「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor apparatus maintains a thin barrier layer 13 directly under a gate electrode that mostly contributes to making a normally-off mode possible on the operating layer 12 of a substrate 11, and simultaneously has a structure capable of thickening the barrier layer 13 by semiconductor layers 17 between gate sources and between gate and drain to achieve high I_max.例文帳に追加

基板11の動作層12上にノーマリオフモード化に最も寄与するゲート電極直下で薄い障壁層13を保ち、同時に、高いI_maxを実現するためにゲート−ソース間、ゲート−ドレイン間で半導体層17により障壁層13を厚くすることを可能とする構成とする。 - 特許庁

A plurality of thin light-emitting chips 13 each of which is configured by laminating an n-type compound semiconductor layer 16, an active layer 17 and a p-type compound semiconductor layer 18 are bonded on a wafer 11 through lower surface wiring 12 by using the p-type compound semiconductor layers 18 as bonding surfaces.例文帳に追加

ｎ型化合物半導体層１６,活性層１７およびｐ型化合物半導体層１８が積層された薄型の発光チップ１３を、複数個、ｐ型化合物半導体層１８を接合面として、ウェハ１１上に、下面配線１２を介して接合する。 - 特許庁

This is a manufacturing method of the solid oxide fuel cell in which a thin-film electrolyte layer can be imparted by heating and densifying one face of a porous electrode board to be a foundation of the electrolyte layer, making it a nonporous surface, and fabricating the electrolyte layer afterwards.例文帳に追加

電解質層の下地となる多孔質電極基板の一方の面を加熱して緻密化させ孔のない表面とし、その後に電解質層を作製することで、薄膜の電解質層を付与することが可能な固体酸化物型燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film transistor of the present invention with a bottom-gate structure having a back-channel portion using silicon as a semiconductor layer includes a source electrode or a drain electrode containing aluminum, and a layer of a sialon compound that is a portion of the back-channel portion and covers a surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 - 特許庁

The thin film magnetic head has a selectively formed magnetoresistive layer 4, magnetic bias layers 5 formed via the magnetoresistive layer 4, a pair of leads 7 for detecting a magnetic resistance and, cap layers 6 as lower parts of the leads 7 formed between the leads and the magnetoresistive layer 4.例文帳に追加

選択的に形成されている磁気抵抗効果層４と、磁気抵抗効果層４を挟んで形成されている磁気バイアス層５と、磁気抵抗を検出するための一対のリード７と、リード７の下部であって磁気抵抗効果層４との間に形成されたキャップ層６を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for forming a thin impurity dopeed layer whose characteristics are satisfactory on a silicon cover guide substrate or a semiconductor layer formed on the silicon cover guide substrate whose conductive type is the same as that of the silicon cover guide substrate, and for easily forming an ohmic electrode on the impurity doped layer.例文帳に追加

シリコンカーバイド基板上、もしくはシリコンカーバイド基板上に設けられたシリコンカーバイド基板と同じ導電型の半導体層上部に、特性の良い薄い不純物ドープ層を設け、不純物ドープ層の上に、容易にオーミック電極を形成する半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface-mounted heater assembly for an aircraft component has a support layer (75), an electrically resistive thin film heater element (70) supported by the support layer (75), a coating covering the heater element (70); and an adhesive (80) to secure the support layer (75) to the component.例文帳に追加

支持層７５と、この支持層７５で保持された電気抵抗薄膜発熱体７０と、この発熱体７０を覆うコーティングと、この支持層７５を構成要素に固定する接着剤８０と、を有する航空機構成要素用の表面実装ヒータアッセンブリが提供される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The joined body is produced by applying a uniform solution of a metal capable of alloying with a thin film metal or a compound thereof on a ceramic base material, and performing drying and firing to form an intermediate layer containing the metal capable of alloying with the thin film metal on the base material, and thereafter depositing a metallic thin film on the intermediate layer.例文帳に追加

