In a method for detecting disease of bone and connective tissue of human beings and animals, the level of a natural peptide-free pyridinoline (N-Pyd) excluding glycosyl radicals a natural peptide-free deoxypyridinoline, or both of them is measured in a non-hydrolyzed serum sample.例文帳に追加

加水分解されていない血清サンプルにおいて、天然のペプチドフリーの非グリコシル化ピリジノリン(N-Pyd)、天然のペプチドフリーのデオキシピリジノリン(N-Dpd)、またはその両方のレベルを測定すること。 - 特許庁

The n-type compressive stress application layer 22 comprises a strain-free AlGaN layer.例文帳に追加

ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。 - 特許庁

To provide an MR element having high (S/N) by improving the soft magnetic characteristics of a free layer as high MR ratio is held as it is.例文帳に追加

高いＭＲ比を保持したままで、フリー層の軟磁気特性を改善し、（S／N）の高いＭＲ素子を提供すること。 - 特許庁

Therefore, an off-leak current (substrate leak current) between drain and body can be controlled in the n-channel MISFET without any deterioration of off-leak current between the drain and body of the n-channel MISFET.例文帳に追加

これにより、Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいてドレイン−ボディ間オフリーク電流を劣化させること無く、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいてドレイン−ボディ間オフリーク電流（基板リーク電流）の抑制が図れる。 - 特許庁

A composition useful for the method contains an antibody or fragments which is immunologically reactive to the natural peptide-free pyridioline (N-Pyd) excluding glycosil radicals, natural peptide-free deoxypyridinoline, or both of these.例文帳に追加

また、天然のペプチドフリーの非グリコシル化ピリジノリン(N-Pyd)、天然のペプチドフリーのデオキシピリジノリン(N-Dpd)、またはその両方と免疫学的に反応性である抗体またはその免疫学的に反応性のフラグメントを含有する組成物。 - 特許庁

In this case, it is known what by cyclic approximation, the attribute group of a predefined voice model is evaluated cyclically for respective repetition steps n and the (n+1)-th repetitively calculated values is calculated for the free parameter.例文帳に追加

この場合、循環的にとは、それぞれの繰返しステップｎについて、循環的に予め定義された音声モデルの属性グループが評価され、フリーパラメータについてn+1回目の繰返し計算値が計算されることが理解される。 - 特許庁

To provide a barium-free and lead-free radiopaque glass which contains zirconium, is suitable as a dental glass and an optical glass, can be produced at a low cost, and has a relatively low refractive index n_d.例文帳に追加

歯科用ガラスとして及び光学ガラスとして適し、また低コストで製造でき、比較的低い屈折率ｎ_ｄを有するジルコニウム含有でバリウム−フリー及び鉛−フリーのＸ線不透過性ガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a barium-free and lead-free radiopaque glass which contains zirconium, is suitable as a dental glass and an optical glass, can be produced at a low cost, and has a low refractive index n_d.例文帳に追加

歯科用ガラスとして及び光学ガラスとして適し、また低コストで製造でき、低い屈折率ｎ_ｄを有するジルコニウム含有でバリウム−フリー及び鉛−フリーのＸ線不透過性ガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a BaO-free and PbO-free X-ray opaque glass which is suitable as dental glass or optical glass and has zirconium having a relatively low refractive index n_d.例文帳に追加

特に歯科用ガラスとして及び光学ガラスとして適し、比較的低い屈折率ｎ_ｄを有するジルコニウム含有でＢａＯ−フリー及びＰｂＯ−フリーのＸ線不透過性ガラスを提供する。 - 特許庁

This enables the control of a drain-body off-leakage current (substrate leakage current) in the N-channel type MISFET without degrading between drain-body off-leakage current in the P-channel type MISFET.例文帳に追加

これにより、Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいてドレイン−ボディ間オフリーク電流を劣化させること無く、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいてドレイン−ボディ間オフリーク電流（基板リーク電流）の抑制が図れる。 - 特許庁

To provide a barium-free and lead-free radiopaque glass which contains zirconium, is suitable as a dental glass and an optical glass, can be produced at a low cost, and has a low refractive index n_d.例文帳に追加

歯科用ガラスとして及び光学ガラスとして適し、また低コストで製造でき、低い屈折率ｎ_ｄを有するバリウム−フリー及び鉛−フリーのＸ線不透過性ガラスを提供する。 - 特許庁

To provide lead-free and arsenic-free optical glass which has a low glass transition temperature Tg, desired optical properties(n_d/ν_d), and good chemical resistance and crystallization stability, and which can be subjected to ion exchange reaction as occasion demands.例文帳に追加

