「あいうえお順」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

トンネル絶縁膜３０ｔ、電荷蓄積層ＣＳ１、ブロック絶縁膜５０およびゲート電極６０は、半導体基板２０の上において第１のソース・ドレイン領域２１および第２のソース・ドレイン領域２２の間に順に設けられている。例文帳に追加

A tunnel insulation film 30t, a charge storage layer CS1, a block insulation film 50 and a gate electrode 60 are sequentially formed between a first source-drain region 21 and a second source-drain region 22 on a semiconductor substrate 20. - 特許庁

サーバ端末装置３は、ＩＣカード１とリーダライタ２とを動作させる制御関数３３と、ウエブページを表示するブラウザ３２と、制御関数を呼び出して実行する手順が記述されたウエブページをブラウザ３２の呼び出しに応じて送信するＨＴＴＰサーバ３１とを有する。例文帳に追加

Server terminal equipment 3 is provided with a control function 33 operating the IC card 1 and the reader-writer 2, a browser 32 displaying a web page and an HTTP server 31 transmitting the web page where the procedure of calling and executing the control function is described corresponding to the calling of he browser 32. - 特許庁

各投影ビューごとに、ＣＴシステムのアイソセンタの最も近傍にある検出器素子から１つの検出器素子の値Ｖａを選定し、この選定した検出器素子に対して、反対方向からまたは同じ方向の順方向投影から、その検出器素子の値Ｖｂを推定する。例文帳に追加

For each projection view, a value Va of one detector element is selected from detector elements closest to the isocenter of the CT system, and with respect to the selected detector element, a value Vb of the detector element is estimated from the opposite direction or from a forward projection. - 特許庁

Ｗｅｂサービス担当ＡＰサーバ２００は、クライアント端末１００からのリクエストを受け付けるリクエスト受付部２０１と、リクエストに応じた処理の手順を外部装置にて呼び出させるための処理をＲＭＩサービス担当ＡＰサーバ３００に対して要求する処理要求部２０４とを備える。例文帳に追加

An AP server 200 for the web service includes a request receiving unit 201 for receiving a request from a client terminal 100, and a processing request unit 204 for requesting processing for calling out a procedure of processing in response to the request by an external device, to an AP server 200 for RMI service. - 特許庁

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。例文帳に追加

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16. - 特許庁

反射層８、駆動用液晶層５ｂ及び偏光膜１がこの順に積層された液晶表示装置であって、前記反射層８と前記駆動用液晶層５ｂとの間に、ディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層６を少なくとも１層有する液晶表示装置である。例文帳に追加

The liquid crystal display device has a reflection layer 8, a liquid crystal layer 5b for driving, and a polarizing film 1 laminated in this order, wherein the liquid crystal display device has at least a layer of an optically anisotropic layer 6 containing a discotic liquid crystalline compound between the reflection layer 8 and the liquid crystal layer 5b for driving. - 特許庁

共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる線状部２２Ｅと有機膜である第１の配向膜２３との界面Ａ、第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの界面Ｂが、この順で存在する。例文帳に追加

On a linear part 22E of a common electrode 22, an interface A between a linear part 22E made of transparent conductive material such as ITO, and a first alignment film 23 being organic film, and an interface B between the first alignment film 23 and liquid crystal LC, exist in this order. - 特許庁

複数の層を順に積層していく際に、下の層に形成された基準部を、視認できなかったり視認し難かったりするような場合であっても、下の層の平面内の位置と、その上に形成された上の層の平面内の位置とを、的確に対応させることができる基準部形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reference section forming device which can exactly parallelize the position within the plane of a lower layer and the position within the plane of an upper layer formed thereon even when the reference section formed on the lower layer cannot be visually recognized or can be hardly visually recognized in successively laminating a plurality of the layers. - 特許庁

透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜（Ｉ）を下地として、その上に、酸化インジウム系透明導電膜を保護するための酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩ）、次いで凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩＩ）が順次形成された三層積層構造とする。例文帳に追加

A transparent conductive film laminate has a three-layer laminated structure in which an indium oxide transparent conductive film (I) formed on a translucent substrate is used as a base, and a zinc oxide transparent conductive film (II) for protecting the indium oxide transparent conductive film and a zinc oxide transparent conductive film (III) having excellent concavo-convex properties are formed in sequence on the indium oxide transparent conductive film. - 特許庁

