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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > well-sideの意味・解説 > well-sideに関連した英語例文

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well-sideの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1406



例文

The first reflecting plate 6 has a large diameter opening 61 on one end side and a small diameter opening 62 on the other end side, and a first reflection surface 63 as well.例文帳に追加

第1の反射板6は、一端側に大径開口部61を、他端側に小径開口部62を有し、かつ第1の反射面63を有する。 - 特許庁

A cylinder is vertically installed in a position receiving sunlight, and one end of a pipe leading from an outdoor side via a well and an indoor side is connected to the lower part of the cylinder.例文帳に追加

太陽光を受ける位置に筒を縦に設置し、筒の下部に、屋外から井戸、屋内を経由するパイプの一端をつなぐ構成とした。 - 特許庁

A P-type diffused region 212 is formed on one side of the trench 202, and a P-type well region 207 is arranged on the other side of the trench 202 which overlaps with an N-type drain region 208.例文帳に追加

一方にP拡散領域212を、反対側にN型のドレイン領域208に重ねてP型のウェル領域207を配置する。 - 特許庁

The electric conductive layer 70 extends to the side of the piezoelectric body 48 as well, and covers the side section of the piezoelectric body 48 through the inter-laminar insulating layer 56.例文帳に追加

電気伝導層70は圧電体48の側方にも延在して層間絶縁層56を介して圧電体48の側部を覆っている。 - 特許庁

例文

To provide a cylinder head improved in rigidity of an intake side and an exhaust side in a well-balanced manner.例文帳に追加

本発明は、吸気側と排気側との剛性を、バランスを保って向上できるシリンダヘッドを提供する。 - 特許庁


例文

Accordingly, driving-side coupling members slide in a direction away from the photoreceptor-side coupling members 18y, 18m and 18c as well.例文帳に追加

この結果、駆動側カップリング部材も感光体側カップリング部材18y,18m,18cから離れる方向にスライドする。 - 特許庁

At least two of the plurality of active layers each include a multilayered laminate, an n-side barrier layer, a well layer, and a p-side barrier layer.例文帳に追加

複数の活性層の少なくとも2つは、多層積層体と、n側障壁層と、井戸層と、p側障壁層と、を含む。 - 特許庁

Thermal heads 15a, 15b are provided movably in the main scanning direction as well as they are disposed by each 2 sets side by side in the sub scanning direction.例文帳に追加

サーマルヘッド部15a、15bが主走査方向に移動自在に設けられ、かつ、それぞれ副走査方向に2つ並ぶ様に位置する。 - 特許庁

To accomplish a lightweight construction of the whole side door by enabling an inner panel to be constructed of resin while the stiffness and strength required for a side door are well secured.例文帳に追加

サイドドアに要求される剛性および強度を確保した上で、インナパネルの樹脂化を可能とし、サイドドア全体の軽量化を実現する。 - 特許庁

例文

When the pen point 5 is depressed, the valve element 16 is moved, resulting in clogging a well part side opening 22 and simultaneously releasing the coating part side opening 36.例文帳に追加

ペン先5を押すと弁体16が移動し、溜部側開口22を閉塞すると共に塗布部側開口36を開放する。 - 特許庁

例文

To improve reliability and durability by reducing the influence of a twist on an installation side as well as to disperse and reduce the vibration and impact from the installation side.例文帳に追加

搭載側からの振動や衝撃を分散・軽減すると共に搭載側の捩れの影響を軽減し、信頼性及び耐久性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a foot warmer, capable of achieving heating effect or antibacterial effect by far-infrared ray from the upper surface side as well as from the back side of feet, and ceramic balls usable for various applications including the foot warmer.例文帳に追加

足の裏側からだけでなく上面からも遠赤外線による加温効果や抗菌効果を得ることができる足温器を提供する。 - 特許庁

To provide a side ditch capable of preventing deposition of sediment and dirt inside a water channel as well as a side ditch molding equipment.例文帳に追加

土砂汚物が水路内に堆積するのを防止することができる側溝および側溝成型装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wooden frame member having fine appearance at a side face as well as at a front face and capable of coping with complicated cutting work to the front face or side face.例文帳に追加

正面はもとより側面の見栄えが良く、正面または側面への複雑な切削加工に対応可能な木質枠材の提供。 - 特許庁

To provide a display device thinner than a conventional one for displaying a picture on the front side as well as on the rear side.例文帳に追加

表面と背面との双方において画像を表示するためのより薄型の表示装置を提供する。 - 特許庁

A drain 3f at a cylinder block side is provided at a cylinder block 3, as well as a drain 4h at a crankcase side is provided at a crankcase 4.例文帳に追加

シリンダブロック3にシリンダブロック側ドレン3fを設けるとともに、クランクケース4には、クランクケース側ドレン4hを設ける。 - 特許庁

The vulcanization apparatus 2 has a mold 4, the bladder 6, an upper side clamp ring 8, a lower side clamp ring 10, a bag well 12, and a rod 14.例文帳に追加

加硫装置2は、モールド4、ブラダー6、上側クランプリング8、下側クランプリング10、バグウェル12及びロッド14を備えている。 - 特許庁

On the other side, the rotary copy and inverse copy of the decorative ruled line side component KKH are repeatedly arranged as well.例文帳に追加

他の辺も、飾り罫辺部品KKHの回転複写物とその反転複写物を繰り返し配置する。 - 特許庁

Thus, concerning the magnetic flux distribution in the magnetic gap 21, uniformity is improved and symmetry between top end side and base end side is improved as well.例文帳に追加

これによって、磁気空隙21での磁束分布も、均一性が向上し、先端側と基端側との対称性も向上する。 - 特許庁

A resistance value of the heating element 22a becomes larger at the upstream side than at the downstream side of the printing direction B, and accordingly a heating value becomes larger as well.例文帳に追加

発熱素子22aの抵抗値は印画方向Bの下流側よりも上流側のほうが大きくなり、これに伴って発熱量も大きくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the well resistance value of a well formed below an insulator is uniform and side face capacitance near the side face of the insulator is small, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁物の下方に形成されたウエルのウエル抵抗値が均一であり、この絶縁物の側面近傍における側面容量が小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion portions 24 include an N type layer 20 formed on the deep side of the P well layer 18 and an N type layer 22 formed on the shallow side of the P well layer 18.例文帳に追加

光電変換部24は、Pウェル層18の深い側に形成されたN型層20と、浅い側に形成されたN型層22とを含んでいる。 - 特許庁

The end of the n-well layer 26 at the drain layer 11 side is positioned near the end of the (p+l)-layer 13 at the drain layer 11 side, and is spaced from an N-well layer 10.例文帳に追加

Nウェル層26のドレイン層11側の端部は、P+L層13のドレイン層11側の端部の近傍に位置し、Nウェル層10とは離間させる。 - 特許庁

To provide a case for displaying and selling pets allowing a customer side to well observe the pets and well receive explanations of a salesclerk, and allowing a store side to effectively appeal the pets, or the commodities and to promote the sales.例文帳に追加

顧客側にとってはペットをよく見ることができるとともに、店員の説明もよく聞け、店側にとっては商品たるペットのアピールを効果的にすることが可能で販売促進を図れるようなペット用展示販売ケースの提供。 - 特許庁

The holding device 1 brings the holding parts 3a to 3c into contact with the cut-out faces of the well plate, and the side facing the side in which the both corner parts have the cut-out faces when the well plate is held.例文帳に追加

把持装置1は、ウェルプレートを把持する際に、把持部3a〜3cを、ウェルプレートの切り欠き面と、両角部に切り欠き面が形成された側面に対向する側面に沿って接触させる。 - 特許庁

Respective second conductive well regions 107 cover the side face 103a of the second conductive well regions 103 and the side face 105a of the first conductive semiconductor regions 105, respectively.例文帳に追加

第2導電型ウエル領域107の各々は、第2導電型ウエル領域103の側面103aおよび第1導電型半導体領域105の側面105aをそれぞれ覆う。 - 特許庁

A side wall surface of the well has a tilt angle to a perpendicular direction, and the angle is set so that a liquid level of liquid stored in the well is substantially horizontal nearby the side wall surface.例文帳に追加

ウェルの側壁面に、鉛直方向に対して傾いた角度が与えられ、前記角度は、前記ウェルに収容される液体の前記側壁面の近傍における液面がほぼ水平になるように設定されている。 - 特許庁

In the i-type semiconductor, one end is attached with a heat shielding material 16 while the other end is attached with a heated high temperature side conductor 15, and the n-type semiconductor and p-type semiconductor on both ends as well as the low temperature side conductor 6 that acts as an electrode as well are cooled to generate power.例文帳に追加

i型半導体では、一端に断熱材16を付け、他端に高温側導体15を付け、ここを加熱し、両端のn型半導体とp型半導体と電極を兼ねた低温側導体6を冷却して発電する。 - 特許庁

