| 意味 | 例文 |
thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9481件
Thus polishing film is formed with a polishing layer 2 on the surface of a supporting body 1 and a slippage prevention layer 3 on the back of the supporting body 1, while the slippage prevention layer is composed of a minute sticking thin layer of 2 to 4 μm thickness.例文帳に追加
支持体1の表面に研磨層2が形成され、支持体の裏面にすべり防止層3が形成された研磨フィルムであり、すべり防止層3は、厚さ2〜4μmの微粘着性の薄い層からなる。 - 特許庁
To provide a heat dissipating configuration for solar energy battery which uses a structure of direct connection of a circuit layer to a thin film insulating layer in replacement of a conventional buffer layer and a ceramic material layer to improve heat dissipation efficiency.例文帳に追加
従来のバファ層とセラミック材料層の代わりに、回路層が直接に薄膜絶縁層に結合されるものを利用し、放熱効率が向上される太陽エネルギー電池放熱構成を提供する。 - 特許庁
Alternatively, the hard coat layer and the base material layer are laminated, the uneven structure is formed on the surface of the base material layer, and a thin metal layer is formed on it to form a reflection type resin sheet excellent in light diffusion properties.例文帳に追加
また、ハードコート層と基材層とを積層し、前記基材層の表面に凹凸構造を形成し、その上に金属薄層を形成することにより光拡散性に優れた反射型の樹脂シートとする。 - 特許庁
To conform the lamination relation of a transferred layer to a substrate used when manufacturing the transferred layer including a thin-film device with the relation of the transferred layer to a transfer destination to which the transferred layer is transferred.例文帳に追加
薄膜デバイスを含む被転写層の製造時に用いた基板に対する被転写層の積層関係と、その被転写層の転写先である転写体に対する被転写層の積層関係とを一致させること。 - 特許庁
Thus, un-stabilization of the fixed layer in an annealing process under the high temperature is suppressed even though the thin antiparallel binding layer is used, and by which the strong adhesion between the first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer is maintained.例文帳に追加
これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第1強磁性層と第2強磁性層との強い結合を維持することができる。 - 特許庁
To provide a thin-film laminated substrate and the like that can suppress a conductive layer from having a step cutoff electrically causing short circuiting, the conductive layer that covers a step difference region of an insulating layer and the upper layer of the periphery of the step difference region.例文帳に追加
絶縁層の段差部、及び当該段差部近傍の上層を被覆する導電層が、電気的に段切れしてショートすることを抑制することができる薄膜積層基板等を提供すること。 - 特許庁
Alternatively, the light shielding transfer film is obtained by sequentially laying, on a temporary support, a positive photosensitive resin layer, a light shielding thin film layer having a visible light transmittance of <1%, and a negative photosensitive resin layer or thermosetting resin layer.例文帳に追加
仮支持体上に、ポジ型感光性樹脂層と、可視光線透過率が1%未満の遮光性薄膜層と、ネガ型感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層を順次積層してなる遮光性転写フィルム。 - 特許庁
The thin-film transistor includes an oxide semiconductor layer 7 comprising oxide which is provided on a substrate 1, and an upper layer insulating film 9 which is formed continuously from the oxide semiconductor layer 7, on the oxide semiconductor layer 7.例文帳に追加
基板1上に設けられた酸化物からなる酸化物半導体層7と、酸化物半導体層7上に酸化物半導体層7に対して連続成膜された上層絶縁膜9とを備えている。 - 特許庁
The transfer sheet has a transfer layer having at least a front anchor layer, a metal thin film and the back anchor layer formed on one face of a base body sheet, and the back anchor layer contains an inorganic acid ester compound.例文帳に追加
基体シートの片面に、少なくとも、前アンカー層、金属薄膜及び後アンカー層を有する転写層が形成されている転写シートであって、該後アンカー層が無機酸エステル化合物を含んで成る転写シート。 - 特許庁
This transfer sheet which is formed on one surface of a base sheet at least a transfer layer, with a forward anchor layer, the metallic thin film and a rear anchor layer, wherein the forward anchor layer contains an inorganic ester compound.例文帳に追加
基体シートの片面に、少なくとも、前アンカー層、金属薄膜及び後アンカー層を有する転写層が形成されている転写シートであって、該前アンカー層が無機酸エステル化合物を含んで成る転写シート。 - 特許庁
