| 意味 | 例文 |
thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9481件
The granular film 6 (granular magneto-optical thin film) is interposed between a (SiO2/Ta2O5)n layer 4 and a (Ta2O5/SiO2)n layer 5, and the 1-dimensional photo nic crystal (magneto-optical body) 1 is composed.例文帳に追加
(SiO_2 /Ta_2O_5)^n 層4及び(Ta_2O_5 /SiO_2)^n 層5の間にグラニュラー膜6(グラニュラー磁気光学薄膜)を介装して1次元フォトニック結晶(磁気光学体)1を構成した。 - 特許庁
To provide a development device capable of forming a thin-layer and uniform developer layer on a developer carrier, and an image forming apparatus having the same.例文帳に追加
現像剤担持体上に薄層かつ均一な現像剤層を形成することが可能な現像装置、およびそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide an atomic-layer deposition method which forms a thin film having small internal stress while keeping such moisture-proof properties as to have been obtained by a conventional method, and to provide an atomic-layer deposition apparatus.例文帳に追加
原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。 - 特許庁
The functional layers respectively composed of an organic resin material layer 22 and an inorganic functional material layer 21 are formed as thin films T2 and T1 of ≤5 μm thick and adjoin each other.例文帳に追加
有機樹脂材料層22及び無機機能材料層21のそれぞれは、各厚みT1、T2が5μm以下の薄膜であって、互いに隣接する。 - 特許庁
A semiconductor layer ASI which is positioned at the under layer of the source electrode SD1 of a thin film transistor TFT is arranged so as not to be protruded from a gate line GL.例文帳に追加
薄膜トランジスタTFTのソース電極SD1の下層に位置する半導体層ASIをゲート線GLからはみ出させないで配置する。 - 特許庁
In such a manner, air layer is hermetically sealed between the heat insulating member 8 and the fixing roll 1 by the thin layer film 13, therefore the excellent heat insulating effect can be obtained.例文帳に追加
これにより、断熱部材8と定着ロール1との間の空気層が薄膜フィルム13により密閉され、優れた断熱効果が得られる。 - 特許庁
To provide a CCP-type thin-film magnetic head capable of improving reproduction characteristic by enhancing an electrical insulating property between an upper shield layer and a lower shield layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
上下シールド層間の電気絶縁性を高め、再生特性を向上可能なCPP型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。 - 特許庁
By making the portion immediately below the surface layer have a fine organization, even if the surface layer is thin less than 0.1 μm, pinholes can be reduced and the foil-shaped conductor is superior in corrosion resistance.例文帳に追加
表面層の直下を微細組織とすることで、表面層を0.1μm未満と薄くしてもピンホールを低減することができ、耐食性に優れる。 - 特許庁
To provide a plastic container inexpensive and excellent in gas barrier properties by a method wherein a thin film layer formed of an inorganic compound is laminated on a surface resin layer of the container.例文帳に追加
容器の表面樹脂層に無機化合物薄膜層を積層することにより、安価で、かつ、ガスバリア性に優れたプラスチック容器を提供することにある。 - 特許庁
Since a fine and thin LED layer is mounted on the growth substrate and connected to the package substrate, an intermediate support substrate for LED layer is not required.例文帳に追加
繊細なLED層は成長基板に取り付けられると共にパッケージ基板に結合されるので、LED層用の中間支持基板は不要である。 - 特許庁
An advantage of this method is that forming the seed layer takes relatively little time, since only a very thin layer needs to be deposited.例文帳に追加
当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。 - 特許庁
