「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the natural wood thin board material 10 has a surface layer 14 formed of a natural resin and/or a synthetic resin which do not undermine at least the pliability of the natural wood thin board material 12, applied as a coat on the surface of the material 12.例文帳に追加

また、天然木薄板材１０は、天然木薄板素材１２の表面に、少なくとも天然木薄板素材１２の柔軟性を阻害しない天然樹脂および／または合成樹脂がコーティングされて表面層１４が形成される。 - 特許庁

To provide a low-cost thin film EL element for developing good contrast and high display quality by solving the problem that the contrast property is poor on a conventional thin film EL element using a ceramic thick film dielectric layer.例文帳に追加

従来のセラミツク厚膜誘電体層を用いた薄膜ＥＬ素子において問題とされた、コントラスト特性が不良である問題を解決し、コントラスト特性が良好で、高い表示品質が得られる薄膜ＥＬ素子を低コストで提供する。 - 特許庁

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁

In an oxide thin film 2, as shown in Fig.1(b), a dope oxide layer 2a in which the n-type (electron conduction type) impurity is doped, and an undope oxide layer 2b in which the n-type impurity is not doped are laminated alternatively and repeatedly.例文帳に追加

酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。 - 特許庁

In the patterning process of the thin film transistor 44, holographic exposure and a tracking focus system is employed, design rule of 1.0 μm or less is employed, and only a polysilicon layer 41 and a first metal layer 42 are employed as the interconnect lines of the element chip 45.例文帳に追加

薄膜トランジスタ４４のパターニング工程で、ホログラフィック露光や追尾フォーカスシステムを用い、１．０μｍ以下の設計ルールを用い、素子チップ４５の配線として、多結晶シリコン層４１と第１の金属層４２のみを用いる。 - 特許庁

To provide a dividing method for a wafer with which a semiconductor substrate of a device having a metal layer bonded to an electrode frame can be prevented from cracking even when the metal layer to be stacked on the back surface of the semiconductor substrate is made thin.例文帳に追加

半導体基板の裏面に積層される金属層の厚みを薄くしても、電極フレームに金属層を接合したデバイスの半導体基板に割れが発生することを防止できるウエーハの分割方法を提供する。 - 特許庁

This optical switching element 20 having a reflector 21a such as a micro-mirror is provided with a thin film interfering layer 23 reflecting light by interfering on the surface of a metallic support layer 24 to increase the reflectivity using interfering.例文帳に追加

マイクロミラーなどの反射体２１ａを備えた光スイッチング素子２０において、金属製の支持層２４の表面に、干渉により光を反射する薄膜の干渉層２３を設け、干渉を利用して反射率の増大を図る。 - 特許庁

To provide a polycrystalline silicon layer that is uniform in the size of a crystal particle and distribution in a crystal grain boundary and can obtain improved characteristics when forming a thin-film transistor, to provide a manufacturing method of the polycrystalline silicon layer, and to provide a plane display.例文帳に追加

結晶粒の大きさや結晶粒界の分布が均一であり、薄膜トランジスタを形成した際に優秀な特性が得られる多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置を提供する。 - 特許庁

The light-emitting layer 31 and the second electrode layer 41 are formed in the shape of thin films by screen printing method.例文帳に追加

また、第１の電極層２１を、スクリーン印刷法で基板１１上に薄膜を形成した後エッチング処理して所定の発光パターン形状とし、発光層３１および第２の電極層４１をスクリーン印刷法で薄膜形状に形成した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer with excellent surface smoothness, has a thin film magnetic layer with the thickness of 0.03 to 0.30 μm optimum for short wavelength recording in particular and has an excellent electromagnetic conversion characteristic.例文帳に追加

表面平滑性に非常に優れる磁性層を有し、特に短波長記録に最適な厚み０．０３〜０．３０μｍの薄膜磁性層を有し、電磁変換特性に優れる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a decoration sheet having a protrusion and recess pattern capable of accurately forming a desired print layer in a recess part of a base material sheet without dividing or transmitting a metal thin film layer.例文帳に追加

