「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

Ground matter of a coated polyolefin molded article is melted to be injected in the cavity, which has a heat insulating layer on its surface or has the heat insulating layer and a surface thin-walled metal layer on its surface in this order, of an injection mold to obtain the exterior part for the car such as a bamper or the like.例文帳に追加

塗装ポリオレフィン成形品の粉砕物を溶融し、これをキャビティ内表面に断熱層又は該断熱層の外側にさらに表面薄肉金属層を設けた射出成形用金型により射出成形し、バンパー等の自動車用外装部品を得る。 - 特許庁

Regarding the OVD transfer leaf which is transferred onto a base 21 of an information recording medium having a magnetic layer 22 and makes it possible to hide a magnetic part to be made invisible, a hiding layer 14 having a thin film constituted of an OVD layer 13 and dielectrics at least is provided on a substrate.例文帳に追加

磁気層２２を有してなる情報記録媒体の基体２１に転写し、磁気部分を目視できぬよう隠蔽可能とするＯＶＤ転写箔に関し、支持体に少なくともＯＶＤ層１３および誘電体からなる薄膜を有した隠蔽層１４を具備したＯＶＤ転写箔。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

The substrate holder 300 is arranged facing targets 231, 232, 233 and 244 in the state of holding the plurality of substrates 10 for the magnetic recording disk when forming a thin film such as a base layer, a magnetic layer and a protective layer on the surface of the substrate 10 for the magnetic recording disk by a physical gas phase growth method.例文帳に追加

基板ホルダ３００は、磁気記録ディスク用基板１０の表面に下地層、磁性層、保護層などの薄膜を物理気相成長法により成膜する際に、複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態でターゲット２３１、２３２、２３３および２４４に対向配置される。 - 特許庁

The ink thin layer 36 is formed such that (h1+h2-h3)/(h1$+h2)≥0.1 is satisfied with the premise that the height of the protrusion parts 40 on the ink supporting roller is h1, the ink layer thickness on the protrusion parts 40 is h2, and the ink layer thickness between the protrusion parts 40 is h3.例文帳に追加

インク担持ローラ上の突起部４０の高さをｈ１、突起部４０上のインク層の厚みをｈ２、突起部４０間におけるインク層の厚みをｈ３としたとき、 （ｈ１＋ｈ２−ｈ３）／（ｈ１＋ｈ２）≧０．１ を満たすようにインク薄層３６を形成してある。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate, composed of a material having a lattice constant highly compatible with that of zinc oxide, a zinc oxide buffer layer deposited on the substrate and added with annealed zinc oxide or magnesium oxide, and a zinc oxide thin film layer deposited on the buffer layer.例文帳に追加

酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具える。 - 特許庁

At least a part of the drive circuit is formed using an inverted staggered thin film transistor in which an oxide semiconductor is used and a channel protective layer is provided over the oxide semiconductor layer serving as a channel formation region which is overlapped with the gate electrode layer.例文帳に追加

同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用い、かつゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる酸化物半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。 - 特許庁

The crystallized semiconductor thin film is bonded on the upper layer of the substrate via the bonding layer, and has an uneven shape due to the melt crystallization on the bonded surface side for the bonding layer.例文帳に追加

本発明の結晶化半導体薄膜は、基板上層に設けられた結晶化半導体薄膜であって、該結晶化半導体薄膜は、前記基板上層に接合層を介して接合されており、かつ該接合層に対する接合面側に溶融結晶化に伴う凹凸形状を有する。 - 特許庁

In the thin-film solar cell module having a conductive metal oxide layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode on a translucent insulating substrate, the finger electrode of a preset pattern of a narrow line width for reducing the resistance loss of the conductive metal oxide layer is provided.例文帳に追加

透光性絶縁基板上に、導電性金属酸化物層と、光電変換層及び裏面電極とを有する薄膜系太陽電池モジュールにおいて、導電性金属酸化物層の抵抗損を低減する、線幅の細く予め設定したパターンのフィンガー電極が設けられる。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element in which a light-emitting layer 4 or a plurality of organic compound thin layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes 2 and 6, the light-emitting layer includes a organic germanium compound represented by formula (1).例文帳に追加

一対の電極２，６間に発光層４もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が式（１）で表わされる有機ゲルマニウム化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter of high power generation efficiency by improving light transmittance to a photoelectric conversion layer by inserting a single layer of transparent thin film, having both of a reflection prevention function and an alkali-barrier function, between a translucent substrate and a transparent electrode layer.例文帳に追加