Then, a porous layer 21, a thin film 12 and a reinforcing layer 11 made of, for example, silicon oxide are formed on a supporting substrate 20 constituted of a silicon wafer.例文帳に追加
一方で、シリコンウェハからなる支持基板20上に、多孔質層21、膜膜12、および例えば酸化シリコンからなる補強層11を形成しておく。 - 特許庁
The silicone rubber sheet includes a plurality of silicone rubber layers wherein a second thin silicone rubber layer is provided on at least one surface of the silicone rubber layer of a base material.例文帳に追加
基材のシリコーンゴム層の少なくとも一方の面に、第二の薄膜シリコーンゴム層が設けられた複層のシリコーンゴム層からなるシリコーンゴムシート。 - 特許庁
The metal thin film layer 16 is formed by putting the sphere 12 formed with the under layer 14 in a depositing device and depositing a metal material.例文帳に追加
金属薄膜層16は、アンダー層14が形成された球体12を蒸着装置に入れ、金属材料を蒸着することで形成される。 - 特許庁
When this corrosion resistant layer 21 is equipped in a substrate, the conductive layer 22 on the surface can be formed into a thin film and cost can be lowered in the separator 10.例文帳に追加
このような耐食層21を下地に備えることにより、セパレータ10は、表面の導電層22を薄膜としてコストを抑えることができる。 - 特許庁
To provide a display for suppressing variations in the characteristics of a thin-film transistor having a crystalline silicon layer as a channel active layer with a simple configuration.例文帳に追加
簡便な構成で、チャネル活性層として結晶性シリコン層を有する薄膜トランジスタの特性のバラツキを抑制した表示装置を提供する。 - 特許庁
The tin thin-film layer is melted or the like, by ultrasonic energy at wire bonding, and the substrate metal layer containing copper as a main component and proper wire bonding can be performed.例文帳に追加
錫の薄膜層は、ワイヤボンディング時の超音波エネルギにより溶融等し、銅を主成分とする下地金属層と良好なワイヤボンディングが可能となる。 - 特許庁
To provide a thin film gas sensor constituted so as to accurately calculate the temperature of a gas responsive layer to perform the driving of a heater optimum to the gas responsive layer.例文帳に追加
ガス感応層の温度を正確に算出するようにして、ガス感応層に最適なヒータ駆動を行うようにした薄膜ガスセンサを提供することにある。 - 特許庁
To provide a method and a device for reconstructing a drainable paved layer by heating for regeneration of an existing draining pavement and putting a thin layer of draining pavement on the draining pavement.例文帳に追加
既存の排水性舗装を加熱再生し、その上に薄層な排水性舗装をする排水性舗装層の再構築方法、及び装置を提供する。 - 特許庁
Then, a micro crystal silicon thin film 14 is deposited as a lower layer gate electrode, and then a metal film 15 is formed in succession as an upper layer gate electrode.例文帳に追加
次に下層ゲート電極としてマイクロクリスタルシリコン薄膜14を堆積した後、上層ゲート電極として金属膜15を続けて堆積する。 - 特許庁
Since the thin resin layer 3 is formed on the outer surface of the inner rubber layer 2, the gas barrier performance can be further improved while the flexibility of the hose is maintained.例文帳に追加
内面ゴム層2の外周に薄い樹脂層3を設けたことにより、ホースの柔軟性を維持しつつガスバリア性をさらに向上させることができる。 - 特許庁
To provide a method of depositing a SiNx layer and an a-Si layer on a thin film transistor(TFT) substrate at a sufficient deposition rate keeping high film quality.例文帳に追加
TFT基板上にSiN_X層及びa−Si層を充分な堆積速度で堆積し、膜品質を極高く維持する方法を提供する。 - 特許庁
The thin-film magnetic disk is formed by sputtering the crystalline CrNi preseed layer on a substrate consisting of glass, etc., and in succession bonding an RuAl seed layer thereto.例文帳に追加
薄膜磁気ディスクにおいて、結晶質CrNiプレシード層が、ガラスなどの基板上にスパッタリングされ、続いてRuAlシード層が付着される。 - 特許庁
