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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > write readの意味・解説 > write readに関連した英語例文

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write readの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4195



例文

A control IC 152 including a control circuit for controlling the read amplifier in each read amplifier IC 36 and the write diver circuit in each write driver IC 18 or the like are mounted on a board main body 150 forming a fixing part of the main FPC 17.例文帳に追加

また、各リードアンプIC36中のリードアンプ回路及びライトドライバIC18中のライトドライバ回路等を制御する制御回路を含むコントロールIC152が、メインFPC17の固定部をなす基板本体150に搭載される。 - 特許庁

The SRAM cell circuit is caused to be in a write state or a read state by making either a write control transistor or a read control transistor into a conducting state after disconnecting the positive feedback circuit by placing the feedback control transistor in the non-conducting state.例文帳に追加

帰還制御トランジスタを非導通状態として正帰還回路を切断した後、書き込み制御トランジスタ又は読み出し制御トランジスタのいずれかを導通状態として、書き込み状態又は読み込み状態とする。 - 特許庁

The write-in word line WLWp and the read-out word line WLRp are provided with an alternatively driving row decoder 2, and the read-out bit lines BLRp include write disturbance protecting circuits 33 for charging a voltage to a predetermined one.例文帳に追加

書き込みワード線WLWp及び読み出しワード線WLRpは、選択的に駆動するローデコーダ2、読み出しビット線BLRpは、データ書き込み時、所定電圧に充電するライトディスターブ保護回路33を設ける。 - 特許庁

By using a read buffer and a write buffer, the memory controller can switch transfer to an array of the memory device of data stored in the write buffer and transfer to the read buffer of data in the array of the memory device.例文帳に追加

読み出しバッファと書き込みバッファとを使用することにより、メモリ・コントローラは、書き込みバッファ内に格納されたデータのメモリ・デバイスのアレイへの転送と、メモリ・デバイスのアレイ内のデータの読み出しバッファへの転送と、を切り替えることができる。 - 特許庁

例文

To perform the read or write of data by one memory access in a microprocessor or the like having a cache memory or memory even when addresses are not neatly arranged according to the size of the designated data in the read or write of the data.例文帳に追加

キャッシュメモリやメモリを有するマイクロプロセッサ等において、データの読み出しまたは書き込み時に指定されたデータのサイズに応じてアドレスが整列していない場合でも、1回のメモリアクセスでデータの読み出しまたは書き込みをおこなうこと。 - 特許庁


例文

A read/write circuit 117 is controlled by delayed internal control signals MAE1, WBE1, thereby, read or write for a memory cell array is performed in timing in accordance with a value set to the AL setting register 132.例文帳に追加

読み出し/書込み回路117は、遅延された内部制御信号MAE1,WBE1によって制御され、これによりAL設定レジスタ132に設定された値に応じたタイミングでメモリセルアレイに対する読み出し又は書込みを行う。 - 特許庁

Thus, the write line W and the read line R are not adjacent to each other, and by the entry of the ground line therebetween, the crosstalk to the read line R by a high-frequency recording current flowing through the write line W is reduced.例文帳に追加

したがって、ライト線Wとリード線Rの配線が隣りあうことは無く、また、グランドラインGが間に入ることにより、ライト線Wに流れる高周波の記録電流によるリード線Rへのクロストークが低減される。 - 特許庁

Each control node of the first and the second read transistors RT1, 2 is connected to a read word line RWL, and each control node of the first and the second write transistors WT1, 2 is connected to a write word line WWL.例文帳に追加

第1及び第2読み出しトランジスタRT1,2の各制御ノードが読み出しワード線RWLに接続され、第1及び第2書き込みトランジスタWT1,2の各制御ノードが書き込みワード線WWLに接続されている。 - 特許庁

The memory control part 123 is equipped with an LED type judgment part 243 which switches a generation pattern of a write address used in a write address generating part 205, and a generation pattern of a read address used in a read address generating part 247.例文帳に追加

メモリ制御部123は、書込アドレス生成部205において用いる書込アドレスの生成パターンおよび読出アドレス生成部247において用いる読出アドレスの生成パターンを切り換えるLEDタイプ判断部243を備える。 - 特許庁

例文

When the non-contact IC card 16 is held over the read and write region 10 of a non-contact IC card reader/writer, the read and write operation of card data is performed with the nearest antenna 10b among a plurality of subdivided antennas 10a to 10h.例文帳に追加

非接触ICカード16を非接触ICカードリーダライタの読み書き領域10にかざすと、小分けにされた複数個のアンテナ10a〜10hの中で最も近いアンテナ10bとの間でカードデータの読み書き動作が行われる。 - 特許庁

