1016万例文収録!

「あいうえお順」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > あいうえお順の意味・解説 > あいうえお順に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

あいうえお順の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 454



例文

氏名はあいうえお順です。例文帳に追加

The names are in Japanese alphabetical order. - Tatoeba例文

氏名はあいうえお順です。例文帳に追加

The names are in Japanese syllabary order. - Tatoeba例文

氏名はあいうえお順です。例文帳に追加

The names are in Japanese aiueo order. - Tatoeba例文

表示位の変更には、最後に選択した、頻繁に選択したあいうえお順、お薦めなどがあり、モード設定でどれを選ぶかを選択できる。例文帳に追加

The display order is changed to last selection order, frequent selection order, alphabetical order, recommendation order, etc., and which one is selected is determined by mode setting. - 特許庁

例文

制御部4は、文字入力時に特殊キー3から出力された信号を検出すると、文字配列における各行の文字の並びを、“あいうえお”のから逆の並び、すなわち、“おえういあ”のに変換する。例文帳に追加

When detecting a signal output from a special key 3 at input of characters, a control part 4 converts order of characters in each row in a character array from the order of 'a, i, u, e, o' to an inverse order, namely, the order of 'o, e, u, i, a'. - 特許庁


例文

Si基板1上にSiGe層11とSi層(SOI層)13とを次成膜する。例文帳に追加

An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1. - 特許庁

Si基板1の上に、Si酸化膜2及びSi窒化膜3を次形成する。例文帳に追加

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1. - 特許庁

Si基板1上にゲート絶縁膜5および多結晶Si膜6を次形成する。例文帳に追加

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1. - 特許庁

VoIPの呼制御手にかかわらず、フッキング信号をIP網4上を透過させる。例文帳に追加

To transmit a hooking signal on an IP network 4 regardless of the call control procedure of a VoIP (Voice over IP). - 特許庁

例文

その上で、貼付位置を読取り序に対応させて、IDと対応付けて記憶しておく。例文帳に追加

Then, the sticking positions are made to correspond to reading sequences, and stored so as to be associated with the ID. - 特許庁

例文

下送りローラ1と上送りローラ3の間、回転ブラシ2と上送りローラ3の間を、にマットが挿通可能に構成する。例文帳に追加

The mat washing apparatus is configured in a manner that a mat can be inserted and passed between the lower feeding roller 1 and the upper feeding roller 3 and between the rotary brush 2 and the upper feeding roller 3. - 特許庁

また、基板上に、SiO_x層(1≦x≦2)、Cr層、Ag層、Al_2O_3層及びTiO_2層をこのに積層して高反射ミラーを構成する。例文帳に追加

Alternatively, an SiOx layer (1≤x≤2), a Cr layer, an Ag layer, an Al2O3 layer and a TiO2 layer are stacked in this order on a substrate to obtain the high reflectance mirror. - 特許庁

そして、異なる焦点位置は、レンズエリアE1,E2の外側から内側にかけての位と同じ位で、投影レンズ2から次離れてゆくか又は近づいてゆく。例文帳に追加

Moreover, the different focusing positions either part with or draw near the projection lens 2 in a same order with an order from an outer side to an inner side. - 特許庁

基板上に、TiO_x層(1≦x≦2)、Ag層、Al_2O_3層及びTiO_2層をこのに積層して高反射ミラーを構成する。例文帳に追加

A TiOx layer (1≤x≤2), an Ag layer, an Al2O3 layer and a TiO2 layer are stacked in this order on a substance to obtain the high reflectance mirror. - 特許庁

n型InP基板上に、次、アンドープInGaAs層,n型InP層をMOVPE法により成長した基板を用いた。例文帳に追加

A substrate produced by sequentially growing an undoped InGaAs layer, an n-type InP layer on an n-type InP substrate by MOVPE is employed. - 特許庁

