「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A thin film layer is formed on a substrate to be mounted with a semiconductor device to be tested, and a plurality of temperature monitoring circuits are provided on this thin film layer to obtain the heat generation distribution of the device by signals from these circuits.例文帳に追加

試験を行なう半導体装置を実装する基板に薄膜層を形成し、この薄膜層に複数の温度モニタ回路を設け、この温度モニタ回路からの信号によって半導体装置の発熱分布を得る。 - 特許庁

To provide a thin layer solar cell, along with a manufacturing method for a thin-film solar cell, which uses a compound semiconductor film in which both high throughput and carrier occurrence of an n-type semiconductor layer are ensured for providing a high energy efficiency.例文帳に追加

高いエネルギー効率を実現するためにｎ型半導体層のキャリア発生と高スループットとを両立した化合物半導体膜を用いた薄層太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法の提供。 - 特許庁

A circuit 54 is formed by repeatedly forming a thin-film layer on the peripheral surface of the linear semiconductor material 30 and writing a circuit pattern on the thin-film layer to provide a linear semiconductor 50.例文帳に追加

線状半導体素材３０の外周面への薄膜層の形成と、薄膜層への回路パターンの描画とを繰り返して、線状半導体素材３０の外周面に回路５４を形成し、線状半導体５０を得る。 - 特許庁

The thin film structure P formed on the front face of a substrate S made of a resin is provided with an adhesion layer M formed on the front face of the substrate S and the inorganic thin film layer F formed on the front face of the substrate S.例文帳に追加

樹脂製の基板Ｓの表面に形成された薄膜構造体Ｐであって、基板Ｓの表面に形成された密着層Ｍと、密着層Ｍの表面に形成される無機薄膜層Ｆとを備えている。 - 特許庁

Specifically, when forming the piezoelectric thin film layer 16 by a sputtering method, a bias not less than -30V nor more than 0V is applied to the substrate 11 at the time of sputtering to apply compressive stress to the piezoelectric thin film layer 16.例文帳に追加

具体的には、スパッタ法により圧電体薄膜層１６を形成する場合、そのスパッタ時に、基板１１に−３０Ｖ以上０Ｖ以下のバイアスを印加することで、圧電体薄膜層１６に圧縮応力を付与する。 - 特許庁

To fabricate a high mobility organic thin film transistor in which positional precision of a semiconductor layer is enhanced by preventing impairment of the semiconductor layer caused by the process in a bottom contact type organic thin filter transistor element.例文帳に追加

本発明の目的は、ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ素子において、プロセスによる半導体層の劣化を防ぎ、半導体層の位置精度が良好で高移動度な有機薄膜トランジスタを製造することにある。 - 特許庁

The thickness of the dielectric layer 8 on the thin line electrodes 14a, 15a far from the discharge gap 16 is set larger than that of the dielectric layer 8 on the other thin line electrodes 14a, 15a.例文帳に追加

放電ギャップ１６から遠い位置の細線電極１４ａ、１５ａ上の誘電体層８の厚みが他の細線電極１４ａ、１５ａ上の誘電体層８の厚みより大きくなるように構成されている。 - 特許庁

To provide a solar battery having a high voltage characteristic by forming a compound semiconductor thin film between a light absorbing layer and a buffer layer, the semiconductor thin film having a large energy difference between the bottom of a conduction band and a Fermi level.例文帳に追加

光吸収層とバッファ層との間に、伝導帯の底とフェルミレベルとのエネルギー差が大きい化合物半導体薄膜を形成することによって、電圧特性が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide.例文帳に追加

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。 - 特許庁

On the first insulating layer 20a, a thin film coil 21 is formed so as to be the same height at least as the first magnetic pole 19a, and then a second insulating layer 20b is formed between windings of the thin film coil 21.例文帳に追加

第１の絶縁層２０ａ上に薄膜コイル２１を少なくとも第１の磁極１９ａと同じ高さとなるように形成し、その後、薄膜コイル２１の巻線間に第２の絶縁層２０ｂを形成する。 - 特許庁

Since the height of the thin-film pattern layer is substantially equal to that of the partition wall, there is no need to polish the partition wall and the thin-film pattern layer by polishing and etching and a demand for high evenness can be satisfied.例文帳に追加

前記薄膜パターン層の高さと隔壁の高さが略等しいから、前記製造方法が研磨とエッチング方法で隔壁と薄膜パターン層を研磨する必要がなく、均一度の要求を実現できる。 - 特許庁

A surface of a cylindrical soft magnetic metal thin film layer formation film laminated body 12 composed by stacking a plurality of annular soft magnetic metal thin film layer formation films 11 is coated with an insulator 13 and a cylindrical structure is attained.例文帳に追加

環状の軟磁性金属薄膜層形成フィルム１１を複数枚積層してなる筒状軟磁性金属薄膜層形成フィルム積層体１２の表面を、絶縁物１３で被覆し、筒状構造する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the thin-film electronic part in which a thin-film element 3 is formed on one surface of the supporting member 1 and a sacrificial support layer 8 capable of removed by dissolution is formed on the other surface, it is desirable that visible rays are transmitted through the supporting member 1 and the sacrificial support layer 8.例文帳に追加

支持部材１の一面に薄膜素子３を、他面に溶解除去可能な犠牲支持層８を形成してなるもので、支持部材１および犠牲支持層８が可視光を透過することが望ましい。 - 特許庁

To provide a double metal thin tube in which the first layer consists of a metal such as Au, Ag and Cu, and the second layer consists of metal different from the above metal, and to provide a method of producing the double metal thin tube.例文帳に追加

１層目がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属からなり、２層目が前記金属と異なる種類の金属からなる２重金属細管およびこの２重金属細管の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method includes at least a local reduction and/or oxidation of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide to change the degree of oxidation of iron atoms of a part of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide.例文帳に追加

この方法は、半導体性酸化鉄の薄層（９）の一部の鉄原子の酸化の程度を変更するために半導体性酸化鉄の薄層（９）の局所還元及び／又は酸化の工程を少なくとも含む。 - 特許庁

On the position after a toner thin layer is uniformly flattened by the flattening blade, an optical sensor which detects the concentration in the toner thin layer is disposed and a detector which detects the current flowing through the flattening blade is disposed.例文帳に追加

均しブレードによりトナー薄層を均一に均した後の位置において、トナー薄層の濃度を検出する光学センサが備えられ、また、均しブレードに流れる電流を検出する検出器が備えられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor active layer, capable of arbitrarily controlling a compositional ratio of cations, a method of manufacturing a thin film transistor using the same and a thin film transistor having the semiconductor active layer.例文帳に追加

陽イオンの組成比を任意に調節することができる半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

The layered product 12 continuously includes a thin deformable absorption layer 13 and a thin layer 14 formed of a material capable of locally emitting gas generated by a heating action caused by the optical radiation.例文帳に追加

積層体１２は、変形可能な薄い吸収層１３と、光学放射によって引き起こされる加熱作用によるガスを局部的に放つことのできる材料によって形成された薄い層１４とを連続的に含む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film deposition substrate which is excellent in high density recording property and surface flatness, in a method of depositing thin film of a single layer or a multi-layer, and a disk for recording and playback.例文帳に追加

基板上に単層または多層の薄膜を形成する方法であって、高密度記録特性および表面平坦性に優れた薄膜形成基板の製造方法および記録再生用ディスクを提供する。 - 特許庁

There are provided a method of forming a thin-film crystal, and a semiconductor element using the crystal including a high-temperature buffer layer 2 formed on a substrate 1 and a low-temperature thin film 3 which is formed on this high-temperature buffer layer 2.例文帳に追加

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板１上に形成される高温バッファー層２と、この高温バッファー層２上に形成される低温薄膜３とを具備する。 - 特許庁

Further the surface resistivity of the evaporated thin film layer (3) is 50-1,000 Ω/cm^2 and the thickness of the evaporated thin film layer (3) is within a range of 5-300 nm.例文帳に追加

さらに前記蒸着薄膜層（３）表面の表面固有抵抗が、５０〜１０００Ω／ｃｍ^2で、前記蒸着薄膜層（３）の厚さが、５〜３００ｎｍの範囲内であることを特徴とする帯電防止バリアフィルムである。 - 特許庁

