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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14065件
A temperature regulation member,such as Peltier element 7A (or a surface heat generation type heater 7B) is provided at surroundings of the optical connector ferrule placement part of the optical connector assembly device.例文帳に追加
光コネクタ組立装置の光コネクタフェルール設置部の周囲にペルチェ素子7A(あるいは面発熱型ヒータ7B)等の温度調整部材を設ける。 - 特許庁
To promote heat exchange by maximizing number of passes for a constant core front surface area for a two-row type heat exchanger using flat tubes.例文帳に追加
偏平チューブを用いた二列型の熱交換器であって、一定のコア前面面積に対して可能な限りパス数を多くし熱交換を促進すること。 - 特許庁
To provide a structure analysis method of a film containing Ga, As, and at least, one type of element being different from Ga and As, and that of its surface oxide film.例文帳に追加
GaとAsと少なくとも1種類の、GaおよびAsとは異なる元素とを含む膜およびその表面酸化膜の構造解析方法。 - 特許庁
The feed roller 410 is formed of open cell type foam 411, through which the inside of the toner holding portion 420 communicates with the outside of a surface of the feed roller 410.例文帳に追加
また、供給ローラ410は、トナー保持部420内と供給ローラ410の表面外とを連通する連続気泡体411で形成されている。 - 特許庁
To stabilize the posture of a seedling planting apparatus by a float and to improve soil preparation performance on the surface of a paddy field by the float in a riding type rice transplanter.例文帳に追加
乗用型田植機において、フロートによる苗植付装置の姿勢の安定化を図り、フロートによる田面の整地性能を向上させる。 - 特許庁
To provide a leg type moving robot which suppresses the change of an effective surface for drag generation accompanied by the change of a foot shape due to ZMP movement.例文帳に追加
ZMP移動による足部形状の変化に伴う抗力発生実効面の変化を抑制することができる脚式移動ロボットを提供する。 - 特許庁
A biological regenerative tank of the magnetic activated carbons is provided with a meandering rotating type magnetic belt meandering above and below more than once, and entering and leaving from a water surface of the tank.例文帳に追加
磁性活性炭の生物再生槽は、上下に複数回蛇行して槽内の水面から出入りさせる蛇行回転式の磁性ベルトを備える。 - 特許庁
In the land-leveling device 30, cage type rotors 32a, 33a, 34a pivotally supported on land-leveling portions 32, 33 and 34 are rotated and contacted with the surface of a paddy to level the paddy.例文帳に追加
整地装置30では、整地部32、33、34に軸支されたかご形ロータ32a、33a、34aが回動して、田面と接することで整地される。 - 特許庁
Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加
その後、メモリゲート電極MG1の側方下部の主面s1にイオン注入dp01を施してn型イオン注入領域n1を形成する。 - 特許庁
NATURALLY MIXED SURFACE COMBUSTION TYPE GAS BURNER UTILIZING POROUS FIREPROOFING METAL FIBER MAT AND AUTOMATIC BARBECUE COOKING APPARATUS COMBINING REVOLVING AND SPINNING FUNCTIONS例文帳に追加
多孔性耐熱金属繊維マットを利用した自然混合形表面燃焼式ガスバーナーと公転及び自転機能を兼備した自動バーベキュー調理装置 - 特許庁
The horizontal type field emission cold cathode device has cathode electrodes 22 and gate electrodes 24 laterally formed on a main surface of a supporting substrate 16.例文帳に追加
横型の電界放出型冷陰極装置は、支持基板16の主面上に横並びに配設されたカソード電極22及びゲート電極24を有する。 - 特許庁
The transfer recording body for electrophotography is constituted by forming the toner receiving layer containing microcapsules on at least one surface of a sheet type base.例文帳に追加
本発明の電子写真用転写記録体は、シート状支持体の少なくとも1面上に、マイクロカプセルを含有するトナー受容層を形成して構成する。 - 特許庁
The semiconductor apparatus also includes trenches 5 selectively formed on the surface of the n- type drift region 2, and the trench 5 is burred by the anode electrode 3.例文帳に追加
半導体装置は、n−型ドリフト領域2の表面に選択的に設けられたトレンチ5を備え、トレンチ5は、アノード電極3により埋め込まれている。 - 特許庁
Groove portions 3 and 6 are provided adjacently to a plurality of terminal electrodes 4 on a side surface of the leadless type semiconductor device 1 and a terminal electrode 4 of an outermost portion.例文帳に追加
リードレス型の半導体装置1の側面の複数の端子電極4の間と、最外部の端子電極4に隣接して、溝部3、6を設ける。 - 特許庁
The pit type consisted of a hole which was made from the surface of a tumulus called a Boko (a tunnel to put a coffin in), where a coffin was placed at the bottom, and filled with sand again. 例文帳に追加