An N-type source region 12s, an N-type drain region 12d, a source side LDD region 7s and a drain side LDD region 7d are provided in the surface of a P-type well 2 and a gate electrode 5 is provided on the surface of a well 2.例文帳に追加

P型ウエル2の表面に、N型ソース領域12s、N型ドレイン領域12dと、ソース側LDD領域7s、ドレイン側LDD領域7dと、ゲート電極5を備える。 - 特許庁

A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15.例文帳に追加

第1のエネルギー障壁層13の第1の量子井戸層11と逆側に第1の電極16を形成し、第3のエネルギー障壁層15の第2の量子井戸層12と逆側に第2の電極17を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 13 is formed so as to cover the upper surface as well as the side surface of gate electrodes MG1, MG2 and the upper end 11a as well as the side surface of the RTO film 11.例文帳に追加

シリコン窒化膜13がゲート電極MG1、MG2の上面および側面、RTO膜11の上端11aおよび側面を覆うように形成されている。 - 特許庁

To provide a fixing structure of an auxiliary machine side bracket capable of connecting smoothly as well as easily an auxiliary machine side connector and a vehicle side connector when the auxiliary machine side bracket is fixed to a panel side bracket.例文帳に追加

補機側ブラケットをパネル側ブラケットへ固定する際に、補機側コネクタと車体側コネクタとの接続をスムーズに、且つ簡単に行うことができる補機側ブラケットの固定構造を提供すること。 - 特許庁

A surface side upper hem 22F-U and a rear side upper hem 22B-U as well as a surface side lower hem 22F-D and a rear side lower hem 22B-D are disposed at the crossing position seen from the surface side.例文帳に追加

表面側の上辺22F−Uと裏面側の上辺22B−U、及び、表面側の下辺22F−Dと裏面側の下辺22B−Dは、表面側から見て交差する位置に配置されている。 - 特許庁

To easily and well expose an inner side layer by quickly removing a batch coating layer and an outer side layer when a connector is attached to a glass fiber and the inner side layer by removing the outer side layer leaving the inner side layer.例文帳に追加

内側層を残し外側層を除去してガラスファイバ及び内側層をコネクタ付けする場合に、一括被覆層と外側層とを一気に除去して内側層を容易かつ良好に剥きだしにする。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ2が形成されたシリコン基板(Nウェル8、Pウェル9)と、トレンチ2の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域(N型ウェルコンタクト拡散層領域4、P型ウェルコンタクト拡散層領域6)と、を備える。 - 特許庁

Regarding a P well region and an N well region where a pair of CMOS inverters consisting of the multiport SRAM cell is formed, the P well region is divided into two P well regions PW1 and PW2 on either side of the N well region NW and is formed so that boarder lines between them become parallel to bit lines.例文帳に追加

マルチポートSRAMセルを構成する一対のCMOSインバータが形成されたPウエル領域およびNウエル領域に関し、Pウエル領域を、二つのPウエル領域PW1およびPW2に分割してNウエル領域NWの両側に、かつそれら間の境界線がビット線と平行となるように形成する。 - 特許庁

This system is provided with a critic side terminal 1c as well as provider side terminals 1a and user side terminals 1b, and the critic side terminal 1c can also be connected to a processing part 4 through a communication network 2.例文帳に追加

提供者側端末1aおよびユーザー側端末1b以外に批評家側端末1cを備え、批評家側端末1cも通信ネット2を介して処理部4に接続可能にする。 - 特許庁

An engaging fastener 20a of a female side (or a male side) is adhered to a shelf plate 1, and an engaging fastener 20b of a female side (or a male side) is adhered to a bottom of an electronic equipment unit 10 as well.例文帳に追加

棚板1にメス側(又はオス側)の噛み合わせファスナー20aを貼り付け、電子機器ユニット10の底面にもメス側(又はオス側)の噛み合わせファスナー20bを貼り付ける。 - 特許庁

When the distance of the side 50 of the first metal silicide layer 30, and one side of the contact 16 of the well tap region 14 is set to L4 and the distance of the side 54 and one side of the contact 18 is set to L5, it is made L5≥L4.例文帳に追加

第1金属シリサイド層30の辺50とウェルタップ領域14のコンタクト16の一辺との距離をL4、辺54とコンタクト18の一辺との距離をL5とした場合に、L5≧L4にする。 - 特許庁

