「voltage changes」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The width that a cleaning roller which suctionally removes residual toner electrostatically by applying the bias voltage comes into contact with the image carrier is made less than effective electrostatic charging width that an electrostatic charger can changes the image carrier.例文帳に追加

バイアス電圧を印加して静電気的に残留トナーを吸引除去するクリーニングローラの像担持体と接触する幅を、帯電器が前記像担持体を帯電させることが可能な有効帯電幅よりも短くする。 - 特許庁

By detecting those malfunctioning states with the difference gates 181-183, and displaying them outside the LSI, changed condition of the delay condition in each critical path, with respect to changes in the operating power source voltage, can be recognized easily.例文帳に追加

それら誤動作状態を排他的論理和ゲート１８１〜１８３により検出し、ＬＳＩ外部で表示することで、動作電源電圧の変化に対する、クリティカル・パスでの遅延状態の変化状態が容易に分かる。 - 特許庁

To provide an organic EL display device and its simple manufacturing method wherein occurrence of burn-in is suppressed because changes of display characteristics to occur with a progress of a voltage application time are suppressed.例文帳に追加

電圧印加時間の経過に伴って生じる表示特性の変化を抑制することにより、焼きつき現象の発生が抑制された有機ＥＬ表示装置およびその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the coil 3 and the multilayer printed board MP are relatively moved while confirming their positions, a position where the direction of the voltage E changes is found, and the found position is taken as a central coordinate in the cross direction of the pattern L1.例文帳に追加

そこで、コイル３と多層プリント基板ＭＰとを位置を確認しながら相対的に移動させ、電圧Ｅの方向が変化する位置を求め、求めた位置をパターンＬ１の幅方向の中心座標とする。 - 特許庁

On a channel region provided on a substrate, a gate electrode is provided, which controls the carrier density of the channel region, and at the same time, a voltage applying means which changes the polarity of the transistor seen from the gate electrode is provided.例文帳に追加

基板上に設けたチャネル領域上に前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極を設けるとともに、前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段を設ける。 - 特許庁

By the operation of the switch arrangement, when the output end of the first output transistor is coupled to the common output end, changes in drive state voltage of the first output transistor are isolated from the second output transistor.例文帳に追加

スイッチ装置の操作により、第一出力トランジスタの出力端がコモン出力端に結合される時、第一出力トランジスタの駆動状態電圧の変化が第二出力トランジスタから隔離される。 - 特許庁

When a channel of the MOSFET changes from a conducting state to a nonconducting state, a current flowing through the conductive path is interrupted and a main pulse voltage is output to a secondary winding of the transformer by mutual induction.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのチャネルが導通した状態から導通していない状態へ変化すると、導通経路を流れる電流が遮断され、トランスの２次側巻線に相互誘導により主パルス電圧が出力される。 - 特許庁

The changing part 31 changes the number of the voltage conversion circuits 10 which are made to operate in accordance with the total value of the output currents when a load has become light and the total value (load current) of the output currents has decreased, for example.例文帳に追加

変更部３１は、例えば、負荷が軽くなり、出力電流の合計値（負荷電流）が減少した場合に、出力電流の合計値に応じて、動作をさせる電圧変換回路１０の数を変更する。 - 特許庁

Gain control voltage applied to a gain control terminal 7 changes for controlling the gain of a high frequency amplifying circuit 4 with the size of the power of a high frequency signal inputted from an input terminal 1.例文帳に追加

入力端子１から入力された高周波信号の電力の大きさによって、高周波増幅回路４の利得を制御するために利得制御端子７に印加される利得制御電圧が変化する。 - 特許庁

To enable a control circuit for controlling at least one solenoid valve for the metering of an internal combustion engine without making breaking current edge depend on changes in the voltage of a battery in quick deletion.例文帳に追加

迅速な消去の際の遮断電流エッジがバッテリ電圧の変化に依存しない、内燃機関の燃料調量のための少なくとも１つの電磁弁を制御するための制御回路を可能にすることである。 - 特許庁

A positional relation between a magnetic substance 32 and a magnetic sensor 33 changes by rotation of an operation ring 31, and voltage detected by a first magnetic sensor 33a and a second magnetic sensor 33b fluctuates in correlation with a rotation angle.例文帳に追加