SOI基板の半導体層の上にゲート酸化膜、ゲート電極材料を次形成し、ゲート電極のパターニングを行う。例文帳に追加

A gate oxide film and a gate electrode material are sequentially formed over a semiconductor layer of an SOI substrate and gate electrodes are patterned. - 特許庁

間在部4は左右の靴底形1の上に折り返し後上下面も下、上のに折り重ねる。例文帳に追加

The interposal part 4 is turned up on the right and left sole forms 1 and then the vertical surface is also turned down in the order of the lower part and the upper part. - 特許庁

Cu膜2bの上にはSiCN膜3a、SiCO膜3bおよびSiOC膜4aがに設けられており、SiOC膜4aはSiCN膜3aおよびSiCO膜3bよりも低誘電率な絶縁膜である。例文帳に追加

A SiCN film 3a, a SiCO film 3b, and a SiOC film 4a are provided, in this order, on the Cu film 2b, and the SiCO film 4a is an insulating film having a dielectric constant lower than those of the SiCN film 3a and the SiCO film 3b. - 特許庁

ウエハに形成したCu配線層の上にSiNx層、SiO_2層を次形成し、レジスト層をマスクとしてSiO_2層およびSiNx層をドライエッチングする。例文帳に追加

An SiNx layer and an SiO_2 layer are successively formed on a Cu wiring layer formed on a wafer and the SiO_2 layer and the SiNx layer are dry etched using a resist layer as a mask. - 特許庁

シフトレジスタSRiは該映像データをクロック線Φi上のクロック信号に応答して、次シフトする。例文帳に追加

The shift registers SRi successively shift the video data in response to clock signals on clock lines ϕi. - 特許庁

その後、曲線C上の点c1(Id+A,f(Id+A))から引かれた接線とId軸とが交わる点を点d1´(Id1´,0)とし、次演算を行う。例文帳に追加

Then, it performs calculation in order, setting the point where the tangent drawn from the point c1 (Id+A, f(Id+A)) on the curve C and the Id axis cross each other as the point d1' (Id1', 0). - 特許庁

エレベータの負荷試験において、釣合おもり4中の加減おもり5を次かご上面2aa上に移送し、またかご上面上に移送された加減おもりを次釣合おもり側に戻してかごの荷重負荷を変えながらエレベータの機能試験を行うエレベータの負荷試験方法である。例文帳に追加

In the elevator load test method, the functional test of an elevator is carried out while changing the load on a car by successively transferring adjustment weights 5 in the balance weight 4 on an upper face 2aa of the car in the load test of the elevator, and successively returning the adjustment weights transferred on the upper face of the car to the balance weight side. - 特許庁

一連の序に従って複数の画像を次投影する場合に、その時点で投影する画像の内容を重み付けしながら同時に前後の隣接する画像の内容も確認可能とする。例文帳に追加

To confirm the contents of front and rear adjacent images at the same time while weighting the contents of an image to be projected at that point of time when sequentially projecting a plurality of images according to a string of sequences. - 特許庁

Scan管理部4は、SSID優先位管理部12により得られる検索優先度の高いSSIDから番に、Scan処理部5に対して基地局の検索を要求し、基地局の検索を行う。例文帳に追加

The Scan management part 4 requests the Scan processing part 5 to perform retrieval of the base station from an SSID of the highest retrieval priority acquired by the SSID priority management part 12 in order, and the retrieval of the base station is performed. - 特許庁

Si基板1上にSiGe層及びSi層(SOI層)5を次積層し、SiGe層及びSi層5を貫く溝hをSi基板1上に形成する。例文帳に追加

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1. - 特許庁

AlTiC等から構成される基体1上において、基体保護層2、下部シールド層3、及び下部絶縁層4をこのに形成する。例文帳に追加

On a base 1 constituted of AlTiC, etc., a base protecting layer 2, a lower shield layer 3 and a lower insulation layer 4 are formed in this order. - 特許庁

第1及び第2の羽根車21、22のいずれか一対の羽根の上に物品A1,A2が移動方向に並ぶようにベルトコンベア1の搬送速度を、物品が並ぶ番に応じた速度に次低下させるよう構成する。例文帳に追加