反射防止機能とアルカリバリア機能を兼ね備えた単層の透明薄膜を、透光性基板と透明電極層との間に挿入することによって、光電変換層への光透過率を向上させ、発電効率の高い光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a metallic layer such as copper which has excellent flexibility compatible with COF (chip-on-film) mounting as a metallized polyimide film when the metallic layer is formed on a long-sized conductive substrate such as a polyimide film with metallic thin film layer.例文帳に追加

金属薄膜層付ポリイミドフィルム等の長尺導電性基板に電気めっき法により金属層を形成する際に、金属化ポリイミドフィルムとしてＣＯＦでの実装に対応可能な優れた柔軟性を有する銅等の金属層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layer structure having an extremely thin semiconductor layer, in addition, extremely low HF defect density in manufacturing a semiconductor substrate having a support wafer 2 and a layer 8 comprising a single-crystal semiconductor material provided on a surface of the support wafer 2.例文帳に追加

支持体ウェハ２とこの支持体ウェハ２の１つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層８を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にＨＦ欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。 - 特許庁

A semiconductor thin film 13 which becomes a light absorption layer is formed on an insulating layer 12 containing Ia group element or Vb group element partially provided on a back electrode 11 and the back electrode 11 or the partially provided insulating layer 12.例文帳に追加

裏面電極膜１１の上に部分的に設けたＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を含む絶縁層１２と裏面電極１１あるいは部分的に設けた絶縁層１２の上に光吸収層となる半導体薄膜１３を形成した構成を含む薄膜太陽電池。 - 特許庁

An entire support substrate of the polycrystalline compound semiconductor layer is polished to manufacture a polycrystalline compound semiconductor layer single body, and an electrode of a metal thin film is formed on the polycrystalline compound semiconductor, whereby the attenuation of X rays made incident on the polycrystalline compound semiconductor layer can be reduced.例文帳に追加

多結晶化合物半導体層の支持基板を全て研磨することで多結晶化合物半導体層単体を製作して、これに新たに金薄膜の電極を形成することで多結晶化合物半導体層に入射されるＸ線の減衰を低減することができる。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent cross leak of reaction gas by reducing low smoothness of a catalyst layer, manufacturing an electrolyte membrane capable of sufficiently covering the unevenness of the catalyst layer as the electrolyte membrane adjoined to the catalyst layer even if it is thin in the method of manufacturing a fuel cell having a membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体を備えた燃料電池の製造方法において、触媒層の低平滑性を緩和して、該触媒層に隣接する電解質膜として、厚さが薄くても触媒層の凹凸を充分に被覆できる電解質膜を作製し、反応ガスのクロスリークを防ぐ。 - 特許庁

A resistor substrate 12A and a drive circuit substrate 12B are prepared on a radiating substrate 11, a heat insulating layer 14 which includes laminating a conductive heat resistance layer 14a which consists of thallium telluride and an insulating separating layer 14b which consists of an insulator thin film is formed on the surface of a support substrate 13.例文帳に追加

放熱基板１１上に抵抗体基板部１２Ａと駆動回路基板部１２Ｂが設けられ、支持基板１３表面にタリウムテルライドからなる導電性熱抵抗層１４ａと絶縁体薄膜からなる絶縁分離層１４ｂが積層した保温層１４が形成される。 - 特許庁

The anode 21 includes, on opposite surfaces of a base 21a comprising an aluminum foil, a conductor layer 21b, 21b comprising a titanium thin film; a dielectric layer 21c, 21c containing titanium, aluminum, and oxygen; and an electrolyte layer 21d, 21d made of polypyrrole or the like.例文帳に追加

陽極２１では、アルミニウム箔などからなる基体２１ａの両面上に、チタン薄膜などからなる導電体層２１ｂ、２１ｂと、チタン、アルミニウムおよび酸素を含む誘電体層２１ｃ、２１ｃと、ポリピロールなどからなる電解質層２１ｄ、２１ｄとが順次形成されている。 - 特許庁

By using a transfer film on which an absorption layer absorbing laser beam wavelengths of a laser correction system is laminated as a thin film shape, the absorption layer 15 is thermally transferred on the black defect 10, the laser beam of the laser correction system is applied to the thermally transferred absorption layer and the black defect is corrected.例文帳に追加

