Next, the side wall 13 formed of SiN is formed on the offset spacer 7 and the side wall 11 to cover the same SiN film.例文帳に追加

次に、オフセットスペーサ７及びサイドウォール１１上に、ＳｉＮからなりこれらを覆うようなサイドウォール１３を形成する。 - 特許庁

In 1580 Nobunaga exiled Hidesada HAYASHI because of the former sin, but he did not accuse Katsuie SHIBATA who committed the same sin.発音を聞く 例文帳に追加

天正8年（1580年）、信長は林秀貞を昔の謀反の罪で追放したが、同じ罪にあった柴田勝家には罪を問わなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is believed that a conception of treating sin and Kegare in the same way like 'sin and Kegare' in Shinto was not a special one in ancient periods.発音を聞く 例文帳に追加

神道の「罪穢れ」のように罪と穢れを同列に扱う考え方も、古代には特殊なものではなかったと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.例文帳に追加

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁

The interference pulse light S9 of the same logic as the logic of the input pulse light SIN is formed from the interference pulse light S6b by the delay interference device 9.例文帳に追加

遅延干渉器９で干渉パルス光Ｓ_6bから入力パルス光Ｓ_INと同論理の干渉パルス光Ｓ_9を生成する。 - 特許庁

The oscillator 8a outputs oscillation output signals S_1 to S_5 synchronized with a synchronizing signal Sin in the same frequency.例文帳に追加

発振器８ａは、同一周波数で、同期信号Ｓinに同期した発振出力信号Ｓ_1〜Ｓ_5を出力する。 - 特許庁

The signal S1 of the audible frequency region is subtracted from the audio signal Sin by a subtraction section 8, and the subtracted signal S7 and the signal S5 are added by an adder section 6, and thereby, an audio signal Sout of the same frequency region with the audio signal Sin is created.例文帳に追加

減算部８によってオーディオ信号Ｓinから可聴周波数域の信号Ｓ１を減算し、その減算した信号Ｓ７と信号Ｓ５とを加算部６が加算することで、オーディオ信号Ｓinと同じ周波数域のオーディオ信号Ｓoutを生成する。 - 特許庁

This circuit is provided with a numerical operation oscillator circuit 12 generating the sine wave signal sin (ω) and the cosine wave signal cos (ω) of the same frequency as the carrier frequency ω of a chrome signal Cin, and the signal Cin is multiplied by the signals sin (ω) or cos (ω).例文帳に追加

クロマ信号Ｃｉｎの搬送波周波数ωと同一周波数の正弦波信号ｓｉｎ（ω）及び余弦波信号ｃｏｓ（ω）を生成する数値演算オシレータ回路１２を設け、その正弦波信号ｓｉｎ（ω）と余弦波信号ｃｏｓ（ω）をそれぞれクロマ信号Ｃｉｎに乗算する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an ELK film 12 formed on a semiconductor substrate 11; an SiN film 13 formed on the ELK film 12; and the plurality of interconnection 16 formed in the ELK film 12 and the SiN film 13 and disposed at the practically same height.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたＥＬＫ膜１２と、該ＥＬＫ膜１２の上に形成されたＳｉＮ膜１３と、ＥＬＫ膜１２及びＳｉＮ膜１３に形成され、実質的に同一の高さに配置された複数の配線１６とを有している。 - 特許庁

Preferably, the bottom silicon oxide film HTO1, the intermediate silicon nitride film SiN and the top silicon oxide film HTO2 are successively formed by using the same semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

好適には、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ、トップ酸化シリコン膜ＨＴＯ２の成膜を、同一の半導体製造装置を用いて連続して行う。 - 特許庁