The conveyance speed of a belt conveyor 1 is sequentially decreased according to the order of article arrangement so that articles A1 and A2 may be arranged on one of first and second pairs of impellers 21 and 22 in the direction of movement. - 特許庁

原稿台に複数の原稿が載置されていると判断した場合(S13:YES)、制御部は、読取り序の設定を行い(S14)、設定した読取り序に従って原稿の読取処理を行う(S15)。例文帳に追加

When a plurality of drafts is discriminated to be laid on the draft table (S13: YES), a control unit performs setting of a reading order (S14), and performs reading processing of the draft according to the established reading order (S15). - 特許庁

尻出し印字の場合、下のラインから上のラインへに、かつ各ラインにおいては、右から左のに読み出され、印字ヘッドに供給されて印字される。例文帳に追加

In case of tailing print, respective bits are read out sequentially from a lower line to an upper line and from right to left in each line before being fed to the print head and printed. - 特許庁

オーディオタイトルセットATSは、その記録内容の再生序を管理するプログラムチェーン情報ATS_PGCIを含む。例文帳に追加

An audio title set ATS includes program chain information ATS_- PGCI to manage the reproduction order of its recording contents. - 特許庁

また、可動電極6,7,8と駆動電極14,15,16との間の隙間寸法a,b,cを次大きく設定する。例文帳に追加

Gap dimensions a, b and c between movable electrodes 6, 7, 8 and driving electrodes 14, 15, 16 are set to increase gradually. - 特許庁

熱緩衝板4B,4EおよびIGBT5B,5Eは、それぞれ銅箔3A,3C上に次形成される。例文帳に追加

The heat buffer plates 4B and 4E and the IGBTs 5B and 5E are formed on the copper foils 3A and 3C respectively in this order. - 特許庁

n型単結晶シリコンウエハ1の主面上にi型非晶質シリコン膜およびp型非晶質シリコン膜がに形成されている。例文帳に追加

On the major surface of the n-type single crystal silicon wafer 1, an i-type amorphous silicon film and a p-type amorphous silicon film are formed sequentially. - 特許庁

また、温度上昇に伴うLD53の電圧Vopの低下に比例して、LD53に流れる駆動電流ILDが増加する。例文帳に追加

The drive current ILD allowed to flow into the LD 53 is increased in proportion with the drop of the forward voltage Vop of the LD 53 following temperature rise. - 特許庁

FIFO42は先着に全発光ドットにかかる制御データが揃った時点で階調制御手段43に出力を行う。例文帳に追加

The FIFO 42 performs output to a gradation control means 43 at a point of time when control data related to all of light emitting dots are completed in the order of arrival. - 特許庁

なお、帳票nの場合、テーブル2−4の第一候補文字列で一致、第二候補文字列でも一致し、次照合を繰り返す。例文帳に追加

In the case of a slip (n), they are coincident in the first candidate character string of the tables 2-4 and coincident in the second candidate character string, and collation is repeated in order. - 特許庁

タイの主要な貿易相手国・地域をみると、2011 年の輸出先としてはASEAN、中国(含香港)、NAFTA、EU27、日本のに多い。例文帳に追加

Thailand's export destinations in 2011 include ASEAN countries, China (including Hong Kong), NAFTA, EU27, and Japan in the descending order of export amount. - 経済産業省

応白色点算出部19は、白色点データが示す白色点を所定の曲線に投影した投影白色点を計算し、投影白色点と曲線上の所定の白色点の間の、曲線上に位置する点を部分応白色点として算出し、投影における投影量に基づき、部分応白色点を補正する。例文帳に追加

An adaptation white point calculating part 19 calculates a projection white point, by projecting the white point shown by the white point data on a predetermined curve, calculates a point positioned on the curve between the projection white point and the predetermined white point on the curve, as a partial adaptation white point, and corrects the partial adaptation white point, based on the projection quantity of the projection. - 特許庁