低いガラス転移温度Ｔｇ、所望の光学特性（ｎ_d／ν_d）を有し、必要に応じてイオン交換反応できる耐薬品性、結晶化安定性に優れる鉛フリー及び砒素フリーの光学ガラスを提供する。 - 特許庁

To suppress an off-leakage current in an N-channel MISFET having a silicided source/drain region formed in an Si (110) substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板に形成され、シリサイド化されたソース／ドレイン領域を有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴにおいて、オフリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To preferentially connect a portable telephone n of a driver to an in-vehicle hands-free system 100 regardless of the situation of getting in a vehicle.例文帳に追加

乗車の状況にかかわらず、運転者の携帯電話ｎを車載のハンズフリーシステム１００に優先的に接続する。 - 特許庁

Concerning the transmission cycle, the delay time is controlled at random corresponding to random time generated by using the free-run counter of (n) bits of a CPU.例文帳に追加

送信周期は、ＣＰＵのｎビットのフリーランカウンタを利用することにより生成するランダム時間により、遅延時間をランダムに制御する。 - 特許庁

Consequently, a magnetic flux introduced to the free layer is increased, and the reproduction of the high density recording signal with high efficiency and high S/N ratio is attained.例文帳に追加

従って、フリー層への流入磁束は増大し、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。 - 特許庁

It is preferable that Hc_j-1>Hc_j (where 2≤j≤n) is satisfied when the coersive force of the jth ferromagnetic free layer is defined as Hc_jor Ms_j-1>Ms_j(where 2≤j≤n) is satisfied when the saturated magnetization of the j-th ferromagnetic free layer is defined as Ms_j.例文帳に追加

第ｊ強磁性フリー層の保磁力をＨｃ_ｊとした時に、Ｈｃ_ｊ−１＞Ｈｃ_ｊ（但し、２≦ｊ≦ｎ）を満たすか、第ｊ強磁性フリー層の飽和磁化をＭｓ_ｊとした時に、Ｍｓ_ｊ−１＞Ｍｓ_ｊ（但し、２≦ｊ≦ｎ）を満たすことが好ましい。 - 特許庁

When both the P-type transistor MP1 and the N-type transistor MN2 are turned off, an off-leak current escapes via the P-type transistor MP2 and the N-type transistor MN2.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１とＮ型トランジスタＭＮ２が共にＯＦＦのときオフリーク電流はＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を介して逃げる。 - 特許庁

Further, the count value N of a free counter is changed during an interval [steps S14, S16], and when the count value C reaches the end value Cmax, a big winning value Hit (winning value) is changed to the count value N [step S22].例文帳に追加

また、インターバルの間にフリーカウンタのカウント値Ｎを変化させ〔ステップＳ１４，Ｓ１６〕、カウント値Ｃが終了値Ｃmaxに達すると大当たり値Ｈit（当たり値）をカウント値Ｎに変更する〔ステップＳ２２〕。 - 特許庁

The counted value N in a free counter is varied during the interval (Steps S14 and S16), and a jackpot value Hit (a hit value) is changed to the counted value N when the counted value C reaches the final value Cmax (Step S22).例文帳に追加

また、インターバルの間にフリーカウンタのカウント値Ｎを変化させ〔ステップＳ１４，Ｓ１６〕、カウント値Ｃが終了値Ｃmaxに達すると大当たり値Ｈit（当たり値）をカウント値Ｎに変更する〔ステップＳ２２〕。 - 特許庁

In the inverter, each arm A contains normally-on elements P and N-channel MOS transistors Q connected in series, built-in diodes D for the N-channel MOS transistors Q are used as free wheel diodes and the breakdown voltage of each N-channel MOS transistor Q is 10 to 50 V.例文帳に追加

このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。 - 特許庁

As descried above, the characteristic of the autofluorescent exciter filter as the middle-bandwidth bandpass filter is combined with the characteristic of the color filter, a pseudo spectral characteristic N of the red free filter can be realized without mounting the red free filter as the narrow-bandwidth bandpass filter.例文帳に追加

このように、中帯域バンドパスフィルタである自発蛍光エキサイタフィルタと、カラーフィルタの特性の組み合わせにより、狭帯域バンドパスフィルタである赤色フリーフィルタを装備することなく、擬似的に赤色フリーフィルタの分光特性Ｎを実現できる。 - 特許庁