ベース基板１上に、下側電極３、誘電体層５、上側電極６を順次積層してなるとともに、誘電体層５が有機樹脂からなるレーザートリマブルコンデンサであって、誘電体層５と上側電極６との間に、ＳｉＯ_2からなる密着層Ａが形成されている。例文帳に追加

The laser trimmable capacitor is formed by laminating a lower electrode 3, an organic resin-made dielectric layer 5 and an upper electrode 6 on a base board 1, and an SiO2 contact layer A is formed between the dielectric layer 5 and the upper electrode 6. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。例文帳に追加

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1. - 特許庁

ブラシローラ３１ａ、３１ｂの間とブラシローラ３１ｂ、３１ｃの間を順次メダルの通過経路とするので、洗浄液に濡れたメダルの両面は、通過経路の曲折にそった方向転換時の姿勢変化によって、各ブラシローラに押し付けられる。例文帳に追加

Since an opening between brush rollers 31a and 31b and an opening between brush rollers 31b and 31c are the passage course of the token one by one, both sides of the token wetted with a washing agent are pushed against each of the brush rollers by changing the posture at the time of a turnabout along the bending of the passage course. - 特許庁

下から順にＴｉＮ層、ＡｌＣｕ合金層及びＴｉＮ層を重ねた積層を塩素系ガスを用いてプラズマエッチングする際に波長が３９６．２ｎｍより長い活性種の発光をモニターし、その発光強度の変化に基づいてエッチング終点を検出する。例文帳に追加

In plasma etching of a laminate of TiN layer 44a, AlCu alloy layer 44b and a TiN layer 44c are laminated in this order, using chloric gas, the light emission of an activated species at a wavelength longer than 396.2 mm is monitored to detect the etching end point, based on change in its light intensity. - 特許庁

熱処理は、Ｔｉ層上のＰｄ層が消失するように行い、これにより、第２金属層（Ｔｉシリサイド層）２０上に、第４金属層２２と、Ｐｄを含む第３金属層（Ａｌ層）２１と、が順に積層されたショットキバリア電極１３を得る。例文帳に追加

The thermal treatment is carried out in order to make the Pd layer on the Ti layer disappear so that a shot barrier electrode 13 where the fourth metallic layer 22 and the third metallic layer (Al layer) 21 including the Pd are successively laminated can be formed on the second metallic layer (Ti silicide layer) 20. - 特許庁

さらに、指の輪郭線を構成する各画素に対して追跡始点から順番に画素ＩＤを連番付与した上で、指の輪郭線を構成する各画素と基準点との離間距離と画素ＩＤを対応付けたテーブルを認証用データとして使用する。例文帳に追加

Furthermore, pixel ID is serial-numbered to the pixels constituting the border line of the fingers sequentially from the tracking origin point, and then a table in which the clearance between each of the pixels constituting the border line of the fingers and the reference point is associated with the ID is used as data for authentication. - 特許庁

半導体基板（２１）の上に、下層埋め込み酸化膜（４２）、応力緩和膜（４３、５３）、上層埋め込み酸化膜（４４）、ＳＯＩ膜（２５）の順に形成され、応力緩和膜（４３）の熱膨張係数が上層埋め込み酸化膜（４４）の熱膨張係数より大きい。例文帳に追加

On a semiconductor substrate (21), lower-layer buried oxide films (42), a stress reducing film (43, 53), an upper-layer buried oxide film (44), and the SOI film (25) are formed sequentially and the coefficient of thermal expansion of the stress reducing film (43) is larger than the coefficient of thermal expansion of the upper-layer buried oxide film (44). - 特許庁

同一のリモコンキーに複数のＴＳが対応付けられている場合、当該リモコンキーの押下操作に対応して、複数のＴＳの情報（３桁番号、枝番号、およびＴＳ名）が選択頻度の順序に配置されて画面上に表示される。例文帳に追加

When the plurality of TSes are associated with the same remote control key, information items of the plurality of TSes (3-digit number, branch number, and TS name) are arranged in order of selection frequency and displayed on a screen. - 特許庁

消去候補トラック記憶テーブルに、あらかじめ消去候補トラックを登録しておき、ＭＤへ音声データを記録する際に記録可能エリアを確保する場合は、消去候補トラック記憶テーブルから登録されている消去優先順位にしたがって消去候補トラックを取得する。例文帳に追加

Erasure candidate tracks are previously registered in an erasure candidate track memory table and when the recordable area is assured in recording speech data to an MD, the erasure candidate tracks are acquired according to the registered erasure priority from the erasure candidate track memory table. - 特許庁

本発明の目的は、車幅方向に延びる長円形の周回移送経路に沿って周回して供給された苗を所定位置まで順次移送する多数の苗移送カップを備える苗移送装置と、リンク機構により昇降する苗植付け体を各々備える左右の苗植付装置により、所定の植付条間で千鳥植えできる苗移植機を提供することにある。例文帳に追加

To provide a seedling transplanter enabling zigzag planting with a prescribed interrow space by using a seedling transfer device furnished with a number of seedling transfer cups circulating along an oval circulation transfer path extending in a vehicle width direction and successively transferring the supplied seedlings to a prescribed position, and right and left seedling planting devices each having a seedling planting member vertically reciprocating with a link mechanism. - 特許庁

ＨＤＲシステムとＩＳ−２０００システムとを統合した無線通信システムにおいて、ＨＤＲシステムにおいて高速パケット通信を行っている移動局１０１に対してＩＳ−２０００システムから割り込み要求があった場合に、ＢＳ１０５は、ＭＳ１０１の優先順位を、割り込み要求が無かった場合よりも高くして通信リソースの割り当てを行う。例文帳に追加

In the radio communication system in which an HDR system and an IS-2000 system are integrated, when an interruption request is issued from the IS-2000 system to a mobile station 101 performing high rate packet communication in the HDR system, a BS 105 makes the priority order of an MS 101 higher than the case any interruption request is not issued, and performs the assignment of communication resources. - 特許庁

放電灯ＬＡを点灯させる場合に少なくとも予熱モード、始動モード、及び点灯モードに順次移行する場合に、始動モードにおいて放電灯ＬＡが点灯した後の電気特性、例えばランプ電圧を検出するランプ電圧検出手段ＬＶＤと、このランプ電圧検出手段ＬＶＤの検出結果に基づいて放電灯ＬＡの種類を識別する放電灯識別手段ＤＣＭとを備える。例文帳に追加

When a discharge lamp LA is lit with at least shifting from preheating mode, starting mode to lighting mode sequentially, a lamp voltage detecting means LVD detecting an electrical characteristics, for example, lamp voltage after lighting the discharge lamp LA in the starting mode and a discharge lamp identifying means DCM identifying a type of the discharge lamp LA based on the detecting result of the lamp voltage detecting means LVD, are provided. - 特許庁

オリジナルＭＩＤＩデータＤＡに対し、加工プログラムＰＡにより、ＭＩＤＩデータに対する加工，ＭＩＤＩデータの各チャンネル毎のＷＡＶデータへの変換，各チャンネルのＷＡＶデータに対する加工，加工後のＷＡＶデータに対するミックスダウン加工，ミックスダウンＷＡＶデータに対するマスタリング加工，が順次施される。例文帳に追加

Original MIDI data DA are subjected to processing of the MIDI data by a processing program PA, conversion of the MIDI data into WAV data by channels, processing of the WAV data of the respective channels, mix-down processing of the WAV data having been processed, and mastering processing of the mixed-down WAV data in order. - 特許庁

作動エリアの一部が重なっている複数の可動部材が夫々原点位置から大きく外れた位置にある状態で各可動部材のイニシャル動作を順次行う場合でも、可動部材の干渉によるエラーの発生を極力排除できるようにする。例文帳に追加

To prevent errors caused by interference of movable members as much as possible when initial motions of respective movable members are performed one after another while a plurality of movable members, whose operation areas overlap, are largely diverged from their respective origin positions. - 特許庁

単結晶基板９の上に成長制御膜１０、シード層３、下地層４、一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成る磁性層５およびＣ，ＳｉＯ等からなる非磁性保護層６とを順次積層した磁気記録媒体８である。例文帳に追加