操作リング３１の回転により磁性体３２と磁気センサ３３との位置関係が変わり、第１の磁気センサ３３ａと第２の磁気センサ３３ｂとで検出した電圧は、回転角度と相関して変動する。 - 特許庁

A printing control section 32 controls the inkjet head 1, a placing motor 5c and a conveying motor 19 so that when the voltage of power supplied by the power supply section 36 changes, printing on the subsequent paper P starts after the voltage of the power supplied by the power supply section 36 stabilizes.例文帳に追加

印刷制御部３２は、電力供給部３６が供給する電力の電圧が変化するとき、電力供給部３６が供給する電力の電圧が安定した後に次の用紙Ｐに対する印刷が開始されるように、インクジェットヘッド１、載置モータ５ｃ及び搬送モータ１９を制御する。 - 特許庁

When a maximum power following control unit 20a controls an inverter by a climbing method, changes of a current IC and a voltage VDC of a capacitor 6 are also detected, and the capacitance of the capacitor 6 is identified in accordance with an identification algorithm while the values of the current IC and the voltage VDC are used in a capacitance calculation unit 201.例文帳に追加

最大電力追従制御部２０ａが、山登り法によってインバータを制御する際にコンデンサ６の電流ｉ_Cおよび電圧ｖ_DCの変化をも検出し、容量値算出部２０１において電流ｉ_Cおよび電圧ｖ_DCの値を用いつつ同定アルゴリズムに基づいてコンデンサ６の容量値を同定する。 - 特許庁

This structure enables the vibration to be suppressed optimally and enables the brake squeal to be suppressed even if disturbance occurs because a voltage applied to the rigidity changing member 7 is regulated to an optimum voltage by normally detecting the vibration by the brake squeal even if the occurrence of disturbance changes a squeal occurrence range.例文帳に追加

これにより、外乱が発生して鳴き発生領域が変化したとしても、常にブレーキ鳴きによる振動を検出して剛性変化部材７に印加する電圧を最適電圧に調整しているため、外乱が発生しても最適に振動を抑制でき、ブレーキ鳴きを抑制することが可能となる。 - 特許庁

Thus, when the input voltage changes, the current is mainly supplied from the output accelerating circuit to the load until a difference between the input and output voltages becomes a predetermined offset voltage or less, and thereafter the current is supplied to the load so that the input and output voltages from the amplifying means become equal.例文帳に追加

これにより、入力電圧の変化があったときに、入力電圧と出力電圧との差が所定のオフセット電圧以下になるまでは主に出力加速回路から負荷に電流を供給し、その後は演算増幅手段から入出力電圧が等しくなるように負荷に電流を供給する。 - 特許庁

To detect an accurate remaining amount of ink based on changes in the ink color inherent to the ink and in the resistance value by temperature characteristics in a mechanism for detecting the existence of the remaining amount of the ink in an ink tank by applying an electric voltage to the ink and using the electric voltage value (or the electric current value) in an inkjet type image forming apparatus.例文帳に追加

インクジェット方式の画像形成装置において、インクタンク内のインク残量有無をインクに電圧を与え、検出される電圧値(または電流値)の値により検出する機構において、インク固有に持つインク色や温度特性による抵抗値の変化に基づき、正確な残量検出を行なう。 - 特許庁

The liquid crystal application voltage-luminance characteristics of the display part has a luminance change zero area in which a change of luminance with respect to changes in the voltage applied to liquid crystal is almost zero, and reference voltages V9 (positive) and V10 (negative), corresponding to the maximum gradation (white display 255 gradations) are set in the luminance-change zero area.例文帳に追加

前記表示部の液晶印加電圧−輝度特性が、液晶印加電圧の変化に対する輝度の変化がほぼゼロである輝度変化ゼロ領域を有していて、その輝度変化ゼロ領域内に、最高階調（白表示、２５５階調）に対応する基準電圧Ｖ９（正）とＶ１０（負）が設定される。 - 特許庁

The drive circuits DV1 and DV2 of the transformer primary side TP maintains the frequency of an input voltage Vi from a solar battery PV1 at the same level as f0 and also changes the phase thereof, whereby it is made possible to variably control the magnitude of an output voltage VO synthesized by the synthesis circuit SUM on the transformer secondary side.例文帳に追加