竪穴系のものは、築造された墳丘の上から穴を掘り込み(墓坑 ぼこう)、その底に棺を据え付けて埋め戻したものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK-JET-TYPE RECORDING HEAD, INK-JET PRINTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT, THIN-FILM PIEZOELECTRIC RESONATOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 - 特許庁
A thin sheet made of silicone rubber with a high friction coefficient is attached to a part or the whole of a magnet mounting surface attached to a support part of the sheet type safety hook.例文帳に追加
シート型安全フックの支持部に取り付けられた磁石の取り付け面の一部又は全部に摩擦係数の高いシリコンゴムなどの薄いシートを取り付ける。 - 特許庁
A high-field drift part 6 is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 and a front electrode 7 is formed on the drift part 6.例文帳に追加
n形シリコン基板1の主表面側に強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に表面電極7が形成される。 - 特許庁
To provide a mounting adapter 22 easily mounting a chandelier-shaped luminaire 23 to a heavy load type hooking ceiling body 12 of which the outer periphery surface is provided with a projected step part 13.例文帳に追加
外周面に段部13が突設された高荷重形引掛シーリングボディ12にシャンデリア形の照明器具23を簡単に取り付ける取付アダプタ22を提供する。 - 特許庁
The porphyrins type metal complex that is a coupling part of the molecular wire with conductors couples so as to occupy the surface of the conductor as a molecular jack part.例文帳に追加
分子ワイヤのうち、導体との接合部分であるポルフィリン系金属錯体は、分子ジャック部として導体表面を専有するように結合する。 - 特許庁
N-TYPE ELECTRODE FOR II-VI COMPD. SEMICONDUCTOR, PRODUCTION METHOD THEREFOR, LIGHT EMITTING DIODE, SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
IIーVI族化合物半導体のn型電極およびその製造方法、発光ダイオード、半導体レーザ、面発光装置並びに液晶表示装置 - 特許庁
The method includes formation of an impurity region 314 that has a second conduction type and extends from a surface of a substrate to a first depth position.例文帳に追加
本方法は、第2の伝導型を有しかつ基板の表面から第1の深さまで延びる不純物領域314を形成することを含む。 - 特許庁
An n-type impurity 5 such as phosphorous or the like is introduced into the upper surface of a silicon substrate 1 by using the photo resist 4 as an injection mask by ion implantation.例文帳に追加
フォトレジスト4を注入マスクとして用いて、イオン注入法によって、リン等のN型不純物5を、シリコン基板1の上面内に導入する。 - 特許庁
An anode electrode 8 has a bonding region 8a on the surface thereof and has a contact region in contact with a P-type semiconductor crystal layer on the rear thereof.例文帳に追加
アノード電極層8は、表面にボンディング領域8aを有し裏面にP形の半導体結晶層と接触した接触領域を有する。 - 特許庁
The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加
n^+半導体領域12は半導体層100の一方主面からp型拡散領域3の下部3aに至る領域に形成する。 - 特許庁
A microscopic droplet 19 of ultraviolet-curing type ink is impacted or dripped on a raw material surface of the shaft member 2 from a nozzle head 11 by an ink jet method.例文帳に追加
インクジェット法によりノズルヘッド11から紫外線硬化タイプのインクの微小液滴19を軸部材2の素材表面に着弾または滴下させる。 - 特許庁
A ZnO/ZnMgO quantum well layer with a ZnO layer and a ZnMgO layer laminated therein alternately is formed on the surface of the n-type ZnMgO layer (d).例文帳に追加
(d)n型ZnMgO層表面上に、ZnO層とZnMgO層とが交互に積層されるZnO/ZnMgO量子井戸層を形成する。 - 特許庁
To provide a multi-chip type semiconductor device, wherein recesses are provided into the chip back surface to enable the wire bonding of electrode pads hidden beneath a chip.例文帳に追加
チップ裏面側に凹部を設けることにより、チップの下に隠れる電極パッドへのワイヤボンディングを可能にした、マルチチップ型の半導体装置を提供する。 - 特許庁
The module-type assembly 10 for a glenoid cavity is composed of a base 12 adjusted so as to be connected with the surface 16 of the glenoid cavity and a supporting insert.例文帳に追加
このモジュール型関節窩アセンブリー10は、この関節窩表面16に連結するように適合されたベース12と支持インサートで構成される。 - 特許庁
A P-type push-in diffusion region 440 higher in concentration than a semiconductor layer 200 is formed from the surface to the bottom face of the semiconductor layer 200.例文帳に追加
半導体層200よりも高濃度のP型の押込拡散領域440は、半導体層200の表層から底面まで設けられている。 - 特許庁
The water dispersed titanium oxide sol is a blue kite type titanium particle having ≤0.5 μm mean grain diameter and a specific surface area of ≥20 m^2/g is dispersed.例文帳に追加
平均粒子径が0.5μm以下で比表面積が20m^2 /g以上のブルーカイト型酸化チタン粒子が分散した水分散酸化チタンゾル。 - 特許庁
The electrode 30 includes a Zn layer 32, and the Zn layer 32 contacts with a surface of the p-type semiconductor region of the semiconductor laminated structure 20.例文帳に追加