The optical waveguide manufacturing method is characterized in that a film of an SiN layer is formed on a lower clad and that ultraviolet rays are emitted onto the SiN layer, through an exposure mask having an ultraviolet non-transmitting region in the same shape as the planar shape of a target optical waveguide core and having an ultraviolet transmitting region in other regions.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に、作製すべき光導波路コアの平面形状と同じ形状の紫外線不透過領域を持ち、それ以外の領域は紫外線透過領域となっている露光マスクを通して、紫外線を照射する、ことを特徴とする光導波路作製方法。 - 特許庁

On the 95th day of his seclusion (April 5th of the same year), he had a dream in which Prince Shotoku (or Kannon Bosatsu's incarnation) appeared and said, "If you have sexual intercourse because of your previous karma, I will take your sin instead becoming the woman for you.発音を聞く 例文帳に追加

そして95日目（同年4月5日）の暁の夢中に、聖徳太子が示現され（観音菩薩の化身が現れ）、「行者がこれまでの因縁によってたとい女犯があっても私（観音）が玉女の身となって、肉体の交わりを受けよう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At the same time, the speech signal processing apparatus changes an output speech signal Sout from an input speech signal Sin to the speech signal SC for complementarity.例文帳に追加

これとともに、音声信号処理装置は出力音声信号Ｓｏｕｔを入力音声信号Ｓｉｎから補完用音声信号ＳＣへ切り替える処理を行う。 - 特許庁

Forasmuch then as Christ suffered for us in the flesh, arm yourselves also with the same mind; for he who has suffered in the flesh has ceased from sin;発音を聞く 例文帳に追加

それで，キリストは肉においてわたしたちのために苦しみを受けられたのですから，あなた方も同じ思いで武装しなさい。肉において苦しみを受けた人は，罪をやめているからです。 - 電網聖書『ペトロの第一の手紙 4:1』

Furthermore, in order for his son to avoid committing the same sin as he has done in the past, Genji never gives his son Yugiri a chance to get to know deeply his wives except Hanachirusato, who does not look so attractive.発音を聞く 例文帳に追加

また、源氏は自分が過去に起こした過ちを繰り返させないために、息子の夕霧には容貌の劣る花散里以外の妻たちと親しく会わせたことはなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To secure the coherency between heat generating electronic components and a heat sink, and at the same time to separate a soldering process from a heat sink assembly one in a heat sin device used for various electronic equipment.例文帳に追加

各種電気機器に使用される放熱板装置において、発熱電子部品と放熱板の密着性を確保しつつ、半田付け工程と放熱板組み立て工程を分離すること目的とする。 - 特許庁

An analog signal including a sine wave signal Ax.sin(2πFt+ψ) of a frequency the same as a known reference analog sine wave signal A0.sin2πft is input in an input terminal IN.例文帳に追加

入力端子ＩＮには、既知の基準アナログ正弦波信号Ａ_0・sin２πｆｔと同一周波数の正弦波信号Ａx・sin(２πｆｔ＋ψ)を含むアナログ信号が入力される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film-forming composition which excels in coating uniformity of a solution and surface hardness of a coating film and adhesion to SiN and, at the same time, exhibits a low relative permittivity, and to obtain an insulating film-forming material.例文帳に追加

溶液の塗布均一性や塗膜の表面硬度やＳｉＮとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物の製造方法、および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing variation in performance characteristics of an element even if an SiN film is used as a protection film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

保護膜としてＳｉＮ膜が使用されている場合であっても、素子動作特性の変動を軽減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of signals which have frequencies different from each other or whose phases are reverse to each other in the same frequency are generated at f1 and f2 signal based SIN wave generation circuits 203 and 204 and reversing circuits 205 and 206.例文帳に追加

周波数が異なる又は同一周波数で位相の反転した複数の信号を、ｆ１ ＳＩＮ発生回路２０３、ｆ２ ＳＩＮ発生回路２０４、反転回路２０５，２０６で生成する。 - 特許庁

The movable terminals of the semi-fixed resistors TR1, TR2 each move at the same proportion interlockingly in an opposite direction to each other, and are adjusted so that when an audio signal Sin is mute, the duty ratios Spwm, /Spwm of PWM signals output from the inverters INV1, INV2 are 50%.例文帳に追加