例文

The write is switched to the dual port RAM 105 and the read operation is switched to the dual port RAM 104 under the control of a read/write section 106 for a succeeding period (frame) and a series of operations is switched by each period (frame).例文帳に追加

次の周期(フレーム)において、読み書き切り替え部106の制御により、書き込み動作をデュアルポートRAM105に、読み出し動作をデュアルポートRAM104に切り替え、これら一連の動作を周期(フレーム)毎に切り替える。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device obtaining high data transfer efficiency in all cases of at the time of continuous read-out operation, at the time of continuous write-in operation and at the time of continuous read-out/write-in operation.例文帳に追加

連続的な読み出し動作のとき、連続的な書き込み動作のとき、および連続的な読み出し・書き込み動作のとき、いずれの場合でも高いデータ転送効率が得られる半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a document processing apparatus capable of maintaining stable read/write performance by reducing the effect of a carrying system due to speed variations when a magnetic head is used to read/write a document from/to a recording medium of the document.例文帳に追加

帳票の記録媒体に対して磁気ヘッドによるリード/ライトを行うときの、搬送系の速度変動による影響を軽減し、安定したリード/ライト性能を維持することのできる帳票処理装置を提供する。 - 特許庁

Pairs of read data line (IOR0-IOR31), write data lines (IOW0- IOW31) and spare read data lines (SIR), spare write data lines (SIW) are arranged across a memory cell array while extending in the column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイ上にわたってリードデータ線対(IOR0−IOR31)およびライトデータ線対(IOW0−IOW31)ならびにスペアリードデータ線対(SIR)およびスペアライトデータ線対(SIW)を列方向に延在して配設する。 - 特許庁

The semiconductor memory has an input/output circuit 120 including a write path to supply write data and a read path to supply read data, and data lines WLINE and RLINE to connect the input/output circuit 120 and the memory cell array 103.例文帳に追加

ライトデータが供給されるライトパス及びリードデータが供給されるリードパスを有する入出力回路120と、入出力回路120とメモリセルアレイ103とを接続するデータラインWLINE,RLINEとを備える。 - 特許庁

And data read out with a word line potential being that at the time of program verifying are compared with data read out with a refresh verifying potential, write-in is performed by a write-in circuit 16 for a memory cell in accordance with this compared result.例文帳に追加

そして、プログラムベリファイ時と同じワード線電位にて読み出されたデータと、リフレッシュベリファイ電位にて読み出されたデータとを比較し、この比較結果に応じてメモリセルに対して書き込み回路16により書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a disk unit for requesting re-transmission of a multi data frame or switching read / write of data to / from a device section in the unit of a data size smaller than a sector from the read / write of data in the unit of sectors or taking other measure on the occurrence of incorrect sequence of received frames from a host device.例文帳に追加

ホスト装置からの受信フレームの順序不正が生じると、マルチデータフレームの再送を要求したり、或いはデバイスへのリード、ライトをセクタ単位からセクタより小さいデータサイズに切り替える等が必要である。 - 特許庁

This write end address latch circuit 15 uses the value of the write side address counter 12 to self-restore the value of the read side address counter 13 when the read side address counter 13 malfunctions due to an external temporary noise or the like.例文帳に追加

このライト終了アドレス保持回路15は、外部からの一時的な雑音等によりリード側アドレスカウンタ13が誤動作した時に、ライト側アドレスカウンタ12の値を使用してリード側アドレスカウンタ13の値を自己復旧させる。 - 特許庁

Thereby, since the application programming interface groups 3a and 3b and the read and write device groups 6a and 6b have common control specifications, the read and write device operation definition files 4a and 4b can be handled by a common format.例文帳に追加

アプリケーションプログラミングインタフェース群3a,3b、及び読取書込装置群6a,6bは共通の制御仕様を有するので、共通の書式による読取書込装置動作定義ファイル4a,4bを取り扱うことが可能である。 - 特許庁

The central position of the first read element in a plurality of read elements is shifted from the central position center of a write element by approximately a half of a track width, and also shifted from the central positions of the other read elements in the plurality of read elements.例文帳に追加

複数のリード素子の内の第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置中心からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置する。 - 特許庁

When receiving a request to write data to the allocated data recording medium, the file system refers to the write-protect flag and recognizes that the data recorded on the allocated data recording medium are only read out when the write-protect flag is set, giving notice of a write error.例文帳に追加

ファイルシステムは、割り当てられたデータ記録媒体に対するデータの書き込み要求を受けた際は、ライトプロテクトフラグを参照し、ライトプロテクトが設定されている場合には、その割り当てたデータ記録媒体に記録されたデータが読み出し専用であると認知し、書き込みエラーとする。 - 特許庁