The magnetic recording medium 8 is formed by successively laminating a growth control film 10, a seed layer 3, a base layer 4, a magnetic layer 5 consisting of a Co alloy layer having uniaxial crystal magnetic anisotropy and a non-magnetic protective layer 6 consisting of C, SiO and the like on the single crystal substrate 9. - 特許庁

光学式位置検出装置１０において、制御用ＩＣ７０が第１駆動ライン１２５Ａおよび第２駆動ライン１２５Ｂを介して光源部１２に高周波数の駆動パルスを順次供給すると、光源部１２からは検出光Ｌ２が放射状に出射される。例文帳に追加

In an optical position detector 10, when a control IC 70 sequentially supplies high frequency driving pulses to a light source section 12 via a first driving line 125a and a second driving line 125B, the light source section 12 emits detection light L2 in a radiate pattern. - 特許庁

機関始動を行う場合に、機関停止時に供給された燃料に対して最初に行われる点火の点火時期を、上死点よりも遅角側にずらした時期となるようにし、最初の点火以降に行われる点火の点火時期を、順次、徐々に進角側にずらしていくように制御する。例文帳に追加

When the start of the engine is performed, the timing of an ignition first performed for the fuel supplied when the engine is stopped is set to a timing shifted to the spark-retard angle of a top dead center, and the timings of the ignitions performed after the first ignition are controlled to be gradually shifted in order to the spark-retard angle side. - 特許庁

半導体基体１０１の上に、順次、Ｔｉ膜８、Ａｌ膜９、第１Ｍｏ膜１０、遷移元素酸化膜（ＭｏＯ_ｘ膜）１０Ａ、第２Ｍｏ膜１１を積層してゲート電極１３ｐ，１３ｑ，１３ｒ，・・・・・，１３ｗを構成している。例文帳に追加

There are successively laminated a Ti film 8, an Al film 9, a first Mo film 10, a transition element oxide film (MoOx film) 10A, and a second Mo film 11 on a semiconductor substrate 101 for composing the gate electrodes 13p, 13q, 13r,..., and 13w. - 特許庁

無機充填剤を含有するエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を主体とするバッカー層の上に、第一アイオノマー樹脂層、無機充填剤を含有する非延伸の非結晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂層、絵柄層、第二アイオノマー樹脂層、第三アイオノマー樹脂層が少なくともこの順に設けられてなることを特徴とする。例文帳に追加

The first ionomer resin layer, an unstretched amorphous polyethylene terephthalate resin layer containing an inorganic filler, a pattern layer, the second ionomer resin layer, and the third ionomer resin layer are formed at least in this order on a backer layer containing an ethylene-vinyl acetate copolymer resin containing an inorganic filler as a main component. - 特許庁

基板１上に形成されたフッ素添加カーボン膜２０と、このフッ素添加カーボン膜２０の上に形成され、ＳｉＣＯ膜２３とＳｉＯ_２膜２４とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜２０とハードマスク層との間に、ＳｉＮ膜２１とＳｉＣＮ膜２２とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes a fluorine added carbon film 20 formed on a substrate 1; the hard mask layer formed on the fluorine added carbon film 20 and containing an SiCO film 23 and an SiO_2 film 24; and a barrier layer formed by laminating an SiN film 21 and an SiCN film 22, in this order, starting from beneath between the fluorine added carbon film 20 and the hard mask layer. - 特許庁

上記課題を解決するアイオネンポリマー水溶液の分析方法は、アイオネンポリマーの水溶液である試料を、水溶液を移動相に用いて、不活性多孔質固体が充填されたカラムに通過させることにより、異なる分子量を有する成分毎に分離する分離工程と、カラムを通過した試料を順次示差屈折率検出器を用いて分析する分子量評価工程とを含むものである。例文帳に追加

The analyzing method of the ionomerpolymer aqueous solution includes a separation process for passing a sample being the ionenpolymer aqueous solution through a column packed with an inert porous solid using an aqueous solution as a moving phase to separate the same at every component having different molecular weights and a molecular weight evaluating process for analyzing the sample having passed through the column using a sequential differential refractive index detector. - 特許庁