In this state, thin films similar to the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 are laminated and the total part of the upper side from the lower resist is removed.例文帳に追加
この状態で、下部誘電体層2〜保護誘電体層6と同様の薄膜を積層し、下部レジストから上側の部分全部を除去する。 - 特許庁
To easily prevent the peeling of a thin conductive layer formed on a semiconductor substrate by electroplating by reducing the thickness fluctuation of the layer.例文帳に追加
電解メッキで形成する半導体基板上の微細な導電層の膜厚ばらつきを低減して、上記導電層の剥がれを容易に防止できるようにする。 - 特許庁
To form an insulation glass layer with high trimming resistance in which a conductor wiring as a base material is hard to be ground when a thin-layer resistor is trimmed.例文帳に追加
薄層の抵抗体5をトリミングしたとき、その下地の導体配線4を削ってしまうことがない耐トリミング性の高い絶縁ガラス層2を形成する。 - 特許庁
A laminate, which includes a substrate (41), a release layer (14) formed on the substrate (41) and a semiconductor thin film (20) formed on the release layer (14), is employed.例文帳に追加
基板(41)と、基板(41)の上に形成された剥離層(14)と、剥離層(14)上に形成された半導体薄膜(20)とを有する積層体を用いる。 - 特許庁
Then, the thin film layer 16 and the support layer 17 are separated from the substrate 11, thereby obtaining a mother stamper 18 with a cavity 19 having the geometry of a living body.例文帳に追加
この後、薄膜層16及び支持層17を基板11から剥離させて生体形状のキャビティ19を有するマザースタンパ18を得る。 - 特許庁
An ion implantation mask for forming (N-type source layer 11)/(N-type drain layer 12) is also used for forming a thin oxide film 5.例文帳に追加
N−型ソース層11/N−型ドレイン層12を形成するためのイオン注入用マスクと、薄い酸化膜5を形成するためのマスクとを同一マスクとした。 - 特許庁
In this method, the semi-insulating semiconductor layer 23 between the semiconductor thin lines 16 is collectively grown with the semi-insulating semiconductor layer 23 for constricting electric current.例文帳に追加
この方法では、半導体細線16間の半絶縁半導体層23が、電流狭窄のための半絶縁半導体層23と一括して成長される。 - 特許庁
To prevent the occurrence of toner leakage with a simple constitution by making a good use of a layer thickness control roller for forming a thin layer on a developing roller.例文帳に追加
現像ローラに薄層を形成するための層厚規制ローラを利用して、簡易な形で上記トナー漏れの防止を可能とした現像装置を提供する。 - 特許庁
A metal thin film 3 and a conductor layer 5 are formed as a wiring on a region including the opening of the base insulating layer 2 with a prescribed pattern.例文帳に追加
ベース絶縁層2の開口部を含む領域上に、所定のパターンで配線として金属薄膜3および導体層5が形成されている。 - 特許庁
The thin-film device layer A is covered by a protective film 104 and the supporting substrate 101 is etched away selectively with respect to the protective film 104 and the adhesive layer 102.例文帳に追加
薄膜デバイス層Aを保護膜104で覆い、保護膜104および接着剤層102に対して選択的に支持基板101をエッチング除去する。 - 特許庁
A protecting layer formed of a MgO thin film is formed on a dielectric layer 54 formed on a front glass board 53 by using a vacuum evaporator 50.例文帳に追加
真空蒸着装置50を用いて、前面ガラス基板53に形成された誘電体層54上にMgOの薄膜から構成される保護層を形成する。 - 特許庁
Alternatively, an inorganic thin film layer B and the polymer layer C are formed sequentially on the one face of the film material A.例文帳に追加
あるいは、フィルム基材(A)の片面に無機薄膜層(B)、上記重合体層(C)が順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁
Further, a semiconductor layer of the intersection of the gate wiring and the signal wiring and a nonsingle crystal semiconductor layer of the thin film transistor are formed of different film thicknesses.例文帳に追加