This invention relates to the low-salt or salt-free microbicidal preparation which comprises (a) at least one fungicide selected from amongst isothiazolone derivatives and (b) at least one stabilizer, wherein the stabilizer is 2, 2'-dithiobis(pyridine N-oxide).例文帳に追加

低塩含量もしくは塩フリーの殺菌剤組成物であって：ａ）一定のイソチアゾロン誘導体から選択される少なくとも一つの殺真菌薬と；ｂ）少なくとも一つの安定化剤とを含有し、該少なくとも一つの安定剤が2,2'-ジチオビス（ピリジンN-オキシド）であることを特徴とする殺菌剤組成物。 - 特許庁

In a free-flow electrophoresis device impressing a voltage vertically to a flow, while making a sample and buffer solution to flow from an upper stream to a lower stream, and implementing electrophoresis, the cross section and the length of a plurality of preparative isolation channels 5(1)-5(n+m) installed in the lower stream side are constituted equal to each other.例文帳に追加

試料および緩衝液を上流から下流へ流しながら、流れと垂直に電圧を印加し電気泳動を行うフリーフロー電気泳動装置において、下流部に設置される複数の分取流路５(1) 〜５(n＋m)の断面および、長さが等しい構成とする。 - 特許庁

The active energy ray-curable resin composition is obtained by dissolving a specific chlorine ion free unsaturated quaternary ammonium salt into a liquid hydrophilicity N-substituted acrylamide.例文帳に追加

液状の親水性Ｎ−置換アクリルアミドに、特定の塩素イオンフリーの不飽和第４級アンモニウム塩を溶解させることで活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an off-leak current hardly increases, even if a silicide region of nickel or nickel alloy is formed on a source and drain of an n-channel MISFET.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁

In an IGBT with a built-in freewheel diode, a wafer thickness D after polishing is made 200μm or less, and both the thickness T8 of a cathode N+layer 8 and the thickness T9 of a P+collector layer 9 are set at 2μm or less.例文帳に追加

フリーホイールダイオード内蔵型ＩＧＢＴにおいて、研磨後のウエハ厚みＤを２００μｍ以下とし、カソードＮ＋層８の厚みＴ８及びＰ＋コレクタ層９の厚みＴ９を共に２μｍ以下に設定する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device comprising a low resistance p-type MIS element, a low resistance n-type MIS element, and a high resistance MIS element wherein off leak current can be suppressed easily in these MIS elements; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低抵抗Ｐ型ＭＩＳ素子、低抵抗Ｎ型ＭＩＳ素子、および高抵抗ＭＩＳ素子を備え、これらのＭＩＳ素子でのオフリーク電流を抑え易い半導体装置、およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection, which suppresses an off-state leakage current and has a satisfactory ESD protection function, without increasing the process steps and the footprint.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a P position or an N position is selected, a ring gear 328 becomes a free state in a power dividing mechanism 310, because a transmission member 206 becomes non-engaging state within a second variable speed unit 400.例文帳に追加

ＰポジションまたはＮポジションの選択時には、伝達部材２０６が第２変速部４００内で非係合となるので、動力分割機構３１０にてリングギヤ３２８がフリー状態となる。 - 特許庁

In this lever drag type double bearing reel 1, the drag lever I1 set at the drag free position is rotated by a return mechanism Q to the drag force production position preset by the winding rotation of a handle N.例文帳に追加

レバードラグ式の両軸受リール１において、ドラグフリー位置にしたドラグレバーＩ１をリターン機構Ｑによって、ハンドルＮの巻き取り回転によってあらかじめ設定したドラグ力発生位置に回動させる。 - 特許庁

Thus, the fear of the deterioration of output distortion, the deterioration of S/N or obstruction to another circuit is eliminated to omit the external element and to freely adjust the element.例文帳に追加

これにより、出力歪の劣化、Ｓ／Ｎの劣化、また他の回路への妨害のおそれなどがなく、外付け素子の省略力、アジャストフリー化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の大きな増加なくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁

Spectral characteristics Mb are images which are converted into monochromatic images, and by using only color data through a green filter, a characteristic similar to a characteristic N of a red free filter can be obtained by reducing components to the long wavelength side.例文帳に追加

分光特性Ｍｂはモノクロ化した場合の画像であり、緑フィルタの色データのみを使用することにより、長波長側の成分を減少させることによって、赤色フリーフィルタの特性Ｎに類似した特性の画像を得ることができる。 - 特許庁