鋼板１１上に、ポリイミド層１４と銅箔層１３とがこの順序で形成された基板表面にパターニングされたフォトレジスト層１６を形成し、銅箔層１３をエッチング処理する際、エッチング液に、アンモニアイオンと、銅イオンと、塩素イオンとを含有する水溶液を用いる。例文帳に追加

In this manufacturing method, an aqueous solution containing ammonia ions, copper ions and chlorine ions is used for etching liquid at formation of a photoresist layer 16 patterned on the surface of a substrate, where a polyimide layer 14 and a copper layer 13 are formed in the order on a steel plate 11 and etching the copper foil layer 13. - 特許庁

半導体基板１０１におけるｎチャネルＭＩＳトランジスタ形成領域の上に、ゲート絶縁膜として、第１の高誘電率絶縁層２０２、アルミニウム含有層２０３、ランタン含有層２０４及び第２の高誘電率絶縁層２０５を順次形成する。例文帳に追加

On an area where an n-channel MIS transistor is formed in a semiconductor substrate 101, there are sequentially formed a first high-dielectric constant insulating film 202, an aluminum-containing film 203, a lantern-containing film 204, and a second high-dielectric constant insulating film 205. - 特許庁

機器制御部８は、印字処理を行う場合、ＨＤ１２から画像データを順次読み出してメモリ６ａに記憶させた上で印字部６ｂへ転送すると共に、メモリ６ａに記憶した画像データを判別部１６へ転送する。例文帳に追加

When printing processing is performed, an apparatus control part 8 successively reads out image data from a HD 12 to store it in a memory 6a and then transfers the image data to a printing part 6b and transfers the image data stored in the memory 6a to a discrimination part 16. - 特許庁

断面中央部と断面周縁部との流速差の影響、ならびに超音波受信レベルないし感度の順方向伝播時と逆方向伝播時との間の非対称性を解消し、ひいては計測精度の更なる向上に寄与する超音波流量計を提供する。例文帳に追加

To provide an ultrasonic flowmeter capable of offsetting the effects of a flow velocity difference between a cross-sectional center part and a cross-sectional circumferential edge and the asymmetry of an ultrasonic reception level or sensitivity between the time of propagation in a forward direction and the time of propagation in a reverse direction and contributing to further improvements in the accuracy of measurement. - 特許庁

液晶駆動ＬＳＩの電力出力にアナログメモリを搭載し、液晶駆動電圧をメモリに蓄え、そのデーターを順じアナログシフト回路で伝送し、検査時間を大幅に削減した半導体回路装置及び検査方法である。例文帳に追加

In the semiconductor circuit device and its inspection method, an analog memory is packaged in a power output of the liquid crystal driving LSI, a liquid crystal driving voltage is accumulated in the memory and the data are successively transmitted by an analog shift circuit, thereby remarkably reducing the inspection time. - 特許庁

ｐ型ＭＩＳトランジスタは、半導体基板１０における第２の活性領域１０ｂ上に順次形成された第２のゲート絶縁膜１３ｂ及び第２のゲート電極１４ｂと、第２のゲート電極１４ｂの側面上に形成された第２のサイドウォール１６ｂとを備えている。例文帳に追加

The p-type MIS transistor includes a second gate insulating film 13b and a second gate electrode 14b which are sequentially formed on a second active region 10b in the semiconductor substrate 10, and a second side wall 16b formed on the side surface of the second gate electrode 14b. - 特許庁

投影光学系ＰＯは、原版１と基板１１との間の光路中に原版１の側から順に配置された第１凹面ミラー６、凸面ミラー７、第２凹面ミラー８と、第１凹面ミラー６および第２凹面ミラー８を支持する支持機構とを備える。例文帳に追加

The projection optical system PO comprises the first concave mirror 6, a convex mirror 7, the second concave mirror 8, and a support mechanism supporting the first concave mirror 6 and the second concave mirror 8 disposed in an optical path between the original 1 and a substrate 11 in order from the side of the original 1. - 特許庁

シリコン基板１０１の上に、不純物を実質的に含まない酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2 ）１０４と、ボロン及びリンを含む酸化シリコン膜であるＢＰＳＧ膜１０５とを順次堆積した後、ＢＰＳＧ膜１０５及び酸化シリコン膜１０４にコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film (SiO2 film) 104 which substantially does not contain impurities and a BPSG film 105, which contains boron and phosphorus and is a silicon oxide film, are deposited in the order on a silicon substrate 101 and thereafter, a contact hole is formed in the films 105 and 104. - 特許庁