１）レーザ修正装置のレーザ光の波長を吸収する吸収層が薄膜状に積層された転写フィルムを用いて、黒欠陥１０上に吸収層１５を熱転写し、２）熱転写した吸収層にレーザ修正装置のレーザ光を照射し、黒欠陥を修正すること。 - 特許庁

Provided are a conduction line path structure comprising on a substrate a signal line and a conduction shield layer formed so as to be isolated via an insulating layer, with the insulating layer formed partially or totally with an electrodeposition organic thin film, and a wiring substrate comprising the conduction line path structure.例文帳に追加

基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなる導電線路構造において、上記絶縁層の一部又は全部を電着有機薄膜で形成した導電線路構造及びこの導電線路構造を備える配線基板。 - 特許庁

To obtain a highly reliable piezoelectric vibrator package by inventing a sealing material which contains powdered glass and a heat resistant filler and hardly retains an excessive residual stress in a sealing layer and a sealed layer, even when the thickness of the sealing layer formed is thin.例文帳に追加

ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、厚みが小さい封着層を形成しても、封着層や被封着物に不当な応力が残留し難い封着材料を創案することにより、信頼性が高い圧電振動子パッケージ等を得ること。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head and its manufacturing method which enable track width restricting grooves which is formed, particularly, in an insulating layer to be formed so as to reach surely a lower core layer, and hence enable the magnetic pole layer to be properly grown by plating in the groove and recording characteristics to be improved.例文帳に追加

下部コア層上に形成される絶縁層は、その膜厚が厚く形成されているために、前記絶縁層にトラック幅規制溝を形成する際に、エッチングの制御を適性に行なうことが難しく、前記トラック幅規制溝の下には、絶縁層の一部が残されやすい。 - 特許庁

This elastic pavement material is a thick plate-material of a porous structure having a thin surface layer 1 formed by hardening rubber chips with a binder and a thick base layer 2 formed by hardening rubber chips made of crushed waste tire with a binder, and a number of water permeable holes 24 opened to the lower surface side are formed at suitable spaces in the base layer 2.例文帳に追加

ゴムチップをバインダーで固めて成る薄い表層１と、廃タイヤを粉砕して得たゴムチップをバインダーで固めて成る厚い基層２とから成る多孔構造の厚板状のものであり、前記基層２には下面側に開放する透水孔24を適宜間隔で多数形成してある。 - 特許庁

The dielectric thin-film capacitor is constituted so as to have the first and/or the second conductive lead-out conductor equipped with the conductive oxide layer and a metal layer, and the conductive oxide layer arranged so that the bonded surfaces of the lower electrode and/or the upper electrode with the first and/or the second lead-out conductor are covered.例文帳に追加

第１および／または第２の引き出し導体が、導電性酸化物層と金属層とを備え、かつ、導電性酸化物層が、下部および／または電極の、第１のおよび／または第２の引き出し導体との接合面を覆うように配設された構成とする。 - 特許庁

Furthermore, since the toner T is fed while being gradually pressed by the layer thickness restricting member 10 and the developing roll 8 due to the roundness of the arc part B of the layer thickness restricting member 10, the toner T is formed to be a uniformly thin layer with highly packed density when the toner T is passed through the pressure contact part P.例文帳に追加

また、トナーＴは、層厚規制部材１０の弧状部Ｂの丸みにより層厚規制部材１０と現像ローラ８とに除々に押圧されながら送り込まれるため、トナーＴが圧接部分Ｐを通過すると、当該トナーＴは充填密度が高い均一の薄層となる。 - 特許庁

A barrier film on which a pretreatment layer, a transparent vapor-deposited thin film layer consisting of an inorganic oxide, and a gas barrier coating film layer are successively provided at least on one side of a transparent plastic film substrate is affixed to a polyamide film to constitute a laminate for a bag-in-box inner packaging in which the affixed films are held by a polyolefin film.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム基材の少なくとも片面に、前処理層、無機酸化物からなる透明蒸着薄膜層、ガスバリア性被膜層を順次設けたバリアフィルムと、ポリアミド系フィルムを貼り合わせ、ポリオレフィン系フィルムで挟み込んだバッグインボックス内装用積層体 - 特許庁

A portion of light beam L2 made incident on the thin film transistor array substrate without being orthogonal to the light transmissive substrate is never made incident on a polycrystalline silicon film 5 forming a TFT by reflected by an upper light shielding layer 12 and the like since the lower light shielding layer has a width wider than that of the upper light shielding layer 12.例文帳に追加