基材シート上の凹凸模様の凹部内に所望の印刷層を正確に形成することができ、また金属薄膜層が割れたり透けたりすることがない凹凸模様を有する装飾用シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of pin holes in a vacuum heat insulation material pierced therein from the inside even when its outer wrapping material uses a thin innermost layer, thereby dispensing with a bag breakage inspection process and suppressing temporal gas intrusion due to permeation through the innermost layer.例文帳に追加

真空断熱材の外包材の最内層を薄くした場合にも、内部からの突き刺しピンホールの発生を防止でき、破袋検査工程を不要とし、さらに最内層を透過する経時的なガス侵入を抑制する。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁

The pads 11 and 22 and the wirings 4 are sealed in a protective resin layer 6, an electrically insulating organic film 51 seals the scintillator 3, covers the layer 6 and a metal thin film 52 is further formed thereon.例文帳に追加

そして、電極パッド１１、２２と配線４とは保護樹脂層６内に封入され、電気絶縁性の有機膜５１がシンチレータ３を密封するとともに、保護樹脂層６を被覆し、さらにその上に金属薄膜５２が形成されている。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of effectively suppressing permeation of moisture or oxygen into an organic light-emitting layer via a thin film sealing layer and capable of thinning thickness as a whole, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

本発明は、薄膜封止層を通して有機発光層に水分または酸素が浸透することを効果的に抑制すると共に全体的な厚さを薄型にした有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first metal wiring layer 41 (51, 52) suitably thin for microfabrication is formed on a substrate surface via a first interlayer film 31, and a second metal thick wiring layer 46 is thereon formed via a second interlayer film 35.例文帳に追加

基板表面上に第１の層間膜３１を介して微細加工が可能な程度に薄い第１の金属配線層４１（５１，５２）を形成し、その上に第２の層間膜３５を介して厚い第２の金属配線層４６を形成する。 - 特許庁

To provide a hard coat transfer foil which can maintain stable hard coat quality without being influenced by a material of an object to be transferred by preparing a thin film layer having extreme hardness on a transfer layer of a hard coat transfer foil.例文帳に追加

ハードコート転写箔の転写層に、極めて硬度な薄膜層を設けることにより、被転写体の材質に影響を受けないで、安定したハードコート性を維持できるハードコート転写箔を提供することを目的とする。 - 特許庁

A method of manufacturing the thin film field-effect transistor is provided, in which at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate and the source electrode and the drain electrode are provided on the active layer.例文帳に追加

基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of effectively suppressing permeation of moisture or oxygen into an organic light-emitting layer via a thin film sealing layer and capable of thinning thickness as a whole, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、薄膜封止層を通して有機発光層に水分または酸素が浸透するのを効果的に抑制すると共に全体的な厚さを薄型にした有機発光表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a second electrode 4 of the photoelectric conversion layer 3 having been separated by the connection groove 17, is connected to a first electrode 2 of an adjoining photoelectric conversion film layer 3, and the cells of a thin-film solar battery are connected in series.例文帳に追加

これにより、接続溝１７を介して分離された光電変換膜層３の第２電極４とその隣の光電変換膜層３の第１電極２とが接続されて、薄膜太陽電池のセルどうしが直列接続される。 - 特許庁

An insulating film 208 is formed covering a gate electrode 203, a gate insulating film 202 and a semiconductor layer 201 of a thin-film transistor, and an electrode 213 in contact with the semiconductor layer 201 is formed on the insulating film 208.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲイト電極２０３、ゲイト絶縁膜２０２及び半導体層２０１を覆って絶縁膜２０８が形成されており、絶縁膜２０８上に、前記半導体層２０１にコンタクトした電極２１３が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the difference in the work function between the gate electrode 15 including the semiconductor layer 15a and the semiconductor thin film 13 can be minimized, and the resistance of the gate electrode 15 including the silicide layer 15b can be also reduced at the same time.例文帳に追加

従って、半導体層１５ａを含むゲート電極１５と半導体薄膜１３との間の仕事関数差を小さくすることができ、且つ、シリサイド層１５ｂを含むゲート電極１５の抵抗を小さくすることができる。 - 特許庁

The proton conductive membrane is for a direct alcohol type fuel cell having a laminated structure composed of a complex thin-film layer consisting of a complex body of solid oxide and metal, and a polymer electrolyte layer arranged on its top face and bottom face.例文帳に追加