On the other hand, an (n) well 501 is formed by additionally implanting As at a does of 1×1012-2×1013 cm-2 with implantation energy of 70-120 KeV only into a region 040 for fabricating transistors in order to regulate the threshold voltage for minimizing off-leak.例文帳に追加

また、トランジスタ形成領域０４０に対してのみ、打ち込みエネルギ７０〜１２０ＫｅＶ，打ち込み量１×１０^12〜２×１０^13ｃｍ^-2のＡｓを、オフリークを極小化するためのしきい値電圧調整用として追加注入し、ｎウェル５０１を形成する。 - 特許庁

A linear equation showing a relation between input and output is used to calculate the value of an output y_n in the delay-free loop, and the calculation result is used to calculate an update value of a delay signal delayed by delay means 12, 14, 17, and 19.例文帳に追加

ディレーフリーループにおける出力ｙ_ｎの値を、入力−出力の関係を示す線形方程式を用いて演算し、この演算結果を用いて、ディレー手段１２，１４，１７，１９により遅延される遅延信号の更新値を演算する。 - 特許庁

The S/N ratio of a signal depends on the oscillation line width of the magnetic oscillation element 21, while a stable magnetic oscillation element having narrow oscillation line width can be obtained by using an artificial antiferromagnetic film or an artificial ferrimagnetic film, or a perpendicular magnetic film for a free layer in the free layer.例文帳に追加

また、信号のＳ／Ｎ比は磁性発振素子２１の発振線幅に依存するが、フリー層に人工反強磁性膜又は人工フェリ磁性膜若しくは垂直磁化膜を用いることにより発振線幅の狭い安定な磁性発振素子が得られる。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance element, a reproducing head, and a record reproduction system which have proper values for S/N and bit error rate, in comparison to conventional structures, and allow sensing current to flow accurately, as well as longitudinal bias to be applied accurately to a free layer.例文帳に追加

従来構造と比較して再生出力、Ｓ／Ｎ、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。 - 特許庁

A resin is impregnated in a base paper composed of a pulp containing softwood pulp (N pulp) and hardwood pulp (L pulp) at a mass ratio of 5/5 to 7/3 and having a beating degree of 25-40°SR measured by a Schopper freeness tester, and a heat sealing agent layer is formed on one surface of the impregnated base paper.例文帳に追加

針葉樹パルプ（Ｎ材）と広葉樹パルプ（Ｌ材）との比率が質量比で５／５〜７／３で、ショッパーフリーネスでの叩解度が２５〜４０°ＳＲであるパルプからなる原紙に樹脂を含浸し、その一方にヒートシール剤層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

The control valve type lead-acid battery has the electrode plate group in which the number of the positive plates is n and that of the negative plate is n-1, an exposed negative active material is made to exist on the side surface of the negative plate by using an expanded grid in the negative plate, and an essentially no free electrolyte is present.例文帳に追加

正極板枚数がｎで負極板枚数がｎ−１で構成される極板群を有し、負極板にエキスパンド格子体を用いることで負極板の側面に露出負極活物質が存在するように構成し、実質的にフリー電解液が存在しない制御弁式鉛蓄電池とする。 - 特許庁

To provide a method for easily plotting a free line connecting N pieces of points regarding a plotting device etc. to be used for software for a game (in particular, a consumer game, stationary type game, portable type game, portable telephone type game).例文帳に追加

遊戯用ソフトウエア（特にコンシューマゲーム、据え置きタイプのゲーム、携帯型ゲーム、携帯電話で行うもの）で利用される描画装置等であって、Ｎ個の点を連結するフリー線を容易に描くことのできる方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a free layer side of the MTJ element 30 is electrically connected to an n-type drain region 16 through the plug 28, the local internal wiring 29, the plug 27, the connecting conductor layer 25, a plug 23, a connecting conductor layer 21, and a plug 19.例文帳に追加

これにより、ＭＴＪ素子３０のフリー層側は、プラグ２８、局所内部配線２９、プラグ２７、接続導体層２５、プラグ２３、接続導体層２１、及びプラグ１９を介して、ｎ型ドレイン領域１６に電気的に接続されている。 - 特許庁

Responding to this leak detection, a back bias setting circuits 180 sets back bias for a P channel MOS transistor and an N channel MOS transistors so that off-leak current of transistors in each try-state buffers 111, 112 are made small.例文帳に追加

このリーク検知に応答して、各トライステートバッファ１１１，１１２中のトランジスタのオフリーク電流が小さくなるように、バックバイアス設定回路１８０がＰチャネルＭＯＳトランジスタ用及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ用のバックバイアスを設定する。 - 特許庁