トランス一次側ＴＰの駆動回路ＤＶ１，ＤＶ２は、太陽電池ＰＶ１からの入力電圧Ｖｉに対してその周波数をｆ０の同一に維持し、かつ、その位相を変えることでトランス二次側ＴＳで合成回路ＳＵＭにより合成される出力電圧ＶＯの大きさを可変する制御を可能とした。 - 特許庁

The write circuit 8 ends the voltage application or current supply to the memory cells when the applied voltage or supplied current to the memory cells reaches a certain level which appears after the end of data erasing or writing, depending on the resistance changes of the variable resistor elements in the selected memory cells.例文帳に追加

書き込み回路８は、選択されたメモリセルの可変抵抗素子の抵抗値の変化態様に応じて、メモリセルへの印加電圧又は供給電流がデータの消去又は書き込みの終了後に現れる一定レベルに到達したときに、メモリセルへの電圧印加又は電流供給を終了する。 - 特許庁

The optical element 3 has an optically active polymer film in which the optical rotation property changes with respect to an applied voltage, a pair of conductive transparent thin films to apply a voltage to the optically active polymer film, and a transmittance polarization anisotropic part which is disposed on one of the conductive transparent thin film and has different transmittance with respect to the polarization direction.例文帳に追加

光学素子３は、印加電圧に対して旋光度が変化する光学活性高分子膜と、光学活性高分子膜に電圧を印加する一対の導電性透明薄膜と、一方の導電性透明薄膜上に配置された、偏光方向に対して透過率が異なる透過率偏光異方性部とを有する。 - 特許庁

The voltage output circuit 3 generates a plurality of different coefficients (a1, -a1, a2, 0, -a2, ...) in accordance with the combination of bit information in a plurality of the pulse signals S1 to Sn, and changes the output vout of the voltage output circuit 3 in accordance with a coefficient string obtained when a plurality of the generated coefficients are combined.例文帳に追加

電圧出力回路３は、複数のパルス信号Ｓ１〜Ｓｎ内のビット情報の組み合わせに応じて異なる複数の係数（ａ１，−ａ１，ａ２，０，−ａ２，…）を生成し、生成した複数の係数をさらに組み合わせたときに得られる係数列に応じて、当該電圧出力回路３の出力ｖｏｕｔを変化させる。 - 特許庁

An input/output control circuit 4 monitors the voltage value of the input/output terminal 8, and changes the function of the terminal 8 which has output detected signals until then to that of a terminal for inputting an external signal from the computer 20, when the voltage of the terminal 8 is set high by the microcomputer 20 and gets out of a predetermined range.例文帳に追加

入出力制御回路４は、入出力端子８における電圧値をモニタして、マイコン２０により端子８の電圧が高く設定され所定の範囲から外れると、それまで検出信号を出力していた端子８を、マイコン２０からの外部信号を入力する端子に機能変更する。 - 特許庁

In this lighting circuit 1, a voltage Vout that corresponds to the number of lighting is impressed on the light-emitting diodes D1-D10 by adjusting the voltage of the DC/DC converter 2 so that the current Iout detected by the resistor R31 may be constant, even if the number of lighting of the light-emitting diodes D1-D10 changes.例文帳に追加

この点灯回路１では、発光ダイオードＤ１〜１０の点灯数が変わっても、抵抗器Ｒ３１で検出される電流Ｉｏｕｔが一定となるようにＤＣ／ＤＣコンバータ２の電圧を調節することにより、点灯数に応じた電圧Ｖｏｕｔを発光ダイオードＤ１〜Ｄ１０に印加するようにする。 - 特許庁

The display device is provided with an organic EL element 41 as, for example, a display element for each pixels Aij formed in a display area, and a voltage change part 10a which changes the value of a display voltage outputted to each organic EL element 41 is provided for the organic EL element 41.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、表示領域に形成される複数の画素Ａij毎に、たとえば表示素子として有機ＥＬ素子４１が設けられており、さらに、各有機ＥＬ素子４１に対して出力される表示電圧の値を変化させる電圧変化部１０ａが、各有機ＥＬ素子４１毎に設けられている。 - 特許庁