この接合体は、金属薄膜をセラミックス基材上に形成させて接合体を製造するに際し、セラミックス基材に薄膜金属と合金化し得る金属またはその化合物の均一溶液を塗布、乾燥および焼成して基材上に薄膜金属と合金化し得る金属を含有する中間層を形成させた後、該中間層上に金属薄膜を形成させることにより製造される。 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.例文帳に追加

プラスチック基板と、該プラスチック基板上に、接着剤を介して形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ上に形成された保護絶縁膜と、該保護絶縁膜上に形成されたカラーフィルタと、該カラーフィルタ上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する白色発光素子と、を有する発光装置である。 - 特許庁

In an organic thin film solar cell comprising a positive electrode and a negative electrode; a first organic compound disposed between the positive electrode and the negative electrode and having coloring matter capable of absorbing light; and an organic thin film layer composed of a mixture of at least two kinds of second organic compound having electron acceptance, the organic thin film layer includes inorganic nanoparticles 105.例文帳に追加

正極および負極と、前記正極と負極との間に配置され、光を吸収できる色素を有する第１の有機化合物と電子受容性を有する第２の有機化合物の少なくとも２種類の混合物からなる有機薄膜層とを備える有機薄膜太陽電池において、前記有機薄膜層に無機ナノ粒子を含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池。 - 特許庁

To provide an optical element which uses a thin plate where an optical waveguide is formed and includes a reinforcing plate bonded to the reverse surface of the thin plate, the optical element being characterized in that the reinforcing plate functions as an underclad layer and the optical element is inexpensive and has small variance in performance.例文帳に追加

光導波路を形成した薄板を利用し、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光学素子において、補強板がアンダークラッド層の機能を兼ね備えた、安価で性能のバラツキが少ない光学素子を提供すること。 - 特許庁

One portion 50A of the electrode for charge collection projects above an active layer 28 of the thin-film transistor 20 for charge detection, while being insulated via an insulation film 18A, and also plays a role of a gate electrode G of the thin-film transistor for charge detection.例文帳に追加

電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。 - 特許庁

To provide a thin film solar battery and a method for installing the same capable of improving power generation efficiency by avoiding the reduction of a light quantity to be incident on a thin film photoelectric conversion layer in spite of the presence of surface reflected light, for improving light usability.例文帳に追加

表面反射光があっても、薄膜光電変換層に入射される光量を減少させないようにして、光利用効率を高めて、発電効率を高くすることができる薄膜太陽電池及びその設置方法を提供すること。 - 特許庁

When the master disk for an optical recording medium is manufactured by using this photoresist master disk, in the two areas of the intermediate layer, a pit pattern is exposed in a thin area (thin film part 3b), and a groove (guide groove) is exposed in a thick area (thick film part 3a).例文帳に追加

このフォトレジスト原盤を使用して光記録媒体用原盤を作製する際、中間層の二領域中、膜厚の薄い領域（薄膜部３ｂ）にピットパターンを、膜厚の厚い領域（厚膜部３ａ）にグルーブ（案内溝）をそれぞれ露光した。 - 特許庁

A thermally insulated container for sealing a fluid includes at least one wall part having the thin membrane formed in contact with a product contained in the container, and a thermally insulating layer disposed adjacent to the thin membrane.例文帳に追加

容器内に収容された生産物と接触するように設けられた薄膜を有する少なくとも１つの壁部と、この薄膜に隣り合うように設けられた断熱層と、を備えた流体を密封する断熱性の容器に関するものである。 - 特許庁

To steadily assure ultrasonic welding to an extremely thin galvanic cell, in the device for airtight and fluid-tight sealing by an ultrasonic welding of the plastic layer of the casing component of the galvanic cell of thin-flat plate cell shape.例文帳に追加