A very thin coupling agent layer 13 and a surfactant layer 14 are interposed between a dielectric layer 12, made of anode oxidizing film and a cathode conductive layer, thereby realizing a low leakage current and a high withstand voltage.例文帳に追加
極めて薄いカップリング剤層13と界面活性剤層14を陽極酸化皮膜からなる誘電体層12と陰極導電層間に介在させることにより低漏れ電流及び高耐電圧が実現される。 - 特許庁
The superconductive thin film material 10 is equipped with a substrate 11, an intermediate layer 12 of one layer or two or more layers formed on the substrate 11, and a superconductive layer 13 formed on the entermediate layer 12.例文帳に追加
超電導薄膜材料10は、基板11と、基板11上に形成された1層または2層以上の中間層12と、中間層12上に形成された超電導層13とを備えている。 - 特許庁
Since the first frame-shaped metallization layer 104 is thin, bleeding is minimized and a gap 109 can be ensured, and bonding strength of the frame-shaped metallization layer can be assured by the second frame-shaped metallization layer 105 which covers a part of the first frame-shaped metallization layer 104.例文帳に追加
第1枠状メタライズ層104が薄いためにじみを抑制してギャップ109を確保でき、第1枠状メタライズ層104の一部を覆う第2枠状メタライズ層105により枠状メタライズ層の接合強度を確保できる。 - 特許庁
The semiconductor thin-film photoelectric conversion layer 3 is equipped with a photovoltaic layer, which partially contains at least a layer of silicon other than amorphous silicon, and the photovoltaic layer is formed as thick as 1 to 4 μm.例文帳に追加
半導体薄膜光電変換層3は、水素を含む非晶質以外のシリコン層を少なくとも1部に含む発電層を有し、その発電層は1μm以上4μm以下の膜厚で形成されている。 - 特許庁
The film layer is thin enough for thermal energy of a thermal printer to pass through the film layer and an adhesive for sticking the film layer to the base material layer to form an image on the thermal image forming membrane.例文帳に追加
フィルム層は、サーマルプリンタの熱エネルギーがフィルム層と、そのフィルム層を基材層に取付けるための接着剤とを通過して基材層上の熱像形成被膜に像形成できる程度に十分に薄い。 - 特許庁
To provide a thin film transistor of stable electric characteristics which uses an oxide semiconductor layer by reducing contact resistance between the oxide semiconductor layer and a source electrode layer or drain electrode layer.例文帳に追加
酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁
The surface of the thin film coil 10 at the second magnetic layer 14 side is located at the first magnetic layer 8 side rather than the end location at the second magnetic layer 14 side of the gap layer 9 in the medium facing surface ABS.例文帳に追加
薄膜コイル10の第2の磁性層14側の面は、媒体対向面ABSにおけるギャップ層9の第2の磁性層14側の端部の位置よりも、第1の磁性層8側に配置されている。 - 特許庁
The printability is improved by changing the conventional 4 layer laminated body of supporting body/photosensitive resin layer/slip layer/ protective film to a 5 layer laminated body of supporting body/photosensitive resin layer/photosensitive resin colored thin film/slip layer/protective film.例文帳に追加
従来の感光性樹脂フレキソ版材の層構成すなわち支持体・感光性樹脂層・スリップ層・保護フイルムの4層積層体を支持体・感光性樹脂層・感光性樹脂着色薄膜・スリップ層・保護フイルムの5層積層体にすることにより、印刷適性の向上をはかる。 - 特許庁
In manufacturing this optical microdevice, a thin film-like resin layer PLL is formed on the lower supporting layer SL_1, then a ruggedness distribution is imparted to the resin layer PLL by press forming to form the device layer PDL and finally the upper supporting layer SL_2 is formed on the device layer PDL.例文帳に追加
この光マイクロデバイスの製造に際しては、まず下側支持層SL1上に薄膜状の樹脂層PLLを形成し、次にプレス成形により樹脂層PLLに凹凸分布を付与してデバイス層PDLとし、最後にデバイス層PDL上に上側支持層SL2を形成する。 - 特許庁
To provide a method for forming a compound insulation layer by which a thin and uniform adhesive layer can be formed and the adhesion between the adhesive layer and a porous layer can be sufficiently ensured, an insulation layer that can be obtained by the method, and a method for manufacturing a wiring board wherein the insulation layer is formed by the method.例文帳に追加
薄くて均一な接着層が形成でき、しかも接着層と多孔質層との密着力が十分となる複合絶縁層の形成方法、当該形成方法で得られる絶縁層、及び当該形成方法で絶縁層を形成する配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