The threshold voltage is set so as to keep in required distribution from one direction for the write selection nonvolatile memory cells in write processing for the rewriting unit using write verify voltage, for a result of write processing, for example, stored information is read out from the nonvolatile memory cell of write selection and non-write selection of the rewriting unit using upper or lower discriminating voltage.例文帳に追加

書換え単位に対する書込み処理において書込み選択の不揮発性メモリセルに対して、書込みベリファイ電圧を用いて、その閾値電圧を一方向から所要の分布に収めるように設定し、書込み処理の結果に対して例えば上裾判定電圧を用いて書換え単位の書込み選択及び書込み非選択の不揮発性メモリセルから記憶情報を読み出す。 - 特許庁

To simultaneously achieve the reduction of power consumption and a read-out time, and the prevention of erroneous write-in of a non-selection cell in read-out performed by shielding every other bit lines.例文帳に追加

1本おきにビット線をシールドして行う読み出しにおいて、消費電力および読み出し時間の低減と非選択セルの誤書き込み防止を同時に達成する。 - 特許庁

Thereby, the storage device control part can write/read out second encoded compression data or the like in/from the storage device during a period in which the first header data are not read out.例文帳に追加

よって、記憶装置制御部は、第1のヘッダデータの読出しを行わないときに、第2の符号化圧縮データ等を前記記憶装置へ読み書きすることができる。 - 特許庁

The log memory 15 can control the write-in and read-out operation of the log data non-synchronously and independently, and can read out the log data repeatedly during performing the test.例文帳に追加

ログメモリ15は、ログデータの書込み動作と読出し動作を非同期かつ独立に制御可能であり、テスト実行中に繰り返しログデータを読出し可能に構成されている。 - 特許庁

When not in the virtual block area 104, real block data read in from the disk group 105 are expanded in the virtual block area 104 and then a read/write response is made.例文帳に追加

仮想ブロック領域104になければディスク群105から読み込んだ実ブロックデータを仮想ブロック領域104内に展開した後にリード/ライト応答する。 - 特許庁

Also, the radiation image information recorded in the electronic cassette 28 is read by an information read/write processing part 95 and transmitted to a console 34 through a transmission/reception part 94.例文帳に追加

また、電子カセッテ28に記録された放射線画像情報を情報読み書き処理部95によって読み取り、送受信部94を介してコンソール34に送信する。 - 特許庁

If error is detected and an interval between the write position and the read position gets out of a predetermined range, a slip control unit 50 controls the read position.例文帳に追加

スリップ制御部50は、エラーが検出された場合であって、かつ書き込み位置と読み出し位置との間隔が所定のレンジを外れる場合、読み出し位置を調整する。 - 特許庁

Thereafter, similarly, data is written/read at this reduced rotational speed to detect a rotational speed that does not allow the off-track to occur, so as to write/read data at this rotational speed. 例文帳に追加

以下、同様に、この低下された回転数で、データのライト/リード動作を実行し、トラックはずれが発生しない回転数を検知して、その回転数でライト/リード動作を行う。 - 特許庁

Thereafter, similarly, data is written/read at this reduced rotational speed to detect a rotational speed that does not allow the data error to occur, so as to write/read data at this rotational speed. 例文帳に追加

以下、同様に、この低下された回転数で、データのライト/リード動作を実行し、データエラーが発生しない回転数を検知して、その回転数でライト/リード動作を行う。 - 特許庁

Write data from the host computer is stored in a backed up nonvolatile memory 102, and read data read from the storage medium 104 is stored in a volatile memory 103.例文帳に追加

ホストコンピュータからのライトデータをバッテリーバックアップされた不揮発メモリ102に格納し、記憶媒体104から読み出したリードデータを揮発メモリ103に格納する。 - 特許庁

A write strategy analysis module receives a read signal indicative of the training pattern written to the optical storage medium, and adjusts the calibration data according to the read signal.例文帳に追加

ライトストラテジ解析モジュールは、光ストレージ媒体に書き込まれたトレーニングパターンを示す読み出し信号を受け取り、読み出し信号に従って、キャリブレーションデータを調整する。 - 特許庁

The servo data is read by using a frequency pass band having a first break frequency in a time window following shifting from the write mode to the read mode.例文帳に追加

サーボ・データは、書込みモードから読出しモードへの移行に続く時間窓の中で、第1の低折点周波数を有する周波数通過帯域を使用して読み出される。 - 特許庁

A transaction information read unit 650 reads transaction information from a transaction information write region indicated by the region information each time the region information is read out.例文帳に追加