To provide a face material which is formed by laminating a thin body A and a base material B of a rubber-reinforced resin composition, has a good appearance of the thin part A, high adhesion between each layer, and a highly solvent-resistant anchor coat layer, and is easily manufactured.例文帳に追加

ゴム強化樹脂組成物の薄肉体（Ａ）と基材（Ｂ）を積層して成り、薄肉体（Ａ）の外観が良好で、各層間の密着性、アンカーコート層の耐溶剤性が優れ、製造が容易な面材を提供する。 - 特許庁

The second electrode terminal and the second nonconduction terminal have portions penetrating the second thin film element layer, respective portions exposed to the upper and lower surfaces of the second thin film element layer, respectively.例文帳に追加

第２の電極端子と第２の非導通端子は、それぞれ、第２の薄膜素子層を貫通する貫通部と、第２の薄膜素子層の上面、下面にそれぞれ露出する上側露出部及び下側露出部と、を備える。 - 特許庁

To secure high film flatness by forming a first dielectric thin film and a second dielectric thin film that is provided by applying a dielectric-forming composition onto the first dielectric thin film so that a dense layer is formed on the surface of the first dielectric thin film.例文帳に追加

第１の誘電体薄膜と、この誘電体薄膜の上に誘電体形成用組成物を塗布して第２の誘電体薄膜を形成して、第１の誘電体薄膜の表面に緻密な層を形成し、当該膜の高い平坦性を確保する。 - 特許庁

To provide a mask for patterning a thin film by which the thin film can be patterned without damaging an organic polymer film formed on a substrate, in the mask for patterning the thin film used when the thin film is patterned on the substrate on which the organic polymer layer is formed.例文帳に追加

有機高分子層を形成した基板上に薄膜をパターン形成する際に使用する薄膜パターン化用マスクにおいて、基板上に形成された有機高分子膜にキズをつけることなく、薄膜のパターン化が可能な薄膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁

A sample is acquired by forming a resin 13 layer on the thin film 12 side of a substrate 11 on which the thin film 12 is laminated, and after mounting an AE sensor 21 on the sample 1, the sample 1 is cooled to exfoliate the thin film 12.例文帳に追加

薄膜１２が積層された基板１１の薄膜１２側に樹脂１３層を形成したものを試料１とし、試料１にＡＥセンサ２１を取り付けた後、試料１を冷却し薄膜１２を剥離させる。 - 特許庁

To provide an ultra-thin copper foil with carrier, wherein an ultra-thin copper foil having minimized number of pinholes is formed, by plating, on a peeling layer that withstands high working temperature, and to provide a printed circuit board using the ultra-thin copper foil with carrier.例文帳に追加

高温の加工温度に耐える剥離層上にピンホールの少ない極薄銅箔をめっきで設けてなるキャリア付き極薄銅箔と、該キャリア付き極薄銅箔を使用したプリント配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of a thin film transistor element having an electrode with a dissimilar material as a constituent layer, the thin film transistor element manufactured by the manufacturing method and a thin film transistor element sheet.例文帳に追加

異種材料を構成層として有する電極を有する薄膜トランジスタ素子の簡便な製造方法及び、前記製造方法により製造された薄膜トランジスタ素子及び薄膜トランジスタ素子シートを提供する。 - 特許庁

Alternatively, the stacked film has an intermediate film formed on a base layer and an epitaxial film formed on the intermediate film, wherein the epitaxial film is an LiTaO_3 thin film, an LiNbO_3 thin film or a thin film of a solid solution (Li(Ta, Nb)O_3) of these compounds.例文帳に追加

また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO_3薄膜、LiNbO_3薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O_3)薄膜である。 - 特許庁

This metal thin sheet laminate is a laminate comprising a metal thin sheet and a polymer compound and characterized in that the resin layer applied to the surface of the metal thin sheet has a void volume of 0-5%.例文帳に追加

金属薄板と高分子化合物との積層体であって、金属薄板表面に付与されている樹脂層内の気泡率が体積比で０％〜５％であることを特徴とする金属薄板積層体を用いる。 - 特許庁