薄い平板状セルの形のガルバーニ電池のケーシングをケーシング構成部分のプラスチック層の超音波溶接によって気密及び液密に封口するための装置において、超音波溶接を著しく薄いガルバーニ電池においても確実に保証する。 - 特許庁

In the electromagnetic wave shield, a mesh-like metal thin film 3 is laminated on a substrate 1 via an adhesive layer 2, and openings 3a formed in the metal thin film 3 are filled with a light transmissive inorganic material 4.例文帳に追加

基材１上に、接着層２を介して、メッシュ状の金属薄膜３が積層されており、金属薄膜３に形成されている開口部３ａ内に光透過性無機材料４が充填されていることを特徴とする電磁波遮蔽材。 - 特許庁

The self-light-emitting element 1 has an electrode substrate 2, a thin-film electrode 3, and an electron acceleration layer 4 sandwiched between the electrode substrate 2 and the thin-film electrode 3 and including silicon fine particles 5 and at least either conductive fine particles 6 or basic dispersants 60.例文帳に追加

自発光素子１は、電極基板２と、薄膜電極３と、これらの間に挟持されシリコン微粒子５と導電微粒子６および塩基性分散剤６０の少なくとも一方とが含まれる電子加速層４とを備えている。 - 特許庁

An image sensor as a semiconductor chip is fixed to a tabular thin plate by die bonding and a wiring board including a wiring layer is arranged on a part of or all of a surrounding area of a region of the thin plate in which the image sensor is fixed.例文帳に追加

平板状の薄型プレートには、半導体チップとしてのイメージセンサがダイボンディングにより固定され、その薄型プレートにおいてイメージセンサが固定される領域の周囲の一部または全部には、配線層を含む配線基板が配置される。 - 特許庁

To provide a battery can and a method for producing the can which has no variation in a bursting pressure applied to a thin portion, imposes no risk of projection of the burst portion even if the thin portion is burst, and allows production using a steel plate that has a plated layer.例文帳に追加

薄肉部の開裂圧力にばらつきがなく、また薄肉部が開裂しても開裂部分が外側にはみ出るおそれがなく、さらにめっき層が形成された鋼板を用いて製造できる電池缶及びその製造方法を提供すること - 特許庁

The display device is provided with an organic thin-film transistor Tr formed on the substrate 11, a protective layer 21 formed on the substrate 11 so as to cover the organic thin-film transistor Tr, and an organic electroluminescent element EL formed on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に設けられた有機薄膜トランジスタＴｒと、有機薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で基板１１上に設けられた保護層２１と、基板１１上に設けられた有機電界発光素子ＥＬとを備えている。 - 特許庁

In the extremely thin copper foil with the carrier, a peel ply and the extremely thin copper foil are formed on one side of the carrier in this order and a layer easy to absorb the beam with a wavelength oscillated by a CO_2 gas laser is formed on the other surface of the carrier.例文帳に追加

キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成され、キャリアのもう一方の面にＣＯ_２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔である。 - 特許庁

When an amorphous silicon thin film is irradiated with a laser beam and crystallized, the substrate is warped upward in order to reduce residual stress in the silicon film which is then used as a semiconductor layer thus fabricating a thin film transistor having enhanced characteristics.例文帳に追加

非晶質シリコン薄膜をレーザ光線の照射によって結晶化する際に、基板を凸状に反らすことによって、シリコン膜の残留応力を低減し、それを半導体層として用いて特性向上を図った薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).例文帳に追加

さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁

Between electrode layers 120 formed of a pair of inorganic conductive members in the shape of a thin film, an organic conductive polymer layer 130 is formed of a conductive polyaniline constituent exhibiting positive temperature resistance characteristics in the shape of a thin film by coating.例文帳に追加

対をなす無機導電性部材にて薄膜状に形成した電極層１２０間に、正の温度抵抗特性を示す導電性ポリアニリン組成物などにて薄膜状に有機導電性高分子層１３０を塗布などにて積層形成する。 - 特許庁