電極30は、Zn層32を含み、Zn層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面に接触している。 - 特許庁
To obtain a surface emitting type semiconductor laser element satisfactory in temperature characteristics and reduced in an operating voltage for oscillating laser beams with wavelength suitable for optical fiber transmission.例文帳に追加
光ファイバ伝送に適した波長でレーザ光を発振し、温度特性に優れ、動作電圧の低い面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
INK COMPOSITION, PROCESS FOR ITS PRODUCTION AND METHOD FOR ADJUSTING CONTENT OF NONIONIC ACTIVE GROUP ON SURFACE OF SELF-DISPERSIVE TYPE PIGMENT IN INK COMPOSITION例文帳に追加
インク組成物とその製造方法,およびインク組成物内の自己分散型着色剤の表面で非イオン性作用基の含量を調節する方法 - 特許庁
On the other hand, a pair of comb-type electrodes is formed on the skin contact surface of a circuit part 12 fitted into the pellet 10 by forming a square opening.例文帳に追加
一方、採取ペレット10に四角い開口を形成してはめ込まれた回路部12の皮膚接触面には一対のくし型電極パターンを形成してある。 - 特許庁
To provide a solid polymer type fuel cell stack capable of realizing uniform humidification and cooling within a reaction surface of a cell and reducing a production cost of a separator.例文帳に追加
セルの反応面内での均一な加湿と冷却を実現可能で、かつ、セパレータのコストを削減可能な固体高分子型燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁
Finally, the groove type element isolation is formed by removing 103c from the silicon nitride film 103a on the surface and 102c from the silicon oxide film 102a.例文帳に追加
最後に、表面のシリコン窒化膜103aから103cとシリコン酸化膜102aから102cを除去することで、溝型素子分離を形成する。 - 特許庁
Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加
p型ベース領域3の間のJ−FET部6及び表面チャネル層5に炭素(C)等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁
To economically and stably prevent surface defects of an ingot of metal of high melting point, which is manufactured by a consumable electrode type vacuum arc melting method.例文帳に追加
消耗電極式真空アーク溶解法により製造される高融点金属インゴットの表面欠陥を経済的に、且つ、安定的に防止する。 - 特許庁
To provide a substrate processing device of a hot wall type which performs selective growth for an epitaxial film comprising Si in an Si surface of a product substrate at a lower cost.例文帳に追加
製品用基板のSi表面にSiを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置をより安価に提供する。 - 特許庁
The semiconductor device includes the p-type MIS transistor PTr formed on the semiconductor substrate 10 having the (110) plane as the principal surface.例文帳に追加
半導体装置は、(110)面を主面とする半導体基板10に形成されたp型MISトランジスタPTrを備えた半導体装置である。 - 特許庁
In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁
The n-type semiconductor region is formed on a region in adjacent to a trench gate on the surface of the semiconductor layer and has impurity concentration higher than that of the semiconductor layer.例文帳に追加
n形半導体領域は、半導体層の表面におけるトレンチゲートに隣接する領域に形成され、半導体層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁
The upper surface of the p+-type polysilicon film 7 for base electrode and the side thereof are covered with a silicon nitride film 8 and a silicon oxide film 11, respectively.例文帳に追加
ベース電極用p^+ 型ポリシリコン膜7の上面はシリコン窒化膜8によって、また側面はシリコン酸化膜11によってそれぞれ被覆されている。 - 特許庁
The stainless steel plate has the soluble type lubricating resin coat on both surfaces or one surface.例文帳に追加
可溶型潤滑樹脂皮膜を、両面または片面に有することを特徴とする成形性に優れた燃料タンク用可溶型潤滑表面処理ステンレス鋼板。 - 特許庁
In the semiconductor storage device, a gate electrode 104 is formed on a p-type well region 102 formed on the surface of a semiconductor substrate 101 through a gate insulating film 103.例文帳に追加
半導体基板101の表面に形成されたP型ウェル領域102上に、ゲート絶縁膜103を介してゲート電極104を形成する。 - 特許庁
In the sliding-type portable terminal 100, a first case 110 includes an upper surface part 114 having an operation panel part 112 whereon operating keys 112a are disposed.例文帳に追加
スライド式携帯端末100では、第1筐体110は、操作キー112aが配設された操作面部112を含む上面部114を有する。 - 特許庁
There is coated on the surface of the spherical cellulose pigment a hydrotalcite type, layered double hydroxide that contains coloring matter anions between the layers of the crystal structure.例文帳に追加
色素アニオンを結晶構造層間に含有するハイドロタルサイト型層状複水酸化物を球状セルロース顔料表面に被覆してなる構成とする。 - 特許庁
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