In the starting control S, the DR side is driven with the AS side stopped when the angular difference information are within a prescribed value, and the AS side as well as the DR side is driven when the angular difference information are out of the prescribed value.例文帳に追加

始動時制御Sでは、角度差情報が所定値以内の場合にはAS側を停止させた状態でDR側を駆動し、角度差情報が所定値から外れる場合にはDR側に加えてAS側も駆動する。 - 特許庁

The staple unit has opposed side plates 26 at the front side and at the corner side and staples 35 as well as right and left rollers 70/71 arranged and supported between the opposed side plates.例文帳に追加

ステープルユニットは、図中手前と奥側に対向側板26を設け、その対向側板間にステープル35とともに、図中左右にコロ70・71を配置して支持する。 - 特許庁

The positive electrode side terminal part 22 and the positive electrode side lead part 4 as well as the negative electrode side terminal part 26 and the negative electrode side lead part 36 are electrically connected by crimping.例文帳に追加

正極側端子部22と正極側リード部34および負極側端子部26と負極側リード部36は、圧着により電気的に接続する。 - 特許庁

A frame side rail 61 is provided with a rail side insertion hole 92 to which a tapping screw 91 is to be inserted, and a frame side insertion hole 93 to which the tapping screw 91 is to be inserted is provided on the inner side face 51 of a horizontal bar part 42 as well.例文帳に追加

フレーム側レール61に、タッピンねじ91が挿通するレール側挿通穴92を設け、横桟部42の内側面51にもタッピンねじ91が挿通するフレーム側挿通穴93を設ける。 - 特許庁

A display part (front side display part) 21 for image display is provided on the front side of the main body of camera, where an image pickup part is located, and a display part (back side display part) 28 for image display is located on the back side of the main body of camera as well.例文帳に追加

撮像部が配置されるカメラ本体の正面側に画像表示用の表示部(正面側表示部)21を設けるとともに、カメラ本体の背面側にも画像表示用の表示部(背面側表示部)28を配設する。 - 特許庁

Also, the buffer material is provided near the four corners of a lower surface which is the surface on the opposite side of the upper surface in the case body 1 and near the front and rear ends of a left side face which is the surface on the opposite side of the right side face as well.例文帳に追加

また、筐体1において上面と反対側の面である下面の四隅の付近、および右側面と反対側の面である左側面の前後端付近にも緩衝材が設けられている。 - 特許庁

To regulate a side part of paper by a side guide, constitute the side guide as an integrally molded article of resin, and simplify a structure, so that regulating action relating to a side surface part of the paper can be well displayed, in a paper feed cassette of universal type.例文帳に追加

ユニバーサルタイプの給紙カセットで、用紙の側部を規制するサイドガイドを、樹脂の一体成型品として構成して構造を簡素化し、用紙の側面部に対する規制作用を良好に発揮できるようにする。 - 特許庁

An average In composition ratio at a p-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the p-type semiconductor layer is larger than an average In composition ratio at an n-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the n-type semiconductor layer and five times or less of the average In composition ratio at the n-side end.例文帳に追加

p型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるp側端平均In組成比は、n型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるn側端平均In組成比よりも大きく、n側端平均In組成比の5倍以下である。 - 特許庁

The p-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the p-type semiconductor layer are larger than the n-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the n-type semiconductor layer, and are less than five times of the n-side end average In composition ratios.例文帳に追加

p型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるp側端平均In組成比は、n型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるn側端平均In組成比よりも大きく、n側端平均In組成比の5倍以下である。 - 特許庁

In addition, a control means 18 displays the other side image received in a display 1b as well as sends the self image taken to the other side when in the image sending status while displaying the self image taken in the display 1b as well as sends an alternative image to the other side when in the image unsending status.例文帳に追加

そして、制御手段18が、画像送信状態では受信した相手側画像を画面1bに表示させるとともに撮影した自分側画像を相手側へ送信させる一方、画像不送信状態では撮影した自分側画像を画面1bに表示させるとともに代替画像を相手側へ送信させる。 - 特許庁

例文

In addition, a control means 18 displays the received other side image in a display 1b, as well as sends a self image taken to the other side, when in the image sending status, and displays the self image taken in the display 1b as well as sends an alternative image to the other side, when in the image unsending status.例文帳に追加

そして、制御手段18が、画像送信状態では受信した相手側画像を画面1bに表示させるとともに撮影した自分側画像を相手側へ送信させる一方、画像不送信状態では撮影した自分側画像を画面1bに表示させるとともに代替画像を相手側へ送信させる。 - 特許庁

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