トランザクション情報読出部650が、領域情報が読み出されるたびに領域情報の示すトランザクション情報書込領域からトランザクション情報を読み出す。 - 特許庁

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたNAND型EEPROMを提供する。 - 特許庁

When an IC card 2 is inserted into a telephone 1, image data and/or text data stored on an IC chip 21 is read by a read/write device 12.例文帳に追加

電話機1にICカード2が挿入されるとICチップ21に記憶された画像データおよび/または文字データが読み取り書き込み装置12により読み込まれる。 - 特許庁

To provide a composite thin film magnetic head provided with an MR read head element of a CPP structure capable of considerably reducing crosstalk between a write side and a read side.例文帳に追加

書込み側及び読出し側間のクロストークを大幅に低減することが可能なCPP構造のMR読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide an optical reproducing equipment that can discriminate accurately the classification of a read-only disk and a read-write disk even if a wobble signal is eliminated.例文帳に追加

ウォブル信号が除去された場合であっても、再生専用ディスクと記録再生用ディスクとの種別判別を正確に実行し得る光学式再生装置を得る。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device based on a new drive system by which sure write-in and a large read-out signal can be obtained, and a read-out method of the magnetic memory device.例文帳に追加

確実な書き込みと大きな読出信号を得ることを可能とする新規な駆動方式に基づく磁気メモリデバイス、および磁気メモリデバイスの読出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which makes it possible to suppress the increase of the read time of a multivalued memory and realize a high speed read and the reduction of the write disturbance.例文帳に追加

多値メモリの読み出し時間の増加を抑制でき、高速な読み出しおよび書き込みディスターブの軽減を実現可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory part is provided with a write-in line memory to which the devided video signals are serially inputted, and a read-out line memory to which the video signals are transferred parallel, and the video signals are outputted serially from the read-out line memory.例文帳に追加

メモリ部はシリアルに入力される書き込みラインメモリと、それがパラレルに転送される読み出しラインメモリを有し、読み出しラインメモリからはシリアルに出力される。 - 特許庁

In read processing, the history data are successively read inversely to the order of write from data finally written on the data storage region to the back address area.例文帳に追加

読み出し処理においては、書き込み順とは逆に、データ格納領域へ最後に書き込んだデータから、後方のアドレス領域に向かって履歴データを順次読み出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a TMR element as a memory cell in which a write-in current at the time of write-in for a memory cell can be outputted accurately and temperature dependencies of write-in margin and read-out margin are eliminated.例文帳に追加

メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてTMR素子を使用した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a second write operation following the first write operation, a read reference current, which is a mean current for the first and the second reference memory cell, is selected as a write reference current and the data is written only to the memory cell.例文帳に追加

第1書き込み動作に続く第2書き込み動作において、第1および第2リファレンスメモリセルの平均電流である読み出しリファレンス電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルのみにデータが書き込まれる。 - 特許庁

A write control section 5 writes data to the phase adjustment memory 6 on the basis of the reference VC-3 and a read control section 9 reads data from the phase adjustment memory 6 depending on the result of write by the write control section 5.例文帳に追加

書込み制御部5は基準VC−3を基に位相調整メモリ6への書込みを行い、読出し制御部9は書込み制御部5による書込み結果に応じて位相調整メモリ6からの読出しを行う。 - 特許庁

Moreover, the notification to suspend the read/write processing is transmitted to the magnetic disk drives through the host device side interface 30.例文帳に追加

また、リード/ライト処理を中断する通知は、上位装置側インタフェース30を通して磁気ディスクドライブに伝達すること。 - 特許庁

WRITE-ONCE READ-MANY INFORMATION RECORDING MEDIUM, INFORMATION RECORDING METHOD, INFORMATION REPRODUCTION METHOD, INFORMATION RECORDING APPARATUS, AND INFORMATION REPRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

追記型情報記録媒体、情報記録方法、情報再生方法、情報記録装置および情報再生装置 - 特許庁

To read/write a value of a global variable speculatively and to enable rollback, in a simulation system by a computer.例文帳に追加

コンピュータによるシミュレーション・システムにおいて、大域変数の値の読書きを、投機的に行い、且つロールバック可能にする。 - 特許庁

The method and system are described, in relation to a rotary actuator having read and write heads at an interval.例文帳に追加

本方法及びシステムは、間隔を置いた読取り及び書込みヘッドを有するロータリ・アクチュエータに関連して述べられる。 - 特許庁

例文

Deinterleaving is accomplished by controlling the read/write addressing of a memory 35 by the selected deinterleaving function.例文帳に追加

デインタリービングは、選択されたデインタリービング機能によってメモリ35の読み/書きアドレシングを制御することにより行われる。 - 特許庁




  
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