また、ゲート配線と信号配線との交差部の半導体層と薄膜トランジスタの非単結晶半導体層とを異なる膜厚で形成する。 - 特許庁
The peeling process (S15) peels a piezoelectric thin layer 4 off an area of the piezoelectric substrate 1 jointing to the sacrifice layer projection part 2 by acting stress on the micro cavities.例文帳に追加
剥離工程(S15)は、マイクロキャビティに応力を作用させて、犠牲層突出部2に接合する圧電基板1の領域から圧電薄膜4を剥離する。 - 特許庁
Since the protective layer can be formed thin only in the wiring part 3 by using electrodeposition resin for the protective layer, material cost can be reduced and the process can be simplified.例文帳に追加
保護層に電着樹脂を用いたことにより、配線部3のみに薄く保護層を形成できるので、材料コストが低減され、工程の簡略化が図れる。 - 特許庁
By selectively forming the buffer layer 510 in the region where the thin film active device 90 possesses, the periphery of the patterned buffer layer 510 acts as notches.例文帳に追加
薄膜アクティブ素子90が占める領域部分に選択的にバッファ層510を形成すれば、パターン化したバッファ層510の周囲が切り込みになる。 - 特許庁
The surface plate, the decoration layer and the metal thin film layer can be formed with an irregular pattern imitating the shape of the condenser lens and poly-crystal body glossy pattern.例文帳に追加
更に、表面板、装飾層、金属薄膜層等に集光レンズ形状や多結晶体光沢パターンを模した凹凸模様を賦形するのも良い。 - 特許庁
By metallic depositions, a translucent thin-film positive electrode 110 is formed on a contact layer 107, and a negative electrode 140 is formed on an n+ layer 103.例文帳に追加
コンタクト層107の上には金属蒸着による透光性薄膜正電極110が、n^+ 層103上には負電極140が形成されている。 - 特許庁
A hole 5 for a plug 4 is formed on a multilayer insulating layer 2 on a semiconductor layer 1, and then a metal thin film 33 is formed before executing wet etching.例文帳に追加
半導体層1上の多重絶縁層2にプラグ4のための穴5を形成した後,ウェットエッチングを行う前に,メタル薄膜33を形成する。 - 特許庁
To increase capacity and prolong service life of a capacitor in which a dielectric layer and a metal thin-film layer are laminated and formed by vapor deposition.例文帳に追加
本発明は、誘電体層と金属薄膜層とを蒸着によって積層形成したコンデンサの大容量化と長寿命化を目的とする。 - 特許庁
In addition, the silicon oxide layer 3 is removed and consequently a fine opening 41 is formed by the patterning treatment of the silicon thin film layer 2 and thus a transfer mask 100 is obtained.例文帳に追加
さらに、酸化シリコン層3を除去し、続いて、シリコン薄膜層2をパターニング処理して微細開口41を形成し、転写マスク100を得る。 - 特許庁
Finally, the processed layer 4 is etched by using the thin film 5 and the second pattern 11 as masks, thereby forming the desired pattern 16 in the processed layer 4.例文帳に追加
最後に、薄膜5と第2のパターン11とをマスクとして被加工層4をエッチングすることにより、被加工層4に所望のパターン16を形成する。 - 特許庁
The thickness of the layer of the material pushed out is intentionally reduced gently to achieve easier withdrawal of a CO gas or the like from a thin layer part through which the material fails to spread.例文帳に追加
押し出された原料の層厚を意図的になだらかに減少させ、原料のゆきわたらない薄層部から、COガス等を抜け出させやすくする。 - 特許庁
To provide a capacitor which hardly warps even if it uses a thin capacitor and can be easily incorporated into a resin insulation layer of a buildup layer.例文帳に追加
特に薄いコンデンサを使用していても反り難く、かつビルドアップ層の樹脂絶縁層への内蔵プロセスが容易なコンデンサを提供することにある。 - 特許庁
An i-layer formation chamber 13 has a sealing gate 14 by stacking one layer of amorphous silicon i-type thin film on a piece-like stacking object 99.例文帳に追加
i層生成チャンバー13は、片状の積層対象物99に一層のアモルファスシリコンi型薄膜を積層し、密封口14を有する。 - 特許庁
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