S2).例文帳に追加

そして、レーザ光である参照光を波長制御パターンに照射する（ステップＳ２）。 - 特許庁

In the case of displaying an embroidery pattern selection picture on the embroidery pattern display device, the positions of embroidery patterns are set (step S22), identification codes corresponding to the order of display are read out (step S23), and whether it is a partial pattern or additional information is judged (step S24).例文帳に追加

刺繍模様表示装置にて刺繍模様選択画面を表示するに際し、刺繍模様の表示位置をセットし（ステップＳ２２）、表示順に対応する識別コードを読み出し（ステップＳ２３）、部分模様と付加情報の何れに対するものか判断する（ステップＳ２４）。 - 特許庁

When the jackpot is not to be made, it is decided that a losing pattern primarily designated is the stopping pattern of the decoration patterns (step S266).例文帳に追加

大当りとしないときには、初期指定のハズレ図柄を飾り図柄の停止図柄とすることを決定する（ステップＳ２６６）。 - 特許庁

In a circuit pattern forming step, the insulating substrate 101 is metallized and a circuit pattern 2 connected to the leads 301 is formed.例文帳に追加

回路パターン形成工程で、絶縁性基板１０１のメタライズとリード３０１に接続された回路パターン２の形成を行う。 - 特許庁

In step (b), it is preferable that the conductive pattern 3 be formed into a mesh shape, in matching with the shape of the background pattern 2.例文帳に追加

（ｂ）の工程において、導電性パターン３は、下地パターン２の形状に合わせて、網目状に形成されるのが好ましい。 - 特許庁

With reference to a control pattern data table, each control pattern number corresponding to the acquired recording sheet No. is then acquired (step S6).例文帳に追加

制御パターンデータテーブルを参照し、取得した記録紙Ｎｏ．に対応した各制御パターン番号を取得する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The method of treating substrate includes an organic film pattern working step of working the organic film pattern formed on the substrate.例文帳に追加

本発明に係る基板処理方法は、基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える。 - 特許庁

In an OPC (optical proximity correction) step, a pattern prepared by arranging the approximate pattern in a peripheral region of each cell is subjected to an OPC process.例文帳に追加

ＯＰＣステップは、前記各セルの周辺領域に前記近似パターンを配置したパターンに対して、ＯＰＣ処理を行う。 - 特許庁

In Step S1913, it is decided whether print content information is only the woven pattern, only a header/footer, or a header/footer of woven pattern.例文帳に追加

ステップＳ１９１３で、印刷内容情報が地紋のみ、ヘッダ／フッタのみ又は地紋ヘッダ／フッタのいずれであるかを判定する。 - 特許庁

The surface of the resist pattern 22 is etched to leave a lower resist pattern 22A that is the same level as the top of a silicon substrate 11 (step 4).例文帳に追加

レジストパターン２２の表面をエッチングし、シリコン基板１１の最上段と同レベルの下部レジストパターン２２Ａを残す（工程４）。 - 特許庁

In a first step, the presence, position and preferably the dimension of at least one pattern area or image pattern are detected.例文帳に追加

第１のステップでは、少なくとも１つのパターン領域または画像パターンの存在と位置と、好ましくは寸法とを検出する。 - 特許庁

The pattern projection lens of a light emitting device is positioned such that a projection pattern is obtained depending on the focal distance (Step 103).例文帳に追加

焦点距離に応じて投影パタ−ンが得られるように発光装置のパタ−ン投影レンズの位置を定める（ステップ１０３）。 - 特許庁

The pattern correction method further includes the step of correcting the pattern so that the overlap of the N lithography process windows exceeds a certain value (S3).例文帳に追加

さらに、前記Ｎ個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正する工程（Ｓ３）を含む。 - 特許庁

The pattern having the same width as that of a step is formed in the 1st process, and the width of the pattern is made larger and larger in the succeeding processes.例文帳に追加

第１プロセスで，階段の幅と同じ幅のパターンを形成し，以降のプロセスでは，パターン幅をより大きくしていく。 - 特許庁

Then, the pattern data of the QR code symbol and the printing pattern data of the business card information by the character information are printed (Step S12).例文帳に追加