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process.例文帳に追加

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board, including an incorporated thin-film element which has a multilayer wiring layer with high reliability on the thin-film element while suppressing characteristic deterioration of the thin-film element on a substrate which is caused in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程に発生する基板上の薄膜素子の特性劣化を抑制しつつ、薄膜素子上に高い信頼性の多層配線層を有する、薄膜素子を内蔵した多層配線基板を提供する。 - 特許庁

Thin part of a single crystal semiconductor substrate, typically a single crystal silicon substrate, is detached to structure a photoelectric conversion device using a thin single crystal semiconductor layer, which is the detached thin part of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板、代表的には単結晶シリコン基板を薄板化し、該薄板化された単結晶半導体基板である薄板単結晶半導体層を用いて光電変換装置を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged.例文帳に追加

半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。 - 特許庁

The intermediate layer formation substance which is superior in solubility and of which the thin film formation is easy can produce the thin films easily that are superior in stability against a solvent after film formation and wherein the thin films of various thicknesses can be manufactured easily.例文帳に追加

本発明の中間層形成物質は、可溶性に優れて薄膜形成が容易であり、薄膜形成後の溶媒に対する安定性に優れかつ多様な厚さの薄膜を容易に製造しうる。 - 特許庁

The thin film phosphor substrate has a four-layer structure having a transparent substrate, a conductive film, a phosphor thin film and a low-refractive index film, and the refractive index of the low-refractive index film is ≤1.5 and film thickness of the phosphor thin film is ≤1 μm.例文帳に追加

透明基板、導電膜、蛍光体薄膜、低屈折率膜を有する４層構造であり、この低屈折率膜の屈折率は１．５以下であり、また、蛍光体薄膜の膜厚は１μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for forming a multilayered thin film, which makes at least a particular layer of the multilayered thin film on a substrate to be a predetermined thickness, and an apparatus for forming the multilayered thin film.例文帳に追加

基板上に形成する多層薄膜の少なくとも特定の層の膜厚が所定の厚さになるように薄膜を形成することができる多層薄膜形成方法及び多層薄膜形成装置を提供すること。 - 特許庁

To turn a semiconductor layer into a thin film by injecting releasing materials into the semiconductor layer, and to prevent the releasing materials from having an adverse effect on a semiconductor device.例文帳に追加

剥離用物質を注入して半導体層を薄膜化すると共に、半導体デバイス部に対する剥離用物質による悪影響を排除する。 - 特許庁

To obtain a remarkably thin coating layer of a scraping type and simultaneously to remarkably decrease the thickness distribution of the coating layer in width the direction of a supporting body.例文帳に追加

掻き落としタイプの極薄の塗布層を得るという特長を維持しながら、塗布層の支持体幅方向の厚み分布も顕著に小さくする。 - 特許庁

A recording head is provided with lower and upper magnetic pole layers 11, 16, a connection part 20, a recording gap layer 14, a thin film coil 15, and a cooling layer 12.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層１１、上部磁極層１６、連結部２０、記録ギャップ層１４、薄膜コイル１５および冷却層１２を有している。 - 特許庁

A high-frequency current suppressor is of sheet structure equipped with, at least, an adhesive agent layer 3 or an adhesive layer formed on the surface of a magnetic thin film 1.例文帳に追加

磁性薄膜１の少なくとも一面に、接着剤層３又は粘着層を備えたシート形状を有する高周波電流抑制体である。 - 特許庁

Since an insulation layer 104 of a thin film or a fine particle layer is formed on the surface of each cathode electrode 103, the discharge method is a fume-discharge.例文帳に追加

また、陰極１０３表面に薄膜又は微粒子層による絶縁体層１０４を形成することで、放電方法を噴霧放電とする。 - 特許庁

The method of forming the patterned thin film comprises processes of forming a first partial layer 6 and a second partial layer 10, respectively.例文帳に追加

パターン化薄膜形成方法は、それぞれフレームめっき法によって１層目の部分層６と２層目の部分層１０を形成する各工程とを備えている。 - 特許庁