The voltage control circuit 8 of a DC chopper type quick charging circuit calculates the changes of quick charging voltage by the capacity fluctuations of the capacitor 7 from the measured temperature value of the capacitor itself or the ambient measured temperature value to correct the fluctuations of the calculated capacitance C by control of output current i.例文帳に追加

直流チョッパ型の急速充電回路の電圧制御回路８は、コンデンサ７の容量変動による急速充電電圧の変化を、コンデンサ自体の温度計測値、または周囲の温度計測値から算出し、この算出したコンデンサ容量Ｃの変動に出力電流ｉの制御で補正する。 - 特許庁

The microcomputer 17 determines the change of the failure condition based on the output voltage of the neutral-point voltage detection circuit 15 after one of all phases becomes inactive and controls the 3-phase inverter circuit 10 in the control condition for the failure condition when the failure condition changes.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１７は、全相のうち１相が通電不能となったあと、中性点電圧検出回路１５の出力電圧に基づいて故障状態の変化を判定するとともに、故障状態が変化したときには、変化した故障状態に対応した制御状態で３相インバータ回路１０を制御する。 - 特許庁

In the transmission power controller, where a high frequency power amplifier circuit 111 has a semiconductor amplifier element adopting a common source connection, controlling the gate voltage and/or the drain voltage of the semiconductor amplifier element linearly changes the gain of the high-frequency power amplifier circuit 111 for controlling transmission power.例文帳に追加

高周波電力増幅回路１１１がソース接地された半導体増幅素子を有する送信電力制御装置で、半導体増幅素子のゲート電圧および／またはドレイン電圧を制御して、高周波電力増幅回路１１１の利得を線形的に変化させ、送信電力を制御する。 - 特許庁

The protective circuit 1 is equipped with a resistor 4, which is positioned between the source of the FET 2 and the electrode pattern and its resistance changes according to the temperature, and a control circuit 10, which detects the voltage applied to the resistor 4 and controls to turn the FET 2 on when the detected voltage is larger than the predetermined.例文帳に追加

ＦＥＴ２のソースと電極パターンとの間に配置され、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗体４と、抵抗体４に加えられる電圧を検出し、検出された電圧が所定値よりも大きい場合には、ＦＥＴ２をオフとすべく制御する制御回路１０と、を保護回路１に備えさせた。 - 特許庁

A switching circuit 20 monitors the limit of a measuring range of a Hall voltage output from the Hall device H via an output circuit 10 and changes a drive current for driving the hall device H by performing switching operation on switching elements S1-S4 in the case that the Hall voltage is judged to exceed the limit of the measuring range.例文帳に追加

切り替え回路２０は、ホール素子Ｈから出力されるホール電圧の測定範囲の限界を出力回路１０を介して監視し、該ホール電圧が測定範囲の限界を超えると判断した場合には、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４を切り替え操作してホール素子Ｈを駆動する駆動電流を切り替える。 - 特許庁

Here, when detaching is performed in an operation procedure differing from registered detaching conditions, and also the fact that the HDD 18 is now going to be detached is detected, a switch controller 32 changes over the connection destination of the changing-over switch 34 to a high-voltage power supply circuit 30 to apply a high-voltage to the HDD 18 and break it.例文帳に追加

ここで、登録された抜去条件とは異なる操作手順で抜去が行われ、かつＨＤＤ１８が抜き取られようとされていることを検出すると、スイッチコントローラ３２は、電源切替スイッチ３４の接続先を高電圧電源回路３０に切り替え、ＨＤＤ１８に高電圧を印加して破壊する。 - 特許庁

Furthermore, the electric field strength detector (RSSI) 105 changes a voltage of an output GC1 in response to a signal level when the electric field strength of the signal reaches an operation start electric field on the basis of the control parameter (signal CN1), and a gain control circuit 106 changes a gain control variable in response to the signal GC1 outputted from the electric field strength detector 105.例文帳に追加

また、電界強度検出器（ＲＳＳＩ）１０５では、制御パラメータ（信号ＣＮ１）に基づき信号の電界強度が動作開始電界値に達したときに信号レベルに応じて出力ＧＣ１の電圧を変化させ、利得制御回路１０６は、電界強度検出器１０５からの出力信号ＧＣ１に応じて利得の制御量を変化させる。 - 特許庁