固体酸化物と金属との複合体からなる複合薄膜層と、その上面および下面に配置された高分子電解質層とからなる積層構造を有する直接アルコール型燃料電池用のプロトン伝導膜。 - 特許庁

In addition, since contact resistances can be reduced in an interface between the source electrode 3 and the organic semiconductor layer 8 and an interface between the drain electrode 4 and the organic semiconductor layer 8, the mobility of electric charges of the thin-film organic transistor 1 is improved.例文帳に追加

さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 - 特許庁

The strength of a substrate 2 is improved in the region having a provided reinforcing portion 4 since the reinforcing portion 4 for reinforcing the substrate 2 is so provided on the surface layer of the substrate 2 as to surround by it a thin-film circuit layer 3.例文帳に追加

基板２を補強する補強部４が当該基板２の表面層上に薄膜回路層３を囲うように設けられているので、補強部４が設けられた領域では基板２の強度が向上することになる。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

Subsequently, a non-reacting nickel thin film is removed by etching, and thus, a source contact layer 18 and a drain contact layer 19 can be self-aligningly formed on the first source region 14 and the first drain region 16, respectively.例文帳に追加

続いて、未反応のニッケル薄膜をエッチングによって除去することによって、第１ソース領域１４と第１ドレイン領域１６に対して自己整合的にソースコンタクト層１８とドレインコンタクト層１９とを形成することができる。 - 特許庁

This constitution allows the specific sample stage for the electron beam device comprising the specific sample holder 13 and the sample cover 15 to function and form a gas layer flow covering an extremely thin layer alone on the sample surface.例文帳に追加

本発明では、特殊な試料ホルダー１３および試料カバー１５から構成された電子ビーム装置用の特殊な試料ステージを機能させることにより、試料表面上の非常に薄い層のみを覆うガス層流を形成する。 - 特許庁

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C.例文帳に追加

この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第２のシリコン層の上に重なり、４００℃未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。 - 特許庁

Perfect depletion high speed MOS transistors and high breakdown strength MOS transistors are formed on the single crystal silicon device forming layer, and the single crystal silicon device forming layer in the perfect depletion high speed MOS transistor region is formed thin.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタおよび高耐圧型ＭＯＳトランジスタは単結晶シリコンデバイス形成層に形成し、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ領域の単結晶シリコンデバイス形成層膜厚を薄くした。 - 特許庁

The thin film type electron source ELS constitutes an MIM diode from a laminated structure of an image signal wiring (d) which is a lower electrode, a tunnel insulating layer TAO which is an electron acceleration layer and a connecting electrode ELC which is an upper electrode.例文帳に追加

薄膜型電子源ＥＬＳは下部電極である画像信号配線ｄと電子加速層であるトンネル絶縁層ＴＡＯと上部電極である接続電極ＥＬＣとの積層構造からなるＭＩＭダイオードを構成する。 - 特許庁

Consequently, a two-stage structure is formed in which a positive hole storage layer 16 corresponding to an area surrounded by the sidewall insulating film 26 which becomes a substantial light incidence opening is thick and the outer circumferential part of the positive hole storage layer 16 is thin.例文帳に追加

これにより、実質的な光の入射開口となる側壁絶縁膜２６で囲まれた領域と対応する正孔蓄積層１６の厚さを厚くし、かつ正孔蓄積層１６の外周部分を薄くした２段構造にした。 - 特許庁

A reinforcing layer provided on the surface of a multilayer printed wiring board having a thin electric insulation layer and a flexibility on the whole of the board raises the rigidity of the board.例文帳に追加

このような多層配線基板では電子部品の実装性が悪く、電子部品実装後の基板に力が加わった際に多層配線基板と電子部品の接続部に応力が集中し接続部分での信頼性を悪化させる。 - 特許庁

A transparent and thin silver antitarnish film 21 is formed by processing the surface of the silver plating layer 20 with a silver antitarnish agent to cover the entire surface of the silver plating layer 20 becoming the light reflecting surface 22.例文帳に追加

更に、この銀めっき層２０の表面を銀変色防止剤で処理して銀変色防止被膜２１を形成し、光反射面２２となる銀めっき層２０の表面全体を透明な薄い銀変色防止被膜２１でカバーする。 - 特許庁

