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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface processに関連した英語例文

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surface processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9598



例文

Furthermore, this texture process may be performed by forming fine grooves or dimples on the surface (recess surface) 3a of the output side disk 3.例文帳に追加

また、このようなテクスチャ加工は、出力側ディスク3の表面(凹面)3aに微細溝またはディンプルを形成することにより成されてもよい。 - 特許庁

Irregular polysilicon surface 16a and silicon surface 16b are formed by performing heat treatment for the oxide film under vacuum (a second process).例文帳に追加

この酸化膜を減圧下で熱処理することによって、凹凸を有するポリシリコン面16a、及びシリコン面16bを形成する(第2の工程)。 - 特許庁

The carburizing method comprises: an oxidizing process (S1) of forming an oxide film on the surface of the steel containing ≥3.5 mass% Cr; a carburizing process (S2) of carburizing the steel; a removal process (S3) of removing the oxide film from the surface of the steel; and a hardening process (S4) of hardening the steel.例文帳に追加

浸炭方法は、3.5質量%以上のCrを含む鋼の表面に酸化膜を形成する酸化工程(S1)と、酸化工程後、鋼を浸炭する浸炭工程(S2)と、浸炭工程後、鋼の表面から酸化膜を除去する除去工程(S3)と、除去工程後、鋼を焼入れる焼入工程(S4)とを備えている。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming an SiC film 11; a heat treatment process of heat-treating the SiC film 11 with Si supplied to a surface of the SiC film 11; and a process of forming a facet obtained on the surface of the SiC film 11 by the heat treatment process into a channel 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、SiC膜11を形成する工程と、このSiC膜11の表面にSiを供給した状態で、このSiC膜11を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってSiC膜11の表面に得られたファセットをチャネル16とする工程とを備えている。 - 特許庁

例文

In the method for manufacturing the hollow metal tube which has a process for giving at least one rolling and heat treatment to the hollow metal tube and a process for making cracks on the surface of the hollow metal tube, the process for making cracks on the surface of the hollow metal tube is carried out by the process for the last rolling and heat treatment at latest.例文帳に追加

中空金属管に少なくとも1回の圧延及び熱処理を行う工程と、中空金属管の面にき裂を与える工程を有するき裂試験用中空金属管の製造方法において、中空金属管の面にき裂を与える工程を、少なくとも最終回の圧延及び熱処理の工程前に行う。 - 特許庁


例文

A process to form the gate insulating film 105 comprises oxide film forming process (a) for forming a silicon oxide film 105, reducing process (a-1) for reducing a surface part 105a of the silicon oxide film 105 in a reducing atmosphere, and nitriding process (b-1) to introduce nitride from surface 105s side into the silicon oxide film 105.例文帳に追加

ゲート絶縁膜105を設ける工程は、シリコン酸化膜105を形成する酸化膜形成処理(a)と、還元性雰囲気中でシリコン酸化膜105の表面部分105aを還元する還元処理(a−1)と、シリコン酸化膜105中に表面105s側から窒素を導入する窒化処理(b−1)を含む。 - 特許庁

It is characterized in that a method of manufacturing a stent includes the process of preparation of the stent having a NiTi-base alloy as a substrate, the process of removing the most outer layer of the stent surface, the process of polishing the stent surface by irradiation of electronic beam, and a process of heat treatment of the stent.例文帳に追加

ステントの製造方法であって、NiTi系合金を基材とするステントを準備する工程と、該ステントの表面の最外層を除去する工程と、該ステントの表面を電子線照射により研磨する工程と、該ステントを熱処理する工程と、を有することを特徴とするステントの製造方法。 - 特許庁

This method for discriminating hydrophilic coating film and hydrophobic coating film includes a process electrifying a static electricity to the coating film surface, a process of measuring electrification rate on the coating film surface after the aforementioned process, and a process of identifying the coating film to be hydrophilic or hydrophobic, based on the measured electrification rate value.例文帳に追加

塗膜表面に静電気を帯電させる工程;上記工程後に塗膜表面の帯電率を測定する工程;及び上記測定した帯電率の値により塗膜が親水性であるか疎水性であるかを判別する工程;を包含する、親水性塗膜と疎水性塗膜とを判別する方法。 - 特許庁

In the grinding process, the cam surface grinding conditions are changed according to the position of the cam surface in the circumferential direction, and pitches of the surface irregularity formed on the cam surface are made to differ from each other according to the position of the cam surface in the circumferential direction.例文帳に追加

その研磨工程は、では、カム面を研磨するときの研磨条件をカム面の周方向における位置に応じて変更し、カム面に形成される表面凹凸のピッチをカム面の周方向における位置に応じて相違させる。 - 特許庁

例文

When forming a step at the boundary between the inclined surface and the flat surface of the bottom blade, the step is formed by grinding so that the flat surface becomes deeper than the inclined surface in a process for forming the flat surface of the bottom blade while moving the grinding wheel in the direction of the hair-pulling blade.例文帳に追加

