B2 RULE LATTICE INTERMETALLIC COMPOUND TARGET AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

Ｂ２規則格子金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 - 特許庁

The difference in lattice constants between those of BN and sapphire is small, and the difference in lattice constants between those of BN-based compound semiconductor and sapphire is also small.例文帳に追加

ＢＮはサファイアと格子定数差が小さく、これを含むＢＮ系化合物半導体もサファイアとの格子定数差が小さい。 - 特許庁

The oxide sintered compact contains a spinel compound represented by an AB_2O_4-type compound composed of zinc oxide, gallium oxide and tin oxide, and having a lattice constant which is a middle one between the lattice constant of a spinel compound represented by ZnGa_2O_4 and the lattice constant of a spinel compound represented by Zn_2SnO_4.例文帳に追加

酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル化合物の格子定数とＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するＡＢ_２Ｏ_４型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 - 特許庁

To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に形成する。 - 特許庁

For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected.例文帳に追加

バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。 - 特許庁

Further, the superior quality of crystal of another compound semiconductor not lattice-matched with the above substrate can be obtained.例文帳に追加

またこの基板とは格子整合しない別の化合物半導体の良質な結晶を得ることができる。 - 特許庁

A semiconductor substrate is provided, which includes a first III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and not containing arsenic, and a second semiconductor layer which is formed in contact with the first semiconductor layer, includes a III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and can be selectively oxidized with the first semiconductor layer.例文帳に追加

ＩｎＰに格子整合または擬格子整合する砒素を含まない３−５族化合物の第１半導体層と、前記第１半導体層に接して形成された、ＩｎＰに格子整合または擬格子整合する３−５族化合物の半導体層であって、前記第１半導体層に対し選択的に酸化が可能な第２半導体層と、を備えた半導体基板が提供される。 - 特許庁

The ZnTe-based compound semiconductor single crystal is formed by doping a dopant element characterized in that the dopant element can occupy a Zn lattice position, and the energy at the time the dopant element occupies the Zn lattice position is stabler than the energy when a vacancy is formed at the Zn lattice position.例文帳に追加

Ｚｎ格子位置を占める元素で、Ｚｎ格子位置を占めたときのエネルギーがＺｎ格子位置に空孔を形成したときのエネルギーよりも安定であるドーパント元素をドーピングしてＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶を形成するようにした。 - 特許庁

The void of a unit lattice of skutterudite compound CoSb3 is filled with Yb which is a rare earth element, to cause a phonon scatter due to rattling effect independent of surrounding lattice oscillation, providing a relatively low lattice heat conductivity.例文帳に追加

スクッテルダイト化合物ＣｏＳｂ_3 の単位格子の空隙に希土類元素であるＹｂを充填し、これによって空隙に充填されたＹｂが周りの格子振動と無関係にガラガラのように鳴る運動（rattling効果）によるフォノン散乱を生じさせて、相対的に小さい格子熱伝導率を得る。 - 特許庁

The high-performance thermoelectric conversion material is a filled skutterudite compound such that a gap of a unit lattice of a skutterudite compound CoSb_3 is filled with Yb, a lattice constant of crystal thereof is ≥9.05 Å, and the system and the structure of the filled skutterudite compound are in a CoSb_3 single phase.例文帳に追加

スクッテルダイト系化合物CoSb_3単位格子の空隙にYbが充填された、フィルド・スクッテルダイト系化合物であって、その結晶の格子定数が9.05Å以上であり、該フィルド・スクッテルダイト系化合物の組織及び構造がCoSb_3単相であることを特徴とする、高性能熱電変換材料。 - 特許庁

To obtain a crystal of a metal compound, which has a reduced particle size and increased lattice defects, when sterilizing laundry with metal ions.例文帳に追加

洗濯物を金属イオンで抗菌処理するに際し、粒子の小さい、格子欠陥の多い金属化合物の結晶が得られるようにする。 - 特許庁

Cracks previously provided on a second nitriding compound semiconductor layer 2 have an action to reduce a tensile distortion caused by a difference in a lattice constant.例文帳に追加

第２の窒化化合物半導体層２に予め設けられたクラックは、格子定数の違いによる引張り歪みを緩和する作用がある。 - 特許庁

Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced.例文帳に追加

それによって、ＧａＮ化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。 - 特許庁

Accordingly, the BN-based compound semiconductor buffer layer 24 acts to relax lattice misalignment between the substrate 11 and semiconductor crystalline layers 34, 35 and 36.例文帳に追加

従って、ＢＮ系化合物半導体バッファー層２４が、基板１１と半導体結晶層（３４、３５，３６）間における格子不整合を緩和する。 - 特許庁

To provide an RHx compound having crystalline grains strongly oriented in a specified lattice plane and having little unstable hydrogen and impurities such as Y_2O_3.例文帳に追加

自己の各結晶粒が特定の格子面に強く配向し、不安定水素及びＹ_２Ｏ_３等の不純物が少ないＲＨｘ化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a compound semiconductor layer on a substrate having a lattice constant difference in ordinary process conditions.例文帳に追加