Therefore, the generated voltage of the developing bias circuit 70a can be corrected into a surface potential measuring circuit reference and this correction is appropriately performed, thereby correcting variations caused by using a plurality of bias detection sections and all changes in a result of detection with temperature changes into a surface potential measuring system reference.例文帳に追加

このため、現像バイアス回路７０ａの発生電圧を表面電位測定回路基準に補正することが可能になり、この補正を適宜行うことによって、複数のバイアス検出部を使用することに起因するばらつき、及び温度変化に伴う検出結果の変化をすべて表面電位測定系基準に補正することが可能となる。 - 特許庁

An impedance control circuit 4 changes input impedance so as to suppress reflection of a received signal (so as to match with a characteristic impedance Z0 of a transmission line 3) according to any one or more changes of a detection object by detecting any one or more of voltage, current, and power of the signal, to be received on the receiving circuit side 2 by a detection part 5.例文帳に追加

インピーダンス制御回路４は、受信回路側２で受信される信号の電圧，電流，電力の何れか１つ以上を検知部５により検知することで、検知対象の何れか１つ以上の変化に応じて、受信信号の反射を抑制するように（伝送線路３の特性インピーダンスＺ0に整合するように）入力インピーダンスを変化させる。 - 特許庁

A first and a second impedance detector elements 4 and 5 detect respectively impedance changes of the condenser C1 and the inductor L1 as voltage changes and the current phase detector circuit 6 detects the phase of the lamp current based on the output of the first and the second impedance detector elements 4 and 5 to find out if the inverter circuit 2 is operating in the lead phase or not.例文帳に追加

第１及び第２のインピーダンス検出部４，５はそれぞれコンデンサＣ１、インダクタＬ１のインピーダンス変化を電圧変化として検出し、電流位相検出回路６では、第１及び第２のインピーダンス検出部４，５の検出出力からランプ電流の位相を検出し、インバータ回路２の動作が進相領域での動作か否かを検出する。 - 特許庁

When an output signal OUT or an inverted output signal XOUT changes to a high voltage level, the substrate biasing transistors 5, 6 go to a non-conductive state, thereby blocking the input signal IN or the inverted input signal XIN from being given to the substrate of the signal inputting n-type transistors 1, 2, except when the signal changes.例文帳に追加

また、出力信号ＯＵＴ又は反転出力信号ＸＯＵＴが高電圧レベルに変化すると、前記基板バイアス用のトランジスタ５、６が非導通状態となるので、信号変化時以外は信号入力用のＮ型トランジスタ１、２の基板には入力信号ＩＮ又は反転入力信号ＸＩＮは与えられない。 - 特許庁

A microcomputer of the ECU predicts a changing range of the fuel pressure of a detecting object in a specific period including an injection period, and sets the gain and the offset electric potential by imparting a command to the control IC 31 so that the sensor signal changes in an AD-convertible maximum voltage range when the fuel pressure changes in the prediction range.例文帳に追加

そして、ＥＣＵのマイコンは、噴射期間を含む特定期間においては、検出対象の燃料圧力の変化範囲を予測し、その予測範囲で燃料圧力が変化するとセンサ信号がＡＤ変換可能な最大電圧範囲で変化するように、上記制御ＩＣ３１へ指令を与えてゲインとオフセット電位を設定させる。 - 特許庁

Even if the voltage of the battery B1 changes by power supply from an equipment power supply 3 to a control device 2 after the output of the anomaly signal from the comparator U2, the peak hold circuit 6 can hold the signal that the voltage Va is lower than the reference voltage Vo while the external power supply is off, and the alarm means 7 can notifies the outside according to the signal thus held.例文帳に追加

また、ピークホールド回路６があるため、コンパレータＵ２で異常信号が出力された後に、制御装置２が設備電源３からの電力供給を受けて、第１の電池Ｂ１の電圧が変わったとしても、外部電源ＯＦＦ時の電圧Ｖａが基準電圧Ｖｏよりも低い旨の信号を保持でき、この保持した信号に基づいて、報知手段７によって外部に知らせることができる。 - 特許庁

This motor controlling device is provided with a first offset adjusting means 103 that adjusts the offset roughly by letting the encoder signals of two phases of the motor 101 follow a reference voltage, and a second offset adjusting means 104 that detects the changes of the voltage level of the output signals of the first offset adjusting means 103 and outputs the finely-adjusted offset so that its median becomes equal to the reference voltage.例文帳に追加

モータ１０１の２相のエンコーダ信号を基準電圧に追従させることにより、オフセットを粗調整する第一のオフセット調整手段１０３と、第一のオフセット調整手段１０３の出力信号の電圧レベルの変化を検出し、その中央値が基準電圧に等しくなるようにオフセットを微調整して出力する第二のオフセット調整手段１０４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device controls the supply and cutoff of power sources to blocks divided according to their functions, and includes: voltage-comparing means for comparing power source voltages supplied to the blocks with a power source voltage supplied to the whole semiconductor device; and measurement means for measuring changing times of the power source voltages supplied to the blocks by changes in an output of the voltage-comparing means.例文帳に追加

機能毎に分割されたブロックに対する電源の供給と遮断を制御する半導体装置であって、前記ブロックに供給される電源電圧と当該半導体装置全体に供給される電源電圧とを比較する電圧比較手段と、前記電圧比較手段の出力の変化により、前記ブロックに供給される電源電圧の変化時間を計測する計測手段と、を有する。 - 特許庁

A voltage control part 89 changes voltage VDD between a feeding line L1 and a ground based on an error between reference voltages Vref1, Vref2 outputted from CPU 81 and a detected voltage V outputted from a current detecting part 88.例文帳に追加

電圧制御部８９は、ＣＰＵ８１から出力された基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２と電流検出部８８から出力された検出電圧ｖとの誤差に応じて給電ラインＬ１−グランド間の電圧ＶＤＤを変化させ、システムスピードＳ１においては、ステッピングモータ８０Ｃ〜８０Ｋに流れる相電流ｉ１の平均値を０．６Ａに、システムスピードＳ２においては、ステッピングモータ８０Ｃ〜８０Ｋに流れる相電流ｉ２の平均を０．７５Ａに制御する。 - 特許庁

When lightly loaded state changes to heavily loaded state, the control circuit 13 causes the switching regulator to operate, and when a predetermined time has passed, returns the output of the series regulator 12 to the first output voltage V1.例文帳に追加

さらに、制御回路１３は、負荷が軽い状態から重い状態に変化するときには、スイッチングギュレータを動作させ、それから所定時間の経過後にシリーズレギュレータ１２の出力を第１の出力電圧Ｖ１に戻させる。 - 特許庁

To provide a bias current supply circuit which suppresses fluctuations caused by temperature changes of a collector current in an amplification circuit constituted by using a bipolar transistor and operated by a low power supply voltage, and also to provide the amplification circuit provided with the same.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを用いて構成され、低電源電圧により動作する増幅回路におけるコレクタ電流の温度変化による変動を抑制するバイアス電流供給回路及びこれを備えた増幅回路を提供する。 - 特許庁

At least a part of each on the bistable device and the bistable memory element is composed of an organic microcrystal, and an organic bistable layer is incorporated which changes the resistance depending on the bias voltage, thus assuring the characteristic control capability, low-cost fabrication and reduced variation in the characteristics.例文帳に追加

少なくとも一部が有機微結晶で構成され、バイアス電圧に応じて抵抗値が変化する有機双安定層を有することにより、特性制御が可能で、安価に作製でき、かつ特性ばらつきが少なくなる。 - 特許庁

When the input voltage VIN drops by a certain value or over, a reset circuit 44 resets a node n11 to a grounding potential, in case that a clock CLK1 changes from H level to L level, thereby preventing a NMOS transistor 21 from being turned on.例文帳に追加

入力電圧ＶＩＮが一定値以下に低下すると、クロックＣＬＫ１がＨレベルからＬレベルに変化した場合に、リセット回路４４は、ノードｎ１１を接地電位にリセットし、ＮＭＯＳトランジスタ２１がＯＮになることを防ぐ。 - 特許庁

The voltage at a point (a) after momentarily varying from zero to the value Vcc drops transiently, so the moment the electric power is applied, the source-drain part of a transistors Q2 enters a low-impedance state and changes to a high-impedance state with the time.例文帳に追加

第２の手段は、ベース側バイアス回路に常時電源を印加するよう構成し、更にコレクタ側バイアス回路は発振動作を必要とする時のみ電源を印加するよう構成することによって高速起動性を図った。 - 特許庁