機器制御部８は、印字処理を行う場合、ＨＤ１２から画像データを順次読み出してメモリ６ａに一旦記憶させた上で印字部６ｂへ転送すると共に、メモリ６ａに記憶した画像データを判別部１６へ転送する。例文帳に追加

In the case of performing printing processing, an equipment control part 8 successively reads out the image data from an HD 12, temporarily stores it to a memory 6a and then transfers it to a printing part 6b, and also it transfers the image data stored in the memory 6a to a discrimination part 16. - 特許庁

基板１１の上にＭＭＡを含むレジストからなる下層レジスト膜１２、Ｐ（ＭＭＡ−ｃｏ−ＭＡＡ）を含むレジストからなる上層レジスト膜１３及び下層及び上層レジスト膜１２，１３よりも耐熱性が高いＰＭＧＩを含むレジストからなる保護レジスト膜１４を順次形成する。例文帳に追加

A lower resist film 12 of resist containing methyl metaacrylate(MMA), an upper resist film 13 of resist containing P (MMA-co-MAA), and a protective resist film 14 of resist containing polydimethylglutarimide(PMGI) having a heat resistance higher than that of the lower and upper resist films 12 and 13 are sequentially formed on a substrate 11. - 特許庁

日本語入力機能を有する携帯電話３０において、５行３列の基本スイッチ１６があり、このスイッチの１列に上から順にＡ・Ｉ・Ｕ・Ｅ・Ｏが割付けてあって、そのスイッチでローマ字入力することを特徴とする。例文帳に追加

In the cellular phone 30 having a Japanese-inputting function, there is a basic switch 16 in five columns and three rows, A, I, U, E and O are allocated to one row of the switch in this order from an upper portion, thus allowing one to enter Roman letters using the switch. - 特許庁

透明基材の上に透明導電層、発光層、誘電体層及び背面電極を順次積層してなる分散型ＥＬ素子において、透明導電層と発光層の間に、樹脂成分中に導電性微粒子を含有する透明誘電体層を設けることを特徴とする分散型ＥＬ素子。例文帳に追加

The dispersion-type electroluminescence element comprises the transparent conductive layer, the light-emitting layer, a dielectric layer, and a backplane substrate, which are sequentially layered on a transparent substrate, wherein the transparent dielectric layer containing the electrically-conductive fine particles in the resin component is disposed between the transparent conductive layer and the light-emitting layer. - 特許庁

閾値を増加させると断層画像３００上においてトレースライン３２６，３２８が上方へ移動する順対応関係が成立している場合には、つまみ３３０Ａの時計回り操作により閾値を増加させ、つまみ３３０Ｂの反時計回り操作により閾値を減少させる。例文帳に追加

When a forward corresponding relationship in which an increase in the threshold value moves the trace lines 326 and 328 upward on a tomogram 300 materializes, the threshold value is increased by operating a knob 330A clockwise and the threshold value is decreased by operating a knob 330B counterclockwise. - 特許庁

ＣＰＵ１は、自動演奏曲のイベントデータにおいて発音開始時間が同時であるイベントデータが所定数を超えている場合には、所定数のイベントデータごとに所定時間遅延させて順に演奏ガイドデータを生成してＬＥＤ群８に出力する。例文帳に追加

When event data having the same sounding start time among event data of automatically played music exceeds a specific number, a CPU 1 generates playing guide data with a specific time for every specified number of event data and outputs the data to an LED group 8. - 特許庁

入力されるデータに対して並列に処理を行うＮ個の暗号処理回路４ａ，４ｂにＩビットカラーのデジタル映像データストリーム、又はＪビットのフレーム長のデジタル音声データストリームを暗号の処理単位Ｌビットずつ小単位で順次に入力して暗号化を行う。例文帳に追加

An encryption device inputs an I-bit color digital video data stream or a digital audio data stream having a frame length of J bits in a small unit for each processing units of L bits one after another to N encryption processing circuits 4a and 4b which process input data in parallel, and encrypts the input data stream. - 特許庁