格子定数差のある基板上に化合物半導体層を通常のプロセス条件でエピタキシャル成長させる方法を提供する。 - 特許庁

Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained.例文帳に追加

よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。 - 特許庁

To provide a nitride-based compound semiconductor element, in which lattice misalignment at an interface with a substrate is relaxed.例文帳に追加

基板との間の界面における格子不整合が緩和された窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor self-standing substrate is composed of a nitride-based compound semiconductor crystal in which the variation of the lattice constant is ±12 ppm or less.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体結晶の格子定数のばらつきを±１２ｐｐｍ以下として窒化物半導体自立基板を形成する。 - 特許庁

To grow a III-V compound layer on a substrate having sharply different lattice constant.例文帳に追加

格子定数が大幅に異なる基板上にＩＩＩ−Ｖ族層を成長させるための改良された方法を提供することができる。 - 特許庁

To reduce the occurrence of crystal defect, i.e., dislocation in a compound semiconductor layer in a compound semiconductor wherein lattice mismatching between a substrate and the compound semiconductor layer formed on the substrate is ≥2%.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

The quantum well layer 3 includes first compound semiconductor layers 3a and 3c, and a second compound semiconductor layer 3b causing crystals of the first compound semiconductor layers 3a and 3c to generate lattice strain.例文帳に追加

量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

To obtain a metal complex compound having a precise host lattice structural hole for incorporating a large compound without any through-structure and to provide a method for producing the metal complex compound.例文帳に追加

貫通構造なく大きな化合物を取り込む精密なホスト格子構造空孔を有する金属錯体化合物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The production method of the hydrogen clathrate compound is characterized by dissolving the host compound into a solvent, recrystallizing the host compound while making hydrogen flow through the resulting solution, and inserting hydrogen molecules into crystal lattice of the host compound.例文帳に追加

ホスト化合物を溶媒に溶解し、この溶液中に水素を流通しながら前記ホスト化合物を再結晶させると共に前記ホスト化合物の結晶格子中に水素分子を挿入することを特徴とする水素包接化合物の製造方法。 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

The lattice constants of the In GaAsP semiconductor layers 16, 20 are larger than the lattice constant of the InP substrate 4, and smaller than that of the group III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩｎＰ基板４の格子定数より大きく、また、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８の格子定数より小さい。 - 特許庁

The brazing filler metal for brazing base materials 5 to each other is formed by composing ≥2 kinds of metals in order to lower the melting point and is so constituted that the structure after brazing thereof attains a phase consisting of a face centered cubic lattice (Fcc) or a phase consisting of the face centered cubic lattice and an intermetallic compound.例文帳に追加

基材５同士をろう付けするためのろう材において、低融点化すべく２種以上の金属を複合させてなると共に、そのろう付け後の組織が面心立方型格子（Ｆｃｃ）からなる相又は面心立方型格子及び金属間化合物からなる相となるように構成する。 - 特許庁

To prevent a nitride based compound semiconductor crystal from being warped, after removing a substrate, due to a strain caused by lattice mismatch between the substrate and the nitride based compound semiconductor crystal.例文帳に追加

基板と窒化物系化合物半導体結晶との格子不整合により生じる歪による、基板を除去した後に窒化物系化合物半導体結晶に形成されるそりを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which comprises a compound semiconductor substrate which can not realize matching property between a light projecting compound semiconductor and a lattice constant, and shows high light output.例文帳に追加

光を出射する化合物半導体と格子定数の整合性がとれない透明な化合物半導体基板を含んだ上で、高い光出力を示す半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The interlayer 12 intervenes in lamination interface of the compound semiconductor layers 11, 13, and the lattice constant difference is made 0.7% or less in a junction interface of the compound semiconductor layers 11, 13 at both ends.例文帳に追加

この場合、中間層１２は、化合物半導体層１１，１３の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層１１，１３の接合界面での格子定数差を０．７％以下にする。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal, by which a good quality compound semiconductor crystal thin film can be formed even when a substrate which has not been hitherto used because of its lattice mismatch or the difference in the coefficients of thermal expansion is used, and to provide a compound semiconductor device utilizing the method.例文帳に追加

従来は格子不整や熱膨張係数差により使用できなかった基板を用いても、良質な化合物半導体結晶薄膜を形成できる結晶成長法、及びそれを利用した化合物半導体装置である。 - 特許庁

In the compound semiconductor manufactured like this, a compressive strain is imposed on a crystal and an expansive strain, in the crystal, caused from a void of nitrogen can be relaxed, therefore, the manufactured compound semiconductor is a proper compound semiconductor superior in a crystallinity of less lattice defect.例文帳に追加

このようして製造された化合物半導体にあっては、結晶に圧縮歪みを与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張歪を緩和することができるので、格子欠陥の少ない結晶性に優れた良好な化合物半導体となる。 - 特許庁

In this compound semiconductor laminate, an InAs layer is formed in thickness of not less than 0.3 μm on a GaAs substrate, and a compound semiconductor protective layer having the same lattice constant in a parallel direction to the substrate as that of the InAs layer and having a lattice constant difference of ≤3% in a vertical direction to the substrate is formed on the InAs layer.例文帳に追加