半固定抵抗器ＴＲ１，ＴＲ２の各可動端子は互いに逆方向に連動して同一の割合で移動し、オーディオ信号Ｓinが無音の場合にインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２から出力されるＰＷＭ信号Ｓpwm，／Ｓpwmのデューティ比が５０％となるように調整されている。 - 特許庁

The second insulating film 16b consists of a material (silicon oxide (SiO_x), and silicon nitride (SiN_x) etc.) having excellent etching selectivity by same gas or solution to oxide semiconductor constituting the channel layer 15 and the first insulating material respectively.例文帳に追加

第２絶縁膜１６ｂはチャネル層１５を構成する酸化物半導体および第１絶縁材料それぞれに対して同一ガス（あるいは溶液）によるエッチング選択性の良好な材料（酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等）により構成されている。 - 特許庁

Due to Yugiri's very honest personality, he does not commit the same sin his father Genji did, but when he catches a glimpse of Murasaki no ue on her deathbed, he expresses great admiration for her beauty even in death ('Minori' (The Rites)), wishing that she would have lived longer after Genji died. ('Nioumiya')発音を聞く 例文帳に追加

夕霧の生真面目な性格から父源氏のような過ちは起こらなかったものの、紫の上臨終後に再び垣間見た際には、その死に顔すら類なく美しいと絶賛し（「御法」）、源氏亡き後まで彼女が存命であればと惜しんでいる（「匂宮」）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a nitride semiconductor substrate that has low resistance and is excellent in crystallinity of a nitride semiconductor single-crystal layer without forming an SiN_x layer between an Si substrate and the nitride semiconductor single-crystal layer formed thereupon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An input signal SIN (f±fDEV) to which a frequency deviation (±fDEV) is performed for a carrier frequency (f) is inputted to a signal converter 1, and an input rectangular signal SSQ (f±fDEV) which makes the same frequency a reference frequency is outputted.例文帳に追加

キャリア周波数（ｆ）に対して周波数偏差（±ｆＤＥＶ）された入力信号ＳＩＮ（ｆ±ｆＤＥＶ）が信号変換部１に入力され、同一周波数を基本周波数とする入力矩形信号ＳＳＱ（ｆ±ｆＤＥＶ）が出力される。 - 特許庁

The correspondence between the first and second display modes correspond to the same display modes about a display mode [SIN GLE(+), SINGLE(-), TOTAL(+), TOTAL(-), and REMAIN] common to both display modes, and correspond to a prescribed mode [SINGLE(+)] among the other display modes about a display mode (TITLE) which is present only in one side.例文帳に追加

第１及び第２表示モードの対応関係は、両表示モードに共通の表示モード〔ＳＩＮＧＬＥ（＋）、ＳＩＮＧＬＥ（−）、ＴＯＴＡＬ（＋）、ＴＯＴＡＬ（−）及びＲＥＭＡＩＮ〕については同一の表示モード同士が対応し、一方にのみ存在する表示モード（ＴＩＴＬＥ）についてはそれらに他方の表示モードのうちの所定のもの〔（ＳＩＮＧＬＥ（＋））が対応するように定める。 - 特許庁

The variable phase shift circuit is provided with: an input A for inputting an input signal Sin having a designated oscillation frequency; an output B for supplying an output signal Sout having the same oscillation frequency as the input signal and having a variable phase shift to the input signal; and at least one control input C.例文帳に追加

可変位相シフト回路は、指定された発振周波数を有する入力信号Ｓｉｎを入力する入力Ａと、同じ発振周波数を有し、かつ入力信号に対する可変位相シフトを有する出力信号Ｓｏｕｔを供給する出力Ｂと、少なくとも１個の制御入力Ｃとを備える。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