底刃の傾斜面と平坦面との境に段差を形成する場合には、砥石を毛引刃方向に移動させながら底刃の平坦面を形成する過程で、平坦面が傾斜面より深くなるように研削して段差を形成する。 - 特許庁

例文

The surface roughening method for aluminum involves a surface roughening process in which the surface of aluminum is treated with the surface roughening agent.例文帳に追加

また、本発明の表面粗化方法は、アルミニウムの表面粗化方法において、アルミニウムの表面を上記本発明の表面粗化剤で処理する表面粗化工程を有することを特徴とする表面粗化方法である。 - 特許庁

Next, the rugged surface 2c of the photosensitive resin layer 22 is subjected to full-surface exposure to cause the crosslinking of the unreacted photocrosslinkable monomer, thereby forming a resin layer 2 having the rugged surface 2d (a full-surface exposure process (d)).例文帳に追加

次に、感光性樹脂層22の凹凸面2cに全面露光を施すことにより未反応の光架橋性モノマーを架橋させ、凹凸面2dを有する樹脂層2を形成する(全面露光工程(d))。 - 特許庁

A recessed part is formed in a silicon substrate and then a quadrangular mesa-like projection whose slant face consists of a (111) surface, (1-11) surface, (-1-11) surface, and (-111) surface is formed by silicon process.例文帳に追加

シリコン基板上に凹部を形成すると共に、その凹部の中央付近に、斜面が(111)面、(1−11)面、(−1−11)面、(−111)面からなる四角錐台状の凸起を、シリコンプロセスを用いて形成する。 - 特許庁

To suppress that a contamination of a back surface of a wafer whose front surface is to be processed wraparounds to the processing surface side and to sufficiently and uniformly perform the process to the processing surface of the wafer with a clean processing liquid.例文帳に追加

ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。 - 特許庁

In the first process wherein the ball house 15 is formed, a first blade in accordance with the inclining angle of a bottom surface 71 where the mounting surface 45 is formed is in use to form the bottom surface 71 and the side wall surface 41.例文帳に追加

そして、ボールハウス15を形成する第1の工程では、座面45が形成される加工底面71の傾斜角度に合わせた第1の刃を用いて、加工底面71と側壁面41を形成する。 - 特許庁

The process described is characterized in that a silicon oxide layer (14) is applied to the surface of the aluminum component (10).例文帳に追加

本方法は、アルミニウム部品(10)の表面に酸化ケイ素層(14)を適用することを特徴とする。 - 特許庁

A label 78 is stuck on the outer upper surface of a developer recovery part 44 of a process cartridge 46.例文帳に追加

プロセスカートリッジ46の現像剤回収部44の外側上面にラベル78が貼付されている。 - 特許庁

The process for forming a resist pattern includes applying the thickening material after forming a resist pattern on its surface.例文帳に追加

レジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。 - 特許庁

By this process, the protein of a surface layer is hardened first in the foodstuff and then the temperature of the inside rises.例文帳に追加

これにより、食品では、まず、表面層のタンパク質を硬化されてから、内部の温度が上昇する。 - 特許庁

Terahertz waves are radiated to the external surface of the insulator type lightening arrester 100 in a radiation process.例文帳に追加

まず、碍子型避雷器100の外表面にテラヘルツ波を放射する放射工程を実施する。 - 特許庁

A polishing head, a wafer surface or the like used in the polishing process are cleaned using the liquid.例文帳に追加

研磨工程において用いる研磨ヘッドおよびウェハ表面などを、この液体を用いて洗浄する。 - 特許庁

To provide a process of gas-nitriding a surface of a workpiece without forming a bond layer in a gas atmosphere, and the gas-nitrided workpiece in particular, a spring.例文帳に追加

本発明は、ガス雰囲気内での加工品表面の、結合層なしのガス窒化方法に関する。 - 特許庁

In a sprinkling process S10, a decorative powder 3 is sprinkled over the bottom surface of the cavity 1a of a mold 1.例文帳に追加

散布工程S10において、成形型1のキャビティ1aの底面に加飾粉末3を散布する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.例文帳に追加

プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING RECESSED PART IN SURFACE OF METAL COMPONENT, AND PROCESS AND ARTICLE RELATED TO THE SAME例文帳に追加

金属構成部品の表面内に陥凹部を形成する方法、及びこれに関連したプロセス及び物品 - 特許庁

In the stamper sticking process, the peripheral part on the lower surface of the resin stamper 24 is not touched by the clad layer 4.例文帳に追加

スタンパ貼着工程では、樹脂製スタンパ24の下面の周縁部をクラッド層4に接触させない。 - 特許庁

To provide a strained Si-SOI substrate having flat surface in which defects are suppressed, and to provide its production process.例文帳に追加

表面が平坦で欠陥が少ない歪Si−SOI基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF CONDITION ON SURFACE OF WAFER, MANAGEMENT METHOD OF WAFER MANUFACTURING PROCESS, WAFER MANUFACTURING METHOD, AND WAFER例文帳に追加