The fine structure has base materials (10, 12) with recess and projection, an extremely thin film pattern (18) consisting of organic compound with amino group or thiol group on a recessed part of the base material, and a layer pattern (20) based on the extremely thin film pattern.例文帳に追加

凹凸を有する基材（１０、１２）と、該基材の凹部上にアミノ基又はチオール基を有する有機化合物からなる極薄膜パターン（１８）と、該極薄膜パターンに基づいた層パターン（２０）を有することを特徴とする微細構造体。 - 特許庁

To provide stainless foil coated with a silica based inorganic polymer film whose surface has uneven structure enabled to manufacture an uneven rear surface reflecting layer to lengthen the optical path length of a thin film solar battery, and also to provide the silicon thin film solar battery utilizing the same.例文帳に追加

本発明は、薄膜太陽電池の光路長を稼ぐための凹凸のある裏面反射層が作製可能な、表面凹凸構造を有するシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔及びシリコン薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor polycrystalline thin film having a high hole mobility and capable of forming the film on a plastic substrate at low film forming temperature for a material of a semiconductor layer for a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すｐ形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるｐ形半導体多結晶薄膜を、提供する。 - 特許庁

The composite semiconductor element may further include a metal wiring film (23) for electrical connection with the compound semiconductor thin film (12), and a compound semiconductor layer (17) with higher impurity concentration may be provided between the compound semiconductor thin film (12) and the metal wiring film (23).例文帳に追加

化合物半導体薄膜（１２）との電気的接続のための金属配線膜（２３）をさらに備え、化合物半導体薄膜（１２）と金属配線膜（２３）との間に、より高い不純物濃度の化合物半導体層（１７）を介在させても良い。 - 特許庁

The element may be a thin-film transistor, a light emitting element having a layer containing an organic compound, an element having liquid crystal, a memory element, a thin-film diode, a photoelectric conversion element comprising a silicon PIN junction, or a silicon resistance element.例文帳に追加

上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。 - 特許庁

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9.例文帳に追加

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。 - 特許庁

The flexible metal thin film laminate 100 is composed of carbon fiber fabric (carbon substrate) 101 having fine pores and a copper coating layer (metal thin film) 102 laminated on the fabric 101 and used as an electrode in a carbon battery.例文帳に追加

本可撓性金属薄膜積層体１００は、微細孔を有する炭素繊維の織布（炭素基材）１０１と、該織布１０１に積層された銅コート（金属薄膜）１０２とからなるものであり、カーボンバッテリにおいて電極として用いられるものである。 - 特許庁

The apparatus produces the thin plate by a immersion treatment comprising immersing the surface layer part of a ground plate into a melt 102 and then sticking the thin plate formed by the solidification of the melt 102 on the surface of the ground plate.例文帳に追加

薄板製造装置は、融液１０２に下地板の表層部を浸漬し、下地板の表面に融液１０２が凝固することにより形成される薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する薄板製造装置である。 - 特許庁

In the transparent conductive laminate film 10, a composition gradient thin film 13 and the transparent conductive thin film layer 14 are laminated at least on one surface of a base material comprising a transparent plastic film 11 in this order.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム１１からなる基材の少なくとも片面上に、組成傾斜薄膜層１３及び透明導電性薄膜層１４をこの順に積層した構成を有することを特徴とする透明導電性積層フィルム１０。 - 特許庁

A thin beltlike magnetic material such as a Fe-based, Co-based, or Ni-based amorphous magnetic alloy thin belt is wound in ≥1 layer in conformity with the shape of the facing package of the noncontact data carrier to manufacture a nearly cylindrical magnetic core material 32.例文帳に追加

Ｆｅ系、Ｃｏ系、Ｎｉ系等のアモルファス磁性合金薄帯等の薄帯状磁性材料を非接触データキャリアの外装パッケージの形状に合わせて、１層以上に巻回し、略円筒型状の磁芯用芯材３２を作製する。 - 特許庁