The film deposition rate in the first layer diamond film is high even if it is thick, and the second layer diamond film is thin even if the film deposition rate therein is low, so that the total film deposition time is shortened, and the film deposition for the diamond electrode is made possible at a low cost.例文帳に追加

第１層ダイアモンド膜は厚くても成膜速度が速く、第２層ダイアモンド膜は成膜速度は低くても膜が薄いので、全成膜時間は少くなり、低コストでダイアモンド電極の成膜が可能になる。 - 特許庁

In the thin substrate fixing jig where a weak adhesive layer is formed on one face of a plate, the weak adhesive layer is formed of a series of conductive weak adhesive layers.例文帳に追加

本発明の薄型基板用固定治具は、平板の片面に弱粘着性層を形成した薄型基板用固定治具において、前記弱粘着性層が一続きの導電性弱粘着性層からなることを特徴とする。 - 特許庁

Next, the conductor layers 2, 3, the thin film conductor layer 6 and the conductor layer 7 are processed by patterning, and wiring layers 2a, 7a and lands for grating-like outside connection 3a, 7a are formed to obtain the film carrier 10.例文帳に追加

次に、導体層２、導体層３、薄膜導体層６及び導体層７をパターニング処理し、配線層２ａ及び７ａと格子状の外部接続用ランド３ａ及び７ｂを形成して、本発明のフィルムキャリア１０を得る。 - 特許庁

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated film without losing gas barrier properties and excellent in peel strength in a printing or lamination process even if the laminated film having a composite film having a thin film layer comprising an inorganic oxide formed thereto as a barrier layer is used in a soft package.例文帳に追加

無機酸化物の薄膜層を形成した複合フィルムをバリア層とする積層フィルムを軟包装体に使用した場合でも印刷やラミネート工程でガスバリア性が失われず、剥離強度に優れた積層フィルムを提供する - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor in which a polycrystalline silicon layer which comprises a large size of a crystal grain and a small amount of a residual metal catalyst is manufactured, and characteristics of the polycrystalline silicon layer can be controlled.例文帳に追加

結晶粒の大きさが大きく、残留する金属触媒の量が微量である多結晶シリコン層を製造でき、多結晶シリコン層の特性を制御することができる薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin fullerence film, a Fermi vector well overlaps the small-number spin bands or large-number spin bands of a ferromagnetic fixed layer 23 and a ferromagnetic free layer 25, and the spin orientation of the included paramagnetic material is made to become random.例文帳に追加

内包フラーレン薄膜は、フェルミベクトルが強磁性固定層２３および強磁性自由層２５の少数スピンバンドまたは多数スピンバンドとよく重なっており、また、内包されている常磁性材料のスピンの配向がランダムとなっている。 - 特許庁

Further, it is excellent in sensuousness because it produces blue fluorescence upon irradiation with a black-light, thereby the part with or without a thin top layer 18 also has fluorescent properties similar to those of the top layer 18.例文帳に追加

また、ブラックライトを照射すると青色の蛍光を発することから、上層１８の薄い部分やこれが設けられていない部分でもその上層１８と同様な蛍光性を有するので、審美性にも優れる利点がある。 - 特許庁

A toothed belt 10 includes: a tooth rubber portion 11 with teeth 14 and tooth bottoms 15 alternately formed; a thin tooth surface rubber layer 16 provided on the surface of the tooth rubber portion 11; and a tooth cloth 20 covering the tooth surface rubber layer 16.例文帳に追加

歯付きベルト１０は、歯部１４と歯底部１５とを交互に形成した歯ゴム部１１と、歯ゴム部１１の表面に設けた薄層の歯表面ゴム層１６と、歯表面ゴム層１６を被覆する歯布２０とを備える。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell is manufactured by forming fine grooves of nano-scale width on a donor or acceptor layer by applying nano-imprint processing using an imprint mold, and mating the other donor or acceptor layer with the fine grooves.例文帳に追加

インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーまたはアクセプターの層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝にもう片方のドナーまたはアクセプターの層を充填して有機薄膜太陽電池を製造する。 - 特許庁

A method is for manufacturing a bottom gate type thin film transistor 1, in which a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a semiconductor active layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15 are successively formed on a flexible plastic substrate 10.例文帳に追加

可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。 - 特許庁