ウェーハの面状態評価方法、ウェーハ製造工程の管理方法、ウェーハの製造方法及びウェーハ - 特許庁

To provide apparatus and method for creating a deterministic polishing process with respect to an optical surface.例文帳に追加

光学表面に対する決定性研磨プロセスを生成するための装置および方法を提供すること。 - 特許庁

To remove a rust preventive compound from the back surface of a cylinder liner without setting a special preheating process.例文帳に追加

特別の予熱工程を設定することなくシリンダライナの背面から防錆剤を除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a new dry cleaning process for cleaning of an oxidized surface layer in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。 - 特許庁

ETCHING LIQUID FOR CONTROLLING SURFACE PROFILE OF SILICON WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON WAFER USING THAT ETCHING LIQUID例文帳に追加

シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

A synthetic resin having adhesiveness to the rear surface of a molded article of artificial marble is molded by an in-mold decorating process.例文帳に追加

人造大理石の成形品の裏面に接着性を有する合成樹脂をインモールドで成形する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an optical waveguide with which the surface of a core is planarized in a recessed shape process.例文帳に追加

凹型プロセスにおいてコアの表面を平坦化できる光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a pressurizing process, fuel flows from a pressurizing chamber into the capacity chamber 214 through a sliding surface.例文帳に追加

加圧行程においては、加圧室から摺動面を経由して容積室214へ燃料が流入する。 - 特許庁

PRODUCTION PROCESS OF SUBSTRATE WHICH HAS AREAS DIFFERENT IN HYDROHILICITY AND LIPOPHILICITY IN ONE SURFACE例文帳に追加

同一表面上に異なる親水性及び親油性を呈する領域を有する基板の製造方法 - 特許庁

The electronic element (semiconductor chip) is bonded onto the wiring substrate, with an active surface directed to the front side (a die bond process).例文帳に追加

配線基板上に電子素子(半導体チップ)を能動面を表側にして接合する(ダイボンド工程)。 - 特許庁

To provide a simple and cost-wise effective process for forming a color filter array on a surface.例文帳に追加

簡単且つコスト的に有効な、表面上にカラーフィルターアレイを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The ink taken into the ink receiving layer is protected by the surface layer compressed by this process.例文帳に追加

この工程により圧縮された表面層によって、インク受容層に受容されたインクが保護される。 - 特許庁

In the bonding process (S14), the support substrate 3 is bonded to the flat surface of the piezoelectric substrate 1 using the support part 2.例文帳に追加

接合工程(S14)は、圧電基板1の平坦面に支持基板3を支持部2で接合する。 - 特許庁

Then, an electroless plating process is performed to form a plating film 26 on the front surface of the semiconductor wafer 20.例文帳に追加

ついで、無電解めっき処理を行い、半導体ウェハ20のおもて面にめっき膜26を形成する。 - 特許庁

A metallic film is applied to at least one surface of the semiconductor material by an electrodeposition process.例文帳に追加

半導体材料の少なくとも1つの表面上に、電着プロセスによって金属膜が付けられる。 - 特許庁

To provide a process for treating a surface of an aluminum component (10) and the aluminum component (10).例文帳に追加

アルミニウム部品(10)の表面を処理する方法及びこの種のアルミニウム部品(10)を提供する。 - 特許庁

In a first insulation process, an inorganic insulation coat is formed on the surface of powder to insulate the powder.例文帳に追加

第1の絶縁工程では、粉末に粉末の表面に無機絶縁被膜を形成し絶縁する。 - 特許庁

In addition, a film forming process is executed for the processed surface 1b of the semiconductor substrate 1 as necessary.例文帳に追加

さらに、必要に応じて半導体基板1の加工面1bに対して成膜工程を実施する。 - 特許庁

To greatly simplify the manufacturing process of a rare earth magnet and simultaneously recover the surface processing degraded layer.例文帳に追加

希土類磁石の製造工程を大幅に簡略化し、同時に、表面の加工劣化層を回復させる。 - 特許庁

To prevent poor adhesion by transferring only a material to be plated having normal pretreated surface to a plating process.例文帳に追加

正常な前処理面を有するものだけをメッキ工程に移すことで、密着不良を未然に防ぐ。 - 特許庁

The surface layers 2 and 2 integrally overlie both the upper and lower surfaces of the core material layer 1 by the interlacing process.例文帳に追加

そして、芯材層1の上下両面に表面層2・2が交絡法で一体に積層されている。 - 特許庁

The surface mount input output terminal 54 is separated from the lead frame in a prescribed assembling process.例文帳に追加

表面実装用入出力端子54は、所定の組み立て工程でリードフレームから切り離される。 - 特許庁

例文

Afterwards, a removal process is executed for removing the boron silicate glass on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1.例文帳に追加

次に、シリコン単結晶基板1の表面のボロンシリケートガラスを除去する除去工程を行う。 - 特許庁




  
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