光透過性基板に直交せずに薄膜トランジスタアレイ基板内に入射した光Ｌ２は、下部遮光層が上部遮光層１２よりも幅広であるため、上部遮光層などで反射されてＴＦＴを成す多結晶シリコン膜５に入射することがない。 - 特許庁

A weight section 7, a support 5 and a thin beam section 6 connecting these former ones are formed by a SOI substrate 1 which sandwiches an intermediate layer 3 fabricated with a second etching gas instead of a first etching gas between an upper layer 2 and a lower layer 4 both fabricated with the first etching gas.例文帳に追加

第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。 - 特許庁

A metal support substrate 11, a base insulating layer 12, a conductor pattern 13, and a cover insulating layer 14 are laminated successively; a core layer 23 having five bent portions is formed; a metal thin film 25 for covering the surface of each bent portion is formed; and an optical waveguide 19 is formed.例文帳に追加

金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するとともに、５つの屈曲部分を有するコア層２３を形成し、次いで、各屈曲部分の表面を被覆する金属薄膜２５を形成して、光導波路１９を形成する。 - 特許庁

It is characterized to have a three dimensional shape formed with multi-layer resins including at least the resin layer having the barrier- property to the oxygen gas and the resin layer having the high moisture-proofing property, and the thin film is formed by a plasma furtherance formula CVD method on an entirety of a surface or a part of the surface.例文帳に追加

少なくとも酸素ガスバリア性を有する樹脂層と防湿性の高い樹脂層とを含む多層樹脂物で形成され、表面全体または表面の一部にプラズマ助成式ＣＶＤ法により薄膜を形成させた３次元形状を有することを特徴とする。 - 特許庁

This device is provided with the developing roller to carry the toner while rotating in a specified direction, the layer thickness regulating roller to form the toner thin layer on the developing roller by rotating in a direction opposite to the rotating direction of the developing roller or in a forward direction, and a cooling means to cool the layer thickness regulating roller.例文帳に追加

所定方向に回転してトナーを運ぶ現像ローラと、現像ローラの回転方向と対抗する方向または順方向に回転して現像ローラ上にトナーの薄層を形成する層厚規制ローラと、層厚規制ローラを冷却する冷却手段とを有する。 - 特許庁

The solar cell is provided with a translucent substrate 1, a transparent conductive film 7, a light absorbing layer 3, a buffer layer 4 and another transparent conductive film 5 while a p-type semiconductor or a translucent metallic thin film is interposed between the transparent conductive film 7 and the light absorbing layer 3.例文帳に追加

透光性基板１、透明導電膜７、光吸収層３、バッファ層４および透明導電膜５を有し、透明導電膜７と光吸収層３との間に、ｐ型半導体、または、透光性の金属薄膜を中間層４として介在させる。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a nomnagnetic substrate, a nonmagnetic metallic underlaid layer, which is formed on one main surface side of the nonmagnetic substrate and contains 20 atomic % or more Ru, and a magnetic layer which is formed on the nomnagnetic metallic underlaid layer and has a metallic magnetic thin film.例文帳に追加

非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Ni is prevented from being diffused upward by the diffusion stop layer 30, whereby the surface of the land 26 is hardly oxidized, and the gold layer 32 can be made thin through a flash plating method, so that a rigid and fragile layer of Au-Sn alloy or the like is hardly formed on a solder joint surface.例文帳に追加

拡散阻止層３０によりＮｉの上層拡散が阻止され、これによりランド部２６表面が酸化されにくくなる一方で、金層３２をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばＡｕ−Ｓｎ合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。 - 特許庁

A polarizing layer and a color filter are stacked in order on an internal principal surface of a substrate where light transmitted through a liquid crystal layer is projected to outside the liquid crystal display device, and a wavelength converting substance is added to a thin film formed on the color filter (on the liquid crystal layer side).例文帳に追加

液晶層を透過した光を液晶表示装置の外側へ出射させる基板の内側主面（液晶層に対向する面）に偏光層とカラーフィルタを順次積層し、カラーフィルタ又はその上（液晶層側）に形成される薄膜に波長変換物質を添加する。 - 特許庁

The structure of a piezoelectric module 10 is such that, since a buffer layer LB is provided in an extension area EA, not only is it possible to realize electrical insulation between an upper electrode layer LU and a lower electrode layer LL, it is also possible to have a piezoelectric thin film LP localized in only a drive area MV within a window space WS1.例文帳に追加

圧電モジュール１０の構造は、延伸エリアＥＡにバッファ層ＬＢを設けることで、上電極層ＬＵと下電極層ＬＬとの電気的絶縁を実現するだけでなく、窓空間ＷＳ１内の駆動エリアＭＶ内にのみ圧電薄膜ＬＰを局在させることが可能となる。 - 特許庁

To prevent a change in characteristics of a dielectric film or a decline in uniformity of thickness thereof due to a portion of a lower conductor layer which has never reached an equilibrium state; in a thin-film device which comprises the lower conductor layer, the dielectric film, and an upper conductor layer which are stacked.例文帳に追加

積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。 - 特許庁

A securing means of the plate 2 and the thin film 4 is a second weak adhesive layer 7 formed on the plate 2 wherein the adhesive power of the second weak adhesive layer 7 is preferably stronger than that of the weak adhesive layer 3.例文帳に追加

前記平板２と前記薄膜４との固定手段が前記平板２上に形成された第二の弱粘着剤層７によるものであること、前記第二の弱粘着剤層７の粘着力が前記弱粘着剤層３の粘着力に比べ粘着力がより強いものであることが好ましい。 - 特許庁

After a thin oxide film sidewall 15 is formed on the sidewall of the gate electrode 13 and before a nitride film sidewall 16 is formed on the outside thereof, a silicon epi-layer 18a is formed and then a metal silicide layer 18 is formed from the silicon epi-layer 18a by a salicide method.例文帳に追加

ゲート電極１３の側壁に薄い酸化膜サイドウォール１５を形成した後で、その外側に窒化膜サイドウォール１６を形成するに先だって、シリコンエピ層１８ａの形成を行い、この後、シリコンエピ層１８ａからサリサイド法により金属シリサイド層１８を形成する。 - 特許庁

To provide a transfer paper on which a pattern formation layer having excellent use efficiency of a conductive material can be efficiently formed and which can have the pattern formation layer and an overcoat layer transferred to a flexible film substrate, to provide a manufacturing method of the transfer paper, and to provide a manufacturing method of a functional thin film using the transfer paper.例文帳に追加

導電性材料の利用効率が良好なパターン形成層を効率よく形成でき、該パターン形成層とオーバーコート層をフレキシブルフィルム基板に転写可能な転写用紙及び該転写用紙の製造方法、並びに該転写用紙を用いた機能性薄膜の製造方法の提供。 - 特許庁

A laser beam is irradiated on the tape 11 and the adhesion layer 2, using the layer 5 formed with these apertures 6 as a mask to form conducting holes 7 in the tape 11 and the layer 2, protective layers 8 are respectively formed on sprocket parts 4, and thin-film conductor layers are respectively formed in the holes 7 through direct plating.例文帳に追加

この開口部６が形成された導体層５をマスクにしてレーザー光を照射して、絶縁フィルム１及び接着層２に導通孔７を形成し、スプロケット部４に保護層８を形成し、ダイレクトプレーティングにより導通孔７に薄膜導体層を形成する。 - 特許庁

The whole surface or a part of a surface of resin 26 with which a plating through hole is filled is lower than a surface of the through hole plating layer 4, and the lid plating layer 27 is thin on the through hole plating layer and thick on the whole surface or a part of the surface of the resin.例文帳に追加

めっきスルーホールに充填した樹脂２６表面の全面又は一部が、スルーホールめっき層４の表面より低く、フタめっき層２７の厚さが、スルーホールめっき層上においては薄く、上記樹脂表面の全面上又は一部上においては厚いこと。 - 特許庁

An active layer 12 can be formed thin while sustaining crystallinity by selecting a compound semiconductor having good temperature characteristics in the active layer 12 and employing a multilayer structure where high resistance buffer layers 13 and 13 are sandwiched by the active layer 12 and a substrate 11.例文帳に追加

活性層１２に温度特性が良い化合物半導体を選び、活性層１２と基板１１との間に格子定数が近く高抵抗の緩衝層１３，１３を挟んだ多層構造にすることで、活性層１２を、結晶性を保ったまま薄く形成することができる。 - 特許庁

In detail, the electrically floated reflecting plate is extended onto an active layer part formed of amorphous silicon to prevent a thin film transistor including the active layer from inducing a leak current owing to direct incidence of light on the active layer.例文帳に追加

詳細に説明すると、非晶質シリコンで形成されるアクティブ層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記アクティブ層に光が直接入射して漏れ電流を誘発することを防止するために、電気的にフローティングさせた反射板を前記アクティブ層上部に延ばして形成する。 - 特許庁