This thin film transistor includes, on a substrate, a gate electrode layer, a semiconductor layer, a gate insulating layer formed between the gate electrode layer and the semiconductor layer, a source region and a drain region in contact with the semiconductor layer, a source electrode in contact with the source region, and a drain electrode in contact with the drain region.例文帳に追加
基板上に、ゲート電極層と、半導体層と、ゲート電極層及び半導体層の間に設けられるゲート絶縁層と、半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域に接するソース電極と、ドレイン領域に接するドレイン電極とを有する。 - 特許庁
This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.例文帳に追加
メッキシート1は、連続発泡スポンジである弾性層20を中心に、弾性層20の形成過程で生成される一方のスキン層20aにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層10を形成し、他方のスキン層20aにPETフィルムであるフィルム層30を接着した。 - 特許庁
The piezoelectric thin film element is provided with an acoustic multilayer film 105 formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer (high acoustic impedance layer) 102 and a SiO_2 layer (low acoustic impedance layer) 103 on a substrate 101 comprising single crystal silicon or the like and the uppermost layer of which is a SiO_2 layer 104.例文帳に追加
単結晶シリコンなどから構成された基板101の上に、Al_2O_3層(高音響インピーダンス層)102とSiO_2層(低音響インピーダンス層)103とが交互に積層されて最上層がSiO_2層104とされた音響多層膜105を備えている。 - 特許庁
A conductive layer 2 laminated between the support layer 1 and the thermoplastic innermost layer 3 is provided to a region to be heat-sealed by high frequency induction heating so as to transfer the heat generated by induction heating to the innermost layer 3, where the conductive layer 2 is a thin film layer comprising a metallic conductive material.例文帳に追加
高周波誘導加熱によりヒートシールされる帯域に、誘導加熱により発生した熱が最内層に伝わるように支持層1と熱可塑性最内層3との間に積層された導電性層2を有し、導電性層2が金属性導電材料からなる薄膜層である。 - 特許庁
A semiconductor device comprises an inverted staggered (bottom-gate structure) thin film transistor which includes an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn as a semiconductor layer, and a buffer layer including a metal oxide layer between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加
半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁
A 1st tunnel junction 18 is formed of a magnetic free layer 10, and a 1st magnetic fixed layer 12, and a thin insulating layer 11 formed between both layers, and a 2nd tunnel junction 19 is composed of a magnetic free layer 10, a 2nd magnetic fixed layer 13, and the insulating layer 11.例文帳に追加
第1のトンネル接合18は、磁化自由層10、第1の磁化固定層12と、両層の間に形成された薄い絶縁層11によって形成され、第2のトンネル接合19は、磁化自由層10と第2の磁化固定層13、及び絶縁層11によって構成される。 - 特許庁
The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加
この薄膜EL素子は、ガラス基板1上に、下部電極層2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5および上部電極層6を順次積層することにより形成されており、発光層4のEL発光7はガラス基板1を介して出力される。 - 特許庁
The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.例文帳に追加
こうしたAg薄膜層15は、無電解メッキによるCu配線層11形成時において、Cu配線層11とAg接続層14との接続強度を高め、またセラミック層12上に十分な厚みのCu配線層11を形成することに寄与する。 - 特許庁
This superconductor multilayer structure is provided with a first thin dielectric layer which is formed on a first superconductor layer on a substrate by using high frequency sputtering, a second dielectric layer which is formed thickly on the first dielectric layer by using DC reactive sputtering, and a second superconductor layer formed on the second dielectric layer.例文帳に追加
基板上の第一超電導体層に高周波スパッタリングにより形成した薄い第一誘電体層と該第一誘電体層に直流反応性スパッタリングにより厚く形成した第二誘電体層と該二誘電体層に形成した第二超電導体層を備える。 - 特許庁
The thin plate 10 is provided with an electrolyte layer 11, a fuel electrode layer 12 which is formed in lamination on an upper surface of the electrolyte layer 11 and has a larger thermal expansion ratio than the electrolyte layer 11 and an air electrode layer 13 formed in lamination on a lower surface of the electrolyte layer 11.例文帳に追加
この薄板体10は、電解質層11と、電解質層11の上側面に積層・形成された電解質層11よりも熱膨張率が大きい燃料極層12と、電解質層11の下側面に積層・形成された空気極層13とを備えている。 - 特許庁
The transparent laminated film comprises a high-refraction index layer and a low-refraction index layer mutually laminated on at least one face of a transparent polymer film, both the high-refraction index layer and the low-refraction index layer having a coating thin film layer, and at least the high-refraction index layer having an organic content.例文帳に追加
透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層されており、高屈折率層および低屈折率層は、ともにコーティング薄膜層であり、少なくとも高屈折率層は、有機分を含有している透明積層フィルムとする。 - 特許庁
In a titanium-tantalum barrier thin film used together with an interconnecting thin film of copper, a relatively excessive titanium/insufficient tantalum portion is formed near the boundary between the thin film and a dielectric thin film, and a relatively excessive tantalum/insufficient titanium portion is formed near the boundary between the thin film and a conductive interconnecting thin film formed on the barrier layer.例文帳に追加
銅のような相互接続薄膜とともに用いるためのチタン−タンタル障壁層薄膜とその形成方法により、誘電体薄膜と形成する境界付近の相対的にチタン過剰/タンタル欠乏部分と、障壁層上に形成された導電性相互接続薄膜と形成する境界付近の相対的にタンタル過剰/チタン欠乏部分ができる。 - 特許庁
The coil element is characterized in that it comprises a first thin film coil 1 spirally formed in the plane of a surface, a second thin film coil 2 spirally formed along and adjacent to the first thin film coil in the same plane where the first thin film 1 is formed, and an insulating layer 3 provided between the first thin film coil 1 and the second thin film coil 2.例文帳に追加
面内にスパイラル状に形成された第1の薄膜コイル1と、第1の薄膜コイル1と同一面内において第1の薄膜コイル1に沿い隣接してスパイラル状に形成される第2の薄膜コイル2と、第1の薄膜コイル1と第2の薄膜コイル2の間に設けられた絶縁層3とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
To prevent a wiring conductor layer and a thin-film wiring conductor layer formed on the upper layer of a resin insulating layer from being short- circuited by preventing a defect hole from penetrating the wiring conductor layer even if a laser beam is applied to the resin insulating layer through a pin hole located on the dielectric layer of a mask and hence the defect hole is formed.例文帳に追加
マスクの誘電体層にあるピンホールを通してレーザ光が樹脂絶縁層に照射され欠損孔が形成されても、配線導体層まで貫通しないようにして、配線導体層と樹脂絶縁層の上層に形成した薄膜配線導体層とがショートするのを解消すること。 - 特許庁
In the thin film transistor that uses the oxide semiconductor layer, a buffer layer having a high resistance region and a low resistance region on the oxide semiconductor layer is formed, and the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or drain electrode layer contact each other through the low resistance region of the buffer layer.例文帳に追加
酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁
A grip part 5 is formed in a three-layer structure comprising the body layer of the grip 7 made of a fiber reinforced resin, a viscoelastic material layer 8 covering the body layer of the grip 7 and a thin hard shell 9 that is arranged in the circumference of the viscoelastic material layer 8 and is independent from the body layer of the grip 7 by the viscoelastic material layer 8.例文帳に追加
グリップ部5は、繊維強化樹脂製のグリップ本体層7と、該グリップ本体層7を被包する粘弾性材層8と、その周囲に配設され、該粘弾性材層8によって前記グリップ本体層7と独立された薄肉の硬質シェル9とから成る3層構造に形成されている。 - 特許庁
As a result, the thickness of each of the low refractive index layer and the high refractive index layer is controlled with high precision so as to become extremely thin, and the uniformity of each layer is improved.例文帳に追加
これにより、低屈折率層及び高屈折率層の各層の厚みを極めて薄く且つ精度高く制御することができ、しかも各層の均一性を高めることもできる。 - 特許庁
To flatten an upper surface of an insulating layer under a rugged reflecting layer in a reflection type liquid crystal display device provided with a rugged reflecting layer on the internal surface side of a thin film transistor substrate.例文帳に追加
薄膜トランジスタ基板の内面側に凸凹な反射層が設けられた反射型の液晶表示装置において、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を平坦とする。 - 特許庁
This results in having no need for the cap layer to be a certain thickness so that the cap layer is kept to be in the wafer condition for preventing a crack to be caused if the cap layer becomes a thin film from the outset.例文帳に追加
これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。 - 特許庁
To provide a laminated film in which an adhesive property between a plastics base material and a layer composed of a cyclic polyolefin-based resin is improved, even when the layer is formed as a thin layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
薄膜に形成しても、プラスチック基材と環状ポリオレフィン系樹脂で構成された層との密着性を向上できる積層フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film transistor such that the thickness of a gate insulating layer is easily made thick and semiconductor characteristics of a channel layer region are prevented from deteriorating caused by the influence of the gate insulating layer.例文帳に追加
ゲート絶縁層の厚さを大きくすることが容易であり、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が防止された薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁
Then a conductive thin film having three-layered structure consisting of a nitried layer 103 of a conductive metal, a nitried layer 104 of a conductive metal, and a nitride layer 105 of a conductive metal is formed by a sputtering method.例文帳に追加
その後、導電性金属の窒化層103と導電性金属104および導電性金属の窒化層105の3層構造の導電性薄膜をスパッタリングで形成する。 - 特許庁
The optical recording medium has a recording layer 3 formed on the roughened pattern of a 0.005 mm to 0.3 mm thick thin base 2, a reflection layer 4, an adhesive layer 5, and a support base 6.例文帳に追加
光記録媒体は、厚さ0.005mm〜0.3mmの薄型基板2の凹凸パターンが形成されている上に記録層3、反射層4、接着層5及び支持基板6を備える。 - 特許庁
Disclosed is the laminate for the electromagnetic wave shield which has a multilayer structure formed by forming an insulating resin layer (A), an extremely thin conductor layer (B) of 1 to 5 μm in thickness and a liquid crystal polymer layer (C) in order.例文帳に追加
絶縁樹脂層(A)、厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)及び液晶ポリマー層(C)が順次形成されてなる積層構造を有する電磁波シールド用積層体。 - 特許庁
A plated conductive substrate layer 230 is formed between an insulation layer and the patterned thin film 23 comprising a plated film, and a frame adhesion reinforcing layer 200 is partially attached or the surface of it.例文帳に追加
メッキ導通下地層230は、絶縁層25とメッキ膜からなるパターン化薄膜23の間に形成され、表面にフレーム密着増強層200が部分的に付着している。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head or the like capable of strongly fixing a direction of the magnetization of a fixed layer in spite of employing a spin valve magnetoresistive effect element not including a layer to fix the magnetization direction of the fixed layer.例文帳に追加
固定層の磁化の方向を固定するための層を含まないスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いながら、固定層の磁化の方向を強固に固定できるようにする。 - 特許庁
A sheet material (base paper) 1 is so made by forming a color former layer 7 on an under surface 4 of a thin paper base material 1 and by forming a color developer layer 8 corresponding to the color former layer 7 on an upper surface 3.例文帳に追加
薄紙基材1の下面4に発色剤層7を形成し、上面3に発色剤層7に対応した顕色剤層8を形成して、シート材(原紙)1とする。 - 特許庁
Furthermore, after the counter-silicon diffused conductive layer 4 is etched, a Ta2O5 film and Ru film are deposited as a dielectric layer 9 and an upper electrode layer 10, respectively, thus obtaining a thin-film capacitor.例文帳に追加
さらに、対シリコン拡散導電層4をエッチングした後、誘電体層9としてTa_2O_5 膜、上部電極層10としてRu膜を堆積して薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁
The ground insulation layer is formed thin by providing a high field resistant layer including a nonporous insulation film in the ground insulation layer closely to the strand coil thereby enhancing the breakdown voltage.例文帳に追加
対地絶縁層内に素線コイルに接近して無孔質の絶縁フィルムを含む耐高電界層を設けることにより、対地絶縁層の絶縁破壊電圧を高めて厚さを薄くする。 - 特許庁
This photosensitive resin layer 7a is thick in the formation area of the unevenness formation layer 6a and thin in a non-formation area of the unevenness formation layer 6g, and has a smooth surface shape.例文帳に追加
この感光性樹脂層7aは、凹凸形成層6gの形成領域で厚くて凹凸形成層6gの非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかである。 - 特許庁
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