Consequently, the resist pattern width for upper magnetic core plating can be made narrow irrelevantly to the waving of an insulating resin layer due to the thin-film coil and the composition at the time of the plating can be made uniform, so that the thin-film magnetic head having stable magnetic characteristics can be obtained.例文帳に追加

このことによって、薄膜コイルによる絶縁樹脂層のうねりにもかかわらず、上部磁気コアメッキ用レジストパターン幅を狭く作ることができて、メッキ時の組成の均一化が図られ、磁気特性の安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。 - 特許庁

Therefore, a part of a conductive material section 72, which is a portion that is an extremely thin portion, and a part of a silver paste layer 12C, which is a portion that is an extremely thin portion, are covered with the conductive material section 72 so as to supplement them.例文帳に追加

このため、導電性材料部７２の一部であって極めて薄くなっている部分、及び銀ペースト層１２Ｃの一部であって極めて薄くなっている部分が補われるようにして導電性材料部７２によって覆われている。 - 特許庁

The method for inhibiting the organic compound from adsorbing onto the surface of the article molded from the synthetic resin includes forming a thin layer of a metal, silicon or oxide thereof on the surface of the article molded from the synthetic resin, with a thin-film-forming technology using plasma.例文帳に追加

プラズマを用いた薄膜形成技術により、合成樹脂成形物の表面に金属、珪素またはそれらの酸化物の薄膜層を形成すれば、有機化合物の合成樹脂成形物への吸着を抑制することができる。 - 特許庁

In the first layer 11, a feedthrough section 11A is formed, a site where the feedthrough section 11A is formed is set to be a thin section 13, and a detection section 15 for detecting αrays and transmitting β rays or the like is formed at the thin section 13.例文帳に追加

第１層１１には、貫通部１１Ａが形成されており、貫通部１１Ａが形成されている部位が薄肉部１３とされ、この薄肉部１３にα線を検出し、β線などを透過する検出部１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer block comprising a large number of thin magnetic sheets laid in layers in which the thin film is not stripped even if the multilayer block is polished obliquely to the layer direction and screws are prevented from loosening when the multilayer block is fixed to other apparatus.例文帳に追加

多数の磁性薄板が重ね合わされた積層ブロックにおいて、層方向に対し斜め方向で研磨を行っても、薄板剥離を引き起こすことなく、他の機器への取付時のネジの緩みを生じ難くした積層ブロックを提供する。 - 特許庁

(1) The paper coil is constituted by placing a set of thin-layer coils, formed spirally, one over another, on a thin base material and connecting outer peripheral ends of the coils and characterized in that an electromagnetic field when the connected coils are supplied with electricity is NSSN or SNNS.例文帳に追加

（１）薄い基材上に螺旋状に形成した一組の薄層状コイルを重ね合わせると共に、該コイルの外周端部同士を接続し、該接続したコイルに通電したときの電磁場が、ＮＳＳＮ又はＳＮＮＳとなるようにしたペーパーコイル。 - 特許庁

A multiple layered thin film layer formed by successively laminating thin films of a plurality of kinds of materials is provided between an organic substance film 2 formed on an upper surface of a transparent substrate 1 and the transparent conductive film 6 formed on the upper side of the organic substance film 2.例文帳に追加

透明基板１の上面に形成された有機物膜２と前記有機物膜２の上方に形成される透明導電性膜６との間に、複数種の物質の薄膜を順次積層させて成膜した多層薄膜層を配設する。 - 特許庁

To suppress deterioration in crystal quality (surface planarity, orientation, dislocation density) of a thin film due to difference in lattice constant as much as possible in an AlN thin film as a buffer layer when III-V nitride semiconductor crystal is grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるＡｌＮ薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質（表面平坦性、配向性、転位密度）の劣化を極力抑止すること。 - 特許庁