フレームバッファ128に記憶された画像データはCPU129によって所定序に整列された後、入力信号Siとしてラッチ回路110に次出力される。例文帳に追加

Image data stored in a frame buffer 128 are area in a prescribed sequence by a CPU 129, and successively outputted to a latch circuit 110 as input signals Si. - 特許庁

この1つの次状態BDDに対応する状態Nが状態集合Sに含まれる場合に(S13)、序回路1と序回路2は論理的に等価であるとの検証結果を得る(S14)。例文帳に追加

When the state N corresponding to one successive state BDD is included in the state set S (S13), the inspection result that the sequential circuits 1 and 2 are logically equivalent, is obtained (S14). - 特許庁

優先位判定部14は、優先度係数算出部11により算出された2つ以上のリクエストについて調停優先度係数S(n)が同じである場合のリクエスト受け付けの優先位を判定する。例文帳に追加

The priority order determination part 14 determines the priority order of request receipt when two or more requests have the same arbitration priority factor S(n) calculated by the calculation part 11. - 特許庁

経路6aは、少なくともPレンジ、Rレンジ、Nレンジ、及びDレンジのに配置した運転ポジションを備えて、左右横方向に3つの第2ラインII、第3ラインIII、及び第4ラインIV上に配置している。例文帳に追加

The path 6a has driving positions by an arrangement of at least a P range, an R range, an N range and a D range in the order, and is transversely located on three lines or a second line II, a third line III and a fourth line IV. - 特許庁

そして、その画像処理手に従って、処理IDと同時に送信されてきた画像データに画像処理を行なう(S517)。例文帳に追加

Then the image processing is performed to the image data which is simultaneously transmitted with a processing ID in accordance with the image processing procedure (S517). - 特許庁

p−GaAsキャップ層6の上には、SiO2 からなる絶縁膜7とp側電極8とがに積層されている。例文帳に追加

An SiO2 insulation film 7 and a p-side electrode 8 are laminated on the cap layer 6. - 特許庁

二重SOI基板10は、表面側からに、シリコン層15、絶縁膜(シリコン酸化膜)14、シリコン層13、絶縁膜12を有する。例文帳に追加

A dual SOI substrate 10 has a silicon layer 15, an insulation film (silicon oxide film) 14, a silicon layer 13 and an insulation film 12 in this order from the front surface side. - 特許庁

処理序表示手段は、ユーザが「優先設定」のボタンを押下した場合に、指定されたジョブの表示位置を最も上に変更する。例文帳に追加

A processing sequence display means changes a display location of the designated job at the uppermost display location when the user depresses the button marked as 'priority setting'. - 特許庁

ICソケット1は、支持ボード2の上に、位置決めフィルム4、絶縁性樹脂フィルム3及び押圧治具5が次重ねられて位置決め固定される。例文帳に追加

In an IC socket 1, a positioning film 4, an insulating resin film 3 and a pressure jig 5 are sequentially stacked, positioned and fixed on a supporting board 2. - 特許庁

CPUはそれを受けて、送信条件、アイデンティファイアのデータを従来と同様に変更して優先位を高める措置を行う(ST15)。例文帳に追加

The CPU receiving the report changes a transmission condition and data of identifier similarly to a conventional case to enhance the priority (ST15). - 特許庁

GUI上での各種機能の設定を、ヘルプガイダンスを用いて簡単な操作手に従って行うことによって作業効率を向上させること。例文帳に追加

To improve working efficiency by setting various functions on a GUI in accordance with a simple operation procedure, using help guidance. - 特許庁

例文

方向電圧の低い発光素子が得られるAlGaInP系発光素子用エピタキシャルウェハ及び発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP light-emitting element, together with a light-emitting element where a light-emitting element with low forward voltage is provided. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Tatoebaのコンテンツは、特に明示されている場合を除いて、次のライセンスに従います:
Creative Commons Attribution (CC-BY) 2.0 France
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright Ministry of Economy, Trade and Industry. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS