TI onとは 意味・読み方・使い方
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ʃən; /s/ の後では 「TI on」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 799件
A Ti/Al electrode 105 is formed on the AlGaN layer 103.例文帳に追加
またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。 - 特許庁
A TiO_2 film 106 is formed by sputtering a Ti metal film 105 on the HfSiO film 104 and subjecting the Ti metal film 105 to a thermal oxidation treatment.例文帳に追加
その上にTi金属膜105をスパッタし、それを熱酸化処理して、TiO_2膜106を形成する。 - 特許庁
METHOD FOR COATING Al-Si ALLOY ON SUBSTRATE OF Ti OR Ti ALLOY例文帳に追加
ＴｉまたはＴｉ合金基体に対するＡｌ−Ｓｉ合金の被覆法 - 特許庁
The coating film containing Ti and O formed on the surface-treated metal sheet preferably contains Ti in an amount of 3 to 200 mg/m^2.例文帳に追加
本発明の表面処理金属板では、TiおよびOを含む皮膜のTi量が3〜200mg/m^2であることが好ましい。 - 特許庁
An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1.例文帳に追加
ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。 - 特許庁
To form a Ti-based self diffusion barrier film on a wiring surface, even if a Cu-Ti-based sputter film is heat-treated at a temperature lower than the conventional temperatures.例文帳に追加
Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。 - 特許庁
The gate electrode 12 preferably comprises a Ti film 2, an Al film 3, and a Ti film 4 successively laminated in this order on the insulating layer substrate 1 for low resistance.例文帳に追加
ゲート電極(12)は、絶縁性基板側からTi膜(2)、Al膜(3)及びTi膜(4)が積層されていると低抵抗となり好ましい。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「TI on」に類似した例文 |
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tion
opahs
むら
a village
to speak with a provincial accent
skuas
汚すさま
「TI on」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 799件
Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加
BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁
In the case an alkali metal is deposited on a carrier of a TiO2-Al2O3 compounded oxide in which Ti is highly dispersed in atomic scale, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/12)-(1/18) and in the case an alkaline earth metal is deposited, the Ti/Al mole ratio is controlled to be within (1/4)-(1/6).例文帳に追加
Tiが原子レベルで高分散したTiO_2-Al_2O_3の複合酸化物からなる担体に、アルカリ金属を担持した場合は担体のTi／Alモル比を１／12〜１／18の範囲とし、アルカリ土類金属を担持した場合は担体のTi／Alモル比を１／４〜１／６とした。 - 特許庁
The surface treated metallic plate has a Ni coating film on at least one surface of a metallic plate and a film containing Ti, O and an organic material on the surface of the Ni coating film or has a coating film containing Ti and O on the surface of the Ni coating film and an organic coating film on the coating film containing Ti and O.例文帳に追加
金属板の少なくとも片面に、Ni皮膜を有し、前記Ni皮膜上にTi、Oおよび有機物を含む皮膜を有する、あるいは前記Ni皮膜上にTiおよびOを含む皮膜を有し、前記TiおよびOを含む皮膜上に有機皮膜を有することを特徴とする表面処理金属板。 - 特許庁
If Ti(t)≤Tm, the minimal power quantity E(Ti) corresponding to the inflow water temperature Ti(t) is set, based on the decision table (S107).例文帳に追加
Ｔｉ(ｔ)≦Ｔｍの場合には、判定テーブルに基づいて入水温度Ｔｉ(ｔ)に対応する最低発電量Ｅ（Ｔｉ）に変更される（Ｓ１０７）。 - 特許庁
To prevent dirt or damage by an adhesion of fingerprints or the like on the surface of Ti or a Ti alloy.例文帳に追加
ＴｉまたはＴｉ合金の表面に対して、指紋の付着等による汚れや傷付きを防止する。 - 特許庁
An emitter electrode 13 comprising a Ti layer and Au layer on the entire reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 are provided.例文帳に追加
n^+型GaAs基板１裏面全体にはTi層とAu層から成るエミッタ電極１３を有している。 - 特許庁
A conductor layer (10) consisting of Ti or W etc. is arranged on the remainder of the one main surface (16) of the substrate (1).例文帳に追加
基板（１）の一方の主面（１６）の残部にTi又はW等の導電体層（１０）を配置する。 - 特許庁
Thus, the growth of the reactant of F and Ti on the Ti-containing film can be suppressed.例文帳に追加
これにより、Ｔｉを含む膜上にＦとＴｉの反応物の成長を抑えることができる。 - 特許庁
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