そして、ＱＲコードシンボルのパターンデータと文字情報による名刺情報の印字パターンデータとを印字する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a low dielectric constant insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, a step for forming a resist pattern 6 on the low dielectric constant insulating film, a step for etching the low dielectric constant insulating film 5 with the resist pattern as a mask, and a step for peeling the resist pattern 6 by plasma treatment with ammonium ions.例文帳に追加

半導体基板１上に低誘電率絶縁膜５を形成する工程と、低誘電率絶縁膜上にレジストパターン６を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によってレジストパターン６を剥離する工程と、を備えている。 - 特許庁

The method of forming a circuit pattern of a printed circuit board includes (a) a step of applying an etching liquid to the portions of an insulating board where the circuit pattern is formed, (b) a step of curing the etching liquid under adjusted curing conditions, (c) a step of coating a metal ink over the etched circuit pattern, and (d) a step of sintering the metal ink.例文帳に追加

(ａ)絶縁基板の回路パターンの形成される部分にエッチング液を塗布する段階、(ｂ)養生条件を調節してエッチング液を養生する(curing)段階、(ｃ)エッチングされた回路パターンにメタルインクを塗布する段階、及び(ｄ)メタルインクを焼成する段階を含む印刷回路基板の回路パターン形成方法。 - 特許庁

The defect inspection method for a resist pattern includes (a) a step of forming the resist pattern on a semiconductor substrate, (b) a step of etching the semiconductor substrate with the resist pattern used as a mask, and (c) a step of inspecting the etched semiconductor substrate for a defect as a substitute of the resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの欠陥検査方法は、（ａ）半導体基板上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記レジストパターンをマスクとして用いて半導体基板をエッチングする工程と、（ｃ）レジストパターンの代替えとして前記エッチング後の半導体基板の欠陥検査を行う工程を備える。 - 特許庁

[2] The method for forming a resist pattern includes a step for obtaining a resist film by applying the negative type photosensitive composition defined by [1] on a base material, a step for pattern-exposing the obtained resist film, and a step for forming a resist pattern by developing the resist film after the pattern-exposure and by dissolving and removing the unexposed resist film.例文帳に追加

［２］［１］記載のネガ型感光性組成物を基材上に塗布してレジスト膜を得る工程と、得られたレジスト膜をパターン露光する工程と、パターン露光後のレジスト膜を現像して未露光部のレジスト膜を溶解除去してレジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a wiring board includes a sheet-forming step of forming an insulating sheet, a pattern forming step of forming a predetermined pattern on the insulating film by using photosetting photosensitive paste by means of screen printing method, and an exposing step of curing the pattern by projecting light toward the pattern.例文帳に追加

本製造方法は、絶縁性シートを形成するシート作成工程と、上記絶縁性シートに、スクリーン印刷法により、光により硬化する感光性ペーストを、予め定められたパターンに形成するパターン形成工程と、上記パターンに向けて露光することで該パターンを硬化させる露光工程と、を備える。 - 特許庁

In a video of the step-up notice 2, a pattern 121 of a window is displayed overlappingly ahead of a pattern 111 of the window in a semitransparent color, and a pattern 123 of a conversation is displayed in a state that the pattern 123 is positionally shifted to a pattern 113 of a conversation.例文帳に追加

ステップアップ予告２の映像ではウィンドの絵柄１２１が半透明な色彩でウィンドの絵柄１１１の前方に重ねて表示され、会話の絵柄１２３が会話の絵柄１１３に対して位置的にずらして表示される。 - 特許庁

In step S212, the temperature of the retaining section holding a biological tissue is estimated on the basis of the temperature of the resistance pattern obtained in the step S210, the power applied to the present resistance pattern obtained in step S211 and the correction coefficient calculated in the step S208.例文帳に追加

ステップＳ２１２において、ステップＳ２１０で求めた抵抗パターンの温度と、ステップＳ２１１で求めた現在の抵抗パターンへの投入電力と、ステップＳ２０８で算出した補正係数とに基づいて、生体組織を把持している保持部の温度を推定する。 - 特許庁