本発明に係る化合物半導体積層体は、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ層を０．３μｍ以上と厚く形成し、そのＩｎＡｓ層上にＩｎＡｓ層と基板に平行方向の格子定数が等しく、基板に垂直方向の格子定数差が３％以内の化合物半導体保護層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The catalyst for purifying an exhaust gas comprises a combination of a CeZr-based compound oxide containing of Ce and Zr, and a catalyst metal of Rh, wherein the compound oxide is strengthened in its basic by adding a third metal constituent M such as an alkali metal in addition to Ce and Zr while Rh is arranged on a crystal lattice point or between crystal lattice points.例文帳に追加

Ｃｅ及びＺｒを含有するＣｅＺｒ系複酸化物と触媒金属Ｒｈとを組み合わせてなる排気ガス浄化用触媒において、当該複酸化物を形成する金属成分として、Ｃｅ及びＺｒの他に、アルカリ金属等の第三金属成分Ｍを添加することにより、当該複酸化物の塩基性を高める一方、Ｒｈは当該複酸化物の結晶格子点又は格子点間に配置する。 - 特許庁

The multilayer structure section 6 is constituted by alternately laminating the quantum dot layer 2 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant bigger than the substrate 1, and an intermediate layer 3 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant smaller than the substrate 1 so that the stress generated in the intermediate layer 3 and the stress generated in the quantum dot layer 2 cancel each other.例文帳に追加

多層構造部６は、基板１よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層２と基板１よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層３とを、この中間層３に生じる応力と量子ドット層２に生じる応力とが互いに相殺し合うように交互に積層して構成されている。 - 特許庁

The compound semiconductor laminated structure is structured such that a fourth buffer layer 40 formed of InP is provided as the uppermost layer of a laminated buffer layer 42 on a substrate 32, the laminated buffer layer 42 being formed to have lattice constants varied stepwise or continuously, and a particular compound semiconductor layer 44 having a lattice constant differing from that of the substrate 32 is formed on an upper surface of this fourth buffer layer 40 .例文帳に追加

基板３２上の、階段状もしくは連続的に格子定数の変化がなされて形成された積層バッファ層４２の最上層としてＩｎＰによる第４バッファ層４０を設け、この第４バッファ層４０の上面に、基板３２とは格子定数の異なる特定化合物半導体層４４が形成された構成とする。 - 特許庁

The coating material containing practically no formaldehyde comprises a binder and a compound, wherein the binder contains a crosslinked lattice and a hydrophilic group and the hydrophilic group is chemically connected to the crosslinked lattice and the compound has about 40 GPa to about 250 GPa elasticity (e.g. mica).例文帳に追加

実質的にホルムアルデヒドを含まない塗料であって、該塗料は、以下： 結合剤であって、該結合剤は、架橋格子および親水性基を含有し、該親水性基は、該架橋格子に化学的に結合している、結合剤；および 約４０ＧＰａと約２５０ＧＰａの間の弾性率を有する化合物（例えば、マイカ）、を含有する、塗料。 - 特許庁

The semiconductor element 100 has a multilayer structure comprising a compound semiconductor layer 11 formed of a nitride compound semiconductor such as GaN, a compound semiconductor layer 13 formed by a nitride compound semiconductor such as AlN whose lattice constant difference is 0.7% or more to the compound semiconductor layer 11 and an interlayer 12 whose lattice constant difference is 0.7% or less in a fine part inside a layer region.例文帳に追加

この発明にかかる半導体素子１００は、ＧａＮ等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層１１と、この化合物半導体層１１に対する格子定数差が０．７％以上であるＡｌＮ等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層１３と、層領域内の微小部分での格子定数差が０．７％以下である中間層１２と含む多層構造を備える。 - 特許庁

The electrolyte film layer 110 is formed into a film by using a proton conductive compound of a perovskite structure, and exerts a proton conductive property in a state that an oxygen atom is introduced in an inter-lattice oxygen deficiency.例文帳に追加

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜され、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でプロトン伝導の性質を呈する。 - 特許庁

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction.例文帳に追加

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

The magnetic film 12 provided on a transparent support body 11 contains a nono sheet made of laminar titanium oxide having a magnetic element substituted at a Ti lattice position, a dispersant enclosing the nano sheet, and a water-soluble organic compound.例文帳に追加

透明な支持体１１上に設けられる磁性膜１２は、Ｔｉ格子位置に磁性元素が置換した層状チタン酸化物からなるナノシートと、該ナノシートを包囲した分散剤と、水溶性有機化合物とを含むことを特徴する。 - 特許庁

To provide an alkaline earth metal compound-containing zeolite catalyst hard to cause the elimination of four-coordinate aluminum in a zeolite lattice and slow in carbonaceous precipitation speed during reaction, and a simple and inexpensive preparation method thereof.例文帳に追加

ゼオライト格子内の４配位アルミニウムの脱離を起こしにくく、反応中の炭素質析出速度が遅いアルカリ土類金属化合物含有ゼオライト触媒およびその簡易で安価な調製